印刷電路板的製造方法以及印刷電路板的製作方法

2023-07-18 14:51:46

專利名稱：印刷電路板的製造方法以及印刷電路板的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種印刷電路板及其製造方法，特別是涉及一種具有貫通孔的電路板 及其製造方法。
背景技術：
在專利文獻1中公開了以下方法在基板上形成截面為沙漏形狀(鼓狀)的貫通 孔，通過鍍處理對所形成的貫通孔填充金屬，由此形成通孔導體。截面形成為沙漏形狀的貫 通孔由形成於基板的一面的圓錐狀的第一盲孔和形成於基板的另一面的圓錐狀(鼓狀)的
第二盲孔形成。專利文獻1 日本國專利申請公開2006-41463號公報

發明內容
發明要解決的問題在專利文獻1所記載的印刷電路板中，形成於基板的一面的第一盲孔與形成於基 板的另一面的第二盲孔具有大致相同的深度。在這種情況下，為了形成貫通孔，需要以高精 確度使第一盲孔與第二盲孔的位置一致。假設，如果第一盲孔的位置與第二盲孔的位置錯 開，則認為第一與第二盲孔不連通，難以形成貫通孔。因此，認為在專利文獻1所記載的貫 通孔的形成方法中貫通孔的成品率下降的可能性高。本發明的目的在於提供一種容易形成貫通孔的方法和具有通過該方法形成的貫 通孔的電路板。本發明的目的在於提供一種即使用於形成貫通孔的第一盲孔的位置與第二盲孔 的位置錯開也能夠以高成品率形成貫通孔的貫通孔形成方法和具有通過該方法形成的貫 通孔的電路板。用於解決問題的方案本發明的第一觀點所涉及的印刷電路板的製造方法包括以下工序準備具有第一 面和與該第一面相對的第二面的基板；在上述基板的上述第一面側形成第一開口部，該第 一開口部在上述第一面具有第一開口，該第一開口部的內徑從上述第一面朝向上述第二面 縮小；通過在上述基板的上述第二面側形成第二開口部來形成貫通孔，其中，上述第二開口 部在上述第二面具有第二開口，該第二開口部的內徑從上述第二面朝向上述第一面縮小， 上述貫通孔貫通上述基板，通過連接上述第一開口部與上述第二開口部來得到該貫通孔； 在上述基板的上述第一面形成第一導體電路；在上述基板的上述第二面形成第二導體電 路；以及通過鍍處理來填充上述貫通孔，由此形成通孔導體，該通孔導體電連接上述第一導 體電路和上述第二導體電路，該印刷電路板的製造方法的特徵在於，上述第一開口的直徑 R1的大小大於等於上述第二開口的直徑R2的大小，上述第一開口部的深度D1小於上述第 二開口部的深度D2。本發明的第二觀點所涉及的印刷電路板具有基板，其具有第一面和與該第一面相對的第二面，以及貫通孔，該貫通孔是連接第一開口部和第二開口部而得到的貫通孔，該 第一開口部形成於上述第一面側，該第一開口部的內徑從上述第一面朝向上述第二面縮 小，該第二開口部形成於上述第二面側，該第二開口部的內徑從上述第二面朝向上述第一 面縮小；第一導體電路，其形成於上述基板的上述第一面；第二導體電路，其形成於上述基 板的上述第二面；以及通孔導體，其由填充上述貫通孔的金屬構成，連接上述第一導體電路 與上述第二導體電路，該印刷電路板的特徵在於，上述第一開口部的深度為D1，在上述第一 面具有直徑為R1的第一開口，上述第二開口部的深度為D2，在上述第二面具有直徑為R2的 第二開口，上述第一開口的直徑R1的大小大於等於上述第二開口的直徑R2的大小，上述第 一開口部的深度D1小於上述第二開口部的深度D2。發明的效果根據本發明，即使用於形成貫通孔的第一盲孔的位置與第二盲孔的位置錯開，也 能夠以高成品率形成貫通孔。


圖1A是表示本發明的實施方式1所涉及的電路板的通孔導體的製造工序的截面 圖。圖1B是表示本發明的實施方式1所涉及的電路板的通孔導體的製造工序的截面 圖。圖1C是表示本發明的實施方式1所涉及的電路板的通孔導體的製造工序的截面 圖。圖1D是表示本發明的實施方式1所涉及的電路板的通孔導體的製造工序的截面 圖。圖1E是表示本發明的實施方式1所涉及的電路板的通孔導體的製造工序的截面 圖。圖1F是表示本發明的實施方式1所涉及的電路板的通孔導體的製造工序的截面 圖。圖2A是表示實施方式1所涉及的電路板的貫通孔和導體電路的製造工序的俯視 圖。圖2B是表示實施方式1所涉及的電路板的貫通孔和導體電路的製造工序的俯視 圖。圖2C是表示實施方式1所涉及的電路板的貫通孔和導體電路的製造工序的俯視 圖。圖3A是第一盲孔與第二盲孔的重心線的位置重疊的情況的截面圖。圖3B是第一盲孔與第二盲孔的重心線的位置錯開的情況的截面圖。圖3C是第一盲孔與第二盲孔的重心線的位置錯開的情況的截面圖。圖4A是表示第一盲孔與第二盲孔具有相同深度的情況的截面圖。圖4B是表示第二盲孔比第一盲孔深的情況的截面圖。圖5A是表示對金屬層直接照射雷射來進行加工的方法的圖。圖5B是表示在金屬層形成開口、對該開口照射雷射來進行加工的方法的圖。
圖5C是將所照射的雷射的能量強度表示為圖像的圖。圖5D是表示多次照射脈衝狀的雷射的方法的圖像的圖。圖6A是表示重心線的位置錯開的情況的貫通孔的截面圖。圖6B是表示重心線的位置錯開的情況的貫通孔的截面圖。圖6C是表示重心線的位置錯開的情況的貫通孔的截面圖。圖7A是本發明的實施方式3所涉及的參考例的第一盲孔的截面圖。圖7B是實施方式3所涉及的中間部鼓起的第一盲孔的截面圖。圖7C是實施方式3所涉及的第二盲孔的截面圖。圖7D是利用實施方式3所涉及的參考例的第一盲孔形成的貫通孔的截面圖。圖7E是利用實施方式3所涉及的中間部鼓起的第一盲孔形成的貫通孔的截面圖。圖7F是表示實施方式3所涉及的重心線錯開的情況的貫通孔的截面圖。圖8A是表示圖7A的第一盲孔的壁面(內壁)的截面圖。圖8B是表示圖7B的第一盲孔的壁面(內壁)的截面圖。圖8C是說明圖7B的第一盲孔的縮徑比例的圖。圖9A是表示第一盲孔與第二盲孔不連接的情況的示例的截面圖。圖9B是表示第一盲孔與第二盲孔的連接部較小的情況的示例的截面圖。圖10A是表示本發明的實施方式4所涉及的第一盲孔與第二盲孔相交的交點的 圖。圖10B是表示實施方式4所涉及的交點處的切線的傾斜大小的圖。圖10C是表示實施方式4所涉及的利用壁面線性傾斜的第一盲孔形成的貫通孔的 圖。圖10D是表示實施方式4所涉及的利用壁面傾斜緩和的第一盲孔形成的貫通孔的 圖。圖10E是表示在實施方式4所涉及的貫通孔內存在突出部分的圖。圖10F是表示在實施方式4所涉及的貫通孔內不存在突出部分的圖。圖11A是表示本發明的實施方式8所涉及的重心線一致的情況的連絡部的圖。圖11B是表示實施方式8所涉及的重心線不一致的情況的連絡部的圖。圖12A是表示實施方式8所涉及的第一盲孔與第二盲孔的連接部分傾斜的貫通孔 的截面圖。圖12B是表示實施方式8所涉及的第一盲孔與第二盲孔的連接部分傾斜的貫通孔 的圖。圖13A是表示應用例的多層基板的芯基板的製造工序的截面圖。圖13B是表示應用例的多層基板的芯基板的製造工序的截面圖。圖13C是表示應用例的多層基板的芯基板的製造工序的截面圖。圖13D是表示應用例的多層基板的芯基板的製造工序的截面圖。圖14A是應用例的在芯基板形成有貫通孔的多層基板的俯視圖。圖14B是應用例的在多層基板的表面形成有焊錫凸塊的多層基板的俯視圖。
0061]圖15A是表示橢圓形的開口的示例的俯視圖。圖15B是表示多角形的開口的示例的俯視圖。
附圖標記說明10 覆銅層疊板；11 銅箔層；12 基板；13 銅箔層；20 芯基板；21 層間樹脂絕 緣層(第一層間樹脂絕緣層)；22:層間樹脂絕緣層(第二層間樹脂絕緣層)；31、32:阻焊 層；36,37 盲孔；38,39 凸塊；50 雷射照射裝置；100 印刷電路板；141 無電解銅鍍膜； 142 電解銅鍍膜；143 通孔導體；144 導體電路(第一導體電路)；145 導體電路(第二導 體電路)；148:導體電路(第一導體電路)；149:導體電路(第二導體電路)；200:積層印 刷電路板；B1 B4 基準孔(貫通孔)；HI 第一盲孔(第一開口部)；H2 第二盲孔(第二 開口部)；H3 連接部；H4 貫通孔；H5 連接面；H6 通路導體；H12 第一開口 ；H22 第二開 口 ；P10 接合部。
具體實施例方式下面，說明本實施方式所涉及的電路板的製造方法和通過該製造方法製造的電路 板。(實施方式1)下面，說明實施方式1所涉及的具備通孔導體的電路板的製造方法。如果概要說明該製造方法，則i)如圖1B所示，在基板12的一面側形成第一盲孔 HI (第一開口部)，ii)如圖1C所示，在基板12的另一面側形成與第一盲孔HI連通的第二 盲孔H2(第二開口部)，由此形成貫通孔H4，iii)如圖1F所示，通過鍍處理，利用銅填充貫 通孔H4來形成通孔導體143。下面，參照附圖來具體說明該製造方法。首先，準備圖1A示出的覆銅層疊板10。覆銅層疊板10由基板12、形成於基板12 的第一面121的銅箔層13以及形成於基板12的第二面122的銅箔層11構成。此外，圖1A至圖1F是覆銅層疊板10的XZ面的截面圖。XZ面以與基板12的第一 面121和第二面122垂直的直線為Z軸，以與基板12的長度方向平行的直線為X軸。基板12由絕緣性基板構成，例如由環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪 樹脂(BT樹脂)、烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等構成。另外，基板12也可以是由已固 化的樹脂和加強材料構成的纖維強化基板，其中，上述加強材料是玻璃纖維布、玻璃無紡布 或者芳族聚醯胺無紡布等。要在基板12上通過雷射形成貫通孔，因此基板12的厚度優選在0. 1mm 0. 8mm 的範圍內。並且，基板12的厚度更優選在0. 15mm 0.45mm的範圍內。通過使基板12的 厚度處於該範圍內，能夠確保基板12的強度，並且利用雷射能夠容易地在覆銅層疊板10、 基板12上形成貫通孔。此外，在下面的說明中，覆銅層疊板10由厚度0. 3mm的玻璃環氧制基板12和層疊 於該玻璃環氧制基板12兩面的5 u m的銅箔層11以及13構成。接著，如圖2A所示，利用鑽機或者雷射在覆銅層疊板10的各角部形成基準孔(貫 通孔)Bl、B2、B3、B4。基準孔Bl、B2、B3、B4作為定位用的對準標記而發揮功能。接著，為了提高銅箔層11、13對雷射的吸收效率，實施黑化處理來使其表面氧化， 使銅箔層11、13的表面成為針狀的氧化銅。接著，將覆銅層疊板10設置在雷射加工機上來對覆銅層疊板10的一個主面101照射雷射。接著，以基準孔B1 B4為基準，使覆銅層疊板10的通孔導體的形成預定位置 (即，第一盲孔HI的形成預定位置)與雷射加工機的雷射照射位置一致。並且，根據預定形成的第一盲孔HI的形狀、大小(直徑)以及深度，來設定要照射 的雷射的直徑、雷射的強度、每個脈衝的能量以及脈衝數等。接著，如圖1B所示，從雷射加工機的雷射照射裝置50對覆銅層疊板10的一個主 面101照射雷射LA1，形成從基板12的第一面121向第二面122呈錐形的第一盲孔HI。艮口， 形成內徑從基板12的第一面121向第二面122逐漸變小的第一盲孔HI。如圖2A所示，第 一盲孔HI在基板12的第一面121具有第一開口 H12。如圖2A所示，期望第一盲孔HI的第一開口 H12呈圓形。另外，第一盲孔HI的第 一開口 H12的直徑R1優選為50 300 u m。另外，第一盲孔HI的距基板12的第一面121的深度D1優選在基板12的厚度的 1/6以上2/3以下。在實施方式1中，基板12的厚度為0. 3mm，因此深度D1優選為0. 05 0. 20mm 左右。接著，將覆銅層疊板10翻過來設置在雷射加工機上來對覆銅層疊板10的另一個 主面102照射雷射。接著，以基準孔B1 B4為基準，調整雷射的照射位置和覆銅層疊板10的位置以 使雷射的照射位置與第一盲孔H2的位置一致。並且，根據預定形成的第二盲孔H2的形狀和大小，來調整雷射的直徑、雷射的強 度、每個脈衝的能量以及脈衝數等。接著，如圖1C所示，從雷射加工機的雷射照射裝置50對覆銅層疊板10的另一個 主面102照射雷射LA2來形成為第二盲孔H2，將該第二盲孔H2形成為與第一盲孔HI連通。 此外，由於第二盲孔H2與第一盲孔HI連通，因此嚴格意義上來說不是盲孔。但是，假設為 不與第一盲孔HI連通的狀態(假設為沒有形成第一盲孔HI的情況)、即單體是盲孔。因 此，在本說明書中，將第二盲孔H2稱為盲孔。如圖2B所示，第二盲孔H2在基板12的第二 面122具有第二開口 H22。如圖1C所示，第二盲孔H2從基板12的第二面122向第一面121呈錐形。另夕卜， 第二盲孔H2的第二開口 H22的俯視形狀優選形成為圖2B所示出那樣的圓形。並且，第二 盲孔H2的第二開口 H22的直徑R2小於等於第一盲孔HI的第一開口 H12的直徑R1，優選為 50 300 u m。在本實施方式中，將第二盲孔H2的第二開口 H22的直徑R2設為與第一盲孔 HI的第一開口 H12的直徑R1相等的150 iim。另外，第二盲孔H2的距基板12的第二面122的深度D2為到達第一盲孔HI的深 度，並且優選為基板12的厚度的1/5以上5/6以下。在本實施方式中，基板12的厚度為 0. 3mm,因此深度D2優選為0. 06mm 0. 25mm。在實施方式1中，第二盲孔H2的深度D2為 0. 225mm。D2是從基板12的第二面122到第二盲孔H2的虛擬頂點(假設為不存在第一盲 孔HI的情況下的頂點)的距離。第二盲孔H2與第一盲孔HI連接而形成的貫通孔H4的沿其軸線的截面呈沙漏狀 (鼓狀)。通過形成滿足上述條件的第一盲孔HI和第二盲孔H2，能夠以高成品率在覆銅層
8疊板10上形成貫通孔H4。歸納該貫通孔形成條件，得到以下⑴至(3)。(1)第一盲孔HI的深度D1+第二盲孔H2的深度D2 >基板12的厚度(2)第一盲孔HI的深度D1 <第二盲孔H2的深度D2(3)第一盲孔HI的第一開口 H12的直徑R1彡第二盲孔H2的第二開口 H22的直徑 R2在此，說明上述條件(1)成立而產生的優點。如圖3A所示，在第一盲孔HI的深度D1與第二盲孔H2的深度D2之和與基板12 的厚度相同的情況下，如果第一盲孔HI的重心線L1與第二盲孔H2的重心線L2重疊，則第 一盲孔HI與第二盲孔H2連接。其結果是形成貫通基板12的貫通孔H4。但是，如圖3B所 示，當重心線L1的位置與重心線L2的位置錯開少許時，第一盲孔HI與第二盲孔H2不連接。 其結果是無法形成貫通孔H4。在滿足條件(1)的情況下(即，在深度D1與深度D2之和大於基板12的厚度的情 況)，即使重心線L1的位置與重心線L2的位置錯開與圖3B相同的量m，也如圖3C所示那 樣，第一盲孔HI與第二盲孔H2容易連接。其結果是能夠形成貫通孔H4。此外，重心線L1是通過第一開口的重心且與基板12的第一面垂直的直線，重心線 L2是通過第二開口的重心且與基板12的第一面垂直的直線。接著，說明上述條件(2)成立而產生的優點。在圖4A、圖4B的截面圖上，將第一盲孔HI與第二盲孔H2連接的部分的一側的內 壁面設為G1，將另一側的內壁面設為G2。將與內壁面G1接觸且與基板12的第一面121垂 直的直線設為Gx，將與內壁面G2接觸且與第一面121垂直的直線設為Gy。垂直線Gx與垂 直線Gy的距離為貫通孔H4的內徑的最小值Wa、Wb。圖4A示出深度D1與深度D2為相同 大小的情況下的最小直徑Wa。圖4B示出深度D2大於深度D1的情況下的最小直徑Wb。當 比較最小直徑Wa與最小直徑Wb時，最小直徑Wb大於最小直徑Wa。這意味著在滿足條件(2)的情況下，第二盲孔H2進入第一盲孔H1，因此即使重心 線L1與重心線L2錯開，第一盲孔HI與第二盲孔H2也容易連接。因而，在滿足條件(2)的 情況下，第一盲孔HI與第二盲孔H2大致可靠地連接，能夠形成貫通孔H4。此外，在本實施方式中，說明了條件(3)中的第一盲孔HI的第一開口 H12的直徑 R1與第二盲孔H2的第二開口 H22的直徑R2大小相同的情況。在實施方式2中說明直徑 R2小於直徑R1的情況。對通過上述那樣的方法、條件而形成的貫通孔H4的內壁進行去沾汙處理，去除殘 留於貫通孔H4內的沾汙。接著，如圖1D以及圖2C所示，進行無電解鍍來在貫通孔H4的內壁和覆銅層疊板 10的兩個主面101、102上形成無電解鍍膜(無電解銅鍍膜141)。接著，如圖1E所示，以無電解銅鍍膜141為晶種層，進行電解鍍銅處理來形成電解 銅鍍膜142。此時，以電解銅鍍膜142填充貫通孔H4來形成通孔導體143。此時，貫通孔H4的連接部H3附近較窄，因此該較窄位置首先被填滿，從該被填滿 的位置依次沉積銅，從而生長通孔導體143。隨著通孔導體143的生長而從貫通孔H4內排 出空氣等。因而，在貫通孔H4內難以形成空氣等被封閉在內而形成的所謂空隙。
另外，貫通孔H4的孔徑較小，以通過電解鍍銅而形成的電解銅鍍膜142來填充貫 通孔H4，因此在通孔導體143內也可以不填充樹脂等。當貫通孔H4的開口直徑(第一開口 H12的直徑R1以及第二開口 H22的直徑R2) 在50 y m 300 y m的範圍內時，容易兼顧通孔導體143的連接可靠性和多個通孔導體143 之間的窄間距化。另外，當貫通孔H4的最小直徑(直線Gx與直線Gy之間的距離)w在 30 y m 200 y m的範圍內時，能夠得到低電阻且連接可靠性高的通孔導體143。本實施方式的貫通孔H4的第一開口 H12的直徑R1和第二開口 H22的直徑R2都 是150 u m,能夠形成適當的通孔導體143。接著，如圖1F以及圖2C所示，對電解銅鍍膜142以及銅箔層11、13進行圖案形 成，在基板12的第一面121形成導體電路144 (第一導體電路)，在第二面122形成導體電 路145 (第二導體電路)。導體電路144與導體電路145通過通孔導體143而導通。通過在 基板12上形成導體電路，來完成印刷電路板100。在實施方式1中，導體電路144、145由 金屬層(銅箔)、無電解鍍膜(無電解銅鍍膜141)以及電解鍍膜(電解銅鍍膜142)構成。 通孔導體143由無電解鍍膜(無電解銅鍍膜141)和電解鍍膜(電解銅鍍膜142)構成。如圖1F以及圖2C所示，這樣完成的印刷電路板100具有絕緣性基板12，其具有 貫通孔H4，在基板12內部連接形成於第一面121側的第一盲孔HI和形成於與第一面121 相對的第二面122側的第二盲孔H2而形成該貫通孔H4 ；導體電路144，其形成於基板12的 第一面121上；導體電路145，其形成於基板12的第二面122上；以及通孔導體143，其由填 充貫通孔H4的銅構成，電連接導體電路144與導體電路145。如上所述，本實施方式所涉及的製造方法在基板12的第一面121側形成深度D1 的第一盲孔H1，在第二面122側形成深度D2的第二盲孔H2。此時，形成為深度D1加上深 度D2而得到的長度大於基板12的厚度。因而，即使第一盲孔HI的重心線L1的位置與第 二盲孔H2的重心線L2的位置錯開，也能夠以足夠大小的內徑(最小直徑w)連接第一盲孔 HI與第二盲孔H2，從而能夠形成貫通孔H4。因而，通過填充貫通孔H4的通孔導體143，以 低電阻率電連接形成於基板12的第一面121上的導體電路144與形成於第二面122上的 導體電路145。並且，貫通孔H4形成為中央部分的直徑小、隨著朝向第一面121以及第二面122 而直徑變大的沙漏狀。因此，在通過鍍銅來填充貫通孔H4內時，銅從小徑部分開始沉積，向 基板12的表面生長，因此不容易產生空隙。因而，不容易產生以空隙為起點的裂紋。另外，通孔導體143不容易含有空隙，因此布線電阻較小，不容易產生布線延遲， 能夠傳輸高頻信號。另外，例如，將深度D1設為小於基板12的厚度的1/2，將深度D2設為大於基板12 的厚度的1/2，由此第一盲孔H 1與第二盲孔H2的交叉部分形成在比基板12的中央更靠近 第一面121的位置處。因此，在第一盲孔HI與第二盲孔H2的交叉部分，第一盲孔H 1的內 壁的傾斜不容易變陡，因此即使第一盲孔HI與第二盲孔H2的位置錯開也容易連接。因而， 能夠降低第一盲孔HI與第二盲孔H2的定位精確度。接著，詳細說明將第一盲孔HI和第二盲孔H2加工成錐形狀的方法。首先，雷射加工機例如使用二氧化碳雷射、UV-YAG(Ultraviolet-Visible-Yttriu m-Aluminum-Garnet 釔鋁石榴石紫外)雷射。
10
接著，說明利用雷射加工機的雷射照射方法的四個示例。(A)如圖5A所示，通過對銅箔等較薄金屬層的面直接照射雷射，來將第一盲孔HI 和第二盲孔H2分別形成為錐形形狀。該方法被稱為直接開孔法。是上述的方法。(B)如圖5B所示，通過蝕刻等在銅箔層11、13上形成開口，準備露出了基板12的 覆銅層疊板10。將形成有開口的銅箔層11、13稱為敷形掩模。接著，通過對從銅箔層11、 13的開口露出的基板12照射雷射，來將第一盲孔HI、第二盲孔H2形成為錐形形狀。將該 方法稱為敷形掩模法。(C)是如下方法通過對基板12照射中心部的能量比周邊部的能量強的雷射，來 將第一盲孔HI和第二盲孔H2形成為錐形形狀。也可以將方法(A)或者⑶與方法(C)進行組合。更優選使用能量從中心向周邊呈指數函數衰減的雷射，來形成第一盲孔HI、第二 盲孔H2。圖5C通過雷射長度P來示意性地示出一個脈衝的雷射的能量強度。如圖所示，該 雷射的中心部的能量(P1)比周邊部的能量(P2)強，能量從中心部向周邊部呈指數函數地 變弱。(D)是如下方法如圖5D所示，通過多次照射脈衝狀的雷射，來將第一盲孔HI和 第二盲孔H2形成為錐形形狀。在該方法中，優選使雷射的直徑逐漸縮小。更優選使用中心部的能量密度高於周邊部的能量密度的雷射作為形成盲孔的最 終的脈衝狀雷射。在上述方法(A)至(C)中也是，為了控制要形成的第一盲孔HI、第二盲孔H2的深 度和形狀，優選多次照射雷射。(實施方式2)在實施方式1中，說明了貫通孔形成條件(3)中的第一開口 H12的直徑R1與第二 開口 H22的直徑R2大小相同的情況。在實施方式2中說明第一開口 H12的直徑R1大於第 二開口 H22的直徑R2的情況。此外，除此以外與實施方式1相同。在本實施方式中，調整雷射加工裝置的雷射照射範圍，將第一開口 H12的直徑R1 形成為250 u m,將第二開口 H22的直徑R2形成為小於第一開口 H12的直徑R1的200 u m。參照圖6A至圖6C來說明通過本實施方式形成的貫通孔H4的優點。圖6A至圖6C 是基板12的XZ截面圖。如圖6A所示，即使第一開口 H12的直徑R1與第二開口 H22的直徑R2相同，如果 滿足上述條件(1)和(2)，則即使重心線L1與重心線L2錯開(將重心線L1與重心線L2之 間的距離設為錯開量m)，第一盲孔HI與第二盲孔H2也容易連接，因此能夠形成貫通孔H4。但是，當錯開(錯開量ml)變大時，如圖6B所示那樣，在貫通孔H4中殘留第一盲 孔HI的頂點(在XZ截面圖中盲孔最深的部分)T1和第二盲孔H2的頂點T2。在這種情況 下，難以利用銅鍍膜來填充貫通孔H4，從而容易產生空隙。如圖6C所示，通過將第一開口 H12的直徑R1設得大於第二開口 H22的直徑R2，即 使是與圖6B的情況相同的錯開量ml，也能夠減少或者消除盲孔的頂點的數量(在圖6C中 僅殘留第一盲孔HI的頂點T1)。通過減少貫通孔H4內部所具有的頂點的數量，容易通過鍍 處理來填充貫通孔H4。另外，通過將第一盲孔HI的深度D1形成得較小(較淺)、直徑R1形成得較大，將第二盲孔H2的深度D2形成得較大(較深)、直徑R2形成得較小，能夠使由第一盲孔HI的 內壁和連接面H5包圍的第一盲孔HI的容量與由第二盲孔H2的內壁和連接面H5包圍的第 二盲孔H2的容量大致相等。當將第一盲孔HI的容量與第二盲孔H2的容量設為大致相等 時，要沉積到第一盲孔HI內的銅鍍膜的量與要沉積到第二盲孔H2內的銅鍍膜的量變的相 等。因而，能夠使形成於基板12的第一面121上的電解銅鍍膜142與形成於第二面122上 的電解銅鍍膜142的厚度大致相等。此外，上述連接面H5是被曲線包圍的面(參照圖12A 以及圖12B的連接面H5)，該曲線是連接第一盲孔HI與第二盲孔H2相連接的部分(G1、G2) 而得到的曲線。如上所述，在本實施方式所涉及的製造方法中，相對於具有較大直徑的第一開口 H12且從第一面121向第二面122呈錐形的第一盲孔HI，形成具有較小直徑的第二開口 H22 且從第二面122向第一面121呈錐形的第二盲孔H2。因而，在基板12內容易連接第一盲孔 HI與第二盲孔H2。因而，能夠降低對準第一盲孔HI與第二盲孔H2的位置的精確度。另外，如果將第一盲孔HI的容積與第二盲孔H2的容積形成為大致相同的容積，則 能夠使形成於基板12的第一面121上的電解銅鍍膜142的厚度與形成於第二面122上的 電解銅鍍膜142的厚度大致相等。(實施方式3)在實施方式3中，說明與實施方式1不同的、第一盲孔HI的內壁的縮徑比例與第 二盲孔H2的內壁的縮徑比例不同的情況。此外，除了縮徑比例以外與實施方式1相同。此外，縮徑是指盲孔的內徑從表面向底部逐漸變小。縮徑比例是指內徑變小的比 例。第一盲孔HI的縮徑比例是指相對於從基板12的第一面121向第二面122的距離的第 一盲孔HI的內徑變小比例。第二盲孔H2的縮徑比例是指相對於從基板12的第二面122 向第一面121的距離的第二盲孔H2的內徑變小比例。比較圖7A示出的參考例的第一盲孔HI與圖7B示出的本實施方式的第一盲孔HI 來說明通過本實施方式形成的貫通孔H4的優點。下面的圖7A至圖7F的截面圖是以通過第一盲孔HI的重心且與基板12的第一面 121垂直的直線為Z軸、以與Z軸垂直的直線為X軸而得到的XZ截面的圖。形成於基板12的第一面121側的參考例的第一盲孔HI呈圓錐形狀，其內徑以固 定的比例減少，其縮徑比例是固定的。如圖7A所示，其截面是等腰三角形。另一方面，形成於基板12的第一面121側的本實施方式的第一盲孔HI呈第一開 口 H12與頂點之間的中間部鼓出的大致圓錐形狀。第一盲孔HI的縮徑比例不固定而是從第 一開口 H12向頂點變大。如圖7B所示，其截面是兩個壁部向外側鼓出的大致弧狀的形狀。如圖7A以及圖7B所示，即使在第一盲孔HI的深度D1以及第一開口 H12的直徑 R1相同的情況下，由於縮徑比例不同，其截面形狀也有很大不同。在本實施方式中，將第一開口 H12的直徑R1形成為250 u m,將第一盲孔HI的深度 D1 形成為 0. 125mm。在此，使用圖8A至圖8C來詳細說明圖7A、7B示出的第一盲孔HI的縮徑比例。圖 8A至圖8C是VW截面圖。首先，說明VW截面圖的原點、V軸以及W軸。第一盲孔HI的頂點(XZ截面圖中第一盲孔HI最深的部分)為原點。並且，通過該原點且與基板12的第一面121平行的直線 是V軸，通過第一盲孔HI的頂點(原點)且與V軸垂直的直線是W軸。將與V軸平行的直線與圖7A示出的第一盲孔HI的內壁的交點設為V11、V12。另 外，將與V軸平行的直線與圖7B示出的第一盲孔HI的內壁的交點設為V21、V22。交點VII、 V21位於第二象限，交點V12、V22位於第一象限，將第一象限的交點與第二象限的交點之間 的距離設為內徑V1、V2。另外，將連接交點V11、V12之間或者交點V21、V22之間且與V軸平 行的直線和W軸的交點的值設為Wn。將通過點(0、Wn)且與V軸平行的直線稱為直線Wn， 將值Wn處的內徑設為VI (ffn)、V2 (ffn)。VI (ffn)是圖8A示出的第一盲孔HI的內徑，V2 (ffn) 是圖8B示出的第一盲孔HI的內徑。上述圖7A與圖8A對應，圖7B與圖8B對應。在使W坐標的值從0(頂點)變化到D1 (從第一盲孔HI的底部到第一面121為止。 在此，與第一盲孔HI的深度D1的正負的值相反。)的情況下，圖8A示出的盲孔的內徑VI 與W的值成比例地發生變化。另一方面，圖8B示出的第一盲孔HI的內徑V2相對於W的值 的變化如下從0 (頂點)到極值點為止變化大，內徑V2的值從極值點到D1 (第一面121) 為止變化不大。內壁的縮徑比例在極值點處彎曲。在圖8C中詳細示出圖8B，當直線Wn向W軸方向變化AW時，內徑V2變化AV2。 能夠將AW與AV2的比例(AV2/AW(= ( A V21+A V22) / A ff))表示為縮徑比例。此夕卜， AV21表示直線Wn在W軸方向上變化AW時從W軸到交點V21的距離發生變化的量，AV22 表示從W軸到交點V22的距離發生變化的量。也就是說，AV2是變化前的內徑V2(Wn)的 值減去變化後的內徑V2 (ffn+ A ffn)的值而得到的值的絕對值。在第一盲孔HI的形狀是圖8C示出那樣的形狀的情況下，從極值點到頂點為止內 徑V2發生變化的比例A V2b大於從表面到極值點為止內徑V2發生變化的比例AV2a。也 就是說，圖7B的第一盲孔HI從表面到底部附近為止內徑V2的長度大致為相同大小，頂點 附近為鈍角形狀。接著，在第二面122側形成圓錐形狀的第二盲孔H2，該第二盲孔H2相對於這些第 一盲孔HI，如圖7C所示那樣直徑R2與第一開口 H12的直徑R1相同，深度D2大於第一盲孔 HI的深度D1，截面為等腰三角形。在本實施方式中，將第二盲孔H2的直徑R2形成為25011111、將深度02形成為 0.225mm。圖7D示出由圖7A的第一盲孔HI和圖7C的第二盲孔H2構成的貫通孔H4。在圖 7D中，第一盲孔HI和第二盲孔H2的形狀是圓錐，重心線L1與重心線L2 —致。將圖7D的 貫通孔H4的最小直徑設為R01。另一方面，圖7E示出由圖7B的第一盲孔HI和圖7C的第二盲孔H2構成的貫通孔 H4。在圖7E中，第一盲孔HI的形狀是大致半球形，第二盲孔H2的形狀是圓錐。並且，第一 開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的重心線L2 —致。此時，將圖7E的貫通孔H4的最 小直徑設為R02。在這種情況下，如圖7B所示，從第一面121到底附近(頂點附近)為止的第一盲 孔HI的內徑的大小接近於第一開口 H12的直徑R1的大小。與此相對，圖7A示出的第一盲 孔HI的內徑從第一面121向頂部以固定比例變小。因此，在第一盲孔HI的截面的內壁形 狀從頂部向基板12的第一面121呈指數函數變化的情況(圖7B示出的情況)和呈線性變
13化的情況(圖7A示出的情況)下，第二盲孔H2進入第一盲孔HI的量(體積)不同。前者 的進入量(體積)大於後者。也就是說，最小直徑R02大於最小直徑R01。因此，與填充具有圖7A示出的參考例 的第一盲孔HI的貫通孔H4的通孔導體143相比，填充具有圖7B示出的第一盲孔HI的貫 通孔H4的通孔導體143容易成為低電阻。另外，如圖7F所示，即使重心線L1與重心線L2 錯開，也能夠使最小直徑R02』的大小與重心線L1和重心線L2 —致時的最小直徑R02的大 小大致相同。另外，圖7E示出的貫通孔H4的容積大於圖7D示出的貫通孔H4的容積，因此通孔 導體143所具有的金屬量多，連接可靠性高。並且，能夠使第一盲孔HI的容積與第二盲孔H2的容積形成為大致相等。因而，在 使電解銅鍍膜142沉積到基板12的第一面121和第二面122時，能夠使電解銅鍍膜142的
厚度大致相等。圖7E示出的貫通孔H4的第一盲孔HI與第二盲孔H2相交叉的部分優選存在於基 板12的中央與第一面121之間。此外，基板12的中央是指通過基板12的厚度一半的部分 且與第一面121平行的直線。並且，期望第一盲孔HI與第二盲孔H2相交的部分存在於如下位置處且最小直徑 R02的大小為第一開口 H12的直徑R1的2/3以上9/10以下，所述位置距第一面121的深度 大於基板12的厚度的1/3且比基板12的中央更靠近第一面121側。形成於滿足這種條件 的貫通孔H4內的通孔導體143對於基板12的翹曲的連接可靠性變高。接著，說明用於形成貫通孔H4的雷射照射方法。例如能夠使用圖5C示出的能量從開口的中心向周邊呈指數函數變弱的雷射來形 成圖7B、圖8B示出的內徑V2的長度從面到頂點的大致相同大小且頂點呈鈍角的第一盲孔 HI。另外，也可以是如下方法通過多個脈衝來形成盲孔，改變各脈衝的雷射能量和照 射範圍。此時，期望各脈衝雷射使用能量從中心向周邊呈指數函數變弱的雷射。如上所述，通過形成縮徑比例不是固定值而是從面到規定深度(極值點)為止緩 和地變化、在規定深度以後大幅變化的第一盲孔H1，能夠擴大貫通孔H4的最小直徑。另外， 第一盲孔HI與第二盲孔H2相交的部分(極值點)優選存在於距基板12的第一面121的 深度大於基板12的厚度的1/3且比基板12的中央淺的位置。如果設為這種結構，則當將 金屬填充到貫通孔H4來形成通孔導體143時，能夠實現低電阻率和提高可靠性。並且，通過使第一盲孔HI和第二盲孔H2的容積大致相等，在使電解銅鍍膜142沉 積到基板12的第一面121和第二面122時，能夠使電解銅鍍膜142的厚度大致相等。(實施方式4)即使開口直徑或盲孔深度相同，在盲孔的內壁的傾斜陡峭的情況下，也會發生不 能形成貫通孔的情況。例如，當第一盲孔HI的內壁的傾斜陡峭時，如圖9A以及圖9B所示那 樣，第二盲孔H2形成用雷射的重心線Mb從第一盲孔HI形成用雷射的重心線Ma僅錯開少 許，就有可能使第一盲孔HI與第二盲孔H2的連接變得困難，或者使連接部H3的直徑變得 異常小。在這種情況下，有可能得不到預期的性能。此外，重心線Ma是通過用於形成第一 盲孔HI的雷射的照射範圍重心且與基板12的第一面121垂直的直線，重心線Mb是通過用於形成第二盲孔H2的雷射的照射範圍重心且與基板12的第二面122垂直的直線。另外， 存在由於所照射的雷射的能量密度、照射範圍的形狀等而雷射的照射範圍的重心線Ma、Mb 成為開口的重心線L1、L2的情況。 因此，期望將第一盲孔HI的內壁的傾斜形成得較小(第一盲孔HI的頂點附近為 鈍角)，另一方面，將進入第一盲孔HI的第二盲孔H2的內壁的傾斜形成得較大(第二盲孔 H2的頂點附近為銳角)。 在實施方式4中，與實施方式3的情況同樣地，第一盲孔HI與第二盲孔H2形成為 不同的形狀。使用圖10A至圖10F來說明形成貫通孔H4的條件。此外，圖10A至圖10F是基板12的XZ截面圖。該XZ截面以通過後述的第一開口 H12的重心且與第一面121垂直的直線為Z軸，以通過第一開口 H12的重心且與第一面121 平行的直線為X軸。在圖10A以及圖10B中，基板12的厚度為0. 2mm，第一開口 H12的直徑R1與第二 開口 H22的直徑R2相同(直徑R1 =直徑R2)，第一盲孔HI的深度D1小於(淺於)第二盲 孔H2的深度D2。具體地說，直徑R1和直徑R2為15011111，深度01為0. 08mm，深度D2為0. 180mm。如圖10A所示，將第一盲孔HI的內壁(側壁)被XZ平面切斷而得到的曲線設為 交線1，將第二盲孔H2的內壁(側壁)被XZ平面切斷而得到的曲線設為交線2，將交線1 與交線2相交的點設為交點P。交點P是第一盲孔HI的內壁與第二盲孔H2的內壁相交的 點。如圖10B所示，交點P處的交線1的切線的斜率大小(斜率的絕對值| AZ1/AX|)和 交線2的切線的斜率大小(斜率的絕對值| AZ2/AX|)滿足以下關係。(4)交線1的切線的斜率大小(| AZ1/AX|) <交線2的切線的斜率大小(| A Z2/ AX|)說明由除了滿足實施方式1中示出的條件⑴至(3)以外還滿足條件⑷的第一 盲孔HI和第二盲孔H2形成的貫通孔H4的優點。在圖10C、圖10D中，在與實施方式3同樣地重心線L1與重心線L2錯開偏離量為 w2(錯開量)的距離的情況下，滿足條件(4)的圖10D的最小直徑大於圖10C的最小直徑。如圖10E所示，在不滿足條件(4)的情況下，在由第一盲孔HI的左側壁面和第二 盲孔H2的左側壁面包圍的部分中，絕緣層(在圖中，被虛線包圍的向貫通孔H4的內部方向 突出的部分的樹脂)沒有被雷射去除而向貫通孔H4的內部突出。另一方面，如圖10F所示， 在滿足條件(4)的情況下，在由第一盲孔HI的左側壁面和第二盲孔H2的左側壁面包圍的 部分中不存在絕緣層，不會形成向貫通孔H4的內部突出的部分。 當通過鍍處理來填充具有向貫通孔H4的內部突出的樹脂的貫通孔H4來形成通孔 導體143時，在基板12上容易產生裂紋。然而，滿足條件(4)的貫通孔H4不容易形成向貫 通孔H4的內部突出的樹脂，在基板12上不容易產生裂紋。 另外，在滿足條件(1)至(4)的貫通孔H4中，第一盲孔HI與第二盲孔H2交叉的 部分(接合部P10)優選存在於基板12的中央與第一面121之間。第一盲孔HI與第二盲 孔H2交叉的部分更優選存在於距第一面121的深度大於基板12的厚度的1/3且比基板 12的中央淺的位置處，並且期望最小直徑R02的大小為第一開口 H12的直徑R1的2/3以上9/10以下。這是因為當在這種貫通孔H4內形成通孔導體143時，對於基板12的翹曲， 在通孔導體143、基板12上不容易產生裂紋。另外，在通孔導體143與基板12之間不容易 產生剝落。另外，為了形成滿足條件(1)至(4)的貫通孔H4，期望在形成第一盲孔HI時，使用 能量從雷射的照射範圍的重心向周邊呈指數函數變弱的雷射，在形成第二盲孔H2時，使用 能量從雷射的照射範圍的重心向周邊線性變弱的雷射。如上所述，通過形成滿足條件⑴至⑷的貫通孔H4，即使重心線L1與重心線L2 錯開，也不容易形成向貫通孔H4的內部突出的樹脂部分。因此，容易通過鍍處理來填充該 貫通孔H4內。即使將金屬填充到該貫通孔H4內來形成通孔導體143，也不容易產生裂紋。另外，在將金屬填充到該貫通孔H4內時，從最小直徑的部分起向第一面121和第 二面122均勻地沉積鍍膜，因此即使在第一面121或者第二面122上不沉積所需以上的銅， 也能夠形成導體電路144、145。因而，能夠使形成於基板12的第一面121和第二面122上 的導體電路144、145的厚度變薄。並且，能夠使由第一開口 H12、第一盲孔HI的內壁以及連接面H5包圍的第一盲孔 HI的容積與由第二開口 H22、第二盲孔H2的內壁以及連接面H5包圍的第二盲孔H2的容積 大致相等，因此容易使沉積到基板12的表面和背面的電解銅鍍膜142的厚度形成為相同厚度。(實施方式5)在實施方式1中，以用於形成第一盲孔HI的雷射的重心線Ma與用於形成第二盲 孔H2的雷射的重心線Mb—致的方式形成兩個盲孔，由此形成了貫通孔H4。與此相對，在實 施方式5中，形成重心線Ma與重心線Mb相距(偏離)規定距離的盲孔。在本實施方式中， 說明形成圖6A所示那樣的第一開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的重心線L2不重疊 的貫通孔H4的方法。此外，在本實施方式中，以基板12(絕緣基板)為初始材料。首先，在基板12上形成基準孔B1、B2、B3、B4來作為對準標記。接著，與實施方式1同樣地，在基板12的第一面121上與對準標記相關聯地確定 XY坐標。接著，確定要照射雷射的坐標用來在基板12的第一面121上形成第一盲孔HI。例 如，將照射範圍的重心線Ma的坐標設為(X1、Y1) = (100,100) 與實施方式1同樣地形成第一盲孔H1，將基板12翻過來。接著，與對準標記相關聯地在基板12的第二面122上確定XY坐標。此外，第二面 122的XY軸是將第一面121的XY軸等倍投影在第二面122上而得到的軸。接著，確定要照射雷射的坐標用來在基板12的第二面122上形成第二盲孔H2。例 如，將照射範圍的重心線Mb的坐標設為(X2、Y2) = (100、105)。在這種情況下，第二開口 H22的重心坐標和第一開口 H12的重心坐標在Y軸方向相距5 u m。之後，與實施方式1同樣地形成第二盲孔H2，由此形成貫通孔H4。這樣，通過改變照射用於形成第一盲孔HI的雷射的位置(坐標)和照射用於形成 第二盲孔H2的雷射的位置(坐標)，能夠形成第一開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的 重心線L2不重疊的貫通孔H4。如上所述，通過形成第一開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的重心線L2錯開的貫通孔H4，即使在由於形成於第一面121上的導體電路144與形成於第二面122上的導 體電路145之間的布線關係而無法在相同的坐標處形成貫通孔H4的情況、在布線區域較大 而無法在相同的坐標處形成貫通孔H4的情況下，也能夠形成貫通孔H4。另外，通過使重心線L1與重心線L2相互偏離，連接面H5難以與基板12的第一面 121、第二面122平行。也就是說，連接面H5相對於基板12的第一面121、第二面122具有 角度。連接面H5相對於基板12的第一面121和第二面122傾斜，由此通孔導體143對於 基板12的翹曲的連接可靠性提高。(實施方式6)在實施方式2中，用於形成第一盲孔HI的雷射的照射範圍的重心線Ma與用於形 成第二盲孔H2的雷射的照射範圍的重心線Mb—致。並且，以滿足條件(1)至(3)的方式 形成盲孔，由此形成貫通孔H4。與此相對，實施方式6與實施方式5同樣地，雷射的照射範圍的重心線Ma與雷射 的照射範圍的重心線Mb相距規定距離。因此，如圖6C所示，本實施方式的貫通孔H4的第 一開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的重心線L2相互偏離。如上所述，在本實施方式中，即使第一盲孔HI的形成位置與第二盲孔H2的形成位 置錯開，也容易形成貫通孔H4。(實施方式7)在實施方式3中，用於形成第一盲孔HI的雷射的照射範圍的重心線Ma與用於形 成第二盲孔H2的雷射的照射範圍的重心線Mb —致。並且，第一盲孔HI形成為內徑從第一 面121到極值點的變化小，內徑從極值點到底部(頂點)的變化大。與此相對，實施方式7與實施方式5同樣地，雷射的照射範圍的重心線Ma與雷射 的照射範圍的重心線Mb相距規定距離。因此，如圖7F所示，本實施方式的貫通孔H4的第 一開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的重心線L2相互偏離。如上所述，在本實施方式中，即使第一盲孔HI的形成位置與第二盲孔H2的形成位 置錯開，也容易形成貫通孔H4。(實施方式8)在實施方式4中，用於形成第一盲孔HI的雷射的照射範圍的重心線Ma與用於形 成第二盲孔H2的雷射的照射範圍的重心線Mb—致。並且，以滿足條件(1)至(4)的方式 形成盲孔，由此形成貫通孔H4。與此相對，實施方式8與實施方式5同樣地，雷射的照射範圍的重心線Ma與雷射 的照射範圍的重心線Mb相距規定距離。因此，如圖10F所示，本實施方式的貫通孔H4的第 一開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的重心線L2相互偏離。為了提高連接形成於基板12上的導體電路144與導體電路145之間的通孔導體 143的可靠性，偏離量(重心線L1與重心線L2之間的距離)優選在第一開口 H12的直徑 R1的50%以下。如圖11A所示，在理想地形成貫通孔H4而重心線L1與重心線L2—致的情況下， 連接部H3的開口直徑(最小直徑H3』 )變大。另一方面，在無法形成理想的貫通孔H4而 重心線L1與重心線L2不一致的情況下，如圖11B所示那樣連接部H3的開口直徑(最小直 徑H3」)小於重心線L1與重心線L2 —致的情況下的開口直徑。
17
然而，即使重心線L1與重心線L2有較大不一致，在本實施方式中，進入第一盲孔 HI的第二盲孔H2的部分也較大。因而，能夠得到用於連絡的足夠大的連接部H3的開口直 徑。因此，即使形成第一盲孔HI和第二盲孔H2的位置錯開，也能夠連接第一盲孔HI與第 二盲孔H2，形成具有預期性能的貫通孔H4。根據本實施方式，重心線L1和重心線L2不一致的貫通孔H4與重心線L1和重心 線L2 —致的貫通孔H4同樣地，能夠使貫通孔H4的最小直徑變大。因此，能夠減小通孔導 體143的電阻。另外，即使每個貫通孔H4的重心線L1與重心線L2的偏離量不同，也容易 防止所形成的各通孔導體143的電阻值改變。偏離量(重心線L1與重心線L2之間的距離)期望在第一開口 H12的直徑R1的 5%以上30%以下。如圖12A、圖12B所示，第一盲孔HI與第二盲孔H2相連接的連接面H5 相對於基板12的第一面121以及第二面122傾斜，連接面H5與第一面121以及第二面122 之間的角度0容易變小。此外，圖12A是圖12B的XZ截面。角度0是XZ截面圖中的連 接面H5相對於第一面121所具有的角度。當通孔導體143的連接面H5相對於基板12的面(第一面121以及第二面122) 傾斜時，即使在印刷電路板100產生翹曲的情況下，施加到通孔導體143的接合部P10(第 一盲孔HI和第二盲孔H2相連接的部分)的力也容易分散。因此，在通孔導體143、印刷電 路板100中不容易產生裂紋，從而有效防止通孔導體143與基板12之間剝落。並且，如果角度e小，則即使基板12向Z軸方向膨脹，也容易保持通孔導體143 的連接可靠性較高的狀態。因此，角度9優選在5度以上40度以下。並且，當角度e在 10度以上30度以下時，長期可靠性提高。如上所述，以滿足條件⑴至⑷的方式形成貫通孔H4，由此即使定位精確度低， 也能夠形成正常的貫通孔H4。另外，通過以第一開口 H12的重心線L1與第二開口 H22的重心線L2相互偏離(不 一致)而連接面H5變得傾斜的方式來形成貫通孔H4，由此不容易產生裂紋，能夠使通孔導 體143與印刷電路板100之間不容易剝落。也就是說，即使在印刷電路板100容易產生翹 曲的情況下，也能夠提高通孔導體143的可靠性。(應用例)將上述印刷電路板100作為多層電路板的芯基板20，在芯基板20上進一步層疊絕 緣層，來形成積層印刷電路板200 (圖13D、圖14B)。在應用例中，說明在芯基板20的兩面形成積層層的情況。該積層層具有層間樹脂 絕緣層21、22、導體電路148、149以及通路導體H6。首先，如圖13A所示，芯基板20的結構及其製造方法基本上與上述的印刷電路板 100的結構及其製造方法相同。但是，作為積層印刷基板的芯，準備符合支承積層層和部件 的強度、形成上層部時所需的耐熱性、熱膨脹性、大小穩定性以及翹曲、扭曲等上部層形成 工序條件的芯。接著，在芯基板20兩側的面上層疊絕緣膜(例如，AjinomotoFine-Techno株式會 社制的ABF系列)，使該絕緣膜熱固化來形成層間樹脂絕緣層。接著，對層間樹脂絕緣層兩側的面照射雷射，來形成從層間樹脂絕緣層的表面到 達芯基板20上的導體電路144、145或者通孔導體143的通路導體H6用盲孔。
接著，在盲孔的內壁和層間樹脂絕緣層上形成無電解銅鍍膜141。接著，在無電解銅鍍膜141上形成抗鍍層，保護不進行鍍處理的部分。接著，在沒有被抗鍍層覆蓋的露出部分的無電解銅鍍膜141上形成電解銅鍍膜 142。接著，去除抗鍍層。並且，通過去除存在於層間樹脂絕緣層上的電解銅鍍膜142之間的無電解銅鍍膜 141，來形成如圖13B以及圖14A所示那樣，由無電解銅鍍膜141和該膜上的電解銅鍍膜142 構成的導體電路148、149和通路導體H6。該通路導體H6優選是由填充形成於層間樹脂絕 緣層的盲孔內部的鍍膜構成的通孔導體。通過通路導體H6，電連接芯基板20的導體電路144、145或者通孔導體143與層間 樹脂絕緣層上的導體電路148、149。接著，按照要層疊的層數來反覆進行從層間樹脂絕緣層21、22的形成工序到圖案 形成工序的各工序，來形成多層基板。接著，如圖13C所示，在多層基板的兩個表面形成具有盲孔36、37的阻焊層31、32， 該盲孔36、37用於使導體電路148、149的一部分、通路導體H6露出。形成於阻焊層31、32 的盲孔36、37可以使通孔導體H6的上表面的一部分露出，也可以除了通路導體H6的整個 上表面以外還使與通路導體H6電連接的導體電路148、149的一部分露出。接著，在從阻焊層31、32的盲孔36、37露出的導體電路148、149、通路導體116上形 成鎳、鈀、金等金屬膜，來形成焊盤。接著，在焊盤上印刷焊錫膏。接著，通過回流焊來在焊盤上形成焊錫凸塊38、39。如圖13D所示，具有焊錫凸塊 38,39的積層印刷電路板200經由焊錫凸塊38、39與IC晶片等電子部件或者子板等電連接。如圖13D以及圖14B所示，積層印刷電路板200具有絕緣性的芯基板20，其具有 貫通孔H4，該貫通孔H4由形成於第一面側的第一盲孔HI和形成於與第一面相對的第二面 側的第二盲孔H2構成，通過在基板的內部連接第一盲孔HI與第二盲孔H2來得到該貫通 孔H4 ；導體電路144，其形成於芯基板20的第一面上；導體電路145，其形成於芯基板20的 第二面上；通孔導體143，其由填充貫通孔H4的金屬構成，電連接導體電路144與導體電路 145 ；層間樹脂絕緣層21 (第一層間樹脂絕緣層)，其形成於芯基板20的第一面上；層間樹 脂絕緣層22 (第二層間樹脂絕緣層)，其形成於芯基板20的第二面上；導體電路148 (第一 導體電路)，其形成於層間樹脂絕緣層21的表面；導體電路149 (第二導體電路)，其形成於 層間樹脂絕緣層22的表面；通路導體H6，其電連接芯基板20的導體電路144、145與層間 樹脂絕緣層上的導體電路148、149 ；阻焊層31，其形成於層間樹脂絕緣層21上，具有使焊盤 露出的盲孔36 ；阻焊層32，其形成於層間樹脂絕緣層22上，具有使焊盤露出的盲孔37 ；以 及焊錫凸塊38、39，其形成於焊盤上。另外，上述的電路板的結構、製造工序為一例，能夠任意地進行變更以及修改。(a)在上述實施方式中，說明了在基板12上形成有銅金屬層的覆銅層疊板10，但 是並不限於銅，也可以使用形成有鎳等其它金屬層的帶金屬的基板。(b)在上述實施方式中，作為填充貫通孔H4的導體，例示了銅，但是也能夠填充銅以外的金屬等導體。例如，也可以代替無電解鍍銅處理，而進行無電解鍍鎳處理來形成無電 解鎳膜。或者，也可以代替電解鍍銅處理，而進行電解鍍鎳處理來形成電解鎳膜，或者進行 電解鍍錫處理來形成電解錫鍍膜。(c)在上述實施方式中，通過進行無電解鍍處理來形成無電解銅鍍膜，通過進行電 解鍍處理來形成電解銅鍍膜142，但是也可以進行濺射來堆積金屬。例如，濺射銅，將由銅構 成的濺射膜作為晶種層。也可以進一步濺射銅或者銅和鈦，在晶種層上形成銅或者銅和鈦 的濺射膜。(d)在各實施方式中，也可以使第一盲孔HI與第二盲孔H2的形成順序相反。也 就是說，在各實施方式中，也可以首先在基板12上形成第二盲孔H2，接著形成第一盲孔HI。 在形成貫通孔H4之後，能夠進行與實施方式1和應用例同樣的處理。(e)在各實施方式中，示出將第一盲孔HI的第一開口 H12和第二盲孔H2的第二 開口 H22設為圓形的示例，但是第一開口 H12和第二開口 H22的形狀是任意的。例如，如圖 15A所示，第一開口 H12、第二開口 H22也可以是橢圓形。在這種情況下，例如將橢圓的長徑 設為第一開口 H12、第二開口 H22的直徑Rl、R2。另外，如圖15B所示，第一開口 H12、第二 開口 H22也可以是多角形。在這種情況下，例如將連接多角形的對角(或者與某個角相對 的邊)的線設為第一開口 H12、第二開口 H22的直徑R1、R2。(f)在各實施方式中，將印刷電路板的初始材料設為覆銅層疊板10，但是還能夠 設為基板12。產業上的可利用件本發明所涉及的印刷電路板適合於電子設備的電路基板。另外，本發明所涉及的 印刷電路板的製造方法適合於製造電子設備的電路基板。
20
權利要求
一種印刷電路板的製造方法，包括以下工序準備具有第一面和與該第一面相對的第二面的基板；在上述基板的上述第一面側形成第一開口部，該第一開口部在上述第一面具有第一開口，該第一開口部的內徑從上述第一面朝向上述第二面縮小；通過在上述基板的上述第二面側形成第二開口部來形成貫通孔，其中，上述第二開口部在上述第二面具有第二開口，該第二開口部的內徑從上述第二面朝向上述第一面縮小，上述貫通孔貫通上述基板，通過連接上述第一開口部與上述第二開口部來得到該貫通孔；在上述基板的上述第一面形成第一導體電路；在上述基板的上述第二面形成第二導體電路；以及通過鍍處理來填充上述貫通孔，由此形成通孔導體，該通孔導體電連接上述第一導體電路和上述第二導體電路，該印刷電路板的製造方法的特徵在於，上述第一開口的直徑R1的大小大於等於上述第二開口的直徑R2的大小，上述第一開口部的深度D1小於上述第二開口部的深度D2。
2.根據權利要求1所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於，上述第一開口部的深度D1與上述第二開口部的深度D2之和大於上述基板的厚度。
3.根據權利要求1所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於， 上述第一開口的形狀和上述第二開口的形狀是圓。
4.根據權利要求1所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於，上述第一開口的形狀和上述第二開口的形狀是橢圓，上述第一開口的直徑R1和上述 第二開口的直徑R2是長徑。
5.根據權利要求1所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於，在以通過上述第一開口的重心且與上述第一面垂直的直線為Z軸、以通過上述第一開 口的重心且與上述Z軸垂直的直線為X軸的情況下，將該XZ平面與上述第一開口部的內壁 相交的交線設為第一交線，將該XZ平面與上述第二開口部的內壁相交的交線設為第二交 線，上述第一交線與上述第二交線相交的交點處的第一交線的切線的斜率大小小於上述交 點處的第二交線的切線的斜率大小。
6.根據權利要求1所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於，上述第一開口部的深度D1小於上述基板的厚度的一半，上述第二開口部的深度D2大 於上述基板的厚度的一半。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於， 上述第一開口的直徑R1大於上述第二開口的直徑R2。
8.根據權利要求1至6中的任一項所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於， 還包括以下工序在上述基板的上述第一面和/或上述第二面形成積層層。
9.根據權利要求1至6中的任一項所述的印刷電路板的製造方法，其特徵在於，通過上述第一開口的重心且與上述第一面垂直的直線與通過上述第二開口的重心且 與上述第一面垂直的直線相互偏離。
10.一種印刷電路板，具有基板，其具有第一面和與該第一面相對的第二面以及貫通孔，該貫通孔是連接第一開 口部和第二開口部而得到的貫通孔，該第一開口部形成於上述第一面側，該第一開口部的內徑從上述第一面朝向上述第二面縮小，該第二開口部形成於上述第二面側，該第二開口 部的內徑從上述第二面朝向上述第一面縮小；第一導體電路，其形成於上述基板的上述第一面； 第二導體電路，其形成於上述基板的上述第二面；以及通孔導體，其由填充上述貫通孔的金屬構成，連接上述第一導體電路與上述第二導體 電路，該印刷電路板的特徵在於，上述第一開口部的深度為D1，在上述第一面具有直徑為R1的第一開口， 上述第二開口部的深度為D2，在上述第二面具有直徑為R2的第二開口， 上述第一開口的直徑R1的大小大於等於上述第二開口的直徑R2的大小，上述第一開 口部的深度D1小於上述第二開口部的深度D2。
11.根據權利要求10所述的印刷電路板，其特徵在於，上述第一開口部的深度D1與上述第二開口部的深度D2之和大於上述基板的厚度。
12.根據權利要求10所述的印刷電路板，其特徵在於， 上述第一開口的形狀和上述第二開口的形狀是圓。
13.根據權利要求10所述的印刷電路板，其特徵在於，在以通過上述第一開口的重心且與上述第一面垂直的直線為Z軸、以通過上述第一開 口的重心且與上述Z軸垂直的直線為X軸的情況下，將該XZ平面與上述第一開口部的內壁 相交的交線設為第一交線，將該XZ平面與上述第二開口部的內壁相交的交線設為第二交 線，上述第一交線與上述第二交線相交的交點處的第一交線的切線的斜率大小小於上述交 點處的第二交線的切線的斜率大小。
14.根據權利要求10所述的印刷電路板，其特徵在於，上述第一開口部的深度D1小於上述基板的厚度的一半，上述第二開口部的深度D2大 於上述基板的厚度的一半。
15.根據權利要求10至14中的任一項所述的印刷電路板，其特徵在於， 上述第一開口的直徑R1大於上述第二開口的直徑R2。
16.根據權利要求10至14中的任一項所述的印刷電路板，其特徵在於， 在上述基板的上述第一面和/或上述第二面還具有積層層。
17.根據權利要求10至14中的任一項所述的印刷電路板，其特徵在於，通過上述第一開口的重心且與上述第一面垂直的直線與通過上述第二開口的重心且 與上述第一面垂直的直線相互偏離。
全文摘要
本發明提供一種印刷電路板的製造方法以及印刷電路板。本發明所涉及的電路板從基板(12)的兩面通過形狀不同的孔來形成貫通孔(H4)。該貫通孔(H4)的形成於基板(12)的第一面側的第一開口部(H1)的深度比形成於第二面側的第二開口部(H2)的深度淺，第一開口的直徑大於第二開口的直徑。並且，由填充到貫通孔(H4)的金屬構成的通孔導體連接形成於基板(12)的第一面上的第一導體電路與形成於基板(12)的第二面上的第二導體電路。
文檔編號H05K1/11GK101925266SQ20101019915
公開日2010年12月22日 申請日期2010年6月9日 優先權日2009年6月9日
發明者山內勉, 野田宏太 申請人:揖斐電株式會社