在多列系統中對管芯上終結的選擇性控制的製作方法

2023-08-02 14:46:31

本申請是基於2014年7月23日提交的美國臨時申請第62/028,295號並且要求其優先權權益的非臨時申請，該美國臨時申請通過引用結合於此。

技術領域

本發明的實施例總體上涉及存儲器器件，並且更具體地涉及在具有多列存儲器架構(Multi-rank Memory Architecture)的系統中動態地、選擇性地針對存儲器存取操作控制管芯上終結。

版權聲明/許可

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背景技術：

存儲器器件普遍存在於計算設備中，用於存儲數據和代碼以由處理器執行操作並完成計算設備的功能。即使當對計算設備的需求增長時，仍然存在朝以更小功率操作(尤其是在行動裝置中)的更小計算設備發展的趨勢。移動計算設備的計算性能已經提高，它們已經包括越來越多的存儲設備和存儲器以滿足在設備上執行編程和計算的需求。在移動計算設備中，控制功耗是關鍵設計關注點。在低功耗和其他行動裝置中，存儲器器件和存儲器子系統消耗大量的總功耗。

當前存儲器子系統可以通過在寫操作過程中消除管芯上終結(ODT)來控制存儲器系統功耗。雖然信號質量可能由於缺乏ODT而被降級，在存儲器器件之間的距離足夠小使得信號反射不會顯著影響所需信號的情況下可以容忍這種折衷。這種假設在當前系統中並不總是成立。雖然存在一些用於增加行動裝置中的存儲器密度同時維持設備間小距離的封裝解決方案，但是這樣的解決方案傾向於更昂貴且非標準。更標準的封裝解決方案成本更低，但隨著密度增加而增加存儲器總線上的存儲器器件之間的距離。因此，在標準封裝解決方案中，存儲器器件之間的距離在沒有ODT的情況下可能由於信號反射而導致信號降級。目前的ODT解決方案使用ODT引腳，這種使用增加了製造成本並消耗更多的佔用面積，因為它增加了引腳數量。存在一些不使用單獨ODT引腳的ODT解決方案，但這種解決方案被限制為在一列(rank)中提供終結，如通過對終結方案進行硬編碼。單列ODT不足以作為針對多個存儲器列系統的解決方案。

附圖說明

以下描述包括對具有藉助本發明各實施例的實現方式的示例給出的展示的附圖的討論。附圖應通過舉例而非限制的方式來被理解。如本文中所使用的，對一個或多個「實施例」的引用應被理解為描述包括在本發明的至少一個實現方式中的具體特徵、結構和/或特性。因此，此處出現的如「在一個實施例中」或「在替換性實施例中」的短語描述本發明的各種實施例和實現方式，並且不必全都指同一實施例。然而，它們也不是必然互斥的。

圖1是應用對管芯上終結的選擇性控制的系統的實施例的框圖。

圖2是具有處理器系統邏輯的系統的實施例的框圖，該邏輯針對存儲器系統中的存儲器器件應用管芯上終結控制。

圖3A是已知的八管芯封裝的實施例的框圖。

圖3B是安裝在四管芯封裝體中的存儲器器件的實施例的框圖，該系統在該四管芯封裝體中提供選擇性管芯上終結控制。

圖4A是用於針對存儲器存取控制管芯上終結的命令表的實施例表示。

圖4B是用於針對存儲器存取控制管芯上終結的模式表的實施例表示。

圖5A是用於選擇性地針對寫操作應用管芯上終結的過程的實施例的流程圖。

圖5B是用於選擇性地針對寫操作接合管芯上終結的過程的實施例的流程圖。

圖5C是用於選擇性地針對讀操作應用管芯上終結的過程的實施例的流程圖。

圖5D是用於選擇性地針對讀操作接合管芯上終結的過程的實施例的流程圖。

圖6是可以在其中實現管芯上終結控制的計算系統的實施例的框圖。

圖7是可以在其中實現管芯上終結控制的行動裝置的實施例的框圖。

隨後是某些細節和實現方式的描述，包括可以描繪下面所描述的實施例的部分或全部的附圖描述，以及討論本文所呈現的發明性概念的其他潛在實施例或實現方式。

具體實施方式

如本文所述，存儲器子系統包括組織成多個存儲器列的多個存儲器器件。存儲器列指全部接收並響應於來自相關聯的存儲器控制器或可比較控制單元的公共命令的若干個存儲器器件或晶片。存儲器列包括並聯連接的一個或多個存儲器器件。在一個列中的存儲器器件通常共享數據總線、C/A(命令/地址)總線並且通常共享時鐘信號。在一個列中的單獨的器件可以接收專用時鐘使能(CKE)信號、片選(chip select,CS)信號以及管芯上終結(ODT)信號。存儲器控制器指控制對存儲器器件進行存取的電路和/或設備。本文所描述的存儲器子系統包括多器件封裝體中的存儲器器件。多器件封裝體通常包括在同一封裝體中不同列的存儲器器件。

存儲器控制器將存儲器存取命令同時發送至存儲器列的部分或全部。存儲器控制器可以選擇性地觸發存儲器列以更改管芯上終結(ODT)設置，如針對寫操作接合ODT、針對讀操作解除ODT、和/或針對讀或寫操作更改ODT的值。因此，存儲器控制器可以將存儲器存取命令發送至所有列並觸發那些列中的部分或全部以更改ODT設置，或將存儲器存取命令發送至列子集並觸發其部分或全部來更改ODT設置。應理解的是，ODT指連接在電源軌接收器側的信號線之間的電阻器。在一個實施例中，電源軌是VDD或高壓電源。在一個實施例中，存儲器器件可從信號線終結到Vss或地或低壓電源。在任何場景中，這些列之一被選擇用於執行存儲器存取命令，該列可被稱為存儲器存取命令的目標。該目標列執行命令，而其它觸發的列維持針對存儲器存取操作的更改的ODT設置。

傳統的存儲器子系統可以通過在寫過程中消除對ODT的使用來控制存儲器系統功耗。應理解的是，完全消除ODT不同於本文所述的選擇性地應用ODT。雖然在傳統寫情況下信號質量可能由於缺乏ODT而被降級，這種折衷在存儲器器件之間的距離足夠小使得信號反射不會顯著影響所需信號的情況下可被容忍。這種假設在使用多器件封裝的當前系統中並非總是有效。雖然存在一些用於增加行動裝置中的存儲器密度同時維持器件間的距離足夠小以維持假設的傳統封裝解決方案，但是隨著存儲器密度增加，這樣的解決方案往往更昂貴且不標準。還存在更標準且更低成本的封裝解決方案，但隨著密度增加，存儲器總線上的存儲器器件之間的距離增加，這並不維持假設。因此，在標準封裝解決方案中，存儲器器件之間的距離在沒有ODT的情況下可能由於信號反射而導致信號降級。然而，通過對「寫」選擇性地應用ODT(或類似地，對「讀」選擇性地去除應用ODT)，即使存儲器密度增加，仍可以使用這樣的標準封裝解決方案。

根據本文所描述的內容，可以存在針對ODT的若干使用情況。在第一種使用情況下，存儲器器件是未被終結的並因此ODT始終關閉。存儲器器件當其被設置(例如，通過配置寄存器)成使ODT在系統中被禁用時可以被認為是未被終結的。應理解的是，在通過配置不使ODT被啟用的存儲器器件與能夠針對不同的存儲器存取操作選擇性地關閉ODT的存儲器器件之間存在差異。對於某些事務，存儲器器件可以選擇性地禁用ODT，但針對其它事務，存儲器器件可以啟用ODT。在未被終結的情況下，存儲器器件不在啟用和禁用ODT之間切換，因為其通過配置而被關閉。在第二種使用情況下，存儲器器件僅針對目標列僅在寫過程中接合ODT。因此，存儲器器件被配置為當對寫命令進行解碼指示其為目標列時接合ODT。在第三種使用情況下，多個存儲器列可以在寫事務過程中應用ODT。在第四種使用情況下，多個存儲器列可以在讀事務過程中應用ODT。如上所述，第三和第四種使用情況傳統上已經通過使用專用ODT引腳來實現。如本文所討論的，在不使用專用ODT引腳的情況下，該系統可以針對讀事務或寫事務在多列上觸發ODT。

對存儲器器件的引用可以應用於不同的存儲器類型。存儲器器件通常指易失性存儲器技術。易失性存儲器是在設備電源中斷的情況下其狀態(以及因此存儲在其上的數據)不確定的存儲器。動態易失性存儲器要求對存儲在設備中的數據進行刷新以維持狀態。動態易失性存儲器的一個示例包括DRAM(動態隨機存取存儲器)或一些變體，如同步DRAM(SDRAM)。本文描述的存儲器子系統可以與若干項存儲器技術兼容，如LPDDR4(低功率雙數據速率(LPDDR)第4版，JESD209-4，最初是由JEDEC(電子裝置工程聯合委員會)於2014年8月出版)，和/或其他，以及基於這些規範的衍生或擴展技術。存儲器包括多個存儲器列。在一個實施例中，存儲器子系統發出多個命令來執行單個存儲器存取操作。在一個實施例中，每個命令都是多周期命令。

LPDDR4是被設計成用於現代計算系統的存儲器技術的一個示例。雖然一些存儲器技術實現了更寬的I/O(輸入/輸出)接口，一些技術(如LPDDR4)被設計成具有較窄的接口，但仍然允許增加的存儲器密度。因此，多器件封裝通常用在尋求增加密度同時保持窄I/O接口的技術中。雖然具體地引用了存儲器器件，以及針對LPDDR4存儲器的某些示例，應當理解的是，所有類型的晶片間通信在現代計算系統中是顯著的。因此，本文的描述可以同樣很好地適用於未具體指明的存儲器技術，並且還可以適用於共享至多器件封裝中的器件的公共總線的任意類型的器件的器件間通信。

圖1是應用對管芯上終結的選擇性控制的系統的實施例的框圖。系統100展示了計算設備的存儲器子系統的一部分。系統100包括易失性存儲器子系統120和SOC(片上系統)110。SOC 110表示系統100中的主機控制器。SOC 110可以包括一個或多個處理器，其可以包括單核和/或多核處理器。SOC 110還包括一個或多個存儲器控制器，用於控制存儲器子系統120的存儲器器件122。在一個實施例而非片上系統實現方式中，系統100可以包括離散處理器和存儲器控制器部件。在一個實施例中，存儲器控制器可以被實現為來自包括(多個)處理器和緩存部件的封裝體中的單獨的物理設備。在一個實施例中，存儲器控制器是處理器的一部分，如處理器的電路。在一個實施例中，在由多個處理器設備共享的SOC上邏輯地實現存儲器控制器。

系統100的SOC 110和/或存儲器控制器包括用於耦合存儲器子系統120及其存儲器器件122的硬體連接器。存儲器子系統120包括多個存儲器器件122，其中每個存儲器器件包括用於存儲數據的存儲器陣列。硬體(連接器、引腳、球體、信號線或其它硬體部件)可以被認為是互連部件之間的I/O接口(例如，SOC 110和/或存儲器控制器和存儲器子系統120)。存儲器器件可以被組織成列，以便於同時存取更大數量的位。一列包括多個並聯的存儲器器件。在一個實施例中，列130共享數據引腳、命令/地址(C/A)引腳和時鐘引腳。每一列130還具有用於在不同的列之間進行選擇的特定的一個或多個使能信號。如所展示的，系統100包括N個列130。信號線的具體分組不一定物理地按列分組。在一個實施例中，某些信號線在列130之間重複使用。不管構成I/O接口的信號線的具體物理實現方式如何，所述列存儲器器件列122共享公共的一組信號線或接入總線。在一個實施例中，所有存儲器器件122共享同一數據總線、命令/地址(C/A)總線，並且共享時鐘或選通信號(其可以包括一根或多根信號線)。系統100可以使用使能信號，如CKE(時鐘使能)和片選(CS)，和/或CS及其他使能信號，以將一個列或器件分組與另一個列或器件分組區分開。因此，作為同一列130的一部分的存儲器器件122可以共享相同的使能/選擇信號。在涉及除了存儲器子系統之外的其它物之間的I/O接口的實現方式中，列130可以表示經由公共總線的一些其他器件分組。

系統100可以選擇性地應用ODT，以在選定的或目標列(列130之一)上維持信號質量。在一個實施例中，列130中的每個器件共享ODT信令。ODT終結當列中的存儲器器件間的距離增加時對寫操作而言是重要的，並且基於指示信號完整性的信令頻率。例如，類似於上面所討論的，存儲器子系統120可以包括封裝，其中，接近度和信號質量假設不成立，並且針對「寫」可能需要ODT來維持信號質量。新興的八管芯封裝(ODP)技術可以在對「寫」不使用ODT的情況下工作，因為它包括靠近地堆疊在彼此頂部上的八個管芯或器件，這維持了信號質量假設。在某些實現方式中，ODP或堆疊封裝可以實現目標列ODT，這也並不要求來自存儲器控制器(上述第二種使用情況)的信令。然而，為了使相同密度的器件具有更標準的四管芯封裝(QDP)，這將需要兩個QDP封裝體，在對多個列不應用ODT的情況下，信號質量可能受損。

SOC 110和/或存儲器控制器(統稱為「邏輯」)按列實現選擇性ODT以維持信號質量，而無需連續使用ODT。該邏輯可以對多個列選擇性地應用ODT以進行存儲器存取事務。在一個實施例中，邏輯將存儲器存取命令同時發送給多個列130。因此，至少兩個列130接收命令，即使這些列中的僅一個列是用於實現命令的目標列。在一個實施例中，該邏輯觸發接收到用於更改ODT設置的命令的該多個列中的選定數量的列。傳統上，ODT的應用是經由信令而非通過存儲器存取命令來控制的。在一個實施例中，邏輯可以經由存儲器存取命令觸發ODT。在一個實施例中，關於「寫」，邏輯觸發目標列的存儲器器件接合ODT，以及至少一個其他列用於抑制反射；因此，更改ODT設置可以包括對所選的存儲器列選擇性地接合ODT。在一個實施例中，對於「讀」，邏輯觸發一個或多個非目標列的存儲器器件接合ODT。對於「讀」，目標列通常不接合ODT。通常，對於「寫」，系統將觸發ODT成對地更改。在一個實施例中，系統選擇每個封裝體至少一個列以針對寫操作接合ODT，這可以包括目標列。在一個實施例中，系統選擇至少一個非目標列以針對讀操作接合ODT。在一個實施例中，系統跨所有列應用更改以進行存儲器存取事務。目標列執行該命令，而選定的列維持更改的ODT設置。因此，該ODT可以跨封裝體被應用並且充分抑制反射以維持信號質量從而進行關於寫的存儲器存取事務，以及減小對於讀的負荷並抑制對於讀的反射。因此，存儲器存取命令可以是或者讀命令或者寫命令。

在一個實施例中，接收存儲器存取命令的所有列更改ODT設置。接收存儲器存取命令的列的數量可以是系統100中的列的子集或全部。在一個實施例中，將命令發送至列將觸發該列針對存儲器事務更改ODT設置。存儲器器件可以被配置成用於更改該ODT設置以持續等於存儲器存取事務的預期持續時間的一段時間。存儲器事務是指用於交換數據以進行讀或寫存儲器存取操作的周期的完全數目。例如，針對每個存儲器器件，讀事務將持續足夠長的時間以在一個或多個執行周期(時鐘周期)上向存儲器控制器存取並提供一位或多位信息。類似地，針對存儲器控制器，寫事務持續足夠長的時間以將所有數據位傳送到選定的目標存儲器器件的接收緩衝區中。事務可以是脈衝串長度(用於在數據總線上傳送與存儲器存取命令相關聯的數據的周期數)。

圖2是具有處理器系統邏輯的系統的實施例的框圖，該邏輯針對存儲器系統中的存儲器器件應用管芯上終結控制。在一個實施例中，系統200可以包括系統100的實現方式的元件。在一個實施例中，系統200包括存儲器控制器210，該存儲器控制器表示控制至存儲器列220的I/O接口的邏輯控制單元或邏輯電路。存儲器列220表示存儲用於由主機系統執行操作的代碼和/或數據的多個存儲器列。存儲器列220可以在多個多晶片封裝(MCP)或包括多個器件的其他封裝中展開。雖然封裝體內的器件可以間隔得足夠接近使得由於反射引起的信號降級風險是可容忍的，因為存在多個器件封裝體，存在很高的可能性使得由於封裝體之間的列的間隔引起信號降級。

在一個實施例中，存儲器控制器210可以是SOC的一部分。在一個實施例中，存儲器控制器210可以是獨立式部件。存儲器控制器210可以包括命令邏輯212，用於確定並控制將哪些存儲器存取命令(例如，讀或寫)發送到哪些存儲器器件，以及何時發送。在一個實施例中，存儲器控制器210包括ODT控制邏輯214，用於確定在給定的存儲器存取命令期間哪些存儲器列220用於選擇性地啟用和/或禁用ODT。在一個實施例中，存儲器控制器210跨所有列220基於讀和寫事務選擇性地實現ODT設置更改。在一個實施例中，存儲器控制器210標識存儲器子系統的系統配置，如通過查詢針對其類型的部件和/或訪問存儲在BIOS(基本輸入/輸出系統)中的信息或提供了配置信息的其他系統控制。基於配置(例如，每個封裝體有多少個器件、每個封裝體的列是如何分配的)以及所選的目標列(例如，確定目標列位於哪個(哪些)封裝體中)，ODT控制214可以確定選擇性地更改除了目標列之外的一個或多個存儲器列220的ODT設置。

雖然未明確示出，每個存儲器列220包括多個存儲器器件。存儲器列220的存儲器器件各自包括用於處理傳入命令的解碼器222。經由解碼器222，每一列220的每個存儲器器件可判定其是否是目標列的一部分，以及應用怎樣的ODT設置來進行給定的存儲器存取事務。每個存儲器器件包括ODT 224，其表示用於實現ODT的硬體以及用於基於從存儲器控制器210接收的命令和/或信令確定如何應用ODT的邏輯兩者。在一個實施例中，存儲器控制器210可以基本上將ODT信息背負到命令上，而無需使用單獨的引腳來啟用和禁用的ODT。存儲器器件本身可以被配置成用於基於從存儲器控制器接收的命令來選擇性地啟用和禁用ODT。在一個實施例中，存儲器器件默認為使得ODT被解除，並且僅基於存儲器子系統配置和由存儲器控制器發送的存儲器存取命令來接合ODT。在一個實施例中，存儲器器件可默認為接合ODT，並且可以基於存儲器子系統配置和存儲器存取命令來選擇性地解除ODT。

例如，每個存儲器器件可以對從存儲器控制器210接收到的傳入存儲器存取命令進行解碼並且基於在該命令中解碼的信息和/或基於順序命令組合的設置判定是否應用ODT 224。下面提供關於圖4A的某些示例。簡而言之，在一個實施例中，存儲器控制器210可以在以特定的組合將某些使能信號設置為真或假的情況下基於將存儲器存取命令發送至列觸發特定的存儲器列220應用ODT 224的設置更改。出於選擇性地接合ODT 224的目的，存儲器器件可以被配置成用於對這種組合進行解碼。

在一個實施例中，ODT 224包括多個不同級別的每個存儲器列220可以設置的電阻值。甚至在多個列正應用ODT的存儲器事務過程中，並非所有存儲器列將必須將ODT設置為相同的電阻水平。因此，每個列可以被觸發以針對存儲器事務開啟或接合ODT，並且在一個實施例中，應用ODT的每個存儲器列可以進行具有不同電阻值水平的ODT。在一個實施例中，應用ODT的所有列都應用相同的電阻水平。在一個實施例中，有待應用的電阻值是通過模式寄存器或通過命令或通過其他通信或發信號通知存儲器控制器210而設置的。

圖3A是已知的八管芯封裝的實施例的框圖。器件302和304都表示使用x16器件的四個列系統的已知示例。應理解的是，xl6是指具有16位寬的數據I/O總線的器件。因此，x8器件有8位寬的數據I/O總線，x32器件具有32位寬的數據I/O總線，等等。作為器件302的一部分的封裝體312以及作為器件304的一部分的封裝體314在八管芯封裝體(ODP)中包括存儲器器件。器件302和304可以是被處理到主機系統襯底或板上的存儲器模塊和/或部件。

如所展示的，封裝體312包括堆疊在彼此之上的八個管芯或存儲器器件，並且被組織為四個列(R0...R3)。器件302將存儲器器件從最接近信號線的器件組織為最遠離信號線的設備：R0、R1、R2、R3、R0、R1、R2和R3。因為器件為xl6，所以它們應各自連接到16根DQ信號線。器件302被配置為具有連接到DQ[8:23]的低四個器件，以及連接到DQ[0:7]和DQ[24:31]的高四個器件。器件304將存儲器器件從最接近信號線的器件組織為最遠離信號線的器件：R0、R0、R1、R1、R2、R2、R3和R3。器件304被配置成具有連接到DQ[8:23]的第零、第二、第四以及第六器件，以及連接到DQ[0:7]和DQ[24:31]的第一、第三、第五和第七器件。

該ODP展示了一種用於封裝的已知方法，所述方法維持允許在多個列上不應用ODT的接近度假設。因為器件共享封裝體，所以信號線到每個存儲器器件的距離消除了針對「寫」由除了目標或選定器件以外任何器件進行終結的需要。因此，只有目標器件或目標列需要提供關於「寫」的終結。應理解的是，封裝體312將是器件302的一部分，這將包括類似於封裝體312的多個封裝體。器件304的封裝體314同樣如此。因此，所展示的列將包括在器件的其他封裝體中類似定位的器件。雖然封裝體312和314可以消除終結需求，目前的處理技術針對高度為八的堆疊(如所示的那些)產生非常低的效益。低效益增加了成本並減少了對封裝的採用。

圖3B是安裝在四管芯封裝體中的存儲器器件的實施例的框圖，該系統在該四管芯封裝體中提供選擇性管芯上終結控制。類似於圖3A中所展示的，存儲器子系統可以由如所展示的xl6器件或x8器件製成，而不是使用具有64位寬的接口(或更高)或者甚至是32位寬的接口的單管芯。在一個實施例中，存儲器架構使用具有四個器件或管芯的兩個單獨的封裝體，每個封裝體用於提供四列xl6存儲器。器件306和器件308表示合併這類存儲器架構的器件。器件306和308可以是存儲器模塊，或者可以是主機系統板本身。器件306和308展示了關於數據總線的『T』拓撲，其中，信號線連接器從信號線連接器分支出來進入兩個單獨的封裝體。與存儲器列相關聯的存儲器控制器可以選擇性地啟用ODT以選擇性地在『T』的兩個分支上提供終結從而使對「寫」的反射最小化。因此，該系統可以在每次事務的基礎上在除了(或除去)所選擇或目標器件之外的器件中提供終結。在一個實施例中，系統不必在所有器件上提供終結，但可以選擇器件的子集來對「寫」應用ODT。

在一個實施例中，器件306包括封裝體322和324，每個封裝體都包括被組織為總共四個列中的兩個列的四個器件。確切地，封裝體322包括列R0和R1，並且封裝體324包括列R2和R3。所展示的封裝體322包括存儲器器件，該存儲器器件被組織為從最接近信號線的器件到最遠離信號線的器件：R0、R1、R0和R1。封裝體322被配置成具有連接到DQ[8:23]的較近的R0和R1器件以及連接到DQ[0:7]和DQ[24:31]的較遠的R0和R1器件。所展示的封裝體324包括存儲器器件，該存儲器器件被組織為從最接近信號線的器件到最遠離信號線的器件：R3、R2、R3和R2。封裝體322被配置成具有連接到DQ[8:23]的較近的R3和R2器件以及連接到DQ[0:7]和DQ[24:31]的較遠的R3和R2器件。

在一個實施例中，器件308包括封裝體326和328，每個封裝體都包括被組織為總共四個列中的兩個列的四個器件。確切地，封裝體326包括列R0和R1，並且封裝體328包括列R2和R3。所展示的封裝體326包括存儲器器件，該存儲器器件被組織為從最接近信號線的器件到最遠離信號線的器件：R0、R0、R1和R1。封裝體326被配置成具有連接到DQ[8:23]的較近的R0和R1器件以及連接到DQ[0:7]和DQ[24:31]的較遠的R0和R1器件。所展示的封裝體328包括存儲器器件，該存儲器器件被組織為從最接近信號線的器件到最遠離信號線的器件：R3、R3、R2和R2。封裝體328被配置成具有連接到DQ[8:23]的較遠的R3和R2器件以及連接到DQ[0:7]和DQ[24:31]的較近的R3和R2器件。

應理解的是，在器件306或308任一情況中，可以修改存儲器器件的其它配置、列組織以及至信號線的連接。因此，示例是說明性而非限制性的。兩個器件306和308採用四管芯封裝(QDP)技術，該技術通常提供比ODP好得多的效益。雖然將八個存儲器器件晶片拆分成兩個單獨的封裝體防止完全關閉ODT，但是系統可以選擇性地應用ODT。

考慮在器件306中選擇性地應用ODT的示例。考慮用於對列R1進行寫操作的寫命令。在一個實施例中，R1因為它是目標列而將終止信號，並且將吸收進入封裝體322的信號能量。在一個實施例中，該系統還可以觸發列R3和/或列R2接合ODT來吸收封裝體324中的信號能量從而通過減少反射來維持信號質量。被觸發以應用ODT的不同器件可以保持ODT被接合持續存儲器存取事務周期。

作為一個具體示例，考慮LPDDR4器件，該器件被定義為沒有ODT引腳，因為JEDEC定義的拓撲設計上具有有限的引腳分配。根據本文描述的內容，在一個實施例中，對DRAM器件進行寫操作以基於解碼寫命令來提供ODT終結。在一個實施例中，存儲器子系統可以包括關於數據總線的『T』拓撲。如果僅對『T』的一個分支提供終結，則這樣的結構將在頻率規模上受到限制。然而，存儲器控制器或與LPDDR4器件接口連接的可比較邏輯控制電路可以提供對ODT的選擇性應用。在一個實施例中，存儲器控制器基於解碼寫命令在任何給定的器件上選擇性地觸發ODT。在存儲器存取命令或其他命令中提供這種解碼可以選擇性地應用ODT而無需使用額外的引腳。因此，該系統可以在一個或多個非目標列上選擇性地應用ODT以進行寫和/或讀。

圖4A是用於針對存儲器存取控制管芯上終結的命令表的實施例表示。命令表400可以更具體地是用於在LPDDR4系統中使用的命令的實施例的示例。存儲器控制器生成所列出的用於生成所需操作的命令。LPDDR4使用多周期命令。例如，寫命令由WRITE-1的兩個周期接著CAS-2的兩個周期組成(參照表400)。在SoC或存儲器控制器或等效物(統稱為「存儲器控制器」)在沒有間隙的情況下連續地或順序地發送每個周期。

在一個實施例中，存儲器控制器將WRITE-1命令廣播或多播至多個列。當發送寫命令以確保期望的列接收該命令時，存儲器控制器可以斷言片選(CS)信號或其他使能信號。命令不必但可以發送至每個列或每個DRAM器件。在一個實施例中，存儲器控制器將命令發送至每個封裝體的至少一個列。在一個實施例中，接收WRITE-1命令的DRAM器件被配置成用於自動開啟ODT。DRAM可以保持ODT被接合持續寫事務的持續時間，該持續時間包括用於實現該操作的所有命令的所有周期。在一個實施例中，存儲器控制器僅發送CAS-2至接收數據的列。因此，DRAM可以接收WRITE-1命令並接合ODT，但不接收隨後的CAS-2命令。因此，DRAM將不執行命令，但仍可以被配置成用於維持ODT被接合。

類似的方法可以應用於讀事務。例如，存儲器控制器可以將READ-1命令廣播或組播到兩個或更多個列。存儲器控制器可接著發送僅對目標列可尋址的CAS-2命令，使其他非目標列不接收CAS-2命令。存儲器控制器可以選擇目標列以及一個或多個其它列以針對讀事務解除ODT。

因此，存儲器控制器使目標列來執行命令或存儲器存取操作(例如，讀或寫)，而一個或多個其它列通過更改存儲器存取事務或操作的持續時間的ODT設置來選擇性地應用ODT。在一個實施例中，存儲器存取事務的持續時間也可以覆蓋針對存儲器存取類型(例如，讀或寫)的編程前同步碼和後同步碼的值。

在一個實施例中，存儲器子系統默認所有列應用針對寫操作的ODT。例如，當終結到Vss時，存儲器子系統可以默認所有列都應用ODT。因此，如果總線處於三態或Vss，則將沒有功率消耗。Rtt_park指連接於終端的高值電阻器，它可以消除除了目標列之外激活ODT的需要。目標列可以使用較低的電阻值(例如，Rtt_wr)。雖然這樣的實現方式將不要求在非目標列處選擇性地控制ODT，但是高值電阻可以降低信號完整性並增加功率消耗。在一個實施例中，存儲器器件支持ODT的不同值。在一個實施例中，該系統可以在T的每個分支上選擇一個列，並針對ODT使用更高的電阻值(如，將用於Rtt_park的值)。在一個實施例中，系統可以使用相同的Rtt_park值以在(多個)非目標列上進行讀和寫。然而，針對非目標列上的讀命令，針對Rtt_park值設置ODT可能會導致非最佳的解決方案。因此，存儲器控制器可發送READ-1廣播命令以在(多個)非目標列上使存儲器器件將Rtt_park更改Rtt_標稱。在一個實施例中，存儲器控制器可發送READ-1命令以根據需要在(多個)非目標列上選擇性地啟用ODT。

根據表400考慮LPDDR4中的寫命令的具體示例。在LPDDR4中，該系統使用兩個命令，每個命令使用兩個周期來進行寫或讀操作。因此，寫操作通過發送WRITE-1命令的兩個周期依次接著CAS-2的兩個周期而佔據四個周期。在一個實施例中，當存儲器器件看到寫命令(WRITE-1)時(或當它接收到選擇其的命令時)，該存儲器器件啟用ODT。存儲器控制器可以通過在命令上觸發CS信號(在WRITE-1的周期1上CS＝H)而在多個列上啟用ODT。在一個實施例中，該器件將接合或啟用ODT持續一個脈衝串長度，並且然後關閉ODT。

因此，該系統可以在共享C/A總線上發送WRITE-1並將CS同時發送到多個列。接收WRITE-1命令與CS的器件可以激活或接合ODT。系統然後將CAS-2發送到選定或目標列。如果一個列在WRITE-1命令上接收CS(在WRITE-1的第一個周期上CS＝H)，但不接收CAS-2CS信號(在CAS-2的第一周期上CS＝L)，則存儲器器件使ODT被激活，但不執行命令或操作。在一個實施例中，僅被選擇使得在CAS-2命令的第二個周期上CS＝H的存儲器器件執行存儲器存取操作。因此，在一個實施例中，未被選擇用於ODT的列接收針對WRITE-1的CS L-L以及針對CAS-2的CS L-L。被選擇用於ODT但不是目標列的列接收針對WRITE-1的CS H-L，以及針對CAS-2的CS L-L。目標列接收針對WRITE-1的CS H-L，以及針對CAS-2的CS H-L。存儲器控制器可以選擇性地生成所有這些信號以選擇性地觸發所需的ODT。在一個實施例中，存儲器控制器針對每個封裝體中的至少一個列激活ODT。

應理解的是，該系統可以類似地選擇性地針對讀操作啟用ODT。例如，存儲器控制器可以針對READ-1和CAS-2命令選擇性地啟用CS信號來由某些列(例如，一個或多個非目標列)觸發ODT啟用，以及標識有待執行讀命令的目標列。在一個實施例中，存儲器器件最初不接合ODT。在一個實施例中，接收READ-1命令的存儲器器件將基於CAS-2命令判定是否接合ODT。例如，在一個實施例中，存儲器器件期望接收CAS-2命令以緊跟在READ-1命令後。因此，如果存儲器器件接收其選擇信號被設置為真的READ-1命令其次是其選擇信號被設置為假的CAS-2命令，則存儲器器件可以接合ODT。接收其選擇信號被設置為真的READ-1命令其次是其選擇信號被設置為假的CAS-2命令的存儲器器件解除ODT或者使ODT解除並執行命令。在一個實施例中，利用寫操作，接收其選擇信號被設置為真的WRITE-1命令其次是其選擇信號被設置為假的CAS-2命令的列將接合ODT並使之被接合而並不執行該命令。接收其選擇信號被設置為真的WRITE-1命令其次是其選擇信號被設置為假的CAS-2命令的列將接合ODT並執行該命令。因此，在一個實施例中，針對讀操作，CAS-2命令的缺乏可以觸發列接合ODT，而針對寫操作，接收WRITE-1命令可以觸發列接合ODT。存儲器器件的註冊(即，存儲器器件所屬的列接收在C/A總線發送的CS信號連同命令)或註冊缺乏可用於確定存儲器器件應該應用何種ODT狀態。

圖4B是用於針對存儲器存取控制管芯上終結的模式表的實施例表示。模式寄存器(MR)410表示存儲器器件本地的寄存器或存儲區域，其可以被用來對所需的ODT值進行編程以在給定的列上進行寫操作。在一個實施例中，模式寄存器可以指示用於針對每個器件的終結的電阻值。MR 410示出了基於OP[0:2]的設置的不同值。基於OP[2:0]的設置，ODT可以被禁用[000]、具有固有值[001]、或除以某倍數(針對[010]至[110]分別除以2、3、4、5、或6)。在一個實施例中，可以通過設置MR 410來選擇各種不同的終結電阻值。

在一個實施例中，Rtt_park值可以是在240歐姆的鄰域中，並且Rtt_標稱值可以是在40歐姆(其可根據RZQ的固有值對應於不同的MR 410值)的鄰域中。該Rtt_標稱可以基於預期阻抗匹配被設置成用於針對信號提供良好的終結。Rtt_park的值可以被設置得足夠低以抑制大部分噪聲(並因此不被認為是高阻抗狀態)，但將不會終結像Rtt_標稱值一樣。將Rtt_park設置得比Rtt_標稱更高的好處在於更高的值將汲取更小的電流。應理解的是，基於接收的命令或者命令是否被接收可以將不同的列設置為不同的電阻值。

圖5A是用於選擇性地針對寫操作應用管芯上終結的過程的實施例的流程圖。存儲器子系統可包括存儲數據的多個存儲器器件或DRAM，以及向存儲器器件提供存儲器存取命令的存儲器控制器。存儲器器件被組織為存儲器列，具有一起響應於存儲器存取命令的形成列的多個器件。在一個實施例中，這些列在多個不同的多器件封裝體中分離開。過程510的操作發生在存儲器子系統中。

在一個實施例中，存儲器控制器接收來自主機系統處理器的請求，其包括對存儲器進行寫操縱的需求，512。在一個實施例中，存儲器控制器將系統中的若干個存儲器列之一標識為寫命令的目標列，514。存儲器控制器將基於數據是如何映射到存儲器器件的存儲器陣中的而標識目標存儲器列。

在一個實施例中，存儲器控制器基於被標識為目標列的列確定什麼列應接合ODT，516。例如，存儲器控制器可以按照指南或規則，以確保每個存儲器器件封裝體的至少一個列針對寫操作接合ODT。在一個實施例中，存儲器控制器還確定ODT的什麼值應由每個列應用，518。在某些實現方式中，非目標存儲器器件可通過應用ODT的與由目標列應用的值不同的值提供足夠的終結。例如，在一個實施例中，作為目標列的一部分的存儲器器件可以驅動Rtt_wr，並且如果它不是目標列的一部分則可以驅動Rtt_標稱(電阻值的標稱值)。

存儲器控制器基於確定哪些列應接合ODT而觸發多個列接合ODT，520。如上所述，存儲器控制器可以通過使能信號或片選信號觸發存儲器器件接合ODT。在一個實施例中，存儲器控制器可以下發單獨的命令以使存儲器器件接合ODT。當被選擇用於接合ODT的所有列都有接合的ODT時，目標列將執行寫命令，522。

圖5B是用於選擇性地針對寫操作接合管芯上終結的過程的實施例的流程圖。存儲器子系統可包括存儲數據的多個存儲器器件或DRAM，以及向存儲器器件提供存儲器存取命令的存儲器控制器。存儲器器件被組織為存儲器列，具有一起響應於存儲器存取命令的形成列的多個器件。在一個實施例中，這些列在多個不同的多器件封裝體中分離開。過程530的操作發生在存儲器子系統中。

在一個實施例中，作為存儲器子系統中的多個列之一中的多個存儲器器件之一的存儲器器件從存儲器控制器接收寫命令，532。以上許多討論是指執行操作的「存儲器列」。這種表達將簡單地被理解為指以下事實：列內的每個存儲器器件執行操作以響應該命令。如上述討論的，在一個實施例中，當存儲器控制器選擇器件用於接收該命令時，存儲器器件接收存儲器存取命令。在一個實施例中，存儲器器件基於解碼什麼類型的命令被接收響應於接收命令而對ODT設置執行更改。

因此，存儲器器件對傳入的存儲器存取命令進行解碼並確定它是寫命令以及它被選擇用於接收命令。響應於該解碼，存儲器器件可以確定接合哪些ODT值，534。在一個實施例中，存儲器器件訪問針對存儲器器件的模式寄存器(MR)，以確定在MR設置中選擇哪些ODT值。在一個實施例中，根據所指示的ODT值，存儲器器件響應接收寫命令接合ODT，536。在一個實施例中，作為目標列的一部分的存儲器器件可以驅動Rtt_wr，並且如果它不是目標列的一部分則可以驅動Rtt_標稱。因此，並非應用ODT的所有列都將驅動相同量的電阻值。

在一個實施例中，存儲器器件確定它是否為針對寫命令的目標列的一部分，538。在一個實施例中，存儲器器件基於它是否在後續的存儲器存取命令中(例如，在上述的CAS-2命令中)被選擇而作出確定。在一個實施例中，存儲器器件可從指示目標列的存儲器控制器接收另一命令。如果存儲器器件是目標列的一部分(540的「是」分支)，則存儲器器件維持ODT被接合併執行該命令，542。如果存儲器器件不是目標列的一部分(540的「否」分支)，則存儲器器件維持ODT被接合，但不執行該命令。

圖5C是用於選擇性地針對讀操作應用管芯上終結的過程的實施例的流程圖。存儲器子系統可包括存儲數據的多個存儲器器件或DRAM，以及向存儲器器件提供存儲器存取命令的存儲器控制器。存儲器器件被組織為存儲器列，具有一起響應於存儲器存取命令的形成列的多個器件。在一個實施例中，這些列在多個不同的多器件封裝體中分離開。過程550的操作發生在存儲器子系統中。

在一個實施例中，存儲器控制器接收來自主機系統處理器的請求，其包括對存儲器進行讀操縱的需求，552。在一個實施例中，存儲器控制器將系統中的若干個存儲器列之一標識為讀命令的目標列，554。存儲器控制器將基於數據是如何映射到存儲器器件的存儲器陣中的而標識目標存儲器列。在一個實施例中，存儲器控制器基於被標識為目標列的列確定什麼列應接合ODT和/或更改ODT設置，556。在一個實施例中，存儲器控制器還確定將應用ODT的每個列應該應用ODT的什麼值。

在一個實施例中，基於所作出的確定，存儲器控制器觸發一個或多個非驅動或非目標列接合和/或更改ODT，558。因此，當目標列將數據發送到存儲器控制器時，存儲器控制器可以選擇一個或多個列用於接合終結以降低反射。如上所述，存儲器控制器可以通過使用使能信號或片選信號選擇性地觸發特定存儲器器件以接合ODT或更改ODT設置。在一個實施例中，存儲器控制器可以下發單獨的命令以使存儲器器件接合ODT。當被選擇用於接合ODT的任一列都有接合的ODT時，目標列將執行讀命令，560。

圖5D是用於選擇性地針對讀操作接合管芯上終結的過程的實施例的流程圖。存儲器子系統可包括存儲數據的多個存儲器器件或DRAM，以及向存儲器器件提供存儲器存取命令的存儲器控制器。存儲器器件被組織為存儲器列，具有一起響應於存儲器存取命令的形成列的多個器件。在一個實施例中，這些列在多個不同的多器件封裝體中分離開。過程570的操作發生在存儲器子系統中。

在一個實施例中，作為存儲器子系統中的多個列之一中的多個存儲器器件之一的存儲器器件從存儲器控制器接收讀命令，572。如上述討論的，在一個實施例中，當存儲器控制器選擇器件用於接收該命令時，存儲器器件接收存儲器存取命令。在一個實施例中，存儲器器件對傳入的存儲器存取命令進行解碼並確定它是讀命令以及它被選擇用於接收命令。響應於接收讀命令和解碼該命令，存儲器器件可以應用默認的ODT設置，574。在一個實施例中，默認設置用於針對讀事務禁用ODT。在一個實施例中，存儲器器件當接收讀命令時使ODT解除，並且如果它在讀命令隨後直接接收的CAS-2命令中未被註冊或選擇則接合ODT。

在一個實施例中，存儲器器件確定它是否為針對讀命令的目標列的一部分，576。在一個實施例中，存儲器器件基於它是否在後續的存儲器存取命令中(例如，在上述的CAS-2命令中)被選擇而作出確定。在一個實施例中，存儲器器件可從指示目標列的存儲器控制器接收另一命令。如果存儲器器件是目標列的一部分(578的「是」分支)，則存儲器器件禁用ODT(580)並維持ODT解除並執行該讀命令(582)。如果存儲器器件不是目標列的一部分(578的「否」分支)，則存儲器器件判定是否接合ODT或更改ODT設置，584。在一個實施例中，在存儲器子系統中的其它列將不被選擇，並因此不接收讀命令。這樣的列將維持默認的ODT設置，如禁用。在一個實施例中，被選擇用來接收讀命令但不是目標列的列將接合ODT或者如果默認值是某電阻值則增加ODT值，584。非目標列維持ODT針對讀事務而被接合但並不執行讀命令，586。

圖6是可以在其中實現管芯上終結控制的計算系統的實施例的框圖。系統600表示根據本文描述的任何實施例的計算設備，並且可以是膝上型計算機、臺式計算機、伺服器、遊戲或娛樂控制系統、掃描儀、複印機、印表機、路由或交換設備或其它電子設備。系統600包括處理器620，該處理器提供針對系統600的處理、操作管理以及指令執行。處理器620可包括任何類型的微處理器、中央處理單元(CPU)、處理核心或其它處理硬體來為系統600提供處理。處理器620控制系統600的總體操作，並且可以是或包括：一個或多個可編程通用或專用微處理器、數位訊號處理器(DSP)、可編程控制器、專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)等，或這些設備的組合。

存儲器子系統630表示系統600的主存儲器，並提供有待由處理器620執行的代碼或有待用於執行線程的數據值的臨時存儲。存儲器子系統630可包括一個或多個存儲器器件，如只讀存儲器(ROM)、快閃記憶體存儲器、隨機存取存儲器(RAM)的一個或多個變體、或其它存儲器器件、或這些器件的組合。除其他項外，存儲器子系統630存儲並主管作業系統(OS)636，以提供用於在系統600中執行指令的軟體平臺。此外，其他的指令638被存儲在存儲器子系統630中並從存儲器子系統中被執行以提供系統600的邏輯和處理。OS 636與指令638由處理器620執行。存儲器子系統630包括其中存儲有數據、指令、程序或其它項的存儲器器件632。在一個實施例中，存儲器子系統包括存儲器控制器634，它是用於生成命令並將其下發至存儲器器件632的存儲器控制器。應當理解，存儲器控制器634可以是處理器620的物理部分。

處理器620和存儲器子系統630耦合到總線/總線系統610。總線610是一個抽象概念，表示由適當的橋、適配器和/或控制器連接的任何一根或多根單獨的物理總線、通信線路/接口和/或點對點連接。因此，總線610可以包括，例如，一根或多根系統總線、外圍部件互連(PCI)總線、超傳輸或工業標準架構(ISA)總線、小型計算機系統接口(SCSI)總線、通用串行總線(USB)或電氣和電子工程師協會(IEEE)標準1394總線的研究所(通常被稱為「火線」)。總線610的總線還可以對應於網絡接口650中的接口。

系統600還包括一個或多個輸入/輸出(I/O)接口640、網絡接口650、一個或多個內部大容量存儲設備660以及耦合到總線610的外設接口670。I/O接口640可以包括通過其用戶與系統600(例如，視頻、音頻和/或字母數字接口)相互作用的一個或多個接口部件。網絡接口650為系統600提供用於在一個或多個網絡上與遠程設備(例如，伺服器、其它計算設備)進行通信的能力。網絡接口650可以包括乙太網適配器、無線互連部件、USB(通用串行總線)或其他基於有線或無線標準的或專有的接口。

存儲設備660可以是或者包括用於以非易失性方式存儲大量數據的任何常規介質，如一個或多個磁的、固態的或基於光學的盤，或組合。存儲設備660將代碼或指令和數據662保持在持久狀態中(即，儘管系統600斷電，值仍被保留)。存儲設備660通常可被認為是「存儲器」，儘管存儲器630正執行或操作存儲器為處理器620提供指令。雖然存儲設備660是非易失性的，但是存儲器630可以包括易失性存儲器(即，如果系統600斷電，則數據的值或狀態不確定)。

外圍接口670可以包括以上未具體提及的任何硬體接口。外圍設備通常指依賴性連接到系統600的設備。從屬連接是在其中系統600提供在其上執行操作的軟體和/或硬體平臺並且用戶與其進行交互的連接。

在一個實施例中，存儲器子系統630是多列存儲器。在一個實施例中，系統600包括ODT控制680，它使系統能夠在不同的列處選擇性地控制ODT激活。因此，該系統可以選擇性地使目標和非目標列更改ODT設置以進行存儲器存取操作。更確切地，在一個實施例中，存儲器控制器634可以選擇性地觸發存儲器器件來激活ODT以關於寫操作維持信號質量，即使在多個列在多個封裝體中分離的系統中。關於寫操作，系統可以使多個列接合ODT。在一個實施例中，關於讀操作，存儲器控制器634可以選擇性地觸發存儲器器件接合ODT。關於讀操作，系統可以選擇一個或多個非目標列應用ODT。在一個實施例中，ODT控制還可以選擇性地確定針對ODT應用電阻器的什麼值。

圖7是可以在其中實現管芯上終結控制的行動裝置的實施例的框圖。設備700代表移動計算設備，如計算平板機、行動電話或智慧型電話、支持無線的電子閱讀器、可穿戴計算設備或其他行動裝置。應理解的是，總體上示出了某些部件，在設備700中沒有示出這個設備的全部部件。

設備700包括處理器710，該處理器執行設備700的主處理操作。處理器710可以包括一或多個物理器件，如微處理器、應用處理器、微控制器、可編程邏輯器件、或其他處理裝置。由處理器710執行的處理操作包括於其上執行應用和/或器件功能的操作平臺或作業系統的執行。處理操作包括與人類用戶的或與其他設備的與I/O(輸入/輸出)有關的操作、與功率管理有關的操作、和/或與將設備700連接到另一個設備有關的操作。處理操作還可以包括與音頻I/O和/或顯示I/O有關的操作。

在一個實施例中，設備700包括音頻子系統720，其代表與向計算設備提供音頻功能相關聯的硬體(例如，音頻硬體和音頻電路)和軟體(例如，驅動器、編解碼器)部件。音頻功能可以包括揚聲器和/或耳機輸出以及麥克風輸入。用於這種功能的設備可以被集成到設備700中或連接到設備700。在一個實施例中，用戶通過提供由處理器710接收並處理的音頻命令來與設備700進行交互。

顯示子系統730代表為用戶提供視覺和/或觸感顯示以便與計算設備進行交互的硬體(例如，顯示設備)和軟體(例如，驅動器)部件。顯示子系統730包括顯示界面732，該顯示界面包括用於提供為用戶提供顯示的特定屏幕或硬體設備。在一個實施例中，顯示界面732包括與處理器710分離的邏輯，用於執行與顯示有關的至少一些處理。在一個實施例中，顯示子系統730包括向用戶提供輸出和輸入的觸控螢幕設備。在一個實施例中，顯示子系統730包括向用戶提供輸出的高清晰度(HD)顯示器。高清晰度可以指具有大約100PPI(每英寸像素)或更大的像素密度的顯示，並且可以包括如全HD(例如，1080p)、視網膜顯示、4K(超高清晰度或UHD)或其他的格式。

I/O控制器740表示與用戶的交互相關的硬體設備和軟體部件。I/O控制器740可以操作用於管理作為音頻子系統720和/或顯示子系統1030一部分的硬體。此外，I/O控制器740展示連接至設備700的附加設備的連接點，通過所述連接點用戶可以與該系統進行交互。例如，可以附接到設備700的設備可以包括麥克風設備、揚聲器或立體聲系統、視頻系統或其他顯示設備、鍵盤或鍵板設備、或者如讀卡器或其他設備的用於特定應用的其他I/O設備。

如上所述，I/O控制器740可以與音頻子系統720和/或顯示子系統730進行交互。例如，通過麥克風或其它音頻設備的輸入可為設備700的一個或多個應用或功能提供輸入或命令。此外，替代或除了顯示輸出之外，還可以提供音頻輸出。在另一個示例中，如果顯示子系統包括觸控螢幕，則該顯示裝置還充當輸入設備，其可以通過I/O控制器740至少部分地進行管理。在設備700上還可以有額外的按鈕或開關用於提供由I/O控制器740管理的I/O功能。

在一個實施例中，I/O控制器740管理設備，如加速度度計、照相機、光傳感器或其它環境傳感器、陀螺儀、全球定位系統(GPS)或可以被包括在設備700中的其它硬體。輸入可為直接用戶交互的一部分，以及向系統提供環境輸入以影響其操作(如，過濾噪聲、調整用於亮度檢測的顯示、將快閃記憶體應用於照相機或者其他特徵)。在一個實施例中，設備700包括電源管理750，該電源管理對電池電量使用、電池充電以及與節電操作有關的特徵進行管理。

存儲器子系統760包括用於將信息存儲在設備700中的(多個)存儲器器件762。存儲器子系統760可以包括非易失性(即使存儲器器件斷電也不改變狀態)和/或易失性(如果存儲器器件斷電則狀態不定)存儲器器件。存儲器760可以存儲應用數據、用戶數據、音樂、照片、文檔或其他數據，以及與系統700的應用和功能的執行有關的系統數據(長期的或者臨時的)。在一個實施例中，存儲器子系統760包括存儲器控制器764(其也可以被認為是系統700的控制的一部分，並有可能被認為是處理器710的一部分)。存儲器控制器764包括調度器，用於生成並下發命令至存儲器器件762。

連接性裝置770包括硬體設備(例如，無線和/或有線連接器以及通信硬體)和軟體部件(例如，驅動器、協議棧)，以使設備700與外部設備進行通信。外部設備可以是單獨的設備(如其他計算設備、無線接入點或基站)以及外圍設備(如耳機、印表機或其它設備)。

連接性裝置770可以包括多種不同類型的連接。出於概括，以蜂窩連接772和無線連接774展示了設備700。蜂窩連接772總體上指的是由無線載波提供的蜂窩網絡連接，如，經由GSM(全球移動通信系統)或其變體或衍生體、CDMA(碼分多址)或其變體或衍生體、TDM(時分復用)或其變體或衍生體、LTE(長期演進，也被稱為「4G」)或其變體或衍生體或者其他蜂窩服務標準提供的。無線連接774指非蜂窩的無線連接，並且可以包括個人區域網(如，藍牙)、區域網(例如，Wi-Fi)和/或廣域網(例如，WiMAX)，或者其他無線通信。無線通信是指通過非固態介質通過使用經調製的電磁輻射的數據傳送。有線通信是通過固態通信介質發生的。

外圍連接780包括用於進行外周連接的硬體接口和連接器，以及軟體部件(例如，驅動器、協議棧)。應理解的是，設備700可以是到其他計算設備的外圍設備(782的「到」)，也可以具有連接到其的外圍設備(784的「來自」)。設備700通常具有用於連接到其他計算設備的「對接」連接器，以用於如管理(例如，下載和/或上載、更改、同步)設備700上的內容。此外，對接連接器可以允許設備700連接到特定外圍設備，該特定外圍設備允許設備700控制例如到視聽或其他系統的內容輸出。

除了專用的對接連接器或其他專用連接硬體以外，設備700可以經由基於公共或標準的連接器進行外圍連接780。公共類型可以包括通用串行總線(USB)連接器(其可以包括任意數量的不同硬體接口)、包括小型顯示埠(MDP)的顯示埠、高清晰度多媒體接口(HDMI)、火線或其他類型。

在一個實施例中，存儲器子系統760是多列存儲器。在一個實施例中，系統700包括ODT控制766，它使系統能夠在不同的列處選擇性地控制ODT激活。因此，該系統可以選擇性地使目標和非目標列更改ODT設置以進行存儲器存取操作。更確切地，在一個實施例中，存儲器控制器764可以選擇性地觸發存儲器器件來激活ODT以關於寫操作維持信號質量，即使在多個列在多個封裝體中分離的系統中。關於寫操作，系統可以使多個列接合ODT。在一個實施例中，關於讀操作，存儲器控制器764可以選擇性地觸發存儲器器件接合ODT。關於讀操作，系統可以選擇一個或多個非目標列應用ODT。在一個實施例中，ODT控制還可以選擇性地確定針對ODT應用電阻器的什麼值。

一方面，一種用於選擇性地應用管芯上終結的方法，包括：同時將存儲器存取命令發送至對應於存儲器存取操作的存儲器器件的若干個列，所述存儲器存取命令指向用於執行所述命令的目標列；觸發所述若干個列中的一個或多個非目標列以針對所述存儲器存取操作的持續時間更改管芯上終結(ODT)設置；以及選擇所述目標列來執行所述存儲器存取操作。

在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括發送讀命令，並且其中，觸發所述一個或多個非目標列以更改所述ODT設置包括觸發所述非目標列以接合ODT。在一個實施例中，發送所述存儲器存取命令包括發送寫命令，並且其中，觸發所述一個或多個非目標列以更改所述ODT設置包括觸發所述目標列和至少一個非目標列以接合ODT。在一個實施例中，發送所述存儲器存取命令包括從存儲器控制器發送所述存儲器存取命令。在一個實施例中，發送所述存儲器存取命令包括發送用於生成所述存儲器存取操作的多個順序命令。在一個實施例中，所述觸發還包括發送指示所述存儲器存取操作的第一命令以及具有針對所述存儲器存取操作的縱列(column)地址選擇的第二命令，其中，所述第一和第二命令的序列指示對所述列的ODT設置。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括讀命令，並且進一步其中，在不選擇所述一個或多個非目標列的情況下發送所述第二命令觸發所述一個或多個非目標列以針對所述讀操作接合ODT。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括寫命令，並且進一步其中，發送所述第一命令觸發所述一個或多個非目標列以針對所述寫操作接合ODT。在一個實施例中，觸發所述多個列以更改所述ODT設置包括觸發所述一個或多個非目標列來將所述ODT設置更改為多個管芯上終結電阻值之一。在一個實施例中，選擇所述目標列包括利用使能信號來選擇所述目標列，並且不利用所述使能信號來選擇所述非目標列。在一個實施例中，利用所述使能信號來選擇所述目標列包括利用片選信號來選擇所述目標列。

一方面，一種用於選擇性地應用管芯上終結的存儲器控制器設備，所述存儲器控制器設備包括：硬體連接器，所述硬體連接器用於耦合至具有被組織成多個列的多個存儲器器件的多器件封裝體；以及邏輯，所述邏輯用於同時將存儲器存取命令發送至對應於存儲器存取操作的多個存儲器器件的多個列，所述存儲器存取命令指向用於執行所述命令的目標列；觸發一個或多個非目標列以針對所述存儲器存取操作的持續時間更改管芯上終結(ODT)設置；以及利用在所述更改的ODT設置上的ODT來選擇用於執行所述存儲器存取命令的所述目標列。

在一個實施例中，所述存儲器控制器設備是主處理器子系統的一部分。在一個實施例中，所述邏輯用於發送讀命令並觸發一個或多個非目標列接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於發送寫命令並觸發所述目標列和一個或多個非目標列接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於發送多個順序命令來生成所述存儲器存取操作。在一個實施例中，還包括：所述邏輯用於發送指示所述存儲器存取操作的第一命令以及直接在所述第一命令之後的具有針對所述存儲器存取命令的縱列地址選擇的第二命令，其中，所述第一和第二命令的序列用於觸發所述一個或多個非目標列接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於利用所述第二命令來選擇所述目標列，並且不利用所述第二命令來選擇所述一個或多個非目標列。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括讀命令，並且進一步其中，所述邏輯用於在不選擇所述一個或多個非目標列的情況下發送所述第二命令觸發所述一個或多個非目標列以針對所述讀操作接合ODT。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括寫命令，並且進一步其中，所述邏輯用於發送所述第一命令觸發所述一個或多個非目標列以針對所述寫操作接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於觸發所述一個或多個非目標列來將所述ODT設置更改為多個管芯上終結電阻值之一。在一個實施例中，所述邏輯用於利用使能信號來選擇所述目標列，並且不利用所述使能信號來選擇所述非目標列。在一個實施例中，所述邏輯用於利用片選信號來選擇所述目標列，並且不利用所述片選信號來選擇所述一個或多個非目標列。

一方面，一種具有存儲器控制器用於選擇性地應用管芯上終結的電子設備，所述電子設備包括：多器件封裝體，所述多器件封裝體具有被組織成多個列的多個存儲器器件；以及存儲器控制器，所述存儲器控制器包括硬體連接器和邏輯，所述硬體連接器耦合至所述多器件封裝體，並且所述邏輯用於：同時將存儲器存取命令發送至對應於存儲器存取操作的存儲器器件的多個列，所述存儲器存取命令指向用於執行所述命令的目標列；觸發一個或多個非目標列以針對所述存儲器存取操作的持續時間更改管芯上終結(ODT)設置；以及利用在所述更改的ODT設置上的ODT來選擇用於執行所述存儲器存取命令的所述目標列；以及觸控螢幕顯示器，所述觸控螢幕顯示器耦合以基於從所述存儲器器件訪問的數據生成顯示。

在一個實施例中，所述存儲器控制器設備是主處理器子系統的一部分。在一個實施例中，所述邏輯用於發送讀命令並觸發一個或多個非目標列接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於發送寫命令並觸發所述目標列和一個或多個非目標列接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於發送多個順序命令來生成所述存儲器存取操作。在一個實施例中，還包括：所述邏輯用於發送指示所述存儲器存取操作的第一命令以及直接在所述第一命令之後的具有針對所述存儲器存取命令的縱列地址選擇的第二命令，其中，所述第一和第二命令的序列用於觸發所述一個或多個非目標列接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於利用所述第二命令來選擇所述目標列，並且不利用所述第二命令來選擇所述一個或多個非目標列。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括讀命令，並且進一步其中，所述邏輯用於在不選擇所述一個或多個非目標列的情況下發送所述第二命令觸發所述一個或多個非目標列以針對所述讀操作接合ODT。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括寫命令，並且進一步其中，所述邏輯用於發送所述第一命令觸發所述一個或多個非目標列以針對所述寫操作接合ODT。在一個實施例中，所述邏輯用於觸發所述一個或多個非目標列來將所述ODT設置更改為多個管芯上終結電阻值之一。在一個實施例中，所述邏輯用於利用使能信號來選擇所述目標列，並且不利用所述使能信號來選擇所述非目標列。在一個實施例中，所述邏輯用於利用片選信號來選擇所述目標列，並且不利用所述片選信號來選擇所述一個或多個非目標列。

一方面，一種包括計算機可讀存儲介質的製品，所述計算機可讀存儲介質具有存儲於其上的內容，所述內容當被執行時進行用於選擇性地應用管芯上終結的操作，包括：同時將存儲器存取命令發送至對應於存儲器存取操作的存儲器器件的若干個列，所述存儲器存取命令指向用於執行所述命令的目標列；觸發所述若干個列中的一個或多個非目標列以針對所述存儲器存取操作的持續時間更改管芯上終結(ODT)設置；以及選擇所述目標列來執行所述存儲器存取操作。

在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的內容包括用於發送讀命令的內容，並且其中，用於觸發所述一個或多個非目標列以更改所述ODT設置的內容包括用於觸發所述非目標列以接合ODT的內容。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的內容包括用於發送寫命令的內容，並且其中，用於觸發所述一個或多個非目標列以更改所述ODT設置的內容包括用於觸發所述目標列和至少一個非目標列以接合ODT的內容。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的內容包括用於從存儲器控制器發送所述存儲器存取命令的內容。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的內容包括用於發送用於生成所述存儲器存取操作的多個順序命令的內容。在一個實施例中，用於觸發的內容還包括用於發送指示所述存儲器存取操作的第一命令以及具有針對所述存儲器存取操作的縱列地址選擇的第二命令的內容，其中，所述第一和第二命令的序列指示對所述列的ODT設置。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括讀命令，並且進一步其中，用於在不選擇所述一個或多個非目標列的情況下發送所述第二命令的內容觸發所述一個或多個非目標列以針對所述讀操作接合ODT。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括寫命令，並且進一步其中，用於發送所述第一命令的內容觸發所述一個或多個非目標列以針對所述寫操作接合ODT。在一個實施例中，用於觸發所述多個列以更改所述ODT設置的內容包括用於觸發所述一個或多個非目標列來將所述ODT設置更改為多個管芯上終結電阻值之一的內容。在一個實施例中，用於選擇所述目標列的內容包括用於利用使能信號來選擇所述目標列，並且不利用所述使能信號來選擇所述非目標列的內容。在一個實施例中，用於利用所述使能信號來選擇所述目標列的內容包括用於利用片選信號來選擇所述目標列的內容。

一方面，一種用於選擇性地應用管芯上終結的設備，所述設備包括：用於同時將存儲器存取命令發送至對應於存儲器存取操作的存儲器器件的若干個列的裝置，所述存儲器存取命令指向用於執行所述命令的目標列；用於觸發所述若干個列中的一個或多個非目標列以針對所述存儲器存取操作的持續時間更改管芯上終結(ODT)設置的裝置；以及用於選擇所述目標列來執行所述存儲器存取操作的裝置。

在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的裝置包括用於發送讀命令的裝置，並且其中，用於觸發所述一個或多個非目標列以更改所述ODT設置的裝置包括用於觸發所述非目標列以接合ODT的裝置。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的裝置包括用於發送寫命令的裝置，並且其中，用於觸發所述一個或多個非目標列以更改所述ODT設置的裝置包括用於觸發所述目標列和至少一個非目標列以接合ODT的裝置。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的裝置包括用於從存儲器控制器發送所述存儲器存取命令的裝置。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的裝置包括用於發送用於生成所述存儲器存取操作的多個順序命令的裝置。在一個實施例中，用於觸發的裝置還包括用於發送指示所述存儲器存取操作的第一命令以及具有針對所述存儲器存取操作的縱列地址選擇的第二命令的裝置，其中，所述第一和第二命令的序列指示對所述列的ODT設置。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括讀命令，並且進一步其中，用於在不選擇所述一個或多個非目標列的情況下發送所述第二命令的裝置觸發所述一個或多個非目標列以針對所述讀操作接合ODT。在一個實施例中，所述存儲器存取命令包括寫命令，並且進一步其中，用於發送所述第一命令的裝置觸發所述一個或多個非目標列以針對所述寫操作接合ODT。在一個實施例中，用於觸發所述多個列以更改所述ODT設置的裝置包括用於觸發所述一個或多個非目標列來將所述ODT設置更改為多個管芯上終結電阻值之一的裝置。在一個實施例中，用於選擇所述目標列的裝置包括用於利用使能信號來選擇所述目標列，並且不利用所述使能信號來選擇所述非目標列的裝置。在一個實施例中，用於利用所述使能信號來選擇所述目標列的裝置包括用於利用片選信號來選擇所述目標列的裝置。

一方面，一種用於選擇性地應用管芯上終結的方法，包括：在存儲器列處接收存儲器存取命令，其中，所述存儲器列是存儲器子系統中的若干個列之一；響應於接收到所述存儲器存取命令，針對所述存儲器列接合管芯上終結(ODT)；以及判定所述存儲器列是否是針對所述存儲器存取命令的目標列，以及如果所述存儲器列是所述目標列，則執行所述存儲器存取命令；否則，保持ODT接合而不執行所述存儲器存取命令。

在一個實施例中，發送所述存儲器存取命令包括發送讀命令。在一個實施例中，發送所述存儲器存取命令包括發送寫命令。在一個實施例中，接收所述存儲器存取命令包括從包括主處理器的片上系統接收所述存儲器存取命令。在一個實施例中，接收所述存儲器存取命令包括接收指示存儲器存取操作的多個順序命令。在一個實施例中，還包括接收指示所述存儲器存取操作的第一命令。在一個實施例中，還包括接收指示針對所述存儲器存取操作的縱列地址選擇的第二命令，其中，判定所述存儲器列是否為所述目標列包括：判定所述存儲器列是否在所述第二命令中被選擇。在一個實施例中，接合ODT包括：接合多個管芯上終結電阻值之一。在一個實施例中，接合ODT包括：如果所述存儲器列是所述目標列，則接合管芯上終結電阻的較低值，並且如果所述存儲器列不是所述目標列，則接合管芯上終結電阻的較高值。在一個實施例中，判定所述存儲器列是否是所述目標列包括：讀取所述存儲器存取命令的使能信號。在一個實施例中，讀取所述使能信號包括：讀取片選信號。

一方面，一種用於選擇性地應用管芯上終結的存儲器器件，所述存儲器器件包括：硬體連接器，所述硬體連接器用於耦合至具有被組織成多個列的多個存儲器器件的多器件封裝體中的其他存儲器器件；以及邏輯，所述邏輯用於：接收存儲器存取命令；響應於接收到所述存儲器存取命令，針對所述存儲器列接合管芯上終結(ODT)；以及判定所述存儲器列是否是針對所述存儲器存取命令的目標列，並且如果所述存儲器列是所述目標列，則所述邏輯用於執行所述存儲器存取命令；否則，用於保持ODT接合而不執行所述存儲器存取命令。

在一個實施例中，所述邏輯用於發送讀存儲器存取命令。在一個實施例中，所述邏輯用於發送寫存儲器存取命令。在一個實施例中，所述邏輯用於從包括主處理器的片上系統接收所述存儲器存取命令。在一個實施例中，所述邏輯用於接收指示存儲器存取操作的多個順序命令。在一個實施例中，還包括：所述邏輯用於接收指示所述存儲器存取操作的第一命令。在一個實施例中，還包括：所述邏輯用於接收指示針對所述存儲器存取操作的縱列地址選擇的第二命令，其中，所述邏輯用於判定所述存儲器列是否在所述第二命令中被選擇。在一個實施例中，所述邏輯用於接合多個管芯上終結電阻值之一。在一個實施例中，所述邏輯用於：如果所述存儲器列是所述目標列，則接合管芯上終結電阻的較低值，並且如果所述存儲器列不是所述目標列，則接合管芯上終結電阻的較高值。在一個實施例中，所述邏輯用於讀取所述存儲器存取命令的使能信號。在一個實施例中，所述邏輯用於讀取片選信號。

一方面，一種具有存儲器器件用於選擇性地應用管芯上終結的電子設備，所述電子設備包括：用於存儲數據的存儲器子系統，所述存儲器子系統包括存儲器控制器；以及多器件封裝體，所述多器件封裝體具有被組織成多個列的多個存儲器器件，包括存儲器器件，所述存儲器器件包括：硬體連接器，所述硬體連接器用於耦合至具有被組織成多個列的多個存儲器器件的多器件封裝體中的其他存儲器器件；以及邏輯，所述邏輯用於：接收存儲器存取命令；響應於接收到所述存儲器存取命令，針對所述存儲器列接合管芯上終結(ODT)；以及判定所述存儲器列是否是針對所述存儲器存取命令的目標列，並且如果所述存儲器列是所述目標列，則所述邏輯用於執行所述存儲器存取命令；否則，用於保持ODT接合而不執行所述存儲器存取命令；以及觸控螢幕顯示器，所述觸控螢幕顯示器耦合以基於從所述存儲器器件訪問的數據來生成顯示。

在一個實施例中，所述邏輯用於發送讀存儲器存取命令。在一個實施例中，所述邏輯用於發送寫存儲器存取命令。在一個實施例中，所述邏輯用於從包括主處理器的片上系統接收所述存儲器存取命令。在一個實施例中，所述邏輯用於接收指示存儲器存取操作的多個順序命令。在一個實施例中，還包括：所述邏輯用於接收指示所述存儲器存取操作的第一命令。在一個實施例中，還包括：所述邏輯用於接收指示針對所述存儲器存取操作的縱列地址選擇的第二命令，其中，所述邏輯用於判定所述存儲器列是否在所述第二命令中被選擇。在一個實施例中，所述邏輯用於接合多個管芯上終結電阻值之一。在一個實施例中，所述邏輯用於：如果所述存儲器列是所述目標列，則接合管芯上終結電阻的較低值，並且如果所述存儲器列不是所述目標列，則接合管芯上終結電阻的較高值。在一個實施例中，所述邏輯用於讀取所述存儲器存取命令的使能信號。在一個實施例中，所述邏輯用於讀取片選信號。

一方面，一種包括計算機可讀存儲介質的製品，所述計算機可讀存儲介質具有存儲於其上的內容，所述內容當被執行時進行用於選擇性地應用管芯上終結的操作，包括：在存儲器列處接收存儲器存取命令，其中，所述存儲器列是存儲器子系統中的若干個列之一；響應於接收到所述存儲器存取命令，針對所述存儲器列接合管芯上終結(ODT)；以及判定所述存儲器列是否是針對所述存儲器存取命令的目標列，並且如果所述存儲器列是所述目標列，則執行所述存儲器存取命令；否則，保持ODT接合而不執行所述存儲器存取命令。

在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的內容包括用於發送讀命令的內容。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的內容包括用於發送寫命令的內容。在一個實施例中，用於接收所述存儲器存取命令的內容包括用於從包括主處理器的片上系統接收所述存儲器存取命令的內容。在一個實施例中，用於接收所述存儲器存取命令的內容包括用於接收指示存儲器存取操作的多個順序命令的內容。在一個實施例中，還包括用於接收指示所述存儲器存取操作的第一命令的內容。在一個實施例中，還包括用於接收指示針對所述存儲器存取操作的縱列地址選擇的第二命令的內容，其中，用於判定所述存儲器列是否為所述目標列的內容包括用於判定所述存儲器列是否在所述第二命令中被選擇的內容。在一個實施例中，其中，用於接合ODT的內容包括用於接合多個管芯上終結電阻值之一的內容。在一個實施例中，其中，用於接合ODT的內容包括：用於如果所述存儲器列是所述目標列則接合管芯上終結電阻的較低值的內容，以及用於如果所述存儲器列不是所述目標列則接合管芯上終結電阻的較高值的內容。在一個實施例中，用於判定所述存儲器列是否是所述目標列的內容包括用於讀取所述存儲器存取命令的使能信號的內容。在一個實施例中，用於讀取所述使能信號的內容包括用於讀取片選信號的內容。

一方面，一種用於選擇性地應用管芯上終結的設備，所述設備包括：用於在存儲器列處接收存儲器存取命令的裝置，其中，所述存儲器列是存儲器子系統中的若干個列之一；用於響應於接收到所述存儲器存取命令而針對所述存儲器列接合管芯上終結(ODT)的裝置；以及用於判定所述存儲器列是否是針對所述存儲器存取命令的目標列的裝置，以及如果所述存儲器列是所述目標列則用於執行所述存儲器存取命令的裝置；否則，用於保持ODT接合而不執行所述存儲器存取命令的裝置。

在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的裝置包括用於發送讀命令的裝置。在一個實施例中，用於發送所述存儲器存取命令的裝置包括用於發送寫命令的裝置。在一個實施例中，用於接收所述存儲器存取命令的裝置包括用於從包括主處理器的片上系統接收所述存儲器存取命令的裝置。在一個實施例中，用於接收所述存儲器存取命令的裝置包括用於接收指示存儲器存取操作的多個順序命令的裝置。在一個實施例中，還包括用於接收指示所述存儲器存取操作的第一命令的裝置。在一個實施例中，還包括用於接收指示針對所述存儲器存取操作的縱列地址選擇的第二命令的裝置，其中，用於判定所述存儲器列是否為所述目標列的裝置包括用於判定所述存儲器列是否在所述第二命令中被選擇的裝置。在一個實施例中，用於接合ODT的裝置包括用於接合多個管芯上終結電阻值之一的裝置。在一個實施例中，用於接合ODT的裝置包括：用於如果所述存儲器列是所述目標列則接合管芯上終結電阻的較低值的裝置，以及用於如果所述存儲器列不是所述目標列則接合管芯上終結電阻的較高值的裝置。在一個實施例中，用於判定所述存儲器列是否是所述目標列的裝置包括用於讀取所述存儲器存取命令的使能信號的裝置。在一個實施例中，用於讀取所述使能信號的裝置包括用於讀取片選信號的裝置。

如本文所示的流程圖提供了各種處理動作的序列的示例。流程圖可以指示有待由軟體或固件線程執行的操作，以及物理操作。在一個實施例中，流程圖可以展示有限狀態機(FSM)的狀態，其可以在硬體和/或軟體中被實現。儘管是以特定序列或順序示出的，但除非另外地指定，否則動作的順序是可以修改的。因此，所展示的實施例應被理解為只是示例，並且該過程可以用不同的順序執行，並且一些動作可以並行地執行。另外，在各實施例中可以省略一個或多個動作；因此，並非在每個實施例中都需要所有動作。其它過程流也是可能的。

在本文所描述的各操作或功能程度上，它們可以被描述或定義為軟體代碼、指令、配置和/或數據。內容可以是直接可執行的(「對象」或「可執行文件」形式)、原始碼或差編碼(「三角形」或「補丁」代碼)。本文中所描述的實施例的軟體內容可以經由一種其上存儲有內容的製品或經由一種操作通信接口經由通信接口發送數據的方法被提供。一種機器可讀存儲介質可以使機器執行所描述的功能或操作，並且包括存儲具有機器(例如，計算設備、電子系統等)可存取形式的信息的任何機制，如可記錄/不可記錄介質(例如，只讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)、磁碟存儲介質、光存儲介質、快閃記憶體設備等)。一種通信接口包括與硬連線、無線、光等介質中的任一者接口連接以彼此通信的任何機制，如，存儲器總線接口、處理器總線接口、網際網路連接、磁碟控制器等。可以通過提供配置參數和/或發送信號來對通信接口進行配置以使通信接口準備用於提供描述軟體內容的數據信號。可以經由發送到通信接口的一個或多個命令或信號來訪問通信接口。

本文所描述的各部件可以是用於執行所描述的操作或功能的裝置。本文所描述的每個部件包括軟體、硬體或它們的組合。部件可以被實現為軟體模塊、硬體模塊、專用硬體(例如，專用硬體、專用集成電路(ASIC)、數位訊號處理器(DSP)等)、嵌入式控制器、硬連線電路等。

除了本文所描述的內容之外，在不脫離其範圍的情況下，可以對公開的實施例和本發明的實現方式進行各種修改。因此，本文的說明和示例應在說明性的而非限制性意義上被解釋。本發明的範圍應當僅參照以下權利要求書來衡量。