晶體基座及採用該基座的石英晶體諧振器的製作方法

2023-07-18 15:15:41

專利名稱：晶體基座及採用該基座的石英晶體諧振器的製作方法
技術領域：
晶體基座及採用該基座的石英晶體諧振器技術領域[0001]本實用新型涉及一種石英晶體諧振器基座，還涉及了一種由該基座構成的石英晶 體諧振器，屬於石英晶體諧振器結構技術領域。[0002]背景技術[0003]目前，石英晶體振蕩器的應用已有幾十年的歷史，其具有頻率穩定度高這一特點， 故在電子技術領域中一直佔有重要的地位。尤其是信息技術(IT)產業的高速發展，更使這 種晶體振蕩器煥發出勃勃生機。石英晶體振蕩器在遠程通信、衛星通信、行動電話系統、全 球定位系統(GPS)、導航、遙控、航空航天、高速計算機、精密計測儀器及消費類民用電子產 品中，作為標準頻率源或脈衝信號源，提供頻率基準，是目前其它類型的振蕩器所不能替代 的。小型化、片式化、低噪聲化、頻率高精度化與高穩定度及高頻化，是行動電話和平板電腦 為代表的可攜式產品對石英晶體振蕩器提出的要求。事實上石英晶體振蕩器在發展過程 中，也面臨像頻率發生器這類電路的潛在威脅和挑戰。此類振蕩器只有在技術上不斷創新， 才能延長其壽命周期，在競爭中佔有優勢。[0004]目前國內小型化的石英晶體諧振器類型主要有SMD6035，5032，3225以及圓柱形 石英晶體諧振器308，206。[0005]SMD屬於貼片型石英晶體諧振器但是它所使用的基座及外殼生產工藝複雜幾乎全 部依賴日本的一兩家公司，其晶體生產設備也是相當昂貴的，所以國內生產的SMD晶體在 市場上是沒有競爭力的。[0006]圓柱型石英晶體諧振器底板和外殼都實現了國產化但由於無法實現自動點膠和 直線微調，至今還採用人工點膠和人工上圈微調生產力嚴重落後導致圓柱型石英晶體諧振 器，生產不了頻率高精度化與高穩定度的石英晶體諧振器。發明內容[0007]本實用新型的目的在於提供一種小型化、簡單化、自動化程度高的石英晶體基座 以及由其構成的石英晶體諧振器，該石英晶體諧振器能夠實現自動點膠、直線微調和高真 空冷壓封裝，現有設備只需經過簡單改造就可以投產，節省了設備投資，同時實現了表面貼 裝和插件通用。[0008]為實現上述目的，本實用新型採用的技術方案如下[0009]晶體基座，由底板1、引線2及絕緣子燒結成型，其特殊之處在於所述燒結成型的 晶體基座電鍍有一層錫銅合金層，所述絕緣子包括分別安裝於底板I兩側的用於穿設引線 2的雙孔絕緣子3-1以及用於支撐晶片的實心絕緣子3-2，所述兩條引線2均置於所述底板 I同側的雙孔絕緣子3-1內部；[0010]採用上述晶體基座的石英晶體諧振器，其特殊之處在於包括晶體基座及外殼5，所 述外殼5與所述晶體基座的底板I封裝構成晶體容置空間，所述晶片4密封置於所述晶體 容置空間內部，所述引線2的釘頭設有導電膠6，所述晶片4的一端通過導電膠6與引線2 連接，另一端搭置於實心絕緣子3-2上；[0011]所述外殼5由鋅白銅基板外周鍍覆鍍鎳層構成；[0012]所述底板I與外殼5之間為採用高真空冷壓封裝的過盈配合，在高真空環境中冷壓封裝使基座上電鍍的錫銅合金與外殼5間形成錫環從而得到高氣密性的石英晶體諧振器，電阻變化極小，頻率穩定。[0013]本實用新型是一種小型化低成本高效率的石英晶體諧振器，能夠替代部分SMD表面貼裝型石英晶體諧振器以及圓柱型石英晶體諧振器，淘汰了圓柱型石英晶體諧振器落後的生產工藝，設計了引線在晶體的同一端，導電膠在晶片的一端，對晶片的束縛力小，導電膠直接點到釘頭引線上無需焊接彈簧片，可實現自動點膠，直線微調。晶體生產廠家原有的生產設備經簡單的改造就可以高效的生產出適應市場要求的頻率高精度化與高穩定度的石英晶體諧振器。


[0014]圖1 :本實用新型晶體基座結構不意圖；[0015]圖2 圖1的左視圖；[0016] m圖1a:實施例1的一種插件型高真空冷壓封裝無彈簧片石英晶體諧振器結構示意圖;圖1b:圖1a的俯視圖；[0018]圖1c:圖1a的左視圖；[0019] m圖2a:實施例2的一種貼片型聞真空冷壓封裝無彈黃片石英晶體諧振器結構不意圖;圖2b:圖2a的俯視圖；[0021]圖2c:圖2a的左視圖；[0022]在圖中，1、底板，2、引線，3-1、雙孔絕緣子，3-2、實心絕緣子，4、晶片，5、外殼，6、導電膠，7、墊片。
具體實施方式
[0023]以下參照附圖，給出本實用新型的具體實施方式
，用來對本實用新型的構成進行進一步說明。[0024]晶體基座參考圖1-2，由底板1、引線2及絕緣子燒結成型，所述燒結成型的晶體基座電鍍有一層錫銅合金層，所述絕緣子包括分別安裝於底板I兩側的用於穿設引線2的雙孔絕緣子3-1以及用於支撐晶片的實心絕緣子3-2，所述兩條引線2均置於所述底板I同側的雙孔絕緣子3-1內部。[0025]採用上述晶體基座的石英晶體諧振器，包括晶體基座及外殼5，所述外殼5與所述晶體基座的底板I封裝構成晶體容置空間，所述晶片4密封置於所述晶體容置空間內部，所述引線2的釘頭設有導電膠6，所述晶片4的一端通過導電膠6與引線2連接，另一端搭置於實心絕緣子3-2上；所述外殼5由鋅白銅基板外周鍍覆鍍鎳層構成；所述底板I與外殼5 之間為採用高真空冷壓封裝的過盈配合，在高真空環境中冷壓封裝使基座上電鍍的錫銅合金與外殼5間形成錫環從而得到高氣密性的石英晶體諧振器，電阻變化極小，頻率穩定。[0026]實施例1[0027]本實施例涉及一種插件型的石英晶體諧振器參考圖la、圖lb、圖lc，包括由底板I 和外殼5封裝構成的晶體容置空間，所述晶片4密封置於所述晶體容置空間內部，所述兩條 引線2均置於所述底板I同側的引線孔內，所述引線2與所述底板I之間填充有為引線2絕 緣的雙孔絕緣子3-1，所述底板I另一側的通孔內填充有支撐晶片4用的實心絕緣子3-2 ； 所述晶片4的一端通過導電膠6與引線2連接，另一端搭置於實心絕緣子3-2上；[0028]由所述底板1、引線2及雙孔絕緣子3-1和實心絕緣子3-2燒結形成的晶體基座電 鍍有錫銅合金層；[0029]所述外殼5由鋅白銅基板外周鍍覆鍍鎳層構成；[0030]所述底板I由鐵基板外周鍍覆錫銅合金層構成，通過精密衝壓成型使截面光亮帶 達到80% ；[0031]所述鐵基板厚度為O. 9 1. Omm,所述錫銅合金層的厚度為O. 02mm ；[0032]所述底板I與外殼5之間為採用高真空冷壓封裝的過盈配合，在高真空環境中冷 壓封裝使基座上電鍍的錫銅合金與外殼5間形成錫環從而得到高氣密性的石英晶體諧振 器，電阻變化極小，頻率穩定。[0033]實施例2[0034]實施例涉及的是一種貼片型的石英晶體諧振器參考圖2a、圖2b、圖2c，與實施例1 的不同之處在於，將所述兩條引線2伸出底板I下部設為扁平狀，所述底板I下部設有墊片 7，所述引線2穿出墊片7且折彎貼於墊片下面即可成為貼片型石英晶體諧振器。[0035]以上實施例的新型高真空冷壓封裝無彈簧片石英晶體諧振器，其設計要點及製作 過程如下[0036]1、晶體基座將底板、引線、絕緣子燒結成型後電鍍錫銅合金製成晶體基座，其中 兩條引線均設計在晶片的同一端，導電膠在晶片的一端，對晶片的束縛力小。所述絕緣子由 兩個組成，雙孔絕緣子為兩引線絕緣，實心絕緣子用於支撐晶片。[0037]2、外殼外殼尺寸為6. 0mm*3. Omm(3. 5mm)，將外殼採用鋅白銅鍍鎳精密衝壓與底板過盈配合，氣密性好。[0038]3、晶片所述晶片尺寸選擇4. 5mm*2. 2mm及以下,頻率範圍從6MHz_50MHz,泛音頻 率範圍 30MHz-150MHz。[0039]4、上架點膠將鍍銀後晶片用自動點膠機使晶片通過導電膠與無彈簧片石英晶體 諧振器基座的兩引線連接。點膠直接點在釘頭引線上無需焊接彈簧片，可實現自動點膠、直 線微調。[0040]5、調頻通過直線微調得到相應的頻率。[0041]6、封裝採用高真空冷壓封裝，比電阻焊方式效率有很大的提高。在高真空環境中 冷壓封裝使基座上電鍍的錫銅合金與外殼間形成錫環從而得到高氣密性的石英晶體諧振 器，電阻變化極小，頻率穩定。[0042]7、墊片(貼片型)插件型將兩引線打扁後套上墊片折彎即可以成為貼片型石英 晶體諧振器。
權利要求1.晶體基座，由底板(I)、引線(2)及絕緣子燒結成型，其特徵在於所述燒結成型的晶體基座電鍍有一層錫銅合金層，所述絕緣子包括分別安裝於底板(I)兩側的用於穿設引線(2)的雙孔絕緣子(3-1)以及用於支撐晶片的實心絕緣子(3-2)，所述兩條引線(2)均置於所述底板(I)同側的雙孔絕緣子(3-1)內部。
2.採用權利要求1所述晶體基座的石英晶體諧振器，其特徵在於包括晶體基座及外殼(5)，所述外殼(5)與所述晶體基座的底板(I)封裝構成晶體容置空間，所述晶片(4)密封置於所述晶體容置空間內部，所述引線(2)的釘頭設有導電膠(6)，所述晶片(4)的一端通過導電膠(6 )與引線(2 )連接，另一端搭置於實心絕緣子(3-2 )上。
3.如權利要求2所述的石英晶體諧振器，其特徵在於所述外殼(5)由鋅白銅基板外周鍍覆鍍鎳層構成。
4.如權利要求2所述的石英晶體諧振器，其特徵在於所述底板(I)與外殼(5)之間為採用高真空冷壓封裝的過盈配合。
專利摘要本實用新型涉及一種基座及晶體諧振器，屬於晶體諧振器結構技術領域。基座，由底板、引線及絕緣子燒結成型，特徵在於所述晶體基座電鍍錫銅合金層，所述絕緣子包括雙孔絕緣子以及實心絕緣子，所述兩引線置於所述雙孔絕緣子內部。石英晶體諧振器，其特徵在於所述外殼與所述晶體基座的底板封裝構成晶體容置空間，所述晶片置於所述晶體容置空間內部，所述引線的釘頭設有導電膠，所述晶片一端通過導電膠與引線連接，另一端搭置實心絕緣子上。本實用新型是無需焊接彈簧片，可實現自動點膠，直線微調。
文檔編號H03H9/19GK202872742SQ201220584658
公開日2013年4月10日 申請日期2012年11月8日 優先權日2012年11月8日
發明者綦俊強 申請人:煙臺福峰電子有限公司