一種過欠壓保護電路的製作方法
2023-08-03 06:23:01
專利名稱：一種過欠壓保護電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種電子電路，特別是指對電壓檢測，對過電壓和欠電壓進行保護的電路。
背景技術：
目前，電壓常常會存在因接線失誤將380V電壓施加在220V電路上或電網不穩定造成的電源過電壓或欠電壓，燒毀斷路器下端負荷設備的情況，為解決因電源過壓或欠壓造成的問題，採用電子檢測電路檢測到電壓或欠壓後驅動斷路器進行分斷，目的是保護斷路器下方負荷設備；現有的過欠壓保護電路與本發明的完全不同，其存在電快速瞬變脈衝群性能均不高於2kV，浪湧性能不高於4kV的缺陷
發明內容
本發明的目的在於克服現有技術存在的不足，提供ー種可以將電快速瞬變脈衝群試驗提高到4kV以上，浪湧試驗提高到差模4kV，共模5KV以上的新型的過欠壓保護電路。為了實現以上目的，本發明採用以下技術方案一種過欠壓保護電路，其特徵在於包括有全波整流電路單元、脫扣電路単元和驅動電路單元，脫扣電路単元由脫扣線圈LI、可控矽Ql和ニ極管D2串聯構成，驅動電路單元包括有電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、穩壓管ZD1、三極體Q2和ニ極管D7，其中電阻Rl —端接全波整流電路單元的陰極，電阻Rl另一端與電阻R3連接，電阻R3另一端接GND，穩壓管ZDl陰極接於電阻Rl和電阻R3的結點，陽極接於可控矽Ql門極，電阻R2 —端接於全波整流電路單元的陰極，另一端接於三極體Q2發射極，三極體Q2基極經電阻R4接於電阻器Rl和電阻器R3的結點，集電極經電阻R5接於GND，ニ極管D7陽極接於電晶體Q2集電極，陰極接於可控矽Ql門極。採用上述方案，脫扣線圈LI和可控矽Ql串聯之後，與ニ極管D2串聯構成脫扣電路。ニ極管D2提高了可控矽Ql的觸發電壓，同時ニ極管D2的PN結結構提高了觸發脫扣電路所需的能量，這樣就提高了電磁抗擾度性能。本電路通過合理設計及適當的元器件參數選擇，可以將電快速瞬變脈衝群性能提高到4kV以上，浪湧性能也提高到4kV以上。本發明的進ー步設置是所述電阻Rl和電阻R3的結點上連接有極性電容器Cl，該極性電容器Cl陽極接於電阻器Rl和電阻器R3的結點，陰極接於GND，所述三極體Q2的發射極上連接有穩壓管ZD2和電容C3，穩壓管ZD2的陽極和電容C3的另一端接於GND，所述可控矽Ql的門極上連接有電容C2，電容C2的另一端連接於GND ;所述全波整流電路單元包括有壓敏電阻RV1、ニ極管D3、ニ極管D4、ニ極管D5和ニ極管D6，L相和N相分別連接於壓敏電阻RVl兩端後，接於ニ極管D3、ニ極管D4、ニ極管D5和ニ極管D6構成整流電路整流。通過上述進ー步的方案，使該電路功能更加合理，其中穩壓管DZ2提供欠壓保護的基準電壓，同時保護三極體Q2，防止三極體Q2過電壓擊穿，電容Cl和電容C3對電壓進行平滑作用，同時通過不同參數的選擇，實現對上電時序的控制，電容C2濾除小信號噪聲對可控矽Ql造成的誤觸發，同時提高可控矽Ql陽極和陰極的dV/dt，降低被誤觸發的可能。
下面結合附圖對本發明作進ー步詳細說明。
圖I是本發明實施例電路結構圖。
具體實施例方式如圖I所示，L相和N相分別連接於壓敏電阻RVl兩端後，接於ニ極管D3、ニ極管D4、ニ極管D5和ニ極管D6構成的整流電路整流。脫扣線圈LI和ニ極管Dl並聯後，一端連於ニ極管D4，另一端連於可控矽Ql陽極，ニ極管D2陽極接於可控矽Ql陰極，陰極接於GND，電容C2 —端接於可控娃Ql門極，另一端接於GND,電阻Rl —端接於ニ極管D4陰極,另一端接於電阻R3 —端，而電阻R3另一端接於GND，極性電容器Cl陽極接於電阻Rl和電阻R3的結點，陰極接於GND，電阻R2 —端接於ニ極管D4陰極，另一端接於三極體Q2發射扱。三極體Q2基極經電阻R4接於電阻Rl和電阻R3的結點，集電極經電阻R5接於GND，ニ極管D7 陽極接於三極體Q2集電極，陰極接於可控矽Ql門極。穩壓管ZD2陰極接於三極體Q2發射扱，陽極接於GND，穩壓管ZDl陰極接於電阻器Rl和電阻器R3的結點，陽極接於可控矽Ql門極，電容C3 —端接於穩壓管ZD2陰極，另一端接於GND。具體工作原理電阻Rl和電阻R3通過對整流後電壓分壓，當電壓過高時，通過ZDl穩壓管驅動可控矽Ql實現脫扣保護；電阻Rl和電阻R3通過對整流後電壓分壓，當電壓過低時，三極體Q2導通，通過D7驅動Ql實現脫扣保護。
權利要求
1.ー種過欠壓保護電路，其特徵在於包括有全波整流電路單元、脫扣電路単元和驅動電路単元，脫扣電路単元由脫扣線圈LI、可控矽Ql和ニ極管D2串聯構成，驅動電路單元包括有電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、穩壓管ZDl、三極體Q2和ニ極管D7，其中電阻Rl —端接全波整流電路單元的陰極，電阻Rl另一端與電阻R3連接，電阻R3另一端接GND,穩壓管ZDl陰極接於電阻Rl和電阻R3的結點，陽極接於可控矽Ql門極，電阻R2 —端接於全波整流電路單元的陰極，另一端接於三極體Q2發射極，三極體Q2基極經電阻R4接於電阻器Rl和電阻器R3的結點，集電極經電阻R5接於GND，ニ極管D7陽極接於電晶體Q2集電極，陰極接於可控矽Ql門極。
2.根據權利要求I所述的過欠壓保護電路，其特徵在於所述電阻Rl和電阻R3的結點上連接有極性電容器Cl，該極性電容器Cl陽極接於電阻器Rl和電阻器R3的結點，陰極接於GND，所述三極體Q2的發射極上連接有穩壓管ZD2和電容C3，穩壓管ZD2的陽極和電容C3的另一端接於GND，所述可控矽Ql的門極上連接有電容C2，電容C2的另一端連接於GND。
3.根據權利要求I或2所述的過欠壓保護電路，其特徵在於所述全波整流電路單元包括有壓敏電阻RV1、ニ極管D3、ニ極管D4、ニ極管D5和ニ極管D6，L相和N相分別連接於壓敏電阻RVl兩端後，接於ニ極管D3、ニ極管D4、ニ極管D5和ニ極管D6構成整流電路整流。
全文摘要
本發明涉及一種電子電路，特別是指對電壓檢測，對過電壓和欠電壓進行保護的電路。本發明採用以下技術方案一種過欠壓保護電路，其特徵在於包括有全波整流電路單元、脫扣電路單元和驅動電路單元，脫扣電路單元由脫扣線圈L1、可控矽Q1和二極體D2串聯構成，驅動電路單元包括有電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、穩壓管ZD1、三極體Q2和二極體D7。通過採用上述方案，本發明的目的在於克服現有技術存在的不足，提供一種可以將電快速瞬變脈衝群試驗提高到4kV以上，浪湧試驗提高到差模4kV，共模5KV以上的新型的過欠壓保護電路。
文檔編號H02H3/24GK102780203SQ201210270329
公開日2012年11月14日 申請日期2012年7月31日 優先權日2012年7月31日
發明者白建社, 馬超, 魏佔勇 申請人:德力西電氣有限公司