具有多模式同步整流器的升壓轉換器及其操作方法
2023-07-24 15:04:06
專利名稱：具有多模式同步整流器的升壓轉換器及其操作方法
技術領域：
本文涉及轉換器，更具體地說，涉及具有多模式同步整流器的電壓轉換器。
背景技術：
電子設備可以使用功率管理系統來轉換、整流和傳送用於系統的各個子部件的功率。例如，升壓轉換器可以提供可以具有比供應給該升壓轉換器的電源電壓高的電壓的輸出功率。升壓轉換器可以向若干電子子部件提供功率，這些電子子部件包括但不限於移動電子設備、音頻集成電路和升壓型D類集成電路的部件
發明內容
本文總體涉及將輸入電壓電平轉換為可以與輸入電壓電平不同的輸出電壓電平，更具體地說，涉及更高效地在電壓之間進行轉換的操作模式。在ー個示例中，提供了ー種操作轉換器的方法，所述轉換器包括感應器，其被配置為從電源接收電源電壓，第一開關，其被配置為在負載與所述感應器之間傳導電流，以及第二開關，其被配置為在所述感應器中啟動電流。所述方法可以包括當所述電源電壓處於或者接近於期望負載電壓時，使用所述第一開關將所述電源連接到所述負載；當輸出電壓遠低於所述電源電壓時，使用所述第一開關和第三開關形成電流鏡，並且使用所述第一開關和連接到所述第三開關的電流源限制所述電源與所述負載之間的電流；以及當所述轉換器被禁用時，使用所述第一開關將所述負載與所述感應器隔離。在另ー個示例中，一種轉換器可以包括第一開關，其被配置為將感應器連接到負載；第二開關，其被配置為在所述感應器中啟動電流；第三開關，其被連接到電流源；以及控制器，其被配置為當所述轉換器被禁用時，將所述第一開關和所述第二開關切換到斷開狀態以將所述負載與電源電壓隔離；當所述電源電壓接近於期望負載電壓時，將所述第一開關切換到閉合狀態並且將所述第二開關切換到斷開狀態；以及當輸出電壓遠低於所述電源電壓時，將所述第一開關連接到所述第三開關以形成電流鏡，使用所述第一開關在所述感應器與所述負載之間傳導電流，並且使用所述電流源控制所傳導的電流。該部分g在提供對本專利申請的主題的概括，並非g在提供對本發明的排他性或窮盡性解釋。包含具體實施方式
是為了提供與本專利申請有關的其它信息。
在附圖(其不一定按比例繪製)中，相似的數字可以描述不同的視圖中的類似部件。具有不同字母後綴的相似數字可以表示類似部件的不同例子。附圖以舉例而非限制的方式大體示出了本文中討論的各個實施例。圖I大體示出了示例性同步整流升壓轉換器(SRBC)系統100 ；圖2A和圖2B大體示出了斷電、隔離或關閉操作模式下的同步升壓整流器系統的示例；
圖3A和圖3B大體示出了啟動操作模式下的同步升壓整流器系統的示例；圖4A和圖4B大體示出了被配置為在直通(pass-thru)操作模式下操作的同步升壓整流器系統的示例；圖5大體示出了用於示例性同步升壓整流器系統的示例性開關控制波形；並且圖6大體示出了操作同步整流的升壓轉換器的示例性方法600。
具體實施例方式本發明人已認識到的，除了其它情況之外，一種功率管理系統，其可以以高效的方式在寬範圍的輸入電源電壓和輸出負載上提供動態控制的功率。在某些示例中，功率管理系統可以包括同步整流的升壓轉換器(SRBC)，其在啟動期間使用電流源模式來控制電池浪湧電流。在正常操作期間，SRBC可以根據負載要求向轉換器輸出端提供輸入電池電壓或加 強調節(stepped up regulated)的電壓。在一個示例中，SRBC可以包括可以從電源接收電源電壓的感應器。第一開關可以在負載與感應器之間傳導電流，第二開關可以在感應器中啟動電流。在某些示例中，SRBC可以提供四種不同的操作模式，與之相對地，典型的升壓轉換器中提供兩種操作模式。在一個示例中，在關閉模式或斷電模式下，SRBC可以將輸入電池電壓與轉換器輸出端隔離開來，從而允許轉換器輸出端保持在參考電勢，例如，0V，故而在輸入電壓施加於轉換器時不從電池中汲取電流。在一個示例中，在啟動模式期間，SRBC可以被配置為電流源。作為電流源，SRBC可以在將來自電池的浪湧電流限制為預定義的值的同時將輸出電容器充電到輸入電池電壓。在一個示例中，在功率負載低的情況下，SRBC可以通過開啟SRBC的同步整流器部分(例如，PMOS同步整流器)以將輸入電池電壓直接傳送到轉換器輸出端從而消除與SRBC的輸出級相關聯的開關損耗，來提供高效率。在一個示例中，在功率負載較高的情況下，SRBC可以通過使同步整流器的功率設備的體ニ極管中的傳導損耗最小化，來維持高效率。圖I大體示出了 SRBC系統100，其包括感應器101、第一功率開關102、第二功率開關103、功率管理控制器104、啟動電晶體105、啟動電流源106、轉換器輸出端116、輸出電容器117以及多個模式控制開關109、110、111。通常，第一功率開關102和第二功率開關103可以控制感應器101的電流以將具有電壓Vin的輸入電源功率轉換為具有電壓Votit的輸出電源功率。開關控制器112可以控制第一功率開關102和第二功率開關103來轉換功率。在一個示例中，第一功率開關102可以包括諸如PMOS電晶體之類的PMOS器件。在一個示例中，第二功率開關103可以包括諸如NMOS電晶體之類的NMOS器件。在某些示例中，開關控制器112可以向第一功率開關102和第二功率開關103的柵極提供控制信號，以將具有電壓Vin的輸入電源功率轉換為具有電壓Votit的輸出電源功率。模式控制器113可以提供控制SRBC系統100在SRBC系統100的一般操作之外的各個時間間隔期間的操作的信號114。模式控制器113可提供的模式的示例包括當SRBC系統100被禁用時的隔離模式、當SRBC系統被首次啟用並且輸出電源電壓Vott遠低於輸入電源電壓Vin時的啟動模式，以及當輸入電源電壓Vin處於與期望輸出電源電壓Vott大約相同的電平時的直通模式。在啟動期間，輸出電源功率電壓Vot可以從接近地電勢處開始，然後増加到高於VINo電平移位電路115可以監控輸入電源功率電壓Vin與輸出電源電壓Votjt之間的差,並且使針對第一功率開關102的控制信號的電平移位,使得第一功率開關102通過輸出電源功率電壓Votit的全電壓增加來一致地操作。在一個示例中，第一功率開關102和第二功率開關103可以包括金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET)。在某些示例中，第一功率開關102可以是P型M0SFET，第二功率開關103可以是η型M0SFET。應當理解的是，在不偏離本主題的範圍的情況下，也可以使用其它類型的功率開關來形成同步整流的升壓轉換器。圖2Α和圖2Β大體示出了斷電、隔離或關閉操作模式下的同步升壓整流器系統200的示例，例如，圖I的示例。與圖I的示例相比，圖2Α未示出電路器件中包括功率管理控制器在內的一個或多個電路器件以及用於模式開關的控制信號。圖2Β通過不顯示模式開關 209,210進ー步簡化了同步升壓整流器系統200。同步升壓整流器系統200可以包括感應器201、第一功率開關202、第二功率開關203、轉換器輸出端216、輸出電容器217以及多個模式控制開關209、210。在一個示例中，同步升壓整流器系統200可以在輸入電池電壓施加於系統200(例如，在輸入節點Vin處)的情況下被關閉。開關控制器(未示出)可以控制第一功率開關202和第二功率開關203的柵極，使得開關「關斷」。與「接通」的開關的開關接頭之間的相對較低的阻抗相比，「斷開」的開關的特徵在於，開關接頭之間具有相對較高的阻杭。第一模式開關209可以被閉合以將第一電晶體功率開關202的襯底(bulk)連接到感應器201。第二模式開關210可以被斷開以將轉換器輸出端216與第一電晶體功率開關202的襯底隔離。在隔離模式下，可以延長諸如電池之類的受限電源的有效壽命，這是因為轉換器輸出端216可以維持在0V，從而不從轉換器輸入電壓Vin中汲取電流。在一個示例中，可以通過感應器201將第一電晶體功率開關202的襯底與輸入電源電壓Vin相連接，以防止輸入電源功率到轉換器輸出端217的體ニ極管導通。圖3A和圖3B大體示出了啟動操作模式下的同步升壓整流器系統300的示例。與圖I的示例相比，圖3A未示出電路器件中包括功率管理控制器在內的一個或多個電路器件以及用於模式開關的控制信號。圖3B通過不顯示模式開關309、310、311進ー步簡化了同步升壓整流器系統300。同步升壓整流器系統300可以包括感應器301、第一功率開關302、第二功率開關303、啟動電晶體305、啟動電流源306、轉換器輸出端316、輸出電容器317以及多個模式控制開關309、310、311。在啟動模式的示例中，第一功率開關302可以被配置為電流源，第二功率開關303可以處於「關斷」狀態。在一個示例中，第一模式開關309可以將第一功率開關302的襯底連接到感應器301，第二模式開關310可以將該襯底與轉換器輸出端316隔離。在一個示例中，第一功率開關302可以包括PMOS電晶體，第三模式開關311可以將啟動電晶體305與第一功率開關302相連接以形成電流鏡。在啟動操作模式期間，第一功率開關302的電流源配置在限制來自諸如電池之類的輸入電源的浪湧電流的同時可以允許輸出電壓Votjt充電到輸入電壓VIN。限制浪湧電流可以將電源在啟動期間的電壓降最小化。在一個示例中，啟動電流源306可以設置浪湧電流限制。在一個示例中，啟動電流源306可以是可編程的。在一個示例中，可以在啟動模式的至少一部分期間，通過感應器將第一功率開關302的襯底連接到VIN，以防止到轉換器輸出端316的體ニ極管導通。在某些示例中，集成電路晶片可以包括第一功率開關302、第二功率開關303、啟動電晶體305、啟動電流源306以及控制器。在某些示例中，集成電路晶片還可以包括模式控制開關309、310、311。在一個示例中，模式控制開關309、310、311可以包括諸如MOS電晶體開關之類的電晶體開關。圖4A和圖4B大體示出了被配置為在直通操作模式下操作的同步升壓整流器系統400的示例。與圖I的示例相比，圖4A未示出電路器件中包括功率管理控制器在內的ー個或多個電路器件以及用於模式開關的控制信號。圖4B通過不顯示模式開關409、410進ー步簡化了同步升壓整流器系統400。同步升壓整流器系統400可以包括感應器401、第一功率開關402、第二功率開關403、轉換器輸出端416、輸出電容器417以及多個模式控制開關 409,410ο在某些示例中，可以在輸入電源電壓Vin處於或接近於轉換器400的期望輸出電壓V0UT時使用直通操作模式。在ー個不例中，第一模式開關409和第二模式開關410可以與第一功率電晶體的襯底連接和斷開。在某些示例中，在直通操作模式期間，第一功率開關402的襯底可以連接到輸出電壓VOTT。通過使第一功率開關「接通」並且第二功率開關「關斷」，可以通過感應器401將諸如電池電壓之類的電源電壓直接傳送到轉換器輸出端416。在輕負載的情況下，直通模式可以通過消除功率開關的開關損耗來提供非常高的效率。例如，如果Vqut已被充電到Vin，則第一功率開關402和第二功率開關403的這種配置可以提供電池與負載之間的高效的功率傳輸方法。圖5大體示出了用於同步升壓整流器系統的示例性開關控制波形。在一個示例中，同步升壓整流器系統可以包括第一功率開關和第二功率開關，可以利用在設備的兩次開啟之間(between the turn on of the device)的非重疊時間以交替的方式切換第一功率開關和第二功率開關。例如，以非重疊的方式交替地切換第一開關和第二開關可以包括在將第二開關切換到閉合狀態之前，將第一開關切換到斷開狀態。在一個示例中，以非重疊的方式交替地切換第一開關和第二開關可以包括在將第二開關切換到斷開狀態之前，將第一開關切換到閉合狀態。圖5所示的波形示出了用於第一功率開關(例如，圖4的系統400的PMOS功率開關402)的控制信號501的示例以及用於第二功率開關(例如，圖4的系統400的NMOS功率開關403)的控制信號502的示例。在一個示例中，可以利用在每個開關的兩次轉換之間(between a transition of each switch)的非重疊時間以交替的方式切換同步升壓整流器系統的第一功率開關和第二功率開關，以防止直通(shoot-through)電流。在一個示例中，可以將輸出電HVott升壓到高於同步升壓整流器系統的電源電壓Vin的調節電壓。在一些示例中，在轉換器系統的同步整流操作模式期間，可以將諸如PMOS電晶體之類的第一功率開關的襯底與輸出電壓Vott相連接，以防止體ニ極管導通。圖6大體示出了操作同步整流的升壓轉換器的示例性方法600。在一個示例中，同步整流的升壓轉換器可以包括連接到感應器的第一功率開關和第二功率開關。控制器可以切換第一功率開關和第二功率開關，以將來自電源的能量存儲在感應器中並且然後將該能量傳送到轉換器輸出端。該能量可以向負載提供功率並且調節期望輸出電壓。
在一個示例中，在601處，可以在轉換器啟動期間使用第一轉換器功率開關來形成電流鏡。電流鏡可以包括第三啟動電晶體和電流源。在602處，在啟動期間，可以限制電源與負載之間的電流。在啟動期間，輸出電壓可以遠不同於電源電壓，使得當電源連接到負載時，電源與負載之間具有相當大的電流量可以流動。與在沒有啟動限制的情況下處理轉換器的啟動條件所需的部件相比，限制啟動電流可以允許使用更小、更便宜的部件來製造轉換器。在603處，當電源電壓處於或接近於期望負載電壓時，可以將電源連接到負載。在一個示例中，通過感應器將電源連接到負載可以減小轉換器損耗，這是因為在直通模式期間，轉換器功率開關未被切換。在604處，方法600可以包括以非重疊的方式交替地切換第一開關和第二開關，以將電源電壓升壓到期望輸出電壓。在605處，方法600可以包括當轉換器被禁用時將電源電壓與轉換器輸出端隔離。在一個示例中，可以將連接在轉換器輸出端與感應器之間的第一轉換器功率電晶體的襯底連接到感應器，以防止電源電荷到轉換器輸出端的體ニ極管導通。
補充注釋在示例I中，轉換器可以包括感應器，其被配置為從電源接收電源電壓，第一開關，其被配置為在負載與感應器之間傳導電流，以及第二開關，其被配置為在感應器中啟動電流。操作轉換器的方法可以包括當電源電壓處於或接近於期望負載電壓時，使用第一開關將電源連接到負載，當輸出電壓遠低於電源電壓時，使用第一開關和第三開關形成電流鏡，以及使用第一開關和連接到第三開關的電流源來限制電源與負載之間的電流，以及當轉換器被禁用時，使用第一開關來將負載與感應器隔離。在示例2中，示例I的將電源連接到負載可選地包括將第一金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET)切換到閉合狀態，並且將第二 MOSFET切換到斷開狀態。在示例3中，示例I至2中任一個或多個的將第一 MOSFET切換到閉合狀態可選地包括將第一 MOSFET的襯底連接到負載。在示例4中，示例I至3中任ー個或多個的使用第一開關和第三開關形成電流鏡可選地包括將第一 MOSFET的襯底連接到感應器以防止到負載的體ニ極管導通。在示例5中，示例I至4中任ー個或多個的使用第一開關將負載與感應器隔離可選地包括使用第一 MOSFET將負載與感應器隔離。在示例6中，示例I至5中任ー個或多個的使用第一 MOSFET將負載與感應器隔離可選地包括將第一 MOSFET的襯底連接到電源以防止到負載的體ニ極管導通。在示例7中，示例I至6中任ー個或多個的方法可選地包括當轉換器被啟用並且期望負載電壓遠高於電源電壓時，交替地切換第一開關和第二開關以提供期望負載電壓。在示例8中，示例I至7中任ー個或多個的交替地切換第一開關和第二開關可選地包括在將第二開關切換到閉合狀態之前，將第一開關切換到斷開狀態。在示例9中，示例I至8中任ー個或多個的交替地切換第一開關和第二開關可選地包括在將第一開關切換到閉合狀態之前，將第二開關切換到斷開狀態。在示例10中，示例I至9中任ー個或多個的交替地切換可選地包括將第一開關的襯底連接到負載以防止體ニ極管導通。在示例11中，轉換器可以包括第一開關，其被配置為將感應器連接到負載，第二開關，其被配置為在感應器中啟動電流，第三開關，其被連接到電流源，以及控制器。該控制器可以被配置為當所述轉換器被禁用時，將第一開關和第二開關切換到斷開狀態以將所述負載與電源電壓隔離；當電源電壓接近於期望負載電壓時，將第一開關切換到閉合狀態並且將第二開關切換到斷開狀態；以及當輸出電壓遠低於所述電源電壓時，將第一開關連接到第三開關以形成電流鏡，使用第一開關在感應器與負載之間傳導電流，並且使用電流源控制所所傳導的電流。在示例12中，示例I至11中任ー個或多個的第一開關可選地包括第一 M0SFET，示例I至11中任ー個或多個的第二開關可選地包括第二 M0SFET，示例I至11中任ー個或多個的第三開關可選地包括第三M0SFET。在示例13中，當轉換器被啟用並且期望負載電壓遠高於電源電壓時，示例I至12中任一個或多個的控制器可選地被配置為交替地切換第一開關和第二開關以提供期望負載電壓。在示例14中，當轉換器被啟用並且期望負載電壓遠高於電源電壓時，示例I至13 中任一個或多個的控制器可選地被配置為在第一開關處於斷開狀態之後將第二開關切換到閉合狀態。在示例15中，當轉換器被啟用並且期望負載電壓遠高於電源電壓時，示例I至14中任一個或多個的控制器可選地被配置為在第二開關處於斷開狀態之後將第一開關切換到閉合狀態。在示例16中，當轉換器被啟用並且期望負載電壓遠高於電源電壓時，示例I至15中任一個或多個的控制器可選地被配置為將第一開關的襯底連接到負載以防止體ニ極管導通。在示例17中，集成電路晶片可以可選地包括示例I至16中任ー個或多個的第一開關、第二開關、第三開關以及控制器。在示例18中，示例I至17中任ー個或多個的轉換器可選地包括感應器。上述詳細說明書參照了附圖，附圖也是所述詳細說明書的一部分。附圖以圖解的方式顯示了可應用本發明的具體實施例。這些實施例在本發明中被稱作「示例」。本發明所涉及的所有出版物、專利及專利文件全部作為本發明的參考內容，儘管它們是分別加以參考的。如果本發明與參考文件之間存在用途差異，則將參考文件的用途視作本發明的用途的補充，若兩者之間存在不可調和的差異，則以本發明的用途為準。在本發明中，與專利文件通常使用的一祥，術語「一」或「某一」表示包括一個或多個，但其他情況或在使用「至少ー個」或「ー個或多個」時應除外。在本發明中，除非另外指明，否則使用術語「或」指無排他性的或者，使得「A或B」包括「A但不是B」、「B但不是A」以及「A和B」。在所附權利要求中，術語「包含」和「在其中」等同於各個術語「包括」和「其中」的通俗英語。同樣，在下面的權利要求中，術語「包含」和「包括」是開放性的，即，系統、裝置、物品或步驟包括除了權利要求中這種術語之後所列出的那些元件以外的部件的，依然視為落在該條權利要求的範圍之內。而且，在下面的權利要求中，術語「第一」、「第二」和「第三」等僅僅用作標籤，並非對對象有數量要求。上述說明的作用在於解說而非限制。例如，儘管已結合PNP器件描述了以上示例，但ー個或多個示例可應用於NPN器件。在其它示例中，上述示例(或示例的ー個或多個方面)可結合使用。可以在理解上述說明書的基礎上，利用現有技術的某種常規技術來執行其他實施例。遵照37C.F.R. § 1.72(b)的規定提供摘要，允許讀者快速確定本技術公開的性質。提交本摘要時要理解的是該摘要不用於解釋或限制權利要求的範圍或意義。同樣，在上面的具體實施方式
中，各種特徵可歸類成將本公開合理化。這不應理解成未要求的公開特徵對任何權利要求必不可少。相反，本發明的主題可在於 的特徵少於特定公開的實施例的所有特徵。因此，下面的權利要求據此併入具體實施方式
中，每個權利要求均作為ー個単獨的實施例。應參看所附的權利要求，以及這些權利要求所享有的等同物的所有範圍，來確定本發明的範圍。
權利要求
1.一種操作轉換器的方法，其特徵在於，所述轉換器包括感應器，其被配置為從電源接收電源電壓；第一開關，其被配置為在負載與所述感應器之間傳導電流；以及第二開關，其被配置為在所述感應器中啟動電流，所述方法包括 當所述電源電壓處於或者接近於期望負載電壓時，使用所述第一開關將所述電源連接到所述負載； 當輸出電壓遠低於所述電源電壓時，使用所述第一開關和第三開關形成電流鏡，並且使用所述第一開關和連接到所述第三開關的電流源限制所述電源與所述負載之間的電流；以及 當所述轉換器被禁用時，使用所述第一開關將所述負載與所述感應器隔離。
2.根據權利要求I所述的方法，其中，將所述電源連接到所述負載包括將第一金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET)切換到閉合狀態，並且將第二 MOSFET切換到斷開狀態；以及 其中，將第一 MOSFET切換到閉合狀態包括將所述第一 MOSFET的襯底連接到所述負載。
3.根據權利要求I所述的方法，其中，使用所述第一開關和第三開關形成電流鏡包括將所述第一 MOSFET的襯底連接到所述感應器以防止到所述負載的體二極體導通。
4.根據權利要求I所述的方法，其中，使用所述第一開關將所述負載與所述感應器隔離包括使用第一 MOSFET將所述負載與所述感應器隔離；並且 其中，使用第一MOSFET將所述負載與所述感應器隔離包括將所述第一MOSFET的襯底連接到所述電源以防止到所述負載的體二極體導通。
5.根據權利要求I所述的方法，包括當所述轉換器被啟用並且所述期望負載電壓遠高於所述電源電壓時，交替地切換所述第一開關和所述第二開關以提供所述期望負載電壓。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，交替地切換所述第一開關和所述第二開關包括 在將所述第二開關切換到閉合狀態之前，將所述第一開關切換到斷開狀態；以及 在將所述第一開關切換到閉合狀態之前，將所述第二開關切換到斷開狀態。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述交替地切換包括將所述第一開關的襯底連接到所述負載以防止體二極體導通。
8.一種轉換器，其特徵在於，包括 第一開關，其被配置為將感應器連接到負載； 第二開關，其被配置為在所述感應器中啟動電流； 第三開關，其被連接到電流源；以及 控制器，其被配置為 當所述轉換器被禁用時，將所述第一開關和所述第二開關切換到斷開狀態以將所述負載與電源電壓隔離； 當所述電源電壓接近於期望負載電壓時，將所述第一開關切換到閉合狀態並且將所述第二開關切換到斷開狀態；以及 當輸出電壓遠低於所述電源電壓時，將所述第一開關連接到所述第三開關以形成電流鏡，使用所述第一開關在所述感應器與所述負載之間傳導電流，並且使用所述電流源控制所傳導的電流。
9.根據權利要求8所述的轉換器，其中，所述第一開關包括第一MOSFET ； 所述第二開關包括第二 MOSFET ;並且 所述第三開關包括第三MOSFET。
10.根據權利要求9所述的轉換器，其中，當所述轉換器被啟用並且所述期望負載電壓遠高於所述電源電壓時，所述控制器被配置為交替地切換所述第一開關和所述第二開關以提供所述期望負載電壓。
11.根據權利要求10所述的轉換器，其中，當所述轉換器被啟用並且所述期望負載電壓遠高於所述電源電壓時，所述控制器被配置為在所述第一開關處於斷開狀態之後將所述第二開關切換到閉合狀態。
12.根據權利要求10所述的轉換器，其中，當所述轉換器被啟用並且所述期望負載電壓遠高於所述電源電壓時，所述控制器被配置為在所述第二開關處於斷開狀態之後將所述第一開關切換到閉合狀態。
13.根據權利要求10所述的轉換器，其中，當所述轉換器被啟用並且所述期望負載電壓遠高於所述電源電壓時，所述控制器被配置為將所述第一開關的襯底連接到所述負載以防止體二極體導通。
14.根據權利要求8所述的轉換器，其中，集成電路晶片包括所述第一開關、所述第二開關、所述第三開關以及所述控制器。
全文摘要
本發明涉及具有多模式同步整流器的升壓轉換器及其操作方法。本文討論了用於將輸入電壓電平轉換為可以與輸入電壓電平不同的輸出電壓電平的方法和裝置。在一個示例中，轉換器可以包括第一開關，其被配置為將感應器連接到負載；第二開關，其被配置為在感應器中啟動電流；第三開關，其連接到電流源；以及控制器，其被配置為當輸出電壓遠低於電源電壓時，將第一開關連接到第三開關以形成電流鏡，使用第一開關在感應器與負載之間傳導電流，並且使用電流源控制所傳導的電流。
文檔編號H02M3/155GK102684486SQ20121003178
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月13日 優先權日2011年2月11日
發明者蒂莫西·艾倫·迪伊薇特, 諾伯特·詹姆斯·海普芬吉爾 申請人:快捷半導體(蘇州)有限公司, 快捷半導體公司