納米光學的折射光學器件的製作方法

2023-07-05 07:58:06

專利名稱：納米光學的折射光學器件的製作方法
技術領域：
本發明一般針對光學器件，並更具體地涉及納米結構的光學器件及製造器件的方法。
背景技術：
兩個不同介質的界面上光的折射，在成像和光束整形光學器件中形成必要的基礎。當通常看作發生在塊狀(bulk)介質界面上的宏觀現象時，在微觀水平上，所述現象涉及通過原子或分子水平的散射體(再輻射體)的光衍射透射，和在產生的小波(wavelet)之間的後續幹涉。折射和光柵衍射之間的內在聯繫是顯然的，因為兩種現象涉及衍射透射和幹涉。然而，它們的不同在於涉及截然不同長度的尺度。就是說，由於散射體的原子/分子水平的間距發生折射，且由于波長尺度的孔徑間距而發生光柵衍射。在具有折射率為負的人工介質界面上的情形中，光可彎向從表面法線起始的負角。然而，負折射率超材料(metamaterial)通常涉及在子波長尺度設計的共振結構，並內在地關聯損耗和操作的有限光譜寬度。此外，在傳統的光柵中透射功率大多數由0階衍射(即直接透射)承載，且其它高階(higher-order)衍射通常是次要強度。例如，如圖1a示出的傳統水平偶極子陣列10的輻射圖案12支持，0階(直接透射)作為主要光束。

發明內容
本發明的目的是提供這樣的結構，該結構不支持使用負折射率超材料使入射輻射彎向任意選擇的希望的方向，即負或正折射方向。替代地，本發明提供格柵結構，所述格柵結構通過穿過傾斜取向納米孔徑/孔(aperture)的高階衍射透射和幹涉，重定向入射福射。為實現上述目標，本發明設想了形成在例如金屬薄膜上的納米孔徑陣列。每個納米孔徑可從膜表面上傾斜取向以便輻射圖案指向特定的取向，所述特定的取向隨著減小的角擴散從襯底的法線處離開。作為陣列，孔徑輻射使相長幹涉進入特定的方向，該特定方向設計成匹配單個孔徑的輻射圖案。因此，本發明提供了新類型的薄膜光柵結構，用於在塊狀介質中衍射光。根據入射光束方向，該光柵結構使光束能夠負或正折射到遠場(far field)而沒有傳輸損耗。對於負折射，光柵結構設計成主要支持-1階衍射，而對於入射角的廣泛範圍，O階和其它高階光束被抑制。對於正折射來說，當光柵結構抑制其它衍射分量時，其優先利用+1階衍射光束。具有階選擇能力的該光柵衍射通過製作納米孔徑的福射圖案(radiation pattern)獲得，以便它們可以僅在所選衍射階的方向上相長幹涉。根據本發明的一方面，提供的垂直偶極子陣列結構包括(A)支持(B)膜的襯底，該膜包括多個傾斜取向的部分，其中(i )膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個傾斜取向的部分由孔徑隔開，(iii)傾斜取向的部分被配置成使得入射輻射重定向在負折射方向上，以及(iv)膜不是由負折射率超材料組成。根據本發明的另一個實施例，本發明提供了製作垂直偶極子陣列結構的方法。該發明的方法包括(A)提供襯底並(B)在其表面上形成膜，其中膜包括孔徑和傾斜取向部分的陣列，但其不是由負折射率超材料組成。根據本發明的另一個實施例，提供的光伏器件包括電極，該電極包括形成在膜上的垂直納米孔徑陣列。電極被配置成使得入射福射彎向掠射角(glancing angle)方向而沒有通過膜的直接透射。根據本發明的另一方面，提供的垂直偶極子陣列結構包括(A)支持(B)膜的襯底，所述膜包括多個偏移部分。在這方面，(i )膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個偏移部分由孔徑隔開，(iii)偏移部分被配置成使得入射輻射重定向在負折射方向上，以及(iv)膜不是由負折射率超材料組成。在優選實施例中，支持膜的襯底的表面包括例如如圖10中所示的臺面(mesa)圖案。在本發明的另一方面，提供的垂直偶極子陣列結構包括(A)支持(B)膜的襯底，所述膜包括多個傾斜取向的部分，其中(i )所述膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個所述傾斜取向的部分由孔徑隔開，(iii)所述傾斜取向的部分被配置成使得入射輻射重定向在正或負折射方向上，以及(iv)所述膜不是由負折射率超材料組成。在本發明的另外方面，提供的光伏器件包括(A)鏡膜(miiTor film), (B)形成在鏡膜上的膜，和(C)包括形成在膜上的垂直納米孔徑陣列的電極。在這方面，電極、膜和鏡膜被配置為Fabry-Perot (法布裡-拍羅)腔結構。


圖1a示出在水平偶極子孔徑的傳統光柵中，通過金屬納米孔徑陣列的光的衍射透射。圖1b示出在實施例的垂直偶極子納米孔徑陣列中，通過金屬納米孔徑陣列的光的衍射透射。圖1c是實施例的垂直偶極子納米孔徑陣列的截面視圖，其疊加圖示通過其中金屬納米孔徑產生光衍射透射。圖ld-f是如圖1c中所示的垂直納米孔徑陣列結構的變體的截面視圖。圖2a是在Ag層上垂直取向形成的單個垂直納米狹縫的一個實施例。偶極子孔徑垂直取向於襯底。圖2b_c是圖2a的單個垂直納米狹縫輻射圖案的時域有限差分(FDTD)模擬。圖2b是幅度圖/幅值圖，且圖2c是幅度/幅值的角分布。
圖2d是通過圖2a單個垂直納米狹縫的光學透射的實驗性測量的光束分布。圖2e是形成在Ag層上的單個垂直納米狹縫的另一個實施例。偶極子孔徑垂直取向於襯底。圖2f_g是圖2e的單個垂直納米狹縫輻射圖案的FDTD模擬。圖2f是幅度圖，圖2g是幅度的角分布。圖2h是形成在Ag層上的相對/對比的單個納米狹縫的截面視圖。偶極子孔徑水平取向於襯底。圖2i_j是圖2h的單個垂直納米狹縫輻射圖案的FDTD模擬。圖2i是幅度圖，圖2j是幅度的角分布。圖2k示出作為光束入射角函數計算的垂直納米狹縫的透射通量(throughput)(強度)。在考慮或不考慮表面等離子體功率的情況下，透射的整體功率在r=l微米處計算。在垂直入射(normal incidence)處計算的透射強度轉化為80%的透射效率。圖3a示出具有垂直偶極子孔徑的實施例的納米狹縫陣列的測量光束分布。圖3b是具有面內水平偶極子孔徑的傳統納米狹縫陣列的測量光束分布。圖3c示出作為入射角函數測量的負折射角。實線對應於基於布拉格衍射定律的計算。圖3d示出垂直納米狹縫陣列的特徵，例如在圖1b中的特徵用於描述或計算按照衍射光柵的布拉格定律的光束特性。圖4a示出在具有局部變化、不一致光柵周期的垂直偶極子納米孔徑處的負折射。圖4b示出負折射垂直偶極子納米孔徑陣列結構的側鏡功能。圖4c示出傳統的鏡面成像。圖5a示出一個實施例的截面視圖，例如基於垂直納米孔徑陣列結構(垂直納米狹縫陣列透鏡)的光束聚焦透鏡。每個納米孔徑輻射圖案設計成取向於共同的焦點。每個孔徑透射到焦點的相位延遲/相位差與相鄰孔徑相位延遲相差2 弧度，以便它們可以相長幹涉。圖5b示出垂直納米狹縫陣列透鏡的測量光束分布。圖5c示出垂直納米狹縫陣列透鏡的測量光束分布:在焦點處獲得210nm (FffHM)的束斑大小，用於633nm波長的光。圖6a示出當納米狹縫陣列在薄膜光伏器件中用於吸收增強時的截面視圖。圖6b示出橫向疊放的太陽能面板。太陽能輻射傾斜入射在納米孔徑電極上並在掠射角方向上傳輸通過膜。垂直納米孔徑陣列示出用於掠射角入射的光的超常透射。圖7a是垂直納米孔徑陣列(比例尺，400nm)的透視圖的SEM圖像。圖7b是水平納米孔徑陣列(比例尺，4um)頂視圖的SEM圖像。圖7c是圖7b (比例尺，500nm)的水平納米孔徑陣列的截面視圖的SEM圖像。圖8示出在傳統水平偶極子孔徑光柵中通過金屬納米孔徑陣列的光的衍射透射。圖9a示出用於偏振無關的2D光束整形功能的十字形2D納米孔徑。圖9b_c是用於光束聚焦功能的垂直納米孔徑的2D陣列的視圖:圖9b是頂視圖，而圖9c是側視圖。圖10a-d示出全息光刻和角度沉積(angle deposition)過程,用於在大區域的襯底構造垂直納米孔徑陣列。所選的臺面高度和金屬厚度可在臺面結構的一側上產生垂直納米孔徑。圖1la-1lb是圖2a單個垂直納米狹縫輻射圖案的FDTD模擬的其他視圖。在圖1la中，其是圖2b的幅度圖，箭頭130和垂直虛線135分別疊加在單個垂直納米狹縫，當前的入射輻射和襯底法線上。圖1lb表示用於垂直納米狹縫(V)和水平納米狹縫(H)的輻射圖案角分布；圖例指示相對於襯底法線的入射光的角度0。圖12a_12b是本發明的納米狹縫陣列的其他實施例的截面視圖的曲線圖表示，用於在薄膜光伏器件中的吸收增強。箭頭指示輻照(irradiance)角度/輻照度角。圖13a_13c根據本發明示出使用的納米狹縫陣列的其他的截面視圖，用於塊狀和薄膜光伏器件中的吸收增強。圖14a示出在電介質界面(空氣到矽)上光的折射透射。圖14b示出根據形成在電介質結構上的光柵結構的光柵周期到入射光波長的比率，一些衍射光束可獲得掠射角透射。圖15a示出假定的納米孔徑結構和產生的輻射圖案。圖15b示出圖15a假定的納米孔徑結構的陣列，和產生的輻射圖案。圖15c示出相位匹配條件(波長矢量關係)，用於覆蓋了圖15b假定的納米孔徑陣列的電介質表面的情形。圖16a示出垂直納米狹縫的2D陣列。對於TE偏振分量(E=Ezz)，增加了水平光柵線(Kgz:z方向)。垂直運行的光柵線(Kgx:x方向)主要用於TM偏振。圖16b示出圖16a的2D陣列的截面視圖，並沿著x_y平面。圖16c示出圖16a的2D陣列的截面視圖，並沿著y_z平面。
具體實施例方式短語「垂直納米孔徑陣列」、「垂直納米狹縫陣列」、「垂直偶極子陣列」和「垂直偶極子孔徑陣列」在該說明中可交換使用。
_0] 在電介質界面上克服傳統折射透射的限制在電介質表面上的光的折射透射服從於斯涅耳定律(Snell』 s law)，即透射角度由折射率和入射角的比率確定。對於進入到更高折射率介質的光束來說，例如在空氣到矽(n約3.5)的情形中,最大透射角度限於 16度(約16度)(圖14a)。形成在電介質表面上的光柵結構，例如周期性排列設置的金屬絲或格柵，可產生衍射透射。根據光柵周期到入射光波長的比率，一些衍射光束可獲得如圖14b所示的掠射角透射。然而，在傳統光柵中，透射功率大多數由零階衍射承載，對於高折射率對比的介質來說，所述零階衍射透射的最大角度有限制並很小，並且其它的高階衍射通常是次要強度。實現高通量掠射角透射的困難來自兩個原因:首先，傳統光柵結構的單個衍射元件的散射圖案不會提供很多功率到掠射角方向上，因此顯著強度的高階衍射光束不能在希望的方向上集聚/建立(build up)。其次，在傳統光柵結構中，電介質表面的衍射元件覆蓋率和它們的光耦合效率通常低下，因此大多數入射功率發射通過電介質表面而沒有與光柵元件的相互作用。假定的納米孔徑結構在圖15a中示出。納米孔徑結構在光學厚(optically-thick)的金屬膜上形成,並具有設計成高度各向異性的福射圖案，取向入射光到掠射角方向上。因電介質表面通過金屬遮蓋，除了納米孔徑區域，入射光的透射僅發生通過該孔徑。因此，透射特性完全由孔徑輻射圖案本身影響，其取向於傾斜的方向。現在比較圖15a的結構和如圖15b中示出形成在電介質表面上的這類假定的納米孔徑的陣列。圖15b中，孔徑輻射之間的幹涉可導致不同階的衍射光束。方向落在孔徑輻射圖案角範圍內的特定階的衍射光束可具有強的透射，而取向於輻射圖案外部方向的其它光束不能發展成行進波/傳播波。圖15c示出相位匹配條件(波矢量關係)，用於覆蓋了假定納米孔徑陣列的電介質表面的情形。該圖中，在透射一側的+1階衍射光束設計成匹配納米孔徑輻射圖案，就是說，取向於用於傾斜入射的掠射角方向，並且零階和其它高階衍射遭抑制。這裡，在高折射率介質中的掠射角透射通過利用高定向性納米孔徑輻射圖案和它們的幹涉效應成為可能，且操作原理與在塊狀電介質表面上的傳統折射原理不同。該新原理(通過垂直偶極子輻射圖案的衍射階選擇)可用於實現通過如下所述的納米孔徑的光的負折射。沒有負折射率超材料的負折射與通常遭受高傳輸損耗的塊狀超材料的情形相比，根據本發明用納米結構的金屬膜實現的負折射可以到達遠場區域而沒有這類損耗。此外，大多數超材料依賴共振現象，且負折射限於狹窄的光譜範圍。另一方面，本發明的垂直偶極子陣列結構允許用於在任意波長的負折射方向上的衍射。在塊狀介質的界面上可行的光負折射使得能夠接觸角範圍，所述角範圍在傳統折射光學中不能獲得。因此，納米光學結構例如本發明的垂直傾斜納米孔徑陣列結構可用作平臺，用於各種應用例如光束整形、成像、光刻、光學數據存儲、信息處理、測試設備/儀器、計量和光伏器件。參考圖lb，發明的垂直納米孔徑陣列100被設計成僅支持一 I階光柵衍射，該光柵衍射形成負折射光束112。垂直偶極子陣列結構可包括支持膜115的襯底(沒有示出)，膜115包括多個傾斜取向的部分120和多個孔徑125。至少兩個傾斜取向的部分120由孔徑125隔開。傾斜取向的部分可被配置成使得該入射輻射130重定向到如由負折射光束112所示的負折射方向。與本發明一致，膜120不是由負折射率超材料組成，即使在垂直偶極子陣列結構配置以便入射輻射重定向到負折射方向的情形中。例如，膜120可包括有格柵的並且周期性傾斜、傾斜取向或傾斜的高導電材料的膜，即高導電材料的膜表示傾斜取向的納米孔徑陣列。高導電的材料可從Ag、Au、Al、Cu、Cr等，和/或其中的高導電合金，石墨烯、石墨或導電氧化物中選擇。膜115可包括傾斜取向的部分120，並可由襯底135支持，如圖1c中示出。相鄰的傾斜取向部分120可由至少一個孔徑125隔開。由至少一個孔徑125隔開的傾斜取向的部分120，可形成由具有頂部表面的襯底支持的鋸齒形圖案，其中該表面的一部分部分形成為鋸齒形圖案。例如，每個鋸齒形圖案的鋸齒可包括垂直臺階表面127和傾斜取向的或傾斜的表面121。襯底也可包括基本上水平的部分123，所述水平的部分123支持膜115的水平部分122。在從襯底法線131起始的角0上的入射輻射130重定向在遠離襯底法線的角tp上。襯底135可包括非負折射率超材料的材料。本發明前面的描述由僅是說明性的下面例子補充。單個納米孔徑具有形成在Ag層上60nm寬度的單個納米孔徑或納米狹縫的三個不同結構，在圖2a (例子1)、圖2e (例子2)和圖2h (相對例子I)中示出。圖2a中，膜115的傾斜取向部分120和水平部分122由襯底135支持，並由孔徑125隔開。圖2e中，如由包括孔徑125』的垂直臺階表面127定義的，膜115的兩個水平部分122，其中每個由襯底135支持並彼此提升。圖2h中，膜115的兩個水平部分122，其每個由襯底135支持且彼此不提升，由孔徑125"隔開。用於三個不同結構的每個的輻射圖案的FDTD模擬分別在圖2b-2c、2f_g和2i_j中示出。當圖2c、2g和2j示出幅度的角分布時，圖2b、2f和2i示出坡印廷矢量(PoyntingVector)分布(幅度圖)。對於每個模擬來說,Ag的電介質常數在633nm處假定為一 16+il.1,且具有633nm波長的TM偏振光垂直於襯底入射。模擬窗口是20umX 15um。FDTD結果使用具有IOnm格柵間距的2D的Yee網格和完美匹配層/完全匹配層(PML)邊界條件產生。對於從底側垂直入射的平面波來說，狹縫透射示出從襯底法線傾斜取向的輻射圖案。例如，圖2c中，主瓣(main lobe)取向於具有50°半寬度角(full-width-at-half-maximum angle)的θ=140。的方向(從襯底法線 50。傾斜)。對於偶極子軸是水平的傳統狹縫輻射圖案來說，所述偶極子軸平行於如圖2h中示出的膜表面，這是清楚的對比。後面的結構示出20° -160°的輻射角(從襯底法線±70° )功率幾乎均勻的分布。當不需要束縛於任何具體理論時，據信傾斜納米狹縫孔徑的配置作為偶極子類線源，其在由入射波激發的情況下垂直於金屬膜振蕩。對於入射到孔徑的橫向磁(TM)偏振光來說，金屬通過感應表面電流響應。感應電流在相對/相反的角落不同地工作，就是說，在一個角落積累電荷同時在另一個角落消耗電荷。在垂直孔徑上的該偶極子振蕩具有重輻射入射能量到遠離襯底法線的傾斜方向上的效應。在狹縫角落和邊緣上感應的偶極子電荷量取決於孔徑幾何形狀/尺寸和相對於邊緣的入射場矢量的取向。與金屬表面(狹縫邊緣)相互作用的電磁波可感應偏振表面電荷，其中表面電荷密度可表達為:
權利要求
1.一種垂直偶極子陣列結構，其包括(A)支持(B)膜的襯底，所述膜包括多個傾斜取向的部分，其中(i )所述膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個所述傾斜取向的部分由孔徑隔開，(iii)所述傾斜取向的部分被配置成使得入射輻射重定向在負折射方向上，以及(iv)所述膜不是由負折射率超材料組成。
2.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中至少兩個所述傾斜取向的部分由不止一個孔徑隔開。
3.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述薄膜包括高導電材料。
4.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述薄膜包括Ag、Au、Al、Cu、Cr、石墨烯、石墨或導電氧化物。
5.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述傾斜取向的部分彼此相對以不同的角度傾斜取向，以便發散的輸入光束透射為準直的平行光束。
6.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述傾斜取向的部分以這樣的角度傾斜取向，使得入射輻射透射通過孔徑，並在焦點處相長幹涉。
7.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述孔徑由一致的光柵周期隔開。
8.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述孔徑由不一致的光柵周期隔開。
9.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述傾斜取向的部分被配置成主要支持入射輻射的-1階透射。
10.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中支持所述膜的所述襯底的表面包括鋸齒形輪廓，所述鋸齒形輪廓包括由至少一個垂直臺階表面隔開的傾斜取向的表面。
11.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中支持所述膜的所述襯底的表面包括鋸齒形輪廓，所述鋸齒形輪廓包括由至少一個垂直臺階表面隔開的傾斜取向的表面；以及其中所述傾斜取向的表面基本上互相平行。
12.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述多個孔徑定義所述薄膜的不連續面。
13.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，所述襯底不包括負折射率超材料。
14.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中所述傾斜取向的部分可以被調整成以不同的角度傾斜取向。
15.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中輻射被透射而沒有鏡面成像效應。
16.一種垂直偶極子陣列結構，其包括(A)支持(B)膜的襯底，所述膜包括多個傾斜取向的部分，其中(i )所述膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個所述傾斜取向的部分由孔徑隔開，(iii)所述傾斜取向的部分被配置成使得入射輻射透射通過所述孔徑並在焦點處相長幹涉，以及(iv)所述膜不是由負折射率超材料組成。
17.一種製作垂直偶極子陣列結構的方法，其包括(A)提供襯底並且(B)在其表面上形成膜，其中所述膜包括孔徑和傾斜取向部分的陣列，但其不是由負折射率超材料組成。
18.根據權利要求15所述的方法，其進一步包括蝕刻所述襯底的頂部表面從而具有鋸齒形輪廓，所述鋸齒形輪廓包括由至少一個垂直臺階表面隔開的傾斜取向的表面。
19.一種光伏器件，其包括電極，所述電極包括形成在膜上的垂直納米孔徑陣列，其中所述電極被配置成使得入射輻射彎向掠射角方向，而沒有通過所述膜的直接透射。
20.一種光伏器件，其包括電極，所述電極包括形成在膜上的垂直納米孔徑陣列，其中所述電極被配置成使得傾斜入射輻射直接透射通過所述納米孔徑電極，並且直接透射的輻射以掠射角傳播通過所述膜。
21.—種2D垂直納米孔徑陣列結構，其包括(A)支持(B)膜的襯底，所述膜包括多個傾斜取向的部分，其中(i )所述膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個所述傾斜取向的部分由孔徑隔開，(iii)所述傾斜取向的部分被配置成使得陣列不是偏振敏感的。
22.根據權利要求21所述的2D垂直納米孔徑陣列結構，其中至少一個所述孔徑是十字形孔徑。
23.一種在大區域上形成垂直納米孔徑陣列的方法，其包括對由襯底支持的膜和襯底通過全息光刻圖案成形，並通過其角度沉積在所述膜上提供金屬。
24.一種垂直偶極子陣列結構，其包括(A)支持(B)膜的襯底，所述膜包括多個偏移部分，其中(i )所述膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個所述偏移部分由孔徑隔開，(iii)所述偏移部分被配置成使得入射輻射重定向在負折射方向上，以及(iv)所述膜不是由負折射率超材料組成。
25.根據權利要求24所述的垂直偶極子陣列結構，其中支持所述膜的所述襯底的表面包括臺面圖案。
26.一種垂直偶極子陣列結構，其包括(A)支持(B)膜的襯底，所述膜包括多個傾斜取向的部分，其中(i )所述膜具有多個孔徑，(ii)至少兩個所述傾斜取向的部分由孔徑隔開，(iii)所述傾斜取向的部分被配置成使得入射輻射重定向在正或負折射方向上，以及(iv)所述膜不是由負折射率超材料組成。
27.根據權利要求1所述的垂直偶極子陣列結構，其中輻射被透射通過所述孔徑，並用比約0.5 A更小的斑點尺寸在用於光束聚焦功能的給定的斑點處相長幹涉。
28.一種光伏器件，其包括(A)鏡膜，(B)形成在鏡膜上的膜，和(C)包括形成在所述膜上的垂直納米孔徑陣列的電極，其中所述電極、膜和鏡膜被配置作為Fabry-perot腔結構。
29.根據權利要求28所述的光伏器件，其中所述電極和鏡膜被配置成使得透射的光被鏡膜反射。
30.一種2D垂直納米孔徑陣列結構，其包括形成在膜上的至少第一 ID光柵結構，和形成在所述膜上的至少第二 ID光柵結構，其中所述第一和第二 ID光柵被配置成使得非偏振光耦合到所述膜中。
31.根據權利要求30所述的2D垂直納米孔徑陣列結構，其中所述第一ID光柵結構和所述第二 ID光柵結構中的每個是垂直納米孔徑陣列結構。
全文摘要
本發明涉及一種垂直偶極子陣列結構，其包括支持膜的襯底，該膜不是由負折射率超材料組成。該膜包括多個傾斜取向的部分和孔徑。至少兩個傾斜取向的部分由孔徑隔開，且傾斜取向的部分被配置成使得入射輻射重定向成負或正折射方向。
文檔編號G02B27/12GK103119498SQ201180045778
公開日2013年5月22日 申請日期2011年7月21日 優先權日2010年7月22日
發明者H·K·金, Y-S·榮, Y·習 申請人:匹茲堡高等教育聯邦體系大學