新型的n-乙烯基內醯胺衍生物和其聚合物的製作方法

2023-07-20 04:08:06

專利名稱：新型的n-乙烯基內醯胺衍生物和其聚合物的製作方法
技術領域：
本發明涉及新型的N-乙烯基內醯胺衍生物和其用於微平版印刷的聚合物。更具體的說，本發明涉及N-乙烯基內醯胺衍生物和其用作光刻膠的原料的聚合物，該光刻膠通過使用深紫外光(UV)能夠形成高靈敏度和高解析度的圖象，以及涉及它們的用作光刻膠的均聚物和共聚物。
通常，光刻膠主要由鹼可溶的苯酚(或甲酚)-甲醛清漆樹脂和作為光敏材料(光活性成分)的取代萘醌二疊氮化物化合物組成，這在US No.3,666,473，4,115,128和4,173,470中有描述。
在用於此類光刻膠的酚醛清漆樹脂溶於鹼的水溶液的同時，萘醌光敏材料用作光刻膠的溶解抑制劑。然而，當塗有光刻膠的基底選擇性地進行化學輻射時，光敏劑被誘發這樣一種結構變化光刻膠塗層的暴露區域比未暴露區域具有更強的鹼溶解性。藉助於這一溶解度差異，能夠在基底塗層上刻蝕出可靠的圖象。即，當基底被浸入鹼性顯影液中時，光刻膠塗層的暴露區域被溶解，而未暴露區域基本上不受影響，得以形成圖象。然而，上述酚醛清漆樹脂型光刻膠已發現不適用於將來使用的採用較短波長的分擋器(steper)，因為它們在深紫外光範圍內(200-300nm)顯示出較高的吸光性。
為了在半導體製造的平版印刷工藝中獲得高的靈敏度，最近已開發了化學放大光刻膠。事實上，化學放大光刻膠已經引起人們的注意，因為已發現它能夠比普通的正性酚醛清漆樹脂光刻膠提高100倍的靈敏度。化學放大光刻膠，它利用光化酸產生劑(photoacid generator)(下文稱作「PAG」)，一般是通過在具有易與酸反應的結構的母體聚合物中配製PAG而獲得的。對於光化反應的機理，當PAG暴露於光或受高能束如X射線和電子束的輻射時，會產生強質子酸，布朗斯特酸，引起母體聚合物的主鏈或側鏈發生分解反應，交聯反應或極性改變很大。酸的這一作用在輻射區域中引發所給定的顯影溶液的溶解性的變化。即，或者提高，或者下降。結果能夠形成精細的圖象。
能夠對光和輻射作出反映的嗡鹽已知可用作光化酸產生劑。嗡鹽典型地包括銨鹽，氧嗡鹽和鋶鹽等。近年來已有報導，有機磺酸酯能夠用作所產生的光化酸。
適合作為能夠與酸反應的母體聚合物的是，例如，具有側鏈如叔丁基酯、叔丁基碳酸酯、叔丁氧基或叔丁氧基羰基的聚合物，這些側鏈能夠被酸分解成羧酸，酚或醇官能基。在這類側鏈保護基團當中，叔丁氧基羰基在敏感性上是最高的。處在被保護狀態或在與酸反應前的此類可與酸反應的聚合物能夠溶於有機溶劑，但不溶於鹼的水溶液。但是，如果可與酸反應的聚合物通過與酸反應被去保護，它會溶於鹼的水溶液，因為它的極性顯著變化。
通過使用這一原理，化學放大光刻膠的開發已是近年來熱門的話題。叔丁氧基羰基保護的聚乙烯基苯酚(下文稱作「t-bocPVP」)，據報導，是最有希望的樹脂中的一種，這在US No.4,491,628，4,405,708和4,311,782中已介紹。
最近在亞微平版印刷方法中的趨勢是，作為光源深UV(波長200-300nm)，優選使用高能(248nm)的KrF準分子雷射器，而不是普通的UV，例如g線(波長436nm)或i線(波長365nm)，為的是獲得高的靈敏度和高的解析度。所以，母體聚合物的吸光性應該在深UV的波長範圍內，尤其在KrF準分子雷射器的波長248nm處，被降低到最低。但是，由於t-bocPVP也含有苯基，它具有在短波長範圍內顯示出大的吸光性的突出缺點。
本發明人反覆地進行深入的研究，其目的是為了開發用於亞微平版印刷方法的光刻膠，它除了具有為加工工藝所需要的高的玻璃化轉變溫度以外，還不吸收深紫外光(UV)，從而獲得以下發現用脂環族化合物(N-乙烯基內醯胺)聚合而成的、被可與酸反應的基團保護的化學放大光刻膠在去保護後被轉化成水性聚合物，並且通過使用弱鹼性水溶液或僅僅使用純水經過設計能夠形成圖象，從而顯著改進形成圖象的方法。
所以，本發明的主要目的是提供N-乙烯基內醯胺衍生物單體(其中乙烯基在3-位被各種保護基封閉)，作為微平版印刷方法的光刻膠原料，能夠滿足高的靈敏度和高的解析度。
本發明的另一目的是提供從該單體製備的聚合物。
本發明再一目的是提供用於光刻膠的聚合物。
本發明提供乙烯基內醯胺衍生物單體，其中乙烯基內醯胺在3-位被保護。通過讓乙烯基內醯胺與強鹼在低溫下反應得到烯醇化物和向乙烯基內醯胺的3-位引入保護基，能夠製備該單體。乙烯基內醯胺的具體實例包括N-乙烯基吡咯烷酮，N-乙烯基-4-丁基吡咯烷酮，N-乙烯基-4-丙基吡咯烷酮，N-乙烯基-4-乙基吡咯烷酮，N-乙烯基-4-甲基吡咯烷酮，N-乙烯基-4-甲基-5-乙基吡咯烷酮，N-乙烯基-4-甲基-5-丙基吡咯烷酮，N-乙烯基-5-甲基-5-乙基吡咯烷酮，N-乙烯基-5-丙基吡咯烷酮，N-乙烯基-5-丁基吡咯烷酮，N-乙烯基-5-哌啶酮，N-乙烯基-4-甲基哌啶酮，N-乙烯基-4-丙基哌啶酮，N-乙烯基-4-丁基哌啶酮，N-乙烯基-6-丁基哌啶酮，N-乙烯基己內醯胺，N-乙烯基-4-甲基己內醯胺，N-乙烯基-6-甲基己內醯胺，N-乙烯基-6-丙基己內醯胺，N-乙烯基-7-丁基己內醯胺和N-乙烯基醯亞胺。強鹼可以例舉叔丁基鋰，氫化鈉和正丁基鋰。這一單體的製備能夠在溶劑中進行，例子包括正戊烷，正己烷，正庚烷，環己烷，乙醚和四氫呋喃。作為保護基團的來源，能夠使用氯甲酸叔丁酯，氯甲酸異丁酯，二(叔丁基)二碳酸酯，甲烷磺醯氯，甲磺酸酐，四氫吡喃，2-氯四氫呋喃，三甲基·氯化矽，4-甲氧基苄基氯，4-硝基苄基氯，二乙基·異丙基·氯化矽和叔-丁基·二甲基·氯化矽。
本發明的N-乙烯基內醯胺衍生物由以下結構式(I)表示
其中R1是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基或含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基；R2是-OR』，-SO3R』，-CO2R』，-PO3R』，-SO2R』或-PO2R』，其中R』是含有1-10個碳原子的烷基，環烷基，含有雜原子如N、O、P和S的環狀基團，或含有6-12個碳原子的芳基；R3是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基，含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基或與R2一樣；R4和R5是-OH，-OR，其中R是含有1-10個碳原子的烷基或含有6-12個碳原子的芳基，或與R1一樣；和m是整數0-10。
由本發明方法可以合成各種單體，包括3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮，3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-4-丁基-2-吡咯烷酮，3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-4-丙基-2-吡咯烷酮，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-5-乙基-2-吡咯烷酮，3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-4-甲基-2-哌啶酮，3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-4-丙基-2-哌啶酮，3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺，3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-4-丁基-2-己內醯胺，3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-6-甲基-2-己內醯胺，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-5-丁基-2-己內醯胺，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-6-丙基-2-己內醯胺，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-4-丁基-2-吡咯烷酮，3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺和3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-6-丁基-2-己內醯胺。
所合成的單體能夠通過使用自由基聚合引發劑，按常規自由基聚合技術容易地進行聚合反應。通過使用上述各種單體，從上述單體能夠製備均聚物和從有合適摩爾比的各單體的結合物能夠合成共聚物。對於共聚物，可以使用其它單體，如4-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基環己烷，3，5-(二叔丁氧基羰氧基)-1-乙烯基環己烷，4-(四氫吡喃氧基)-1-乙烯基環己烷，4-(四氫呋喃氧基)-1-乙烯基環己烷，3，5-(雙四氫吡喃氧基)-1-乙烯基環己烷，3，5-(雙四氫呋喃氧基)-1-乙烯基環己烷，叔丁氧基羰氧基苯乙烯，苯乙烯和四氫吡喃氧基苯乙烯。
這些單體在本體聚合反應或在溶液聚合反應中進行聚合。對於聚合反應用的溶劑，可以使用環己酮，甲基乙基酮，苯，甲苯，二惡烷，二甲基甲醯胺或它們的結合物。通常，聚合反應在聚合引發劑如過氧苯甲醯，2，2』-偶氮二異丁腈(AIBN)，過氧化乙醯，過氧化月桂醯或過乙酸叔丁酯。
根據本發明，提供了聚合物，該由以下通式(II)和(III)表示
其中
R1是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基或含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基；R2是-OR』，-SO3R』，-CO2R』，-PO3R』，-SO2R』或-PO2R』，其中R』是含有1-10個碳原子的烷基，環烷基，含有雜原子如N、O、P和S的環狀基團，或含有6-12個碳原子的芳基；R3是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基，含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基或與R2一樣；R4和R5是-OH，-OR，其中R是含有1-10個碳原子的烷基或含有6-12個碳原子的芳基，或與R1一樣；R」是含有6-12個碳原子的芳基或表示丙烯酸酯基-COOR，其中R是含有1-10個碳原子的烷基或含有6-12個碳原子的芳基；m是整數0-10；n是整數10-10,000；k是0.5-0.95範圍內的摩爾分數；和l是0.05-0.5範圍內的摩爾分數。
從這些通式可以看出，聚合物(II)是從一種上述單體得到的均聚物或通過聚合至少兩種N-乙烯基內醯胺衍生物單體得到的共聚物。聚合物(III)是從N-乙烯基內醯胺衍生物和苯乙烯衍生物或乙烯基丙烯酸酯衍生物得到的共聚物。
在這些優選的聚合物當中，已發現聚3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮(下文稱作「P(BCVP)」)是高度透明的，這已在試驗中證實，其中1μm厚的膜在深UV範圍內(200-300nm)顯示出0.05或更低的吸光度。熱解重量分析法(下面稱作「TGA」)表明P(BCVP)在高達210℃的溫度下是穩定的。在高於210℃的溫度下，發生叔丁氧基羰基的快速去保護，產生2-甲基丙烯和CO2。在酸存在下，去保護分兩步進行。首先，叔丁基在低溫例如60℃下開始脫離聚合物骨架並在100℃下完全斷裂。之後，在150℃產生CO2。這一事實告訴我們，P(BCVP)因其高的熱分解溫度和易在酸存在下於低溫受到保護而具有非常優異的熱性能。示差掃描量熱法(下面稱作「DSC」)表明，P(BCVP)的玻璃化轉變溫度在145-155℃範圍內，這取決於它的分子量。
所有在3-位上受到保護的N-乙烯基內醯胺衍生物的聚合物都顯示出優異的成膜性能。尤其是，P(BCVP)和聚3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺(下面稱作「P(BCVC)」)，它們都很好地溶於有機溶劑如二惡烷，氯仿，四氫呋喃，環己酮，2-乙氧基乙基乙酸酯，丙酮或甲基乙基酮。相反，去保護的聚合物很好地溶於鹼的水溶液，如氫氧化鈉或銨鹽的溶液，在不溶於絕大多數的有機溶劑。在叔丁基的去保護之前或之後的這一選擇性顯影作用賦予聚合物優異的圖象形成能力。在P(BCVP)的情況下，甚至只用純水就能實現顯影。對於包括P(BCVC)的其它聚合物，通過在弱鹼溶液中使圖象顯影能夠獲得具有高解析度的圖象。在3-位上受到保護的乙烯基內醯胺衍生物的聚合物當中，發現P(BCVP)和P(BCVC)都具有高的靈敏度，例如1mJ/cm2，並顯示出高的對比度。
代表性聚合物P(BCVP)和P(BCVC)在各種溶劑中的溶解度將隨去保護而變化。結果總結在下表1中。
在酸的存在下，在這類聚合物的膜中於100℃或更低的溫度下觀察到叔丁基的去保護。形成精細圖象的普通試驗已證實本發明的聚合物能夠用於高敏感性的化學放大光刻膠。聚合物的熱分解行為的分析是藉助於DSC(購自DuPont公司，MODEL 2100)和TGA在氮氣氣氛中以10℃/min的升溫速度進行的。
表1根據去保護的P(BCVP)和P(BCVC)的溶解度溶劑P(BCVP) P(BCVC)P(VPCA)*P(VCCA)*丙酮 ++ ++ - -二惡烷++ ++ + +氯仿 ++ ++ - -己烷 - - - -四氫呋喃 ++ ++ + +苯甲醚+ + - -環己酮++ ++ + +2-乙氧基乙基乙酸酯++ ++ - -N，N-二甲基甲醯胺 ++ ++ + +甲基乙基酮++ ++ + +3.0wt％NaOH溶液 + - ++ ++2.38wt％TMAH溶液 + - ++ ++純水 - - ++ ++甲醇 + + + +異丙醇+ + + +純水/甲醇(1/1)+ ++ + +++很好地溶解，+少量溶解，-不溶解P(VPCA)聚(1-乙烯基-2-吡咯烷酮-3-羧酸)P(VCCA)聚(1-乙烯基-2-己內醯胺-3-羧酸)
藉助於實施例能夠更好地理解本發明，這些實施例是供說明本發明用的，但不應認為限制了本發明。
實施例I3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮的合成向14ml(100mmol)二異丙基胺在40ml無水四氫呋喃中的溶液中添加40ml(100mmol)的2.5M正丁基鋰，所得到的溶液在-78℃下攪拌30分鐘，並讓其發生反應，一直到溫度升至室溫為止。在冷卻至-78℃後，將11.1g(100mmol)N-乙烯基吡咯烷酮加入到溶液中並在同樣的溫度下反應30分鐘。之後，滴加24g(110mmol)的二(叔丁基)二碳酸酯，然後在-78℃下反應2小時。這一反應液用乙醚稀釋，並用純水多次洗滌。蒸發有機相的有機溶劑，殘餘物經過矽膠柱色譜分離得到15g純3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮(下面稱作「BCVP」)。它的化學結構由IR譜和NMR測定。
實施例II3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺的合成按照與實施例I類似的方法只是代替N-乙烯基吡咯烷酮使用13.9g(100mmol)N-乙烯基己內醯胺，合成17.2g純3-(叔丁氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺(下面稱作「BCVC」)。採用IR譜和NMR分析方法測定所合成的BCVC的化學結構。
實施例III3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮的合成將10.6g(0.05mol)在實施例I中合成的BCVP溶於50ml無水四氫呋喃中。向這一溶液添加4.3g(0.05mol)四氫吡喃和0.3g對-甲苯磺酸，並在0℃下反應4小時。反應液用乙醚稀釋，用純水洗滌幾次。蒸發有機相的有機溶劑，殘餘物經過矽膠柱色譜分離，得到9.8g的純3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮(下面稱作「TPVP」)，由IR譜和NMR測定所得到的TPVP的化學結構。
實施例IV3-(四氫呋喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮的合成將8.9g的N-乙烯基-2-吡咯烷酮-3-碳酸鈉溶於50ml無水四氫呋喃中。向這一溶液中加入7ml三乙胺和5.3g 2-氯四氫呋喃，並在室溫下反應1小時。這一溶液用乙醚稀釋並純水洗滌幾次。蒸發有機相的有機溶劑，殘餘物經過矽膠柱色譜分離，得到9.3g純3-(四氫呋喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-吡咯烷酮(下面稱作「TFVP」)。由IR譜和NMR測定它的化學結構。
實施例V3-(四氫吡喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺的合成按照與實施例III類似的方法，只是代替BCVP使用6.7g的N-乙烯基己內醯胺，合成10.7g純3-(四氫呋喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺(下面稱作「TPVC」)。
採用IR譜和NMR分析方法測定TPVC的化學結構。
實施例VI3-(四氫呋喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺的合成按照與實施例IV中類似的方法，只是代替N-乙烯基-2-吡咯烷酮-3-碳酸鈉使用10.3gN-乙烯基-2-己內醯胺-3-碳酸鈉，合成10.8g的純3-(四氫呋喃氧基羰基)-1-乙烯基-2-己內醯胺(下面稱作「TFVC」)。採用IR譜和NMR分析方法測定所合成的TFVC的化學結構。
實施例VIIBCVP聚合物的合成將2.1g在實施例I中合成的BCVP單體溶於純的或混合的溶劑並裝入聚合反應玻璃小瓶中。反應物在聚合引發劑AIBN存在下在真空下於70℃聚合6小時。反應產物被沉澱在石油醚中，乾燥沉澱物得到1.8g的聚合物，P(BCVP)；轉化率80％。觀察到它的特性粘度隨所使用的溶劑的變化而變化，但是，通過使用玻璃粘度管在25 ℃下測得聚合物的環己酮溶液的粘度是0.5g/dl。結果示於下表2。
表2P(BCVP)在各種溶劑中的物理性能溶劑aAIPNbM/Sc時間 轉化率 特性粘度 Tgd(mol％)(g/ml)(hr)(％)(dL/g)(℃)A 1 110 89＜0.10 -B 1 15 89 0.12 -C 1 110 91 0.18 143D 0.5 15 90 0.20 151E 0.5 16 91 0.30 152F 0.5 17 90 0.77 155aA甲基乙基酮，B環己酮，C二惡烷/環己酮(3/1體積比)，
D二惡烷/環己酮(5/1體積比)，E二惡烷/環己酮(10/1體積比)，F二惡烷bmol％，以單體為基礎計c溶劑體積與單體總重量的比率d玻璃化轉變溫度實施例VIII至XIIBCVC，TPVP，TFVP，TPVC和TFVC聚合物的合成使用與實施例VII中相同的操作程序，通過分別使用在實施例II至VI中合成的單體BCVC，TPVP，TFVP，TPVC和TFVC，製備聚合物P(BCVC)，P(TPVP)，P(TFVP)，P(TPVC)和P(TFVC)。
實施例XIII光刻膠溶液的製備和正性精細圖象(I)的形成將10-30wt％的P(BCVP)溶於環己酮。在這一溶液中，添加5-30wt％的用作光化酸產生劑的翁鹽或有機磺酸，以光刻膠聚合物的重量為基礎計。用超細過濾器進行過濾，得到化學放大光刻膠溶液。隨後，將它旋轉塗覆在矽晶片上，形成約1.0μm厚的薄膜。此矽晶片在升溫至120℃的烘箱或熱板中預烘烤1-5分鐘，暴露於從深UV分擋器或準分子雷射分擋器輻射出的光線中，在升溫至120-140℃的烘箱或熱板中進行曝光後烘烤達1-5分鐘並浸入純水中90秒進行顯影。結果，獲得亞微米級的正性光刻膠圖象。
實施例XIV光刻膠溶液的製備和正性精細圖象(II)的形成使用P(BCVC)，重複實施例XIII的操作程序獲得光刻膠溶液。在0.8wt％TMAH水溶液中浸漬90秒，獲得亞微米級的正性光刻膠圖象。
正如前面所描述和證明的那樣，本發明的新型的N-乙烯基內醯胺衍生物是用作(適合深UV的)化學放大光刻膠的均聚物或共聚物的原料。還有，由本發明的聚合物製得的光刻膠具有高度的敏感性，這樣形成具有高解析度的圖象。因而輻射敏感性聚合物能夠用於高度集成的半導體裝置和電子裝置平版印刷方法。從而，通過使用本發明製備的光刻膠，能夠形成超細電路並能夠在圖案形成上具有優異的改進。
現已按說明性方式描述了本發明，應該理解，所使用的命名希望是說明性的而不是限制性的。
在以上敘述內容的啟發下對本發明作許多改進和變化是可能的。所以，應該理解到，在本發明的範圍內，本發明能夠還能由除了具體描述的那些方法以外的方法實施。
權利要求
1. N-乙烯基內醯胺衍生物，它由以下通式(I)表示
其中R1是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基或含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基；R2是-OR』，-SO3R』，-CO2R』，-PO3R』，-SO2R』或-PO2R』，其中R』是含有1-10個碳原子的烷基，環烷基，含有雜原子如N、O、P和S的環狀基團，或含有6-12個碳原子的芳基；R3是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基，含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基或與R2一樣；R4和R5是-OH，-OR，其中R是含有1-10個碳原子的烷基或含有6-12個碳原子的芳基，或與R1一樣； 和m是整數0-10。
2.權利要求1的N-乙烯基內醯胺衍生物的均聚物或共聚物，由以下通式(II)表示
其中R1是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基或含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基；R2是-OR』，-SO3R』，-CO2R』，-PO3R』，-SO2R』或-PO2R』，其中R』是含有1-10個碳原子的烷基，環烷基，含有雜原子如N、O、P和S的環狀基團，或含有6-12個碳原子的芳基；R3是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基，含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基或與R2一樣；R4和R5是-OH，-OR，其中R是含有1-10個碳原子的烷基或含有6-12個碳原子的芳基，或與R1一樣；m是整數0-10；和n是整數10-10,000。
3.從權利要求1的N-乙烯基內醯胺衍生物和苯乙烯衍生物或乙烯基丙烯酸酯衍生物製備的均聚物或共聚物，由以下通式(III)表示
R1是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基或含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基；R2是-OR』，-SO3R』，-CO2R』，-PO3R』，-SO2R』或-PO2R』，其中R』是含有1-10個碳原子的烷基，環烷基，含有雜原子如N、O、P和S的環狀基團，或含有6-12個碳原子的芳基；R3是氫，含有1-10個碳原子的烷基，含有6-12個碳原子的芳基，含有3-9個碳原子的三烷基甲矽烷基或與R2一樣；R4和R5是-OH，-OR，其中R是含有1-10個碳原子的烷基或含有6-12個 碳原子的芳基，或與R1一樣；R」是含有6-20個碳原子的芳基或表示丙烯酸酯基-COOR，其中R是含有1-10個碳原子的烷基或含有6-12個碳原子的芳基；m是整數0-10；n是整數10-10,000；k是0.5-0.95範圍內的摩爾分數；和1是0.05-0.5範圍內的摩爾分數。
4.包括權利要求2聚合物的化學放大光刻膠。
5.包括權利要求3聚合物的化學放大光刻膠。
全文摘要
提供了在3位受到保護的N-乙烯基內醯胺衍生物，它由通式(I)表示。這些衍生物被聚合成均聚物和共聚物，並用於半導體製造的微平版印刷方法。該聚合物用作適合於深UV處理的光刻膠原料，從而能夠獲得具有高靈敏度和高解析度的圖象。還有，通過使用本發明的光刻膠，能夠形成超細電路並能夠在圖案形成上具有優異的改進。
文檔編號C07F7/10GK1153775SQ9611990
公開日1997年7月9日 申請日期1996年9月16日 優先權日1995年9月14日
發明者金鎮伯, 鄭旼鎬, 張鏡浩 申請人:現代電子產業株式會社, 韓國科學技術院