一種節能型太陽能電池矽片清洗裝置的製作方法

2023-07-18 23:48:16 1

本實用新型屬於光伏組件生產技術領域，涉及一種節能型太陽能矽片清洗裝置以及清洗方法。

背景技術：

光伏行業是一個新興的行業，隨著光伏行業的快速發展，太陽能發電對單、多晶矽的要求量增大，同時對單、多晶矽的加工設備要求更高。伴隨集成電路製造工藝的不斷進步，半導體器件的體積正變得越來越小，這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的製造和性能，所以，矽片清洗工藝也變得越來越重要。太陽能電池矽片在切割後必需經過多級清洗，以去除附著在矽片表面的砂漿、金屬雜質和有機物等雜質。目前所用清洗設備為多級槽式清洗機，通常含有三級以上清洗槽，待清洗矽片從第一級清洗槽開始逐級清洗後移出，在第一清洗槽中矽片表面附著的雜質最多，以後將逐級減少。在現有的多級清洗槽結構中，每一級清洗槽有獨立的進水和出水系統，每級都有廢水排出，各級清洗槽中所排出的汙水直接排放，清洗矽片所需消耗的水量很大，這樣不僅耗水量大，能耗大，而且還會汙染環境，不利於光伏產業的長期發展。

技術實現要素：

本實用新型的目的是針對現有的技術存在上述問題，提出了一種節能型太陽能矽片清洗裝置以及清洗方法，清洗液得到循環利用，清洗液的進出過程中充分利用到其它環節的餘溫，降低了能耗。

本實用新型的目的可通過下列技術方案來實現：

一種節能型太陽能矽片清洗裝置，包括機架和裝載矽片的矽片架，機架上設有縱橫排列的第一清洗室、第二清洗室、第三清洗室、第四清洗室、第五清洗室、第六清洗室、第七清洗室、第八清洗室、第九清洗室、第一乾燥室、第二乾燥室、第三乾燥室和第四乾燥室；第二清洗室處於第一橫列；第四清洗室、第一乾燥室和第三清洗室處於第二橫列，且第一乾燥室處於第四清洗室和第三清洗室之間；第五清洗室、第二乾燥室、第一清洗室、第四乾燥室和第九清洗室處於第三橫列，且第二乾燥室處於第五清洗室和第一清洗室之間，第四乾燥室處於第一清洗室和第九清洗室之間；第六清洗室、第三乾燥室和第八清洗室處於第四橫列，且第三乾燥室處於第六清洗室和第八清洗室之間；第七清洗室處於第五橫列；第五清洗室處於第一縱列；第四清洗室、第二乾燥室和第六清洗室處於第二縱列，且第二乾燥室處於第四清洗室和第六清洗室之間；第二清洗室、第一乾燥室、第一清洗室、第三乾燥室和第七清洗室處於第三縱列，且第一乾燥室處於第二清洗室和第一清洗室之間，第三乾燥室處於第一清洗室和第七清洗室之間；第三清洗室、第四乾燥室和第八清洗室處於第四縱列，且第四乾燥室處於第三清洗室和第八清洗室之間；第九清洗室處於第五縱列；該矽片清洗裝置還包括將矽片架在各清洗室和各乾燥室之間進行移動的矽片架換位機構，矽片架換位機構包括提升矽片架的升降組件以及導軌組，升降組件的上端可滑動地固定在導軌組，升降組件的下端可拆卸地連接矽片架，導軌組通過支架固定在機架的上方；第二清洗室的進液口連接進液管二，進液管二與純水罐相連，第二清洗室的出液口連接排液管二，排液管二與廢液池相連；第四清洗室的進液口連接進液管四，進液管四與酸性溶液儲液罐一相連，進液管四依次穿設第三清洗室和第一乾燥室，並延伸至第四清洗室，第四清洗室的出液口連接排液管四，排液管四依次穿設第二乾燥室和第六清洗室，並與廢液池相連；第五清洗室的進液口連接進液管五，進液管五與純水罐相連，進液管五依次穿設第四清洗室、第二乾燥室，並延伸至第五清洗室，第五清洗室的出液口連接排液管五，排液管五依次穿設第二乾燥室、第六清洗室、第三乾燥室和第七清洗室，並與廢液池相連；第六清洗室的進液口連接進液管六，進液管六與鹼性溶液儲液罐相連，進液管六依次穿設第五清洗室和第二乾燥室，並延伸至第六清洗室，第六清洗室的出液口連接排液管六，排液管六依次穿設第三乾燥室和第八清洗室，並與廢液池相連；第七清洗室的進液口連接進液管七，進液管七與純水罐相連，進液管七依次穿設第六清洗室、第三乾燥室，並延伸至第七清洗室；第七清洗室的出液口連接排液管七，排液管七依次穿設第三乾燥室、第八清洗室和第四乾燥室，並延伸至第一清洗室，排液管七與第一清洗室的進液口相連；第一清洗室的出液口連接排液管一，排液管一依次穿設第一乾燥室和第三清洗室，並與廢液池相連；第八清洗室的進液口連接進液管八，進液管八與酸性溶液儲液罐二相連，第八清洗室的出液口連接排液管八，進液管八依次穿設第七清洗室和第三乾燥室，並延伸至第八清洗室；排液管八穿設第四乾燥室並延伸至第三清洗室，排液管八與第三清洗室的進液口相連；第三清洗室的出液口連接排液管三，排液管三依次穿設第一乾燥室和第四清洗室，並與廢液池相連；；第九清洗室的進液口連接進液管九，進液管九與純水罐相連，第九清洗室的出液口連接排液管九，排液管九依次穿設第四乾燥室、第一清洗室和第二乾燥室並延伸至第五清洗室，排液管九與第五清洗室的進液口相連。

第二清洗室通入純水清洗矽片，第四清洗室通入酸性溶液清洗矽片，第五清洗室通入純水清洗矽片，第六清洗室通入鹼性溶液清洗矽片，第七清洗室通入純水清洗矽片，第八清洗室通入酸性溶液清洗矽片，第九清洗室通入純水清洗矽片，在前一個清洗室內完成清洗後，矽片先被移入乾燥室內進行乾燥，然後移入下一個清洗室進行下一步清洗。第二清洗室、第四清洗室、第五清洗室和第六清洗室清洗後所形成的廢液都排入廢液池，第七清洗室清洗後所形成的廢液排入第一清洗室供下一批矽片清洗之用，第八清洗室清洗後所形成的廢液排入第三清洗室供下一批矽片清洗之用，第九清洗室的廢液排入第五清洗室供下一批矽片清洗之用，清洗液得到循環利用，且在清洗液的進出管路由於穿設了相鄰的乾燥室和其它清洗室，因此能充分利用餘溫，降低了能耗。

在上述的節能型太陽能矽片清洗裝置中，導軌組包括布置在第二橫列上方的第一橫嚮導軌、布置在第三橫列上方的第二橫嚮導軌、布置在第三橫列上方的第三橫嚮導軌、布置在第二縱列上方的第一縱嚮導軌、布置在第三縱列上方的第二縱嚮導軌和布置在第四縱列上方的第三縱嚮導軌；第一橫嚮導軌和第一縱嚮導軌垂直相交於第四清洗室的正上方；第一橫嚮導軌和第二縱嚮導軌垂直相交於第一乾燥室的正上方；第一橫嚮導軌和第三縱嚮導軌垂直相交於第三清洗室的正上方；第二橫嚮導軌和第一縱嚮導軌垂直相交於第二乾燥室的正上方；第二橫嚮導軌和第二縱嚮導軌垂直相交於第一清洗室的正上方；第二橫嚮導軌和第三縱嚮導軌垂直相交於第四乾燥室的正上方；第三橫嚮導軌和第一縱嚮導軌垂直相交於第六清洗室的正上方；第三橫嚮導軌和第二縱嚮導軌垂直相交於第三乾燥室的正上方；第三橫嚮導軌和第三縱嚮導軌垂直相交於第八清洗室的正上方。

在上述的節能型太陽能矽片清洗裝置中，升降組件包括升降基座和豎直延伸的升降板，升降板的下端固接有與矽片架平行的固定板，固定板的下端面設有吸盤，升降基座內設有絲杆和驅動絲杆轉動的電機，絲杆上連接有沿著絲杆上下移動的絲杆螺母座，絲杆螺母座與升降板固定連接。

在上述的節能型太陽能矽片清洗裝置中，每個清洗室都包括上室體和下室體，其中上室體具有一組隔板一、一組隔板二和一組隔板三，隔板一包圍出清洗槽，隔板二包圍在隔板一的外側，隔板二與隔板一之間形成進液腔，隔板三包圍在隔板二的外側，隔板三構成上室體的外壁，隔板三與隔板二之間形成加熱腔，加熱腔內設有電加熱器；隔板一具有至少兩個帶開關閥的入液口，清洗槽內還設有至少兩組噴淋管，每組噴淋管兩兩相對地固定在隔板一的內壁上，每個噴淋管上開設有若干個噴淋孔，且噴淋孔呈間隔地上下分布；每組噴淋管依次首尾相連，每組噴淋管的第一個噴淋管的進口固接入液管，入液管與隔板一的一個入液口連接；進液腔的底部具有帶開關閥的進液口，進液管穿設下室體並與進液口相連；清洗槽的底部具有帶開關閥的出液口，排液管穿設下室體並與出液口相連。

在上述的節能型太陽能矽片清洗裝置中，每個清洗槽內設有一個低液位感應器、一個高液位感應器和一個溫度感應器，溫度感應器固設在低液位感應器和高液位感應器之間，隔板一的入液口高於高液位感應器。

在上述的節能型太陽能矽片清洗裝置中，隔板三採用隔熱材料，隔板二採用導熱材料，隔板一採用保溫材料。

在上述的節能型太陽能矽片清洗裝置中，隔板一的內壁還水平凸設至少一對支撐架，矽片架放置在支撐架上，矽片架內承載矽片，兩支撐架的間距小於矽片架的寬度。

在上述的節能型太陽能矽片清洗裝置中，每個乾燥室都具有上乾燥室和下加熱室，其中上乾燥室具有隔板蓋板、一組圍板一和一組圍板二，圍板一包圍出容置矽片的乾燥腔；圍板二包圍在圍板一的外側，圍板二與圍板一之間形成氣流腔，圍板二構成上乾燥室的外壁，隔板蓋板蓋設在圍板一和圍板二的上端部；圍板一間隔地開設有若干個通氣孔，通氣孔連通氣流腔和乾燥腔；下加熱室容置加熱液體，並插入有電加熱棒；上乾燥室還設有多組噴氣管，噴氣管連接氮氣罐。

一種矽片清洗方法，採用上述節能型太陽能矽片清洗裝置，包括以下步驟：

1)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架傳送至第二清洗室內，開啟第二清洗室的進液口和入液口，進液管二向進液腔輸入純水，噴淋管將純水噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽內的液體浸沒矽片時，關閉進液口和入液口，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第二清洗室的清洗槽內的廢液通過排液管二排入廢液池，清洗槽內液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口；

2)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第二清洗室提出，並將其傳送至第一乾燥室內，矽片和矽片架在第一乾燥室內被乾燥，以去除矽片和矽片架附著的純水；

3)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第一乾燥室提出，並將其傳送至第四清洗室內，開啟第四清洗室的進液口和入液口，進液管二向進液腔輸入酸性溶液，同時將加熱腔內的電加熱器通電，進液腔內酸性溶液高度到達入液口處時，噴淋管將酸性溶液噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽內的液體浸沒矽片時，關閉進液口和入液口，矽片浸沒於酸性溶液中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第四清洗室的清洗槽內的廢液通過排液管四排入廢液池，清洗槽內液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向矽片噴酸性溶液，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口；

4)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第四清洗室提出，並將其傳送至第二乾燥室內，矽片和矽片架在第二乾燥室內被乾燥，以去除矽片和矽片架附著的酸性溶液；

5)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第二乾燥室提出，並將其傳送至第五清洗室內，開啟第五清洗室的進液口和入液口，進液管五向進液腔輸入純水，進液腔內純水高度到達入液口處時，噴淋管將純水噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽內的液體浸沒矽片時，關閉進液口和入液口，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第二清洗室的清洗槽內的廢液通過排液管五排入廢液池，清洗槽內液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口；

6)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第五清洗室提出，並將其傳送至第二乾燥室內，以去除矽片和矽片架附著的純水；

7)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第二乾燥室提出，並將其傳送至第六清洗室內，開啟第六清洗室的進液口和入液口，進液管六向進液腔輸入鹼性溶液，同時將加熱腔內的電加熱器通電，進液腔內鹼性溶液高度到達入液口處時，噴淋管將鹼性溶液噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽內的液體浸沒矽片時，關閉進液口和入液口，矽片浸沒於鹼性溶液中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第六清洗室的清洗槽內的廢液通過排液管六排入廢液池，清洗槽內液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向矽片噴鹼性溶液，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口；

8)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第六清洗室提出，並將其傳送至第三乾燥室內，矽片和矽片架在第三乾燥室內被乾燥，以去除矽片和矽片架附著的鹼性溶液；

9)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第三乾燥室提出，並將其傳送至第七清洗室內，開啟第七清洗室的進液口和入液口，進液管七向進液腔輸入純水，進液腔內純水高度到達入液口處時，噴淋管將純水噴向矽片，同時開啟出液口，噴淋3min後，關閉出液口，當清洗槽內的液體浸沒矽片時，關閉進液口和入液口，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第七清洗室的清洗槽內的廢液通過排液管七排入第一清洗室，用於下一批矽片清洗，清洗槽內液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口；

10)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第七清洗室提出，並將其傳送至第三乾燥室內，矽片和矽片架在第三乾燥室內被乾燥，以去除矽片和矽片架附著的純水；

11)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第三乾燥室提出，並將其傳送至第八清洗室內，開啟第八清洗室的進液口和入液口，進液管八向進液腔輸入酸性溶液，同時將加熱腔內的電加熱器通電，進液腔內酸性溶液高度到達入液口處時，噴淋管將酸性溶液噴向矽片，同時開啟出液口，噴淋3min後，關閉出液口，當清洗槽內的液體浸沒矽片時，關閉進液口和入液口，矽片浸沒於酸性溶液中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第八清洗室的清洗槽內的廢液通過排液管八排入第三清洗室，用於下一批矽片清洗，清洗槽內液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向矽片噴酸性溶液，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口；

12)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第八清洗室提出，並將其傳送至第四乾燥室內，矽片和矽片架在第四乾燥室內被乾燥，以去除矽片和矽片架附著的酸性溶液；

13)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第四乾燥室提出，並將其傳送至第九清洗室內，開啟第九清洗室的進液口和入液口，進液管九向進液腔輸入純水，進液腔內純水高度到達入液口處時，噴淋管將純水噴向矽片，同時開啟出液口，噴淋3min後，關閉出液口，當清洗槽內的液體浸沒矽片時，關閉進液口和入液口，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第九清洗室的清洗槽內的廢液通過排液管九排入第五清洗室，用於下一批矽片清洗，清洗槽內液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口；

14)啟動升降組件將承載有矽片的矽片架從第九清洗室提出，並將其傳送至第四乾燥室內，矽片和矽片架在第四乾燥室內被乾燥，以去除矽片和矽片架附著的純水，矽片完成清洗。

與現有技術相比，本實用新型具有的優勢是：

1、每個清洗室用於不同的清洗步驟，清洗液的進出管路穿設與之相鄰的清洗室或/和乾燥室，能充分利用餘溫，降低能耗；

2、第七清洗室清洗後所形成的廢液排入第一清洗室供下一批矽片清洗之用，第八清洗室清洗後所形成的廢液排入第三清洗室供下一批矽片清洗之用，第九清洗室的廢液排入第五清洗室供下一批矽片清洗之用，清洗液得到循環利用；

3、每一次清洗完成之後都將矽片放入乾燥室內進行乾燥，通過乾燥的方式去除矽片表面殘留的清洗液，避免清洗液混入下一步清洗的清洗液中，避免了清洗液之間發生化學反應而降低清洗效果。

附圖說明

圖1是本實用新型的節能型太陽能矽片清洗裝置的俯視圖。

圖2是本實用新型的節能型太陽能矽片清洗裝置的前視圖。

圖3是本實用新型的節能型太陽能矽片清洗裝置的管路俯視圖。

圖4是本實用新型的節能型太陽能矽片清洗裝置的清洗室的結構示意圖。

圖5是本實用新型的節能型太陽能矽片清洗裝置的乾燥室的結構示意圖。

圖中，1、第一清洗室；2、第二清洗室；3、第三清洗室；4、第四清洗室；5、第五清洗室；6、第六清洗室；7、第七清洗室；8、第八清洗室；9、第九清洗室；10、第一乾燥室；11、第二乾燥室；12、第三乾燥室；13、第四乾燥室；14、隔板一；15、隔板二；16、隔板三；17、清洗槽；18、進液腔；19、加熱腔；20、電加熱器；21、入液口；22、噴淋管；23、進液管；24、排液管；25、進液管二；26、排液管二；27、進液管四；28、排液管四；29、進液管五；30、排液管五；31、進液管六；32、排液管六；33、進液管七；34、排液管七；35、排液管一；36、進液管八；37、排液管八；38、排液管三；39、進液管九；40、排液管九；41、純水罐；42、酸性溶液儲液罐一；43、鹼性溶液儲液罐；44、酸性溶液儲液罐二；45、低液位感應器；46、高液位感應器；47、溫度感應器；48、溢流口；49、溢流管；50、支撐架；51、矽片架；52、蓋板；53、超聲波發生器；54、超聲波振板；55、超聲波反射板；56、支撐塊；57、彈簧；58、下加熱室；59、隔板蓋板；60、圍板一；61、圍板二；62、乾燥腔；63、氣流腔；64、通氣孔；65、噴氣管；66、導軌組；67、第一橫嚮導軌；68、第二橫嚮導軌；69、第三橫嚮導軌；70、第一縱嚮導軌；71、第二縱嚮導軌；72、第三縱嚮導軌；73、升降基座；74、升降板；75、固定板。

具體實施方式

以下是本實用新型的具體實施例並結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步的描述，但本實用新型並不限於這些實施例。

如圖1至圖5所示，本實用新型提供了一種節能型太陽能矽片清洗裝置，包括機架和裝載矽片的矽片架51，機架上設有縱橫排列的第一清洗室1、第二清洗室2、第三清洗室3、第四清洗室4、第五清洗室5、第六清洗室6、第七清洗室7、第八清洗室8、第九清洗室9、第一乾燥室10、第二乾燥室11、第三乾燥室12和第四乾燥室13；第二清洗室2處於第一橫列；第四清洗室4、第一乾燥室10和第三清洗室3處於第二橫列，且第一乾燥室10處於第四清洗室4和第三清洗室3之間；第五清洗室5、第二乾燥室11、第一清洗室1、第四乾燥室13和第九清洗室9處於第三橫列，且第二乾燥室11處於第五清洗室5和第一清洗室1之間，第四乾燥室13處於第一清洗室1和第九清洗室9之間；第六清洗室6、第三乾燥室12和第八清洗室8處於第四橫列，且第三乾燥室12處於第六清洗室6和第八清洗室8之間；第七清洗室7處於第五橫列；第五清洗室5處於第一縱列；第四清洗室4、第二乾燥室11和第六清洗室6處於第二縱列，且第二乾燥室11處於第四清洗室4和第六清洗室6之間；第二清洗室2、第一乾燥室10、第一清洗室1、第三乾燥室12和第七清洗室7處於第三縱列，且第一乾燥室10處於第二清洗室2和第一清洗室1之間，第三乾燥室12處於第一清洗室1和第七清洗室7之間；第三清洗室3、第四乾燥室13和第八清洗室8處於第四縱列，且第四乾燥室13處於第三清洗室3和第八清洗室8之間；第九清洗室9處於第五縱列；該矽片清洗裝置還包括將矽片架51在各清洗室和各乾燥室之間進行移動的矽片架51換位機構，矽片架51換位機構包括提升矽片架51的升降組件以及導軌組66，升降組件的上端可滑動地固定在導軌組66，升降組件的下端可拆卸地連接矽片架51，導軌組66通過支架固定在機架的上方。可通過人工推動升降組件的方式驅動升降組件沿著導軌組66移動。第一清洗室1、第二清洗室2、第三清洗室3、第四清洗室4、第五清洗室5、第六清洗室6、第七清洗室7、第八清洗室8和第九清洗室9用於不同的清洗步驟，第一乾燥室10、第二乾燥室11、第三乾燥室12和第四乾燥室13用於矽片的及時乾燥，當矽片完成上一步驟的清洗後，需要進入下一步驟清洗前，需要先進行乾燥，去除上一步驟殘留的清洗液，避免上一步驟的清洗液攜帶進入下一步驟的清洗液中，避免兩種清洗液混合影響清洗效果。第一清洗室1、第二清洗室2、第三清洗室3、第四清洗室4、第五清洗室5、第六清洗室6、第七清洗室7、第八清洗室8和第九清洗室9的結構一致，僅需根據清洗步驟的不同進行不同的操作即可。第一乾燥室10、第二乾燥室11、第三乾燥室12和第四乾燥室13的結構也一致，僅需根據乾燥步驟的不同進行不同的操作即可。

導軌組66包括布置在第二橫列上方的第一橫嚮導軌67、布置在第三橫列上方的第二橫嚮導軌68、布置在第三橫列上方的第三橫嚮導軌69、布置在第二縱列上方的第一縱嚮導軌70、布置在第三縱列上方的第二縱嚮導軌71和布置在第四縱列上方的第三縱嚮導軌72；第一橫嚮導軌67和第一縱嚮導軌70垂直相交形成換向部一，換向部一處於第四清洗室4的中心正上方；第一橫嚮導軌67和第二縱嚮導軌71垂直相交形成換向部二，換向部二處於第一乾燥室10的中心正上方；第一橫嚮導軌67和第三縱嚮導軌72垂直相交形成換向部三，換向部三處於第三清洗室3的中心正上方；第二橫嚮導軌68和第一縱嚮導軌70垂直相交形成換向部四，換向部四處於第二乾燥室11的中心正上方；第二橫嚮導軌68和第二縱嚮導軌71垂直相交形成換向部五，換向部五處於第一清洗室1的中心正上方；第二橫嚮導軌68和第三縱嚮導軌72垂直相交形成換向部六，換向部六處於第四乾燥室13的中心正上方；第三橫嚮導軌69和第一縱嚮導軌70垂直相交形成換向部七，換向部七處於第六清洗室6的中心正上方；第三橫嚮導軌69和第二縱嚮導軌71垂直相交形成換向部八，換向部八處於第三乾燥室12的中心正上方；第三橫嚮導軌69和第三縱嚮導軌72垂直相交形成換向部九，換向部九處於第八清洗室8的中心正上方。各換向部呈十字型。移動到換向部時，可改變升降組件的移動方向，從而實現矽片架51在不同清洗室以及乾燥室之間的切換。

升降組件包括升降基座73和豎直延伸的升降板74，升降板74的下端固接有與矽片架51平行的固定板75，固定板75的下端面設有吸盤，吸盤用於吸附矽片架51，升降基座73內設有絲杆和驅動絲杆轉動的電機，絲杆上連接有沿著絲杆上下移動的絲杆螺母座，絲杆螺母座與升降板74固定連接。絲杆的轉動驅動絲杆螺母座沿著絲杆上下移動，從而帶動升降板74上下移動，即實現了矽片架51的上提和下放，提取精準。升降組件採用吸盤形式吸附矽片架，便於提取和放置，提取精準，且穩定性好，避免了在移動過程中矽片間發生振蕩碰撞，利於保證矽片質量。

具體地，每個清洗室都包括上室體和下室體，其中上室體具有一組隔板一14、一組隔板二15和一組隔板三16，隔板三16採用隔熱材料，隔板二15採用導熱材料，隔板一14採用保溫材料。隔板一14包圍出清洗槽17，清洗槽17能夠容納承載矽片的矽片架51進入，矽片在清洗槽17內進行清洗步驟。隔板二15包圍在隔板一14的外側，隔板二15與隔板一14之間形成進液腔18，清洗液先通入進液腔18，然後從進液腔18進入清洗槽17內。隔板三16包圍在隔板二15的外側，隔板三16構成上室體的外壁，隔板三16與隔板二15之間形成加熱腔19，加熱腔19內設有電加熱器20；電加熱器20通電後，對加熱腔19內的氣體或者液體進行加熱，從而加熱進液腔18，進液腔18內的清洗液被加熱升溫，清洗液在一定溫度下清洗矽片，提高了清洗效率，且當矽片浸沒在清洗槽17的清洗液中時，進液腔18仍充滿有一定溫度的清洗液，對清洗槽17起到保溫效果，使清洗槽17內溫度維持溫度。

隔板一14界定出截面為四方形的清洗槽17，清洗槽17具有四個內壁，隔板一14具有兩個帶開關閥的入液口21，清洗槽17內還設有兩組噴淋管22，一組噴淋管22對於一個入液口21，每組噴淋管22兩兩相對地固定在隔板一14的內壁上，兩個噴淋管22為一組，兩個噴淋管22對稱設置，每個噴淋管22上開設有若干個噴淋孔，且噴淋孔呈間隔地上下分布，增大了噴淋範圍；每組噴淋管22依次首尾相連，每組噴淋管22的第一個噴淋管22的進口固接入液管，入液管和入液口21之間還設有密封塞，即第一組噴淋管22與隔板一14的第一個入液口21連接，第二組噴淋管22與隔板二15的第二個入液口21連接，兩組噴淋管22可受到不同的控制，可同時開啟，或者只開啟其中一組皆可。進液腔18內的清洗液通過噴淋管22噴入清洗槽17內，即對矽片先採用噴淋的方式進行清洗，當清洗槽17內的清洗液液面上升至覆蓋矽片時，矽片浸沒在清洗液中進行清洗。

具體地，進液腔18的底部具有帶開關閥的進液口，進液管穿設下室體並與進液口相連，進液管23和進液口之間設有密封塞；清洗槽17的底部具有帶開關閥的出液口，排液管24穿設下室體並與出液口相連，排液管24和出液口之間設有密封塞。

第二清洗室2用純水對矽片進行清洗第二清洗室2的進液口連接進液管二25，進液管二25與純水罐41相連，第二清洗室2的出液口連接排液管二26，排液管二26與廢液池相連，進液管二25和排液管二26上均設有液泵。

第四清洗室4用酸性溶液對矽片進行酸洗，酸性溶液可選擇HF溶液。第四清洗室4的進液口連接進液管四27，進液管四27與酸性溶液儲液罐一42相連，進液管四27依次穿設第三清洗室3和第一乾燥室10，並延伸至第四清洗室4，第三清洗室3和第一乾燥室10的餘溫能用於加熱進液管四27內的酸性溶液，第四清洗室4的出液口連接排液管四28，排液管四28依次穿設第二乾燥室11和第六清洗室6，排液管四28與廢液池相連，進液管四27和排液管四28上均設有液泵；排出的廢棄液所攜帶的熱量能利用於第二乾燥室11和第六清洗室6。

第五清洗室5用純水對矽片進行清洗，同時也能徹底去除第四清洗室4清洗後殘留的酸性溶液。第五清洗室5的進液口連接進液管五29，進液管五29與純水罐41相連，進液管五29依次穿設第四清洗室4、第二乾燥室11，並延伸至第五清洗室5，第四清洗室4和第二乾燥室11的餘溫能用於加熱進液管五29內的純水，第五清洗室5的出液口連接排液管五30，排液管五30依次穿設第二乾燥室11、第六清洗室6、第三乾燥室12和第七清洗室7，並與廢液池相連；進液管五29和排液管五30上均設有液泵；排出的廢棄液所攜帶的熱量能利用於第二乾燥室11、第六清洗室6、第三乾燥室12和第七清洗室7。

第六清洗室6用鹼性溶液對矽片進行清洗，鹼性溶液可選擇NaOH或者KOH溶液。第六清洗室6的進液口連接進液管六31，進液管六31與鹼性溶液儲液罐43相連，進液管六31依次穿設第五清洗室5和第二乾燥室11，並延伸至第六清洗室6，第五清洗室5和第二乾燥室11的餘溫能用於加熱進液管六31內的鹼性溶液，第六清洗室6的出液口連接排液管六32，排液管六32依次穿設第三乾燥室12和第八清洗室8，並與廢液池相連；進液管六31和排液管六32上均設有液泵；排出的廢棄液所攜帶的熱量能利用於第三乾燥室12和第八清洗室8。

第七清洗室7用純水對矽片進行清洗，同時也能徹底去除第六清洗室6清洗後殘留的鹼性溶液。第七清洗室7的進液口連接進液管七33，進液管七33與純水罐41相連，進液管七33依次穿設第六清洗室6、第三乾燥室12，並延伸至第七清洗室7；第六清洗室6、第三乾燥室12的餘溫能用於加熱進液管七33內的純水，第七清洗室7的出液口連接排液管七34，排液管七34依次穿設第三乾燥室12、第八清洗室8和第四乾燥室13，並延伸至第一清洗室1，排液管七34與第一清洗室1的進液口相連，進液管七33和排液管七34上均設有液泵；當矽片進入第七清洗室7進行清洗時，矽片表面的雜質大部分已經被清除，因此第七清洗室7的清洗液內所存在的雜質較少，排入第一清洗室1後，可循環利用於下一批的矽片清洗中。排出的清洗液所攜帶的熱量能利用於第三乾燥室12、第八清洗室8、第四乾燥室13和第一清洗室1。

第一清洗室1的出液口連接排液管一35，排液管一35依次穿設第一乾燥室10和第三清洗室3，並與廢液池相連，排液管一35上設有液泵。

第八清洗室8的進液口連接進液管八36，進液管八36與酸性溶液儲液罐二44相連，進液管八36依次穿設第七清洗室7和第三乾燥室12，並延伸至第八清洗室8；第七清洗室7和第三乾燥室12的餘溫能用於加熱進液管八36內的酸性溶液，第八清洗室8的出液口連接排液管八37，排液管八37穿設第四乾燥室13並延伸至第三清洗室3，排液管八37與第三清洗室3的進液口相連，進液管八36和排液管八37上均設有液泵；第八清洗室8用酸性溶液對矽片進行清洗，主要用於去除矽片表面的氧化物，矽片表面的雜質大部分已經被清除，因此第八清洗室8的清洗液內所存在的雜質較少，排入第三清洗室3後，可循環利用於下一批的矽片清洗中。排出的清洗液所攜帶的熱量能利用於第四乾燥室13和第三清洗室3。

第三清洗室3的出液口連接排液管三38，排液管三38依次穿設第一乾燥室10和第四清洗室4，排液管三38與廢液池相連，排液管三38上設有液泵。第三清洗室3清洗矽片時對清洗液進行了加熱，因此清洗液排出時，攜帶有熱量，餘溫可利用於第一乾燥室10和第四清洗室4。

第九清洗室9的進液口連接進液管九39，進液管九39與純水罐41相連，進液管九39依次穿設第八清洗室8和第四乾燥室13，並延伸至第九清洗室9。第八清洗室8和第四乾燥室13的餘溫能用於加熱進液管九39內的純水。第九清洗室9的出液口連接排液管九40，排液管九40依次穿設第四乾燥室13、第一清洗室1和第二乾燥室11並延伸至第五清洗室5，排液管九40與第五清洗室5的進液口相連，進液管九39和排液管九40上均設有液泵。第九清洗室9用純水對矽片進行最後一步清洗，同時也能徹底去除第八清洗室8清洗後殘留的酸性溶液。第九清洗室9的清洗液潔淨度高，排入第五清洗室5後，可循環利用於下一批的矽片清洗中。排出的清洗液所攜帶的熱量能利用於第四乾燥室13、第一清洗室1、第二乾燥室11和第五清洗室5。

進一步地，每個清洗室還包括一個低液位感應器45、一個高液位感應器46和一個溫度感應器47，分別用於檢測清洗槽17內清洗液的液面高度以及清洗液溫度，低液位感應器45和高液位感應器46分別固設在隔板一14內壁的預設高度，溫度感應器47固設在低液位感應器45和高液位感應器46之間，隔板一14的入液口21高於高液位感應器46。

另一個清洗室的進液管23或者排液管24需穿設該清洗室時，進液管23或者排液管24都是自該清洗室的下室體穿入到進液腔18內，並環繞隔板一14若干圈後再穿出下室體，從而可以受到進液腔18內的餘溫加熱。

優選地，隔板一14還開設有溢流口48，溢流口48處於高液位感應器46和溫度感應器47之間，溢流口48連接溢流管49，溢流管49和溢流口48之間設有密封塞。溢流管49穿設進液腔18和下室體，並與廢液池相連。漂浮在清洗液上層的雜質物質可隨著清洗液流入溢流口48從而向外排出，避免了附著在矽片表面造成再度汙染。

隔板一14的內壁還水平凸設至少一對支撐架50，矽片架51放置在支撐架50上，矽片架51內承載矽片，兩支撐架50的間距小於矽片架51的寬度，上室體還具有蓋板52。在清洗時，為減少外界雜質物，需將矽片架51完全地置於清洗槽17內，並蓋上蓋板52。

每個清洗室還設有超聲波組件，超聲波組件包括超聲波發生器53、超聲波振板54以及超聲波反射板55，超聲波發生器53固設在下室體內，超聲波振板54與超聲波發生器53電連接，超聲波振板54處於清洗槽17內，清洗槽17的底部固設有向上凸起的支撐塊56，超聲波振板54放置在支撐塊56上；超聲波反射板55為上下開口結構，且超聲波反射板55的內逕自下開口向上開口逐漸增大，超聲波反射板55呈碗形超聲波振板54容置於超聲波反射板55內，超聲波反射板55和清洗槽17之間設有彈簧57，彈簧57的一端固定在超聲波反射板55的底部，彈簧57的另一端固定在清洗槽17的底部，支撐塊56穿設彈簧57以及超聲波反射板55的下開口；超聲波反射板55的內壁呈不規則的波浪形。超聲波反射板55用於增大對超聲波的反射，提高清洗效率。

每個乾燥室都具有上乾燥室和下加熱室58，其中上乾燥室具有隔板蓋板59、一組圍板一60和一組圍板二61，圍板一60包圍出容置矽片的乾燥腔62；圍板二61包圍在圍板一60的外側，圍板二61與圍板一60之間形成氣流腔63，圍板二61構成上乾燥室的外壁，隔板蓋板59蓋設在圍板一60和圍板二61的上端部；圍板一60間隔地開設有若干個通氣孔64，通氣孔64連通氣流腔63和乾燥腔62；下加熱室58容置加熱液體，並插入有電加熱棒，下加熱室58內還設有高液位傳感器和低液位傳感器，高液位傳感器和低液位傳感器固設在下加熱室58內壁的預設高度。下加熱室58的電加熱棒通電後液體加熱，下加熱室58採用兩種方式使乾燥腔62內的溫度上升，一是下加熱室58內的液體被加熱時，直接作用於乾燥腔62的底部進行加熱，二是液體加熱後所產生的蒸汽向上流入氣流腔63內，並通過通氣孔64進入到乾燥室。上乾燥室還設有多組噴氣管65，噴氣管65連接氮氣罐，矽片乾燥時，通過噴氣管65向矽片噴吹氮氣。進液管或者排液管從下加熱室58的一側穿入，並從下加熱室58的另一側穿出，從而能夠利用到乾燥室的餘溫。

本實用新型還提供一種矽片清洗方法，採用上述節能型太陽能矽片清洗裝置，包括以下步驟：

1)啟動升降組件，吸盤吸附承載有矽片的矽片架51，升降板74下降將矽片架51傳送至第二清洗室2內，將矽片架放置在支撐架50上後，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上蓋板52，開啟第二清洗室2的進液口和入液口21，進液管二25向進液腔18輸入純水，進液腔18內純水高度到達入液口21處時，噴淋管22將純水噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽17內的液體到達高液位感應器46時，關閉進液口和入液口21，開啟超聲波發生器53，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第二清洗室2的清洗槽17內的廢液通過排液管二26排入廢液池，清洗槽17內液面下降到低液位感應器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口21；

2)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第二清洗室2提出，升降基座73沿著第二縱嚮導軌71移動至第一乾燥室10的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第一乾燥室10內，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上隔板蓋板59，開啟噴氣管65，向矽片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，矽片和矽片架51在第一乾燥室10內被乾燥，以去除矽片和矽片架51附著的純水；

3)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第一乾燥室10提出，升降基座73沿著第一橫嚮導軌67移動至第四清洗室4的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第四清洗室4內，將矽片架放置在支撐架50上後，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上蓋板52，開啟第四清洗室4的進液口和入液口21，進液管二25向進液腔18輸入酸性溶液，同時將加熱腔19內的電加熱器20通電，進液腔18內酸性溶液高度到達入液口21處時，噴淋管22將酸性溶液噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽17內的液體到達高液位感應器46時，關閉進液口和入液口21，開啟超聲波發生器53，矽片浸沒於酸性溶液中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第四清洗室4的清洗槽17內的廢液通過排液管四28排入廢液池，清洗槽17內液面下降到低液位感應器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向矽片噴酸性溶液，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口21；

4)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第四清洗室4提出，升降基座73沿著第一縱嚮導軌70移動至第二乾燥室11的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第二乾燥室11內，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上隔板蓋板59，，開啟噴氣管65，向矽片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，矽片和矽片架51在第二乾燥室11內被乾燥，以去除矽片和矽片架51附著的酸性溶液；

5)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第二乾燥室11提出，升降基座73沿著第二橫嚮導軌68移動至第五清洗室5的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第五清洗室5內，將矽片架放置在支撐架50上後，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上蓋板52，開啟第五清洗室5的進液口和入液口21，進液管五29向進液腔18輸入純水，進液腔18內純水高度到達入液口21處時，噴淋管22將純水噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽17內的液體到達高液位感應器46時，關閉進液口和入液口21，開啟超聲波發生器53，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第二清洗室2的清洗槽17內的廢液通過排液管五30排入廢液池，清洗槽17內液面下降到低液位感應器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口21；

6)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第五清洗室5提出，升降基座73沿著第二橫嚮導軌68移動至第二乾燥室11的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第二乾燥室11內，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上隔板蓋板59，開啟噴氣管65，向矽片噴吹氮氣，矽片和矽片架51在第二乾燥室11內被乾燥，以去除矽片和矽片架51附著的純水；

7)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第二乾燥室11提出，升降基座73沿著第一縱嚮導軌70移動至第六清洗室6的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第六清洗室6內，將矽片架放置在支撐架50上後，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上蓋板52，開啟第六清洗室6的進液口和入液口21，進液管六31向進液腔18輸入鹼性溶液，同時將加熱腔19內的電加熱器20通電，進液腔18內鹼性溶液高度到達入液口21處時，噴淋管22將鹼性溶液噴向矽片，同時關閉出液口，當清洗槽17內的液體到達高液位感應器46時，關閉進液口和入液口21，開啟超聲波發生器53，矽片浸沒於鹼性溶液中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第六清洗室6的清洗槽17內的廢液通過排液管六32排入廢液池，清洗槽17內液面下降到低液位感應器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向矽片噴鹼性溶液，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口21；

8)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第六清洗室6提出，升降基座73沿著第三橫嚮導軌69移動至第三乾燥室12的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第三乾燥室12內，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上隔板蓋板59，開啟噴氣管65，向矽片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，矽片和矽片架51在第三乾燥室12內被乾燥，以去除矽片和矽片架51附著的鹼性溶液；

9)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第三乾燥室12提出，升降基座73沿著第二縱嚮導軌71移動至第七清洗室7的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第七清洗室7內，將矽片架放置在支撐架50上後，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上蓋板52，開啟第七清洗室7的進液口和入液口21，進液管七33向進液腔18輸入純水，進液腔18內純水高度到達入液口21處時，噴淋管22將純水噴向矽片，同時開啟出液口，噴淋3min後，關閉出液口，當清洗槽17內的液體到達高液位感應器46時，關閉進液口和入液口21，開啟超聲波發生器53，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第七清洗室7的清洗槽17內的廢液通過排液管七34排入第一清洗室1，用於下一批矽片清洗，清洗槽17內液面下降到低液位感應器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口21；

10)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第七清洗室7提出，升降基座73沿著第二縱嚮導軌71移動至第三乾燥室12的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第三乾燥室12內，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上隔板蓋板59，開啟噴氣管65，向矽片噴吹氮氣，矽片和矽片架51在第三乾燥室12內被乾燥，以去除矽片和矽片架51附著的純水；

11)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第三乾燥室12提出，升降基座73沿著第三橫嚮導軌69移動至第八清洗室8的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第八清洗室8內，將矽片架放置在支撐架50上後，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上蓋板52，開啟第八清洗室8的進液口和入液口21，進液管八36向進液腔18輸入酸性溶液，同時將加熱腔19內的電加熱器20通電，進液腔18內酸性溶液高度到達入液口21處時，噴淋管22將酸性溶液噴向矽片，同時開啟出液口，噴淋3min後，關閉出液口，當清洗槽17內的液體到達高液位感應器46時，關閉進液口和入液口21，開啟超聲波發生器53，矽片浸沒於酸性溶液中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第八清洗室8的清洗槽17內的廢液通過排液管八37排入第三清洗室3，用於下一批矽片清洗，清洗槽17內液面下降到低液位感應器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向矽片噴酸性溶液，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口21；

12)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第八清洗室8提出，升降基座73沿著第三縱嚮導軌72移動至第四乾燥室13的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第四乾燥室13內，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上隔板蓋板59，開啟噴氣管65，向矽片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，矽片和矽片架51在第四乾燥室13內被乾燥，以去除矽片和矽片架51附著的酸性溶液；

13)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第四乾燥室13提出，升降基座73沿著第二橫嚮導軌68移動至第九清洗室9的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第九清洗室9內，將矽片架放置在支撐架50上後，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上蓋板52，開啟第九清洗室9的進液口和入液口21，進液管九39向進液腔18輸入純水，進液腔18內純水高度到達入液口21處時，噴淋管22將純水噴向矽片，同時開啟出液口，噴淋3min後，關閉出液口，當清洗槽17內的液體到達高液位感應器46時，關閉進液口和入液口21，開啟超聲波發生器53，矽片浸沒於純水中進行清洗，清洗完成後，開啟出液口，將第九清洗室9的清洗槽17內的廢液通過排液管九40排入第五清洗室5，用於下一批矽片清洗，清洗槽17內液面下降到低液位感應器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向矽片噴純水，去除矽片表面附著的雜質，當廢液被全部排出時，關閉入液口21；

14)啟動升降組件，吸盤吸附矽片架51，升降板74上升，將承載有矽片的矽片架51從第九清洗室9提出，升降基座73沿著第二橫嚮導軌68移動至第四乾燥室13的上方，升降板74下降將矽片架51傳送至第四乾燥室13內，吸盤與矽片架51分離，升降板74上升，蓋上隔板蓋板59，開啟噴氣管65，向矽片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，矽片和矽片架51在第四乾燥室13內被乾燥，以去除矽片和矽片架51附著的純水，矽片完成清洗。

本文中所描述的具體實施例僅僅是對本實用新型精神作舉例說明。本實用新型所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或採用類似的方式替代，但並不會偏離本實用新型的精神或者超越所附權利要求書所定義的範圍。

儘管本文較多地使用了第一清洗室11；第二清洗室22；第三清洗室3；第四清洗室4；第五清洗室5；第六清洗室6；第七清洗室7；第八清洗室8；第九清洗室9；第一乾燥室10；第二乾燥室11；第三乾燥室12；第四乾燥室13；隔板一14；隔板二15；隔板三16；清洗槽17；進液腔18；加熱腔19；電加熱器20；入液口21；噴淋管22；進液管23；排液管24；進液管二25；排液管二26；進液管四27；排液管四28；進液管五29；排液管五30；進液管六31；排液管六32；進液管七33；排液管七34；排液管一35；進液管八36；排液管八37；排液管三38；進液管九39；排液管九40；純水罐41；酸性溶液儲液罐一42；鹼性溶液儲液罐43；酸性溶液儲液罐二44；低液位感應器45；高液位感應器46；溫度感應器47；溢流口48；溢流管49；支撐架50；矽片架51；蓋板52；超聲波發生器53；超聲波振板54；超聲波反射板55；支撐塊56；彈簧57；下加熱室58；隔板蓋板59；圍板一60；圍板二61；乾燥腔62；氣流腔63；通氣孔64；噴氣管65；導軌組66；第一橫嚮導軌67；第二橫嚮導軌68；第三橫嚮導軌69；第一縱嚮導軌70；第二縱嚮導軌71；第三縱嚮導軌72；升降基座73；升降板74；固定板75等術語，但並不排除使用其它術語的可能性。使用這些術語僅僅是為了更方便地描述和解釋本實用新型的本質；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實用新型精神相違背的。