軌跡形成方法、液滴噴出裝置以及電路模塊的製作方法
2023-07-09 20:11:41 4
專利名稱：軌跡形成方法、液滴噴出裝置以及電路模塊的製作方法
技術領域：
本發明涉及軌跡形成方法、液滴噴出裝置以及電路模塊。
背景技術：
近年來，作為安裝半導體元件等電子部件的電路模塊，公知有具有由玻璃陶瓷構成的低溫燒成陶瓷多層襯底(Low Temperature Co-firedCeramicsLTCC多層襯底)的電路模塊。在LTCC多層襯底中，可以以900℃以下的低溫對其所積層的生片(green sheet)進行燒成。因此，可以在內部配線中使用銀或金等低熔點金屬，從而可以實現內部配線的低電阻化。
在所述LTCC多層襯底的製造工序中，用金屬糊劑或金屬墨水在積層前的各生片上繪製配線圖形。作為該繪圖方法，日本專利文獻特開2005-57139號公報提出了以微小液滴噴出金屬墨水的所謂噴墨法。由於噴墨法中包括接合微小液滴、即接合墨點來繪製配線圖形的步驟，因此，能夠迅速應對內部配線的設計變更，例如內部配線的高密度化或者配線寬度以及配線間隔的狹小化。
但是，噴落在生片上的液滴或者墨點根據生片的表面狀態或者液滴的表面張力，其尺寸和形狀會隨時間的經過而有所變動。尺寸和形狀有所改變的液滴根據乾燥定時而決定配線整體的尺寸。例如，由外徑為30μm的金屬墨水構成的液滴在噴落到親液性的生片上之後，如果經過100毫秒，則外徑擴張為70μm，如果經過200毫秒，則外徑擴張為100μm。因此，乾燥液滴的定時如果在100毫秒後～200毫秒後的範圍內有所波動，則墨點的尺寸也會有所波動。即，對應軌跡的線寬在大約70μm～100μm的範圍內波動。
因此，在該液滴的乾燥方法中，為了抑制墨點尺寸的波動，提出了向噴落在生片上的液滴照射雷射的雷射乾燥方案。在雷射乾燥中，只在雷射的照射區域乾燥液滴。因此，可以以高精度控制噴落液滴的乾燥定時，從而可以抑制墨點尺寸的波動。
但是，在噴墨法中使用的液滴噴出裝置中，通常為了確保液滴的噴落精度，而使液滴噴出頭和對象物之間的間隙為狹窄的數百μm。因此，當在乾燥噴落後的液滴、即位於液滴噴出頭正下方的液滴時，必須在液滴噴出頭和對象物之間的狹小間隙中沿對象物的大致切線方向照射雷射。其結果是，在對象物上形成的雷射的光截面(即光束點)擴大，無法確保乾燥液滴所必須的雷射強度。因此，有導致液滴乾燥不足，由墨點構成的軌跡形成不良之虞。
發明內容
本發明的目的在於提供一種提高液滴乾燥效率，並降低墨點構成的軌跡的形成不良的軌跡形成方法、液滴噴出裝置以及電路模塊。
為了達到所述目的，本發明的一方式提供一種軌跡形成方法。在該方法中，向襯底噴出軌跡形成材料的液滴，通過雷射照射噴落在所述襯底上的液滴(單個)來乾燥該液滴，形成由所述液滴構成的軌跡，使用P偏振光成分為80％～100％的偏振光來作為雷射。
本發明的另一方式提供一種液滴噴出裝置。該液滴噴出裝置包括向襯底噴出軌跡形成材料的液滴的液滴噴出頭；向噴落在所述襯底上的所述液滴照射雷射的雷射照射裝置。雷射是P偏振光成分為80％～100％的偏振光。
另外，本發明的又一方式提供一種電路模塊，其包括襯底；形成在襯底上的電路元件；由所述液滴噴出裝置形成的金屬配線，該金屬配線形成在所述襯底上，並與所述電路元件電連接。
圖1是示出本發明的電路模塊的立體圖；圖2是說明圖1的電路模塊的製造方法的說明圖；圖3是示出液滴噴出裝置的立體圖；
圖4是示出液滴噴出頭的立體圖；圖5是圖4的A-A線的液滴噴出頭的剖面圖；圖6是用於說明半導體雷射器的簡圖；圖7是說明液滴噴出裝置的電氣結構的電氣模塊電路圖。
具體實施例方式
下面，參照圖1～圖7說明具體化了本發明的實施方式。首先，說明本發明的電路模塊1。
在本說明書中，+X、+Y、+Z方向是指附圖中用箭頭表示的方向，-X、-Y、-Z方向是指與+X、+Y、+Z方向相反的方向。沒有指定符號的X、Y、Z方向與±X、Y、Z同義。
圖1中，電路模塊1包括板狀的LTCC多層襯底2；以及該LTCC多層襯底2的上側的被引線接合連接或倒裝片連接的多個半導體晶片3。
LTCC多層襯底2具備呈片狀、並被積層的多個低溫燒成陶瓷襯底(以下簡稱為絕緣層4)。各絕緣層4分別是由玻璃陶瓷系材料構成的燒結體，有數百μm的厚度。玻璃陶瓷系材料例如是硼矽酸鹼氧化物等玻璃成分和氧化鋁等陶瓷成分的混合物。
在絕緣層4的層間形成有電阻元件、電容元件、或者繞組元件等各種電路元件5、以及作為將各電路元件5電連接的金屬配線的多條內部配線6。電路元件5和內部配線6分別是銀或銀合金等金屬微粒的燒結體，通過使用本發明的液滴噴出裝置10而形成。在各絕緣層4的層內形成具有堆棧孔結構或熱孔結構的孔軌跡7，用於在層間電連接電路元件5和內部配線6。孔軌跡7和電路元件5或者內部配線6相同，是銀或銀合金等金屬微粒的燒結體。
下面，參照圖2說明所述LTCC多層襯底2的製造方法。
在圖2中，首先，生片4S是切出而形成絕緣層4的基板，對其實施衝壓加工或雷射加工以形成通孔7H。接著，對生片4S多次實施使用了金屬糊劑的網板印刷，在通孔7H中填充金屬糊劑，形成由金屬糊劑構成的孔軌跡7F。接著，使用金屬墨水F對生片4S的上表面、即軌跡形成面4Sa實施噴墨印刷。金屬墨水F是將金屬納米微粒分散在水系溶劑中，並用於形成墨滴，從而形成軌跡的材料，在本實施方式中為水系銀墨水。
具體而言，向軌跡形成面4Sa的需要形成電路元件5以及內部配線6的區域(以下簡稱為軌跡形成區域)噴出金屬墨水F的液滴Fb，並對噴落在軌跡形成區域上的液滴Fb進行乾燥。然後，反覆進行該噴出動作和乾燥動作，從而在軌跡形成區域繪製對應的元件軌跡5F以及導電軌跡6F。通過向存在噴落並接合的液滴Fb的區域照射入射光Le(參照圖6)來進行噴落在軌跡形成區域上的液滴Fb的乾燥。
在生片4S上形成元件軌跡5F、導電軌跡6F以及孔軌跡7F之後，一併積層多個生片4S，並將與LTCC多層襯底2對應的區域切成積層體4B進行燒成。即，一併積層生片4S、元件軌跡5F、導電軌跡6F以及孔軌跡7F，並同時燒成。由此形成具有絕緣層4、電路元件5、內部配線6以及孔軌跡7的LTCC多層襯底2。
下面，參照圖3對用於繪製所述元件軌跡5F以及導電軌跡6F的液滴噴出裝置10進行說明。圖3是示出液滴噴出裝置10的整體立體圖。
圖3中，液滴噴出裝置10具有形成為長方體形狀的基臺11。在基臺11的上表面形成有一對引導槽12，該引導槽12沿基臺11的長度方向(±Y方向)延伸。在引導槽12的上方具有臺13，該臺13沿引導槽12在±Y方向上移動。在臺13的上表面形成有載置部14，在載置部14上載置有以軌跡形成面4Sa為上側的生片4S。載置部14將處於被載置狀態的生片4S相對於臺13固定，並在±Y方向上輸送生片4S。在本實施方式中，+Y方向被定義為掃描方向。
在基臺11的與該掃描方向垂直的X方向的兩側，以橫跨基臺11的方式設有形成為門形的引導部件16。在引導部件16的上側配置有沿X方向延伸的墨水罐17。墨水罐17儲存金屬墨水F，並分別以規定壓力向配置在其下方的液滴噴出頭21供給金屬墨水F。
在引導部件16的-Y方向側，在該X方向大致整個寬度形成有在X方向上延伸的上下一對導軌18。滑架20安裝在一對導軌18上，並沿導軌18在±X方向上移動。在滑架20的底面20a上搭載有噴出頭21。圖4是從下側(生片4S側)觀察噴出頭21時的立體圖，圖5是圖4A-A線的液滴噴出頭的剖面圖。圖6是滑架20的簡要側視圖。
圖4中，噴出頭21形成為沿X方向延伸的長方體形狀。在噴出頭21的下部(生片4S圖4的上部)具有噴嘴板22。噴嘴板22形成為沿X方向延伸的板狀，並在其下表面(圖4的上表面)形成有噴嘴形成面22a。噴嘴形成面22a與生片4S的軌跡形成面4Sa大致平行地形成。當生片4S位於噴出頭21的正下方時，噴嘴形成面22a和軌跡形成面4Sa之間的距離(壓板間隙)保持為規定距離，在本實施方式中為300μm。在噴嘴形成面22a上沿X方向排列有多個噴嘴N，該多個噴嘴N在噴嘴形成面22a的法線方向上貫通噴嘴形成面22a而延伸。
圖5中，在各噴嘴N的上側分別形成有與墨水罐17連通的腔室23。腔室23將來自墨水罐17的金屬墨水F向對應的噴嘴N供給。在各腔室23的上側粘貼有振動板24。振動板24可在上下方向上振動，擴大以及縮小腔室23內的容積。在振動板24的上側配置有與噴嘴N對應的多個壓電元件PZ。各壓電元件PZ使振動板24在上下方向上振動，從而從對應的噴嘴N以規定容量(本實施方式中為10p1)的液滴Fb噴出金屬墨水F。從噴嘴N噴出的液滴Fb在-Z方向上飛行，並噴落在軌跡形成面4Sa上的與噴嘴N相對的位置。在掃描方向上進行掃描期間，噴落的液滴Fb在軌跡形成面4Sa上浸潤擴散，與之前噴落的液滴Fb接合。當在掃描方向上掃描生片4S時，接合了的各液滴Fb形成沿掃描方向延伸的液狀膜FL。液狀膜FL遍及生片4S的整個頂部表面，形成與軌跡形成面4Sa平行的液面FLa。
在本實施方式中，將軌跡形成面4Sa上的位置中的與各噴嘴N在-Z方向上對應的位置、即液滴Fb的噴落位置定義為各噴落位置P。另外，將液面FLa的與掃描方向相反的方向、即-Y方向的端部定義為入射位置Pe。並將噴落位置P和入射位置Pe之間的距離定位為待機距離WF。
圖6中，在滑架20的底面20a上，沿噴出頭21的掃描方向、即+Y方向形成有出射孔H，該出射孔H貫通至腔室20的內部。出射孔H在X方向上的寬度與噴嘴21在X方向上的寬度大致相同。在腔室20內的出射孔H的上側配置有構成雷射照射裝置的半導體雷射器模塊LDM。
半導體雷射器模塊LDM具有半導體雷射器LD、以及構成照射光學系統的光學元件PS。半導體雷射器LD向下射出擴展到出射孔H在X方向上的大致整個寬度的帶狀的被校準的雷射。半導體雷射器LD射出的雷射的波長設定在金屬墨水F的吸收波長的範圍(在本實施方式中為808nm)。光學元件PS包括相位差板，將來自半導體雷射器LD的雷射的偏振光狀態轉換成規定的直線偏振光，並向下方射出，在本實施方式中，所述規定的直線偏振光是P偏振光成分為100％的偏振光。
在出射孔H的內部配置有構成照射光學系統的柱面透鏡25。透鏡25僅在Y方向上具有曲率，透鏡25在X方向上的寬度與噴出頭21在X方向上的寬度相同。當透鏡25接收來自半導體雷射器模塊LDM的雷射時，僅匯聚雷射在+Y方向(或者-Y方向)上的成分，並作為入射光Le向下方射出。
在出射孔H的下側配置有從腔室20向下方延伸的鏡臺(mirror stage)26、以及被鏡臺26支承並可轉動的反射鏡27。反射鏡27構成照射光學系統。鏡臺26以沿X方向的轉動軸為中心可轉動地支承反射鏡27。反射鏡27是在與柱面透鏡25相對的一側具有反射面27m的電流鏡(galvanomirror)，反射鏡27在X方向上的寬度和噴出頭21在X方向上的寬度相同。反射鏡27在反射面27m接收來自透鏡25的入射光Le，並沿軌跡形成面4Sa的大致切線方向反射入射光Le。在本實施方式中，將液面FLa(軌跡形成面4Sa)的法線和所反射的入射光Le所成的角定義為入射角θe，並將其設定為88°。
被反射鏡27反射的入射光Le被導入噴出頭21和生片4S之間的間隙中，與光束腰(beam waste)對應的區域入射到液面FLa上的入射位置Pe上。入射到入射位置Pe上的入射光Le的一部分透過液狀膜FL而被吸收。即，當在掃描方向、即+Y方向上掃描生片4S時，經反射鏡27反射的入射光Le的一部分依次乾燥入射位置Pe附近的液狀膜FL，形成沿掃描方向延伸的層軌跡FP。
另一方面，入射到入射位置Pe上的入射光Le中的沒有透過液狀膜FL的部分作為反射光Lr而向與掃描方向相反的方向被反射。在本實施方式中，被反射的入射光Le和與該入射光Le對應的反射光Lr所確定的平面(YZ平面)被定義為入射面。
入射光Le相對於液狀膜FL的反射率根據入射光Le的偏振光狀態而有所變動。具體而言，分別設空氣的折射率為N1，液狀膜FL的折射率為N2，根據下式推導使電場向量E的方向與入射面平行的偏振光(P偏振光)的反射率Rp和使電場向量E的方向與入射面垂直的偏振光(S偏振光)的反射率Rs。在入射角θe任意的情況下，P偏振光的反射率Rp比S偏振光的反射率Rs低。
Rp={N2cose-N1cos}2{N2cose+N1cos}2]]>Rs={N1cose-N2cos}2{N1cose+N2cos}2]]>這裡，φ＝sin-1{(N1/N2)cos(π/2-θe)}例如，如果空氣的折射率為1，液狀膜FL的折射率為1.3，入射角θe為88°，則P偏振光的反射率Rp、S偏振光的反射率Rs分別為75.2％和84.5％。即，入射到入射位置Pe上的P偏振光的入射光Le與S偏振光的入射光Le相比，多出約10％透過液狀膜FL而被吸收。
在本發明的液滴噴出裝置10中，半導體雷射器模塊LDM的光學元件PS將半導體雷射器LD射出的雷射轉換成P偏振光，並射出P偏振光的入射光Le。這裡，在本實施方式中，所謂P偏振光是指電場向量與入射面平行振動的光，也就是除此之外實質上不含其它成分的直線偏振光、即P偏振光成分為100％的偏振光。
由此，入射光Le中的偏振光狀態被轉換成P偏振光的部分大多透過液狀膜FL而被吸收。其結果是，提高了入射光Le的吸收率，正因如此，能夠可靠地乾燥液狀膜FL，從而形成無乾燥不足的層軌跡FP。通過依次積層該層軌跡FP，可以形成導電軌跡6F(參照圖2)，並能夠降低其形成不良。
下面，參照圖7說明如上所述構成的液滴噴出裝置10的電氣結構。
圖7中，控制裝置40包括CPU、ROM、RAM，並按照所存儲的各種數據以及各種控制程序使臺13和滑架20移動，並且控制半導體雷射器模塊LDM以及各壓電元件PZ的動作。
控制裝置40連接有具有起動開關、停止開關等操作開關的輸入裝置41。將與軌跡形成區域(層軌跡FP)相對於繪圖平面(軌跡形成面4Sa)的位置坐標相關的信息作為既定形式的繪圖信息Ia從輸入裝置41輸入到控制裝置40中。控制裝置40接收來自輸入裝置41的繪圖信息Ia，並生成位圖數據BMD。
位圖數據BMD是根據各位的值(0或1)來規定各壓電元件PZ的導通或斷開的數據。位圖數據BMD是規定是否將液滴Fb噴出到噴出頭21所通過的繪圖平面(軌跡形成面4Sa)上的各位置處的數據。即，位圖數據BMD用於使液滴Fb噴出到軌跡形成區域所規定的對應的各個目標位置上。
控制裝置40與X軸電動機驅動電路42連接，並向X軸電動機驅動電路42輸出對應的驅動控制信號。X軸電動機驅動電路42響應來自控制裝置40的驅動控制信號，使移動滑架20的X軸電動機MX正轉或反轉。X軸電動機驅動電路42與X軸編碼器XE連接，並輸入來自X軸編碼器XE的檢測信號。X軸電動機驅動電路42根據來自X軸編碼器XE的檢測信號，生成與滑架20(各噴落位置P)相對於軌跡形成面4Sa的移動方向以及移動量相關的信號，並輸出給控制裝置40。
控制裝置40與Y軸電動機驅動電路43連接，並向Y軸電動機驅動電路43輸出對應的驅動控制信號。Y軸電動機驅動電路43響應來自控制裝置40的驅動控制信號，使移動臺13的Y軸電動機MY正轉或反轉。Y軸電動機驅動電路43與Y軸編碼器YE連接，並輸入來自Y軸編碼器YE的檢測信號。Y軸電動機驅動電路43根據來自Y軸編碼器YE的檢測信號，生成與臺13(軌跡形成面4Sa)的移動方向以及移動量相關的信號，並輸出給控制裝置40。控制裝置40根據來自Y軸電動機驅動電路43的信號，計算噴落位置P相對於軌跡形成面4Sa的相對位置，每當噴落位置P位於對應的目標位置時，輸出噴出定時信號LP。
控制裝置40與半導體雷射器驅動電路44連接，當開始繪圖動作時，向半導體雷射器驅動電路44輸出繪圖開始信號S1，當繪圖動作結束時，向半導體雷射器驅動電路44輸出繪圖結束信號S2。半導體雷射器驅動電路44在輸入繪圖開始信號S1時，使半導體雷射器模塊LDM射出P偏振光的入射光Le，在輸入繪圖結束信號S2時，使半導體雷射器模塊LDM停止射出入射光Le。即，控制裝置40經由半導體雷射器驅動電路44，在繪圖動作期間控制半導體雷射器模塊LDM的動作，照射P偏振光的入射光Le。
控制裝置40與噴出頭驅動電路45連接，向噴出頭驅動電路45同步輸出用於驅動各壓電元件PZ的壓電元件驅動電壓COM和所述噴出定時信號LP。另外，控制裝置40根據位圖數據BMD，生成與規定的時鐘信號同步的噴出控制信號SI，將噴出控制信號SI串行傳送給噴出頭驅動電路45。噴出頭驅動電路45與各個壓電元件PZ對應地對來自控制裝置40的噴出控制信號SI依次進行串行/並行轉換。每當噴出頭驅動電路45接收來自控制裝置40的噴出定時信號LP時，鎖定被串行/並行轉換後的噴出控制信號SI，並將壓電元件驅動電壓COM分別向根據信號SI所選擇的各壓電元件PZ供給。
下面，說明使用液滴噴出裝置10來對元件軌跡5F以及導電軌跡6F進行繪圖的方法。
首先，如圖3所示，以軌跡形成面4Sa位於上側的方式將生片4S載置到臺13上。此時，臺13將生片4S配置在基於滑架20的掃描方向的相反側。
從該狀態開始，從輸入裝置41將繪圖信息Ia輸入控制裝置40，控制裝置40根據繪圖信息生成位圖數據BMD，並存儲之。接著，當掃描生片4S時，控制裝置40經由X軸電動機驅動電路42使滑架20(噴出頭31)移動到規定位置，使得目標位置通過對應的噴落位置P。當滑架20被配置在定位置時，控制裝置40經由Y軸電動機驅動電路43開始掃描生片4S。
當開始掃描生片4S時，控制裝置40將繪圖開始信號S1輸出給半導體雷射器驅動電路44，半導體雷射器模塊LDM射出P偏振光的入射光Le。由半導體雷射器模塊LDM射出的入射光Le被反射鏡27向生片4S的大致切線方向反射，並以入射角θe入射到軌跡形成面4Sa。
另外，當開始掃描生片4S時，控制裝置40將根據位圖數據BMD生成的噴出控制信號SI輸出給噴出頭驅動電路45。
另外，當開始掃描生片4S時，每當目標位置位於對應的噴落位置P時，控制裝置40將噴出定時信號LP輸出給噴出頭驅動電路45。即，控制裝置40根據噴出控制信號SI來選擇用於噴出液滴Fb的噴嘴N，每當與所選擇的噴嘴N對應的噴落位置P位於目標位置時，使該噴嘴N向該目標位置噴出液滴Fb。
所噴出的各液滴Fb噴落於在軌跡形成面4Sa上規定的對應的目標位置上。如果噴落在各目標位置上的液滴Fb分別在掃描方向上掃描待機距離WF，則與之前噴落的液滴Fb接合，從而形成在軌跡形成區域擴散的液狀膜FL。P偏振光的入射光Le入射到液狀膜FL上的入射位置Pe上。
入射到入射位置Pe上的入射光Le的偏振光狀態被形成為P偏振光的部分大多透過液狀膜FL並被吸收，從而形成無乾燥不足的層軌跡FP。之後相同地，通過依次積層該層軌跡FP，可以形成元件軌跡5F和導電軌跡6F，並能夠降低其形成不良。
下面記載了如上所述構成的本實施方式的效果。
在搭載有噴出頭21的滑架20上搭載有具有半導體雷射器LD和光學元件PS的半導體雷射器模塊LDM。通過噴出頭21噴出到生片4S上的液滴Fb的接合來形成液狀膜FL。半導體雷射器模塊LDM向液狀膜FL的液面FLa入射P偏振光的入射光Le。
由此，入射光Le中的偏振光狀態被轉換成P偏振光的部分減少來自液面FLa的反射量，增加向液狀膜FL內的透過量。其結果是，能夠提高入射光Le相對於液狀膜FL的吸收率，從而能夠提高液狀膜FL的乾燥效率。因此，能夠降低元件軌跡5F和導電軌跡6F、即電路元件5以及內部配線6的形成不良。
滑架20具備噴出頭21、半導體雷射器模塊LDM、以及反射鏡27。由此，能夠維持入射光Le相對於所噴落的液滴Fb的相對位置。其結果是，能夠以較高的再現性將P偏振光的入射光Le入射到液面FLa的入射位置Pe上。因此，能夠使元件軌跡5F和導電軌跡6F的乾燥狀態穩定，從而能夠進一步降低電路元件5和內部配線6的形成不良。
另外，由於由半導體雷射器LD構成入射光Le的光源，因此，能夠實現液滴噴出裝置10的小型化和輕量化。
反射鏡27沿生片4S的大致切線方向反射來自半導體雷射器模塊LDM的入射光Le，並使其入射到與噴出頭21相對的液面FLa上。由此，能夠立即對噴落後的液滴Fb和接合後的液滴Fb進行乾燥。其結果是，能夠擴大元件軌跡5F和導電軌跡6F的形狀以及尺寸的自由度。
光學元件PS對從半導體雷射器LD射出的雷射的偏振光狀態進行轉換，並射出P偏振光的入射光Le。由此，不論來自半導體雷射器LD的雷射的偏振光狀態如可，P偏振光的雷射總是入射到液面FLa上。其結果是，能夠更可靠地降低圖形的形成不良。
所述實施方式可以進行下述變更。
可以構成為將P偏振光的入射光Le入射到孤立的液滴Fb上，以代替入射到接合液滴Fb而成的液狀膜FL上。即，本發明不受作為雷射照射對象物的液滴Fb的形狀限定，只要入射到液滴Fb上的雷射的偏振光狀態為P偏振光即可。
也可以使P偏振光的入射光Le以其它方向入射，以代替以沿生片4S的大致切線方向的入射角θe入射。例如，可以以沿生片4S的大致法線方向的入射角θe來入射P偏振光的入射光Le。
半導體雷射器LD射出的雷射即入射光Le不限定為偏振光成分為100％的P偏振光，也可以是偏振光成分至少在80％～100％的範圍內的偏振光。
例如也可以對應各噴嘴N來分隔來自半導體雷射器模塊LDM的入射光Le，入射光Le的被分隔的入射光Le的各部分分別照射對應的液狀膜FL，由此代替用共用的入射光Le對液狀膜FL進行乾燥。或者，也可以配置與噴嘴N相同數目的半導體雷射器模塊LDM，來自各半導體雷射器模塊LDM的入射光Le照射對應的液狀膜FL。
此時，優選可以根據用於選擇噴嘴N的噴出控制信號SI來選擇各入射光Le的照射和不照射。即，優選僅射出與噴出液滴Fb的噴嘴N對應的入射光Le。由此，入射光Le僅入射到液狀膜FL的區域，從而可以提高入射光Le的利用效率。
通過P偏振光的入射光Le，不僅可以乾燥液滴Fb或者液狀膜FL，還可以進一步對所乾燥的液滴Fb或者液狀膜FL進行燒成。由此，通過局部照射的入射光Le，可以降低元件軌跡5F和導電軌跡6F的燒成不良。
也可以從輸入裝置41向控制裝置40發送預先在外部裝置生成的位圖數據BMD，以代替控制裝置40根據繪圖信息Ia來生成位圖數據BMD。
反射鏡27也可以不是電流鏡而是稜鏡。或者，可以省略反射鏡27，將來自柱面透鏡25的入射光Le直接照射到液滴Fb上。
液滴噴出頭不限於壓電元件驅動方式的液滴噴出頭21，也可以是電阻加熱方式或者靜電驅動方式的噴出頭。
也可以不用噴墨法來形成所有的電路元件5和內部配線6。也可以用噴墨法只形成比較微細的電路元件5或者內部配線6。
軌跡形成材料不限於金屬墨水，也可以是分散有絕緣膜材料或有機材料的液狀體。即，軌跡形成材料可以是接受雷射而乾燥、並形成固相軌跡的任意材料。
軌跡不限於元件軌跡5F和導電軌跡6F。軌跡也可具體化為液晶顯示裝置、有機場致發光顯示裝置、具有平面狀的電子發射元件的電場效應型顯示裝置(FED或SED等)等所具備的各種金屬配線。所謂的軌跡，包括形成圖形的多個線狀堆積物、或形成識別碼的點。即，軌跡只要是由乾燥液滴形成的固相軌跡即可。
權利要求
1.一種軌跡形成方法，其特徵在於，向襯底噴出軌跡形成材料的液滴，通過雷射照射噴落在所述襯底上的液滴來乾燥該液滴，形成由所述液滴構成的軌跡，使用P偏振光成分為80％～100％的偏振光來作為雷射。
2.如權利要求1所述的軌跡形成方法，其中，通過沿所述襯底的大致切線方向照射所述雷射來乾燥所述液滴。
3.一種液滴噴出裝置，其包括向襯底噴出軌跡形成材料的液滴的液滴噴出頭；向噴落在所述襯底上的所述液滴照射雷射的雷射照射裝置，雷射是P偏振光成分為80％～100％的偏振光。
4.如權利要求3所述的液滴噴出裝置，其中，所述雷射照射裝置沿所述襯底的大致切線方向向與所述液滴噴出頭相對的所述液滴照射雷射。
5.如權利要求3所述的液滴噴出裝置，其中，還包括滑架，該滑架搭載所述液滴噴出頭，並使所述液滴噴出頭相對於所述襯底沿一個方向相對掃描，所述雷射照射裝置包括半導體雷射器，其搭載在所述滑架上，並射出所述雷射；照射光學系統，其搭載在所述滑架上，並向所述液滴照射所述半導體雷射器射出的雷射。
6.如權利要求5所述的液滴噴出裝置，其中，所述照射光學系統具備將所述半導體雷射器射出的雷射的偏振光狀態轉換成P偏振光的光學元件。
7.如權利要求3至6中任一項所述的液滴噴出裝置，其中，所述軌跡形成材料是分散有金屬微粒的金屬墨水，所述襯底是低溫燒成陶瓷襯底。
8.如權利要求3所述的液滴噴出裝置，其中，所述液滴噴出頭具有噴嘴板，該噴嘴板具備分別噴出液滴的多個噴嘴，所述雷射照射裝置向噴落在襯底上的所述液滴照射雷射。
9.如權利要求5所述的液滴噴出裝置，其中，在滑架上形成有通過所述半導體雷射器的雷射並使之射出的孔，所述液滴噴出頭在掃描方向上的所述液體噴出頭的寬度與該射出孔的寬度大致相同。
10.一種電路模塊，其包括襯底；形成在所述襯底上的電路元件；形成在所述襯底上、並與所述電路元件電連接的金屬配線，其中，所述金屬配線由液滴噴出裝置形成，液滴噴出裝置包括向襯底噴出軌跡形成材料的液滴的液滴噴出頭；向噴落在所述襯底上的所述液滴照射雷射的雷射照射裝置，雷射是P偏振光成分為80％～100％的偏振光。
全文摘要
本發明提供一種軌跡形成方法，在該方法中，向襯底噴出軌跡形成材料的液滴，通過雷射照射噴落在所述襯底上的液滴(單個)來乾燥該液滴，形成由所述液滴構成的軌跡，使用P偏振光成分為80％～100％的偏振光來作為雷射。
文檔編號H05K3/10GK101062608SQ20071010089
公開日2007年10月31日 申請日期2007年4月24日 優先權日2006年4月24日
發明者三浦弘綱 申請人:精工愛普生株式會社