拋光液組合物的製作方法

2023-07-08 13:26:36 1

專利名稱：拋光液組合物的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於存儲器硬碟所用基板的拋光液組合物，以及使用該拋光液組合物降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法和製造存儲器硬碟所用基板的方法。
背景技術：
近年來的存儲器硬碟驅動裝置中，為了追求高容量·小徑化並提高記錄密度，強烈要求降低磁頭的上升量、減小單位記錄面積。伴隨於此，對於存儲器硬碟所用基板的製造工序中拋光後要求的表面品質也逐年提高，對應於磁頭的低上升，和表面粗糙度、細微的起伏、轉出、突起的降低以及單位記錄面積的減小，容許的劃痕和凹痕的大小和深度也越來越小。
對於這種要求，提出了對作為拋光粒子的矽石粒子的粒度分布進行研究的拋光液組合物(例如參照專利文獻1)。
在前述文獻中，公開了根據前述拋光液組合物，通過含有具有不同單峰態數值的粒徑分布的膠體矽石粒子群，可以得到平均起伏小、表面缺陷少的鋁磁碟基板。
然而，對於這種拋光液組合物，從可以評價整個基板的表面粗糙度的TMS-Ra的角度看，還不能實現充分降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度。
特開2002-30274號公報(權利要求1)發明內容本發明的目的是提供一種可以將存儲器硬碟所用基板表面的表面粗糙度(TMS-Ra)減低至足以應用於實際的程度的拋光液組合物，以及一種使用該拋光液組合物，降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，和製造存儲器硬碟所用基板的方法。
也就是說，本發明的主旨涉及〔1〕一種拋光液組合物，其為含有水和矽石粒子的、用於存儲器硬碟所用基板的拋光液組合物，對通過透射式電子顯微鏡(TEM)觀察前述矽石粒子測定得到的該矽石粒子的粒徑(nm)從小粒徑側開始的累積體積頻率(％)進行繪圖得到的該矽石粒子的粒徑對累積體積頻率圖中，粒徑40～100nm範圍內的累積體積頻率(V)相對於粒徑(R)滿足下式(1)V≥0.5×R+40 (1)。
〔2〕一種降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，包含使用前述〔1〕所記載的拋光液組合物對存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序，以及〔3〕一種製造存儲器硬碟所用基板的方法，包含使用前述〔1〕所記載的拋光液組合物對鍍有Ni-P的存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。


圖1是各實施例所使用的矽石粒子的粒徑對累積體積頻率圖。
圖2是各比較例所使用的矽石粒子的粒徑對累積體積頻率圖。
具體實施例方式
本發明的拋光液組合物為含有水和作為拋光材料的特定矽石粒子的、用於存儲器硬碟所用基板(以下稱為磁碟用基板)的拋光液組合物。
本發明所使用的矽石粒子，在對其粒徑(nm)對從小粒徑側開始的累積體積頻率(％)進行繪圖得到的表示該矽石粒子粒徑分布的粒徑對累積體積頻率圖中，具有在粒徑為40～100nm的範圍內的累積體積頻率(V)相對於粒徑(R)滿足前述(1)式的特定粒徑分布。本發明的拋光液組合物的1大特徵是含有該矽石粒子作為拋光材料，由於具有這樣的組成，因而可以將磁碟用基板表面的表面粗糙度(TMS-Ra)減低至足以應用於實際的程度。從而，通過本發明的拋光液組合物進行拋光的磁碟用基板的表面具有優良的平滑性。
在本說明書中，所謂的「表面粗糙度(TMS-Ra)」是指通過光散射式表面粗糙度測定機TMS-2000RC〔Schmitt Measurement Systems，Inc.生產〕測定的測定對象物(以下稱為對象物)的表面粗糙度〔Ra()〕。
也就是說，表面粗糙度(TMS-Ra)表示的是除對象物表面波紋外的凹凸狀態，是顯示對象物表面平滑性程度的指標。表面粗糙度(TMS-Ra)的值越小，對象物表面的平滑性越好。
通常對象物表面的表面粗糙度是對在對象物表面隨機抽樣的各部分所求得的平均值。在對象物的表面上，各個位置的表面粗糙度不一樣，顯示出相當大的偏差是很普遍的。因此，為了求出對象物表面的表面粗糙度，必須決定測定位置及其數目，使之能夠有效地推定其總體平均值。因而數據的可靠性很大程度上取決於測定位置及其數目的選擇。
另一方面，在本發明中，測定表面粗糙度(TMS-Ra)所使用的前述測定機可以對對象物的測定對象表面的大約全部區域進行均一測定，作為得到的全部數據的平均值求得表面粗糙度，因此由前述測定機得到的表面粗糙度數據的可靠性要高於由現有的表面粗糙度的測定方法得到的數據，關於詳細的表面粗糙度(TMS-Ra)的測定方法，記載在後述的實施例中。
作為本發明中所使用的矽石粒子，可以列舉的是例如膠體矽石粒子、火成矽石粒子、表面改性的矽石粒子等。從磁碟基板的表面得到更高的平滑性的角度看，優選膠體矽石粒子。該膠體矽石粒子可以是市售的，也可以是例如通過公知的從矽酸水溶液中生成的方法製備得到的。作為矽石粒子的使用形式，優選是漿狀的。
前述矽石粒子的粒徑分布可以通過以下的方法求得。即，將通過日本電子生產的透射式電子顯微鏡「JEM-2000FX」(80kV、1～5萬倍)觀察矽石粒子得到的照片通過掃描器以圖象數據的形式讀取至計算機中，使用分析軟體「WinROOF」(銷售商三谷商事)求得每一個矽石粒子的投影面積直徑，將其作為直徑，對1000個以上的矽石粒子的數據進行分析後，以其為基礎，通過表格計算軟體「EXCEL」(微軟公司生產)由粒子直徑換算成粒子體積。
基於這樣得到的矽石粒子的粒徑分布數據，作為從小粒徑側開始的累積頻率表示所有粒子中某些粒徑的粒子的比例(體積基準％)，得到累積體積頻率(％)。
基於以上方法得到的矽石粒子的粒徑以及累積體積頻率的數據，相對於粒徑對累積體積頻率作圖，得到粒徑對累積體積頻率圖。
本發明的矽石粒子在前述粒徑對累積體積頻率圖中，具有粒徑為40～100nm範圍內的累積體積頻率(V)相對於粒徑(R)滿足前述(1)式的粒徑分布，從通過降低磁碟用基板表面的表面粗糙度(TMS-Ra)以提高該基板表面的平滑性的角度看，優選在粒徑為40～70nm的範圍內，具有V對於R滿足下式(2)的粒徑分布V≥1×R+20(2)更優選在粒徑為40～60nm的範圍內，具有V對於R滿足下式(3)的粒徑分布V≥1.5×R (3)進一步優選在粒徑為40～50nm的範圍內，具有V對於R滿足下式(4)的粒徑分布V≥3×R-60 (4)特別優選在粒徑為40～45nm的範圍內，具有V對於R滿足下式(5)的粒徑分布V≥R+50 (5)還有，從拋光速度的角度看，優選粒徑在1～3nm的範圍內，具有V對於R滿足下式(6)的粒徑分布V≤8R+5 (6)。
作為本發明所使用的矽石粒子，只要是具有前述粒徑分布的粒子即可，可以由具有特定的粒徑分布的1種矽石粒子組成，也可以混合具有不同粒徑分布的2種以上的矽石粒子形成。
對於矽石粒子的粒徑分布進行調整的方法，沒有特殊的限制，例如在矽石粒子是膠體矽石粒子的情況下，可以通過在其製備階段中粒子的成長過程中加入成為新核的粒子使最終產品具有該粒徑分布的方法，或者將具有不同粒徑分布的2種以上的矽石粒子混合的方法等。
還有，作為拋光材料，除了前述矽石粒子外，還可以使用通常用於拋光的拋光材料。作為該拋光材料，可以列舉的是金屬；金屬或者類金屬的碳化物、氮化物、氧化物、硼化物；金剛石等。金屬或者類金屬元素可以是周期表(長周期型)的2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A或者8族的元素。拋光材料的具體例子，可以列舉的是氧化鋁、碳化矽、金剛石、氧化鎂、氧化鋅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯等，從提高拋光速度的角度看，優選使用其中1種以上的物質。其中，氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦等適用於磁性記錄介質所用基板等的精密元件所用基板的拋光。對於氧化鋁，公知的有α、θ、γ等各種晶系，可以根據用途進行適當的選擇使用。
對於矽石粒子以外的拋光材料粒子的粒徑，從表面品質的角度看，優選和前述矽石粒子同樣。
對於拋光液組合物中包括矽石粒子的拋光材料的含量，從提高拋光速度的角度看，優選0.5重量％以上，更優選1重量％以上，進一步優選3重量％以上，特別優選5重量％以上，還有，從提高表面品質的角度以及經濟性的角度看，優選在20重量％以下，更優選在15重量％以下，進一步優選在13重量％以下，特別優選在10重量％以下。也就是說，該含量優選在0.5～20重量％，更優選在1～15重量％，進一步優選在3～13重量％，特別優選在5～10重量％。
此外，本發明的拋光液組合物還可以進一步含有選自酸、其鹽以及氧化劑中的至少一種物質，從而可以使效果更好。這些也可以以混合物的形式使用。
對於本發明的拋光液組合物，從進一步提高拋光速度的角度看，優選含有氧化劑。作為氧化劑，可以列舉的是過氧化物、高錳酸或者其鹽、鉻酸或者其鹽、過氧酸或者其鹽、含氧酸或者其鹽、金屬鹽類、硫酸類等。
作為前述過氧化物，可以列舉的是過氧化氫、過氧化鈉、過氧化鋇等；作為高錳酸或其鹽，可以列舉的是高錳酸鉀等；作為鉻酸或其鹽，可以列舉的是鉻酸金屬鹽、重鉻酸金屬鹽等；作為過氧酸或其鹽，可以列舉的是過二硫酸、過二硫酸銨、過二硫酸金屬鹽、過氧磷酸、過氧硫酸、過氧硼酸鈉、過甲酸、過乙酸、過安息香酸、過苯二甲酸；作為含氧酸或其鹽，可以列舉的是次氯酸、次溴酸、次碘酸、氯酸、溴酸、碘酸、高碘酸鈉、次氯酸鈉、次氯酸鈣；作為金屬鹽類，可以列舉的是氯化鐵(III)、硫酸鐵(III)、檸檬酸鐵(III)、硫酸銨鐵(III)等。作為優選的氧化劑，可以列舉的是過氧化氫、硝酸鐵(III)、過乙酸、過氧二硫酸銨、硫酸鐵(III)以及硫酸銨鐵(III)等。從表面不附著金屬離子並被廣泛使用而廉價的角度看，特別優選過氧化氫。這些氧化劑可以單獨使用，也可以將2種以上混合使用。
從提高拋光速度的角度看，拋光液組合物中的氧化劑的含量優選0.002重量％以上，更優選0.005重量％以上，進一步優選0.007重量％以上，特別優選0.01重量％以上，從降低表面粗糙度、波紋，減少凹痕、劃痕等表面缺陷，提高表面品質的角度以及經濟性的角度看，優選在20重量％以下，更優選在15重量％以下，進一步優選在10重量％以下，特別優選在5重量％以下。該含量優選在0.002～20重量％，更優選在0.005～15重量％，進一步優選在0.007～10重量％，特別優選在0.01～5重量％。
還有，本發明的拋光液組合物從進一步提高拋光速度的角度看，優選含有酸和/或其鹽。作為酸和/或其鹽，優選該酸的pK1在2以下的化合物，從降低細微劃痕的角度看，希望是pK1在1.5以下，更優選在1以下，最優選不能用pK1表示的顯示強酸性的化合物。舉例來說，可以列舉的是硝酸、硫酸、亞硫酸、過硫酸、鹽酸、過氯酸、磷酸、膦酸、次膦酸、焦磷酸、三聚磷酸、醯胺硫酸等無機酸及其鹽，2-氨基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸、氨基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1，1-二膦酸、乙烷-1，1，2-三膦酸、乙烷-1-羥基-1，1-二膦酸、乙烷-1-羥基-1，1，2-三膦酸、乙烷-1，2-二羧基-1，2-二膦酸、甲烷羥基膦酸、2-膦醯基丁烷-1，2-二羧酸、1-膦醯基丁烷-2，3，4-三羧酸、α-甲基膦醯基琥珀酸等有機膦酸及其鹽，穀氨酸、2-吡啶甲酸、天冬氨酸等氨基羧酸及其鹽，草酸、硝基乙酸、馬來酸、丁酮二酸等羧酸及其鹽。其中，從降低細微劃痕的角度看，優選無機酸和有機膦酸及其鹽。還有，在無機酸及其鹽中，更優選硝酸、硫酸、鹽酸、過氯酸及其鹽。在有機膦酸及其鹽中，更優選1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸、氨基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)及其鹽。這些酸及其鹽可以單獨使用，也可以將2種以上混合使用。這裡所述的pK1是指有機化合物或者無機化合物的酸解離常數(25℃)倒數的對數值通常以pKa表示，其中第一酸解離常數倒數的對數值作為pK1。各化合物的pK1例如記載在修訂4版化學手冊(基礎篇)II、第316-325頁(日本化學會編)等中。另外，在本發明中，從兼顧降低細微劃痕和提高拋光速度兩方面的角度看，特別優選使用該酸的pK1在2以下的酸和/或其鹽。
作為這些酸的鹽，沒有特殊的限制，可以列舉的是和金屬、銨、烷基銨、有機胺等形成的鹽。作為金屬的具體例子，可以列舉的是屬於周期表(長周期型)的1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A或者8族的金屬。在這些之中，從降低細微劃痕的角度看，優選與屬於1A族的金屬或者銨形成的鹽。
前述酸及其鹽在拋光液組合物中的含量，從充分發揮拋光速度的角度以及提高表面品質的角度看，優選0.0001～5重量％，更優選0.0003～4重量％，進一步優選0.001～3重量％，特別優選0.0025～2.5重量％。
本發明的拋光液組合物中的水是作為介質使用的，例如可以用蒸餾水、離子交換水、超純水等。其含量從有效地對被拋光物進行拋光的角度看，在拋光液組合物中優選在55重量％以上，更優選在67重量％以上，進一步優選在75重量％以上，特別優選在84重量％以上，還有，優選在99.4979重量％以下，更優選在98.9947重量％以下，進一步優選在96.992重量％以下，特別優選在94.9875重量％以下。在拋光液組合物中，該含量優選在55～99.4979重量％，更優選在67～98.9947重量％，進一步優選在75～96.992重量％，特別優選在84～94.9875重量％。
此外，前述拋光液組合物中的各成分的濃度可以是該組合物製備時的濃度，也可以是使用時的濃度。通常比較多的情況是，以濃縮液的形式製備出拋光液組合物，然後在使用時將其稀釋後進行使用。
還有，在本發明的拋光液組合物中，可以根據需要配合其它成分，作為該其它成分，可以列舉的是增稠劑、分散劑、防鏽劑、鹼性物質、表面活性劑等。
本發明的拋光液組合物可以通過採用公知的技術將前述拋光材料以及水、進一步和所期望的氧化劑、酸和/或其鹽、其他成分等混合而進行配製。
本發明的拋光液組合物的pH值優選根據被加工物質的種類和所要求的性能適當決定。不能由被拋光物的材質一概而定，一般對於金屬材料，從提高拋光速度的角度看，希望pH是酸性，優選不到7，更優選在6以下，進一步優選在5以下，特別優選在4以下。還有，從對人體的影響和對機械的腐蝕性的角度看，優選pH在1以上，更優選在1.1以上，進一步優選在1.2以上，特別優選在1.3以上。特別是在鍍有鎳-磷(Ni-P)的鋁合金基板等以金屬作為主對象的精密元件基板中，從拋光速度的角度看，優選PH是酸性，從提高拋光速度的角度看，pH優選在4.5以下，更優選在4以下，進一步優選在3.5以下，特別優選在3以下。由此，可以結合所重視的目的設定PH值，特別是對在鍍有Ni-P的鋁合金基板等以金屬作為對象的精密元件基板來說，綜合前述觀點，pH值優選1～4.5，更優選1.1～4，進一步優選1.2～3.5，特別優選1.3～3。pH值可以通過用硝酸、硫酸等無機酸和草酸等有機酸，銨鹽、氨水、氫氧化鉀、氫氧化鈉、胺等鹼性物質以適當的、所期望的量混合進行調整。
作為本發明的降低磁碟用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，可以列舉的是在對被拋光基板進行拋光時，使用本發明的拋光液組合物的方法。作為被拋光基板的拋光方法，包括使用本發明的拋光液組合物，或者混合各成分使其成為本發明的拋光液組合物的組成以調製出拋光液組合物並對被拋光基板進行拋光的工序，特別是可以適用於存儲器硬碟所用基板等精密元件用基板的製造。還有，本發明的拋光液組合物可以顯著降低磁碟用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)，發揮出較高的拋光速度。
以本發明的拋光液組合物作為對象的被拋光物的材質，可以列舉的是例如矽、鋁、鎳、鎢、銅、鉭、鈦等金屬或者類金屬以及它們的合金，以及玻璃、玻璃狀碳、無定型碳等玻璃狀物質，氧化鋁、二氧化矽、氮化矽、氮化鉭、碳化鈦等陶瓷材料，聚醯亞胺樹脂等樹脂等。其中，優選鋁、鎳、鎢、銅等金屬以及以這些金屬為主要成分的合金作為被拋光物，更優選例如鍍有Ni-P的鋁合金基板。
在以本發明的降低磁碟用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法對磁碟用基板進行拋光的工序中，例如可以用公知的拋光機較好地進行實施。例如，通過用貼有非編織物狀的有機高分子類砂布等、優選聚氨酯類砂布的拋光機夾住磁碟用基板，相對於每1塊直徑95mm的磁碟用基板，將拋光液組合物以1～30mL/分鐘，優選以3～20mL/分鐘的流量供給拋光對象的表面，作為負載一般加以2.9～14.7kPa，優選4.9～10.8kPa的壓力，同時驅動拋光機和磁碟用基板，使上壓板或者下壓板和磁碟用基板之間的相對速度在壓板中央部位一般在0.1～2m/秒，優選在0.3～1m/秒，從而進行拋光。
通過這種降低磁碟用基板的表面粗糙度的方法，可以有效地降低磁碟用基板表面的表面粗糙度，得到可以使磁碟用基板的表面足以實際應用的平滑性。
還有，作為本發明的一個方式，提供一種磁碟用基板的製造方法，包括通過本發明的拋光液組合物對基板進行拋光的工序，特別是含有使用本發明的拋光液組合物，對鍍有Ni-P的磁碟用基板進行拋光的工序的磁碟用基板的製造方法。
本發明的鍍有Ni-P的磁碟用基板的製造方法(以下稱為磁碟用基板的製造方法)，含有使用本發明的拋光液組合物對該基板進行拋光的工序，該工序在多個拋光工序中優選在第2步工序以後進行，更優選在最終拋光工序中進行。例如，可以通過使用含有氧化鋁磨粒等公知拋光材料的拋光液的第1拋光工序或者第2拋光工序，使表面粗糙度(TMS-Ra)達到15～30，將該得到的磁碟用基板(例如鍍有Ni-P的鋁合金基板)，通過使用本發明的拋光液組合物的拋光工序，進一步進行拋光。使用本發明的拋光液組合物的拋光工序，例如可以與前述降低磁碟用基板的表面粗糙度的方法中的拋光工序同樣實施。
在本發明的磁碟用基板的製造方法中，在期望通過只含有2道工序的拋光工序製造表面粗糙度(TMS-Ra)優選在0.8以下、更優選在0.75以下的磁碟用基板的情況下，最適合將第2工序作為使用本發明的拋光液組合物的磁碟用基板的拋光工序。
通過本發明的磁碟用基板的製造方法，可以有效地製造出表面粗糙度(TMS-Ra)優選在0.8以下、更優選在0.75以下的具有優良表面平滑性的鍍有Ni-P的磁碟用基板。
這種磁碟用基板由於表面極其平滑，因而例如在作為存儲器硬碟用基板使用的時候，可以降低磁頭的上升量，進而可以使磁碟高容量化·小型化。
(被拋光物)將預先用含有氧化鋁磨粒的拋光液進行粗拋光使表面粗糙度(TMS-Ra)成為20的、厚度1.27mm、直徑95mm的鍍有Ni-P的鋁合金基板用作被拋光物，使用通過以下實施例以及比較例得到的拋光液組合物對該基板進行拋光評價。
實施例1～10以及比較例1～7通過添加、混合表1所記載的膠體矽石(矽石A～H)、過氧化氫(H2O2)、HEDP(1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸)以及剩餘的水(離子交換水)，配製出具有表1所記載的組成的拋光液組合物。混合的順序是向用水稀釋HEDP的水溶液混合35重量％的雙氧水，然後混合餘下的成分，最後在不產生凝膠化的前提下攪拌並混合膠體矽石漿料，配製出拋光液組合物。


*矽石ACataloid SI-30(觸媒化成工業生產)矽石BCataloid SI-40(觸媒化成工業生產)矽石CCataloid SI-50(觸媒化成工業生產)矽石DCataloid SI-45P(觸媒化成工業生產)矽石ECataloid特製品(觸媒化成工業生產)矽石FCataloid SI-80P(觸媒化成工業生產)矽石GSyton524(Dupont生產)矽石HSytonHS40(Dupont生產)H2O235重量％雙氧水(旭電化生產)NaIO4高碘酸鈉(和光純藥工業生產)HEDP1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸(Dequest2010，Solutia Japan Inc.生產)H2SO4硫酸(和光純藥工業生產)
對於構成製備前述拋光液組合物中使用的前述矽石A～H或者它們的混合物的矽石粒子，根據以下所記載的方法(矽石粒子的粒徑分布的測定)，對粒徑進行測定，求得累積體積頻率，作出粒徑對累積體積頻率圖。在各實施例中所使用的矽石粒子的粒徑對累積體積頻率圖如圖1所示，各比較例中所使用的矽石粒子的粒徑對累積體積頻率圖如圖2所示。[矽石粒子的粒徑分布的測定]將漿料狀的矽石粒子用作試驗樣品，通過日本電子生產的透射式電子顯微鏡「JEM-2000FX」(80kV、1～5萬倍)，根據該顯微鏡的製造商所附的說明書對樣品進行觀察，拍攝得到TEM照片。將該照片通過掃描器以圖象數據的形式讀取至計算機中，使用分析軟體「WinROOF」(銷售商三谷商事)求得每一個矽石粒子的投影面積直徑，將其作為直徑，對1000個以上的矽石粒子的數據進行分析後，以其為基礎，通過表格計算軟體「EXCEL」(微軟公司生產)由粒子直徑換算成粒子體積。
基於這樣得到的矽石粒子的粒徑分布數據，作為從小粒徑側開始的累積頻率，表示所有粒子中某些粒徑的粒子的比例(體積基準％)，得到累積體積頻率(％)。
基於以上得到的矽石粒子的粒徑以及累積體積頻率的數據，相對於粒徑對累積體積頻率作圖，得到粒徑對累積體積頻率圖。
還有，使用實施例1～10以及比較例1～7的拋光液組合物，以如下所示的拋光條件對被拋光物進行拋光。然後，基於以下的方法測定被拋光物表面的表面粗糙度(TMS-Ra)，並進行評價。使用各實施例以及比較例中10塊被拋光物進行評價，表面粗糙度(TMS-Ra)是用各個被拋光物所得到的各自數據的平均值。得到的結果如表2所示。
(拋光條件)拋光試驗機SPEEDFAM公司生產「雙面9B拋光機」拋光襯墊 Kanebo公司生產「Bellatrix N0058」拋光負載 7.8kPa漿料供給量100mL/分下壓板轉數30r/min拋光時間 4分鐘投入基板的塊數10塊[表面粗糙度(TMS-Ra)的測定]表面粗糙度(TMS-Ra)是通過光散射式表面粗糙度測定機「TMS-2000RC」(Schmitt Measurement Systems，Inc.生產)，根據該測定機的製造商所附的說明書進行測定。具體的說，通過該測定機，對被拋光物的表面以及裡面大約全部的區域，在0.88～7.8μm的測定空間波長區域內進行測定，得到表面粗糙度(TMS-Ra)的值()。


由表2的結果可以看出，通過使用實施例1～10的拋光液組合物，和比較例1～7的相比，被拋光物表面的表面粗糙度(TMS-Ra)進一步降低。
通過本發明的拋光液組合物，可以有效地得到表面的表面粗糙度(TMS-Ra)被降低、具有足以實際應用的平滑性的磁碟用基板。
權利要求
1.一種拋光液組合物，其為含有水和矽石粒子的、用於存儲器硬碟所用基板的拋光液組合物，對通過透射式電子顯微鏡(TEM)觀察前述矽石粒子測定得到的該矽石粒子的粒徑(nm)從小粒徑側開始的累積體積頻率(％)進行繪圖得到的該矽石粒子的粒徑對累積體積頻率圖中，粒徑40～100nm範圍內的累積體積頻率(V)相對於粒徑(R)滿足下式(1)V≥0.5×R+40 (1)。
2.如權利要求1所記載的拋光液組合物，其中矽石粒子是膠體矽石粒子。
3.如權利要求1所記載的拋光液組合物，其中進一步含有選自酸、其鹽以及氧化劑中的至少一種。
4.如權利要求2所記載的拋光液組合物，其中進一步含有選自酸、其鹽以及氧化劑中的至少一種。
5.如權利要求1所記載的拋光液組合物，其中PH值為1～4.5。
6.如權利要求2所記載的拋光液組合物，其中PH值為1～4.5。
7.如權利要求3所記載的拋光液組合物，其中PH值為1～4.5。
8.如權利要求4所記載的拋光液組合物，其中PH值為1～4.5。
9.一種降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，包含使用權利要求1所記載的拋光液組合物對存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
10.一種降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，包含使用權利要求2所記載的拋光液組合物對存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
11.一種降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，包含使用權利要求3所記載的拋光液組合物對存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
12.一種降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，包含使用權利要求4所記載的拋光液組合物對存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
13.一種降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，包含使用權利要求5所記載的拋光液組合物對存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
14.一種降低存儲器硬碟所用基板的表面粗糙度(TMS-Ra)的方法，包含使用權利要求6所記載的拋光液組合物對存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
15.一種製造存儲器硬碟所用基板的方法，包含使用權利要求1所記載的拋光液組合物對鍍有Ni-P的存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
16.一種製造存儲器硬碟所用基板的方法，包含使用權利要求2所記載的拋光液組合物對鍍有Ni-P的存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
17.一種製造存儲器硬碟所用基板的方法，包含使用權利要求3所記載的拋光液組合物對鍍有Ni-P的存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
18.一種製造存儲器硬碟所用基板的方法，包含使用權利要求4所記載的拋光液組合物對鍍有Ni-P的存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
19.一種製造存儲器硬碟所用基板的方法，包含使用權利要求5所記載的拋光液組合物對鍍有Ni-P的存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
20.一種製造存儲器硬碟所用基板的方法，包含使用權利要求6所記載的拋光液組合物對鍍有Ni-P的存儲器硬碟所用基板進行拋光的工序。
全文摘要
本發明涉及一種拋光液組合物，其為含有水和矽石粒子的、用於存儲器硬碟所用基板的拋光液組合物，對通過透射式電子顯微鏡(TEM)觀察前述矽石粒子測定得到的該矽石粒子的粒徑(nm)從小粒徑側開始的累積體積頻率(％)進行繪圖得到的該矽石粒子的粒徑對累積體積頻率圖中，粒徑40～100nm範圍內的累積體積頻率(V)相對於粒徑(R)滿足下式(1)V≥0.5×R+40(1)。本發明的拋光液組合物特別適用於存儲器硬碟所用基板等精密元件用基板的製造。
文檔編號C09K3/14GK1513931SQ200310124640
公開日2004年7月21日 申請日期2003年12月25日 優先權日2002年12月26日
發明者末永憲一, 大島良曉, 曉, 也, 萩原敏也 申請人:花王株式會社