液晶顯示裝置與液晶顯示裝置基板的製作方法
2023-07-14 22:46:26
專利名稱：液晶顯示裝置與液晶顯示裝置基板的製作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示技術，特別涉及一種面內偏轉型的液晶顯示裝置。
背景技術：
大體而言，基於液晶分子偏轉方式的不同，液晶顯示器(以下簡稱LCD)可分為兩大類第一類為液晶分子沿與基板垂直的平面偏轉，第二類為液晶分子沿與基板平行的平面偏轉。典型的第一類型LCD為扭轉列向型液晶顯示器(簡稱TN-LCD)，具有兩電極分別設置於兩極板上。TN-IXD的液晶分子一般配置為以90度偏轉，具有高透光率、低功率耗損、工藝容易等特點。然而，由於靠近兩極板表面處的液晶指向相互垂直，使得其顯示窄的視角。典型的第二類型IXD為橫向電場偏轉型液晶顯示器(簡稱IPS-IXD)與邊緣場偏轉型液晶顯示器(簡稱FFS-LCD)，它們的兩電極形成於同一基板上，以及液晶指向沿與基板平行的平面偏轉。由於在電壓關的狀態時，液晶指向系水平排列或平行於基板，因而其視角特性得以改善。並且由於兩電極之間區域的電場平行於顯示器的基板，也就是使液晶指向於平行基板的平面偏轉使其獲得高透光率。然而，於兩電極表面上方區域的電場具有很強的垂直電極表面的分量。此強的垂直電極表面的分量會使液晶分子在垂直於基板的方向上傾斜而非使其於平行基板的平面扭轉，進而導致於電極表面上方形成低穿透率的區域。因而，業界亟需一種新的液晶顯示器型式，其視角足以與IPS-IXD、FFS-IXD相比， 且具高穿透率。
發明內容
本發明的目的是提供一種具寬視角與高穿透率的液晶顯示器與液晶顯示基板。為解決上述問題，本發明提供了一種液晶顯示裝置，包括第一基板、與第一基板相對設置的第二基板和填充於第一基板和第二基板之間的包括多個液晶分子的液晶層及多個設置於第一和第二基板之間的間隔體，相鄰間隔體的相對表面分別設置有第一電極和第二電極以形成橫向電場以驅動所述液晶分子偏轉。可選的，所述多個間隔體將所述液晶顯示裝置劃分為多個像素單元，每個像素單元包括相鄰兩個間隔體相對表面的第一電極和第二電極。可選的，所述多個像素單元成矩陣排列，同一列像素單元的相鄰兩間隔體為沿列向延伸的條狀間隔體。可選的，所述液晶顯示裝置包括多個像素單元，每一像素單元包括多個間隔體。可選的，所述第一電極為像素電極，第二電極為公共電極。可選的，所述像素單元的兩個間隔體的其中一個形成在第一基板上，另一個形成
在第二基板上。可選的，所述像素單元的兩個間隔體均形成在第一基板上。可選的，正對所述間隔體設置有黑矩陣。
可選的，所述間隔體呈梯形。可選的，所述間隔體為有機膜或氮化矽材料。可選的，所述第一基板與第二基板外側設有透明屏蔽層。可選的，所述透明屏蔽層的材料為氧化銦錫。可選的，所述第一電極與第二電極相互平行。可選的，所述第一電極與第二電極的材料為透明的氧化銦錫。可選的，所述第一電極與第二電極的材料為不透明金屬。為解決上述問題，本發明還提供了一種液晶顯示裝置基板，所述液晶顯示裝置基板包括一基板和設置在基板上的多個間隔體，相鄰兩個間隔體相對表面分別設置有第一電極和第二電極，以在第一電極和第二電極之間形成橫向電場。可選的，所述多個間隔體將所述基板劃分為多個像素單元，每個像素單元包括相鄰兩個間隔體相對表面的第一電極和第二電極。可選的，所述多個像素單元成矩陣排列，同一列像素單元的相鄰兩間隔體為沿列向延伸的條狀間隔體。可選的，所述液晶顯示裝置基板包括多個像素單元，每一像素單元包括多個間隔體。可選的，所述第一電極為像素電極，第二電極為公共電極。可選的，正對所述間隔體設置有黑矩陣。可選的，所述間隔體呈梯形。可選的，所述間隔體為有機膜或氮化矽材料。可選的，所述液晶顯示裝置基板外側設有透明屏蔽層。
可選的，所述透明屏蔽層的材料為氧化銦錫。可選的，所述第一電極與第二電極相互平行。可選的，所述第一電極與第二電極的材料為透明的氧化銦錫。可選的，所述第一電極與第二電極的材料為不透明金屬。與現有技術相比，本發明具有以下優點通過將兩電極設置在液晶顯示裝置內一對間隔體的相對側壁上，從而形成優良的水平電場。與現有技術相比，所述水平電場的大部分邊緣區域仍能保持很好的水平方向，從而使液晶顯示裝置獲得較高的透過率。不僅如此， 由於兩電極設置在間隔體的側壁而不是基板上，避免了電極對穿行於上下基板的光線的阻礙。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為根據本發明第一實施例的液晶顯示裝置的剖面結構示意圖；圖2為圖1所示液晶顯示裝置沿A-A線的剖面結構示意圖；圖3是根據本發明第二實施例的液晶顯示裝置的剖面結構示意圖4為圖3所示液晶顯示裝置沿C-C線的剖面結構示意圖；圖5為現有的FFS-IXD通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖；圖6為本發明第一實施例的液晶顯示裝置通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖；圖7為本發明第二實施例的液晶顯示裝置通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖；圖8為本發明另一實施例的液晶顯示裝置通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖；圖9為本發明又一實施例的展示了多個液晶單元之間位置關係的液晶顯示裝置。
具體實施例方式為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以多種不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施方式
的限制。對於現有的橫向電場偏轉型液晶顯示器與邊緣場偏轉型液晶顯示器，它們的兩電極形成於同一基板上，於兩電極表面上方區域的電場具有很強的垂直電極表面的分量，此強的垂直電極表面的分量會使液晶分子在垂直於基板的方向上傾斜而非使其於平行基板的平面扭轉，進而導致於電極表面上方形成低穿透率的區域。本發明的技術方案將兩電極設置在每一單位像素內一對間隔體的相對側壁上，從而在單位像素內形成優良的水平電場。與現有技術相比，所述水平電場的大部分邊緣區域仍能保持很好的水平方向，從而使液晶顯示裝置獲得較高的透過率。不僅如此，由於兩電極設置在間隔體的側壁而不是基板上，避免了電極對穿行於上下基板的光線的阻礙。圖1為根據本發明第一實施例的液晶顯示裝置的剖面結構示意圖。圖2為圖1所示液晶顯示裝置沿A-A線的剖面結構示意圖。請參照圖2所示，液晶顯示裝置由第一基板202與第二基板201組裝而成。在本實施例中，第一基板202為其上形成有薄膜電晶體(TFT，未圖示)以驅動顯示裝置的TFT基板，第二基板201為其上形成有彩色濾光片(未圖示)以顯示色彩的濾光片基板。第一基板202上形成有間隔體204，第二基板201上形成有間隔體203。第一基板 202與第二基板201相互組裝後，第一基板202的間隔體204會抵靠在第二基板201上，第二基板201的間隔體203會抵靠第一基板202上。間隔體203與間隔體204的設置，可以維持兩個對立的基板之間的均勻間隔尺寸。第一基板202的間隔體204呈底部寬頂部窄的等腰梯形，第二基板201的間隔體 203也呈底部寬頂部窄的等腰梯形，只是這兩個間隔體204、203在豎直方向上放置的方向不同。在第一基板202與第二基板201組裝完成後，第一基板202的間隔體204與第二基板201的間隔體203會在兩者間限定一個呈平行四邊形的區域。這個區域隨後會填充入液晶分子222，形成用於透光或阻止光透過的液晶層220。在常規狀態(即無電場作用)下， 液晶分子222的指向與屏幕(即第二基板201)平行。第一基板202的間隔體204、第二基板201的間隔體203、兩者間的液晶層與第一基板202、第二基板201會構成一個單位像素。間隔體204、203可以為有機膜、氮化矽或類似的絕緣材料。在間隔體204、203的形成過程中，間隔體204、203的側壁與第一基板202、第二基板201之間形成一個夾角，這個夾角優選為大於或等於45度而小於90度，當所述夾角進一步優選為大於或等於60度而小於或等於80度，可以使得第一電極和第二電極之間形成的橫向電場較平直，較少垂直分量，同時可以降低製作的難度。第一電極206與第二電極207通過PVD (Physical Vapor D印osition，物理氣相沉積)的方式沉積在單位像素內一對間隔體204的相對的內壁上，以在薄膜電晶體(TFT)控制下產生水平電場。水平電場沿著平行於第一基板202、第二基板201的方向驅動液晶層的液晶分子，所以不管在何種狀態下液晶分子的指向始終都與屏幕(即第二基板201)平行， 只是在加電/常規狀態下液晶分子的偏轉方向有所不同。因為避免了液晶分子在豎直方向 (即，與第一基板202、第二基板201垂直的方向)上的偏轉，所以液晶顯示裝置可以達到較大的視角。由於單位像素內的兩間隔體203、204內壁平行，因而第一電極206與第二電極 207位於相互平行的平面內。在本實施例中，第一電極206為像素電極，第二電極207為公共電極，像素電極與公共電極的材料為透明的氧化銦錫(ITO)。需要說明的是，在其它實施例中，第一電極206與第二電極207的材料也可為不透明的鋁或鋁合金。由於第一電極206與第二電極207設置在間隔體204的側壁而不是第一基板202或第二基板201上，穿行於第一基板202與第二基板201的光線已然無須穿透第一電極206與第二電極207，因而即便為不透明材料第一電極206與第二電極207也不會阻礙光線。不僅如此，由於第一電極206與第二電極207傾斜設置，因而不透明的第一電極 206、第二電極207可阻擋電極正下方的光線透過而電極正下方正是電場垂直分量較大的區域，也是引起光透過率降低的區域，所以通過設置不透明的電場將這部分區域遮擋，在某種程度上也可提高光透過率。正對所述間隔體204、203設置有黑矩陣205 (圖2中顯示黑矩陣205位於間隔體 204,203正下方)。黑矩陣205由包括碳顆粒的黑樹脂構成，由於碳顆粒具有吸光特性，所以黑矩陣可以防止光洩露。第一基板202包括玻璃基板Ml、形成在玻璃基板241上的陣列層M2、形成在陣列層242上黑矩陣205及覆蓋在黑矩陣205、陣列層242上的鈍化層M3。陣列層242上形成有柵線、數據線及與柵線和數據線電性相連的用作開關器件的薄膜電晶體(未圖示)。黑矩陣205覆蓋在柵線、數據線與薄膜電晶體上。第二基板201形成有與第二電極207連通的公共線(未圖示)。請參照圖1所示，由金屬層形成的柵線1和數據線3沿著水平方向和垂直方向設置在液晶顯示裝置的第一基板202上，從而限定單位像素。N條柵線和m條數據線彼此交叉，以在液晶顯示裝置上實現NXm個像素。但為了說明簡便，僅示出了一個像素。在柵線1和數據線3的交叉點處形成開關器件，如包括柵極、源極/漏極的薄膜電晶體(TFT)250。柵極、源極/漏極分別與柵線1和數據線3相連。藉助通過柵線1輸入的信號由柵極導通開關器件，而源極/漏極通過數據線3將輸入的信號傳送到單位像素。在數據線3上方的間隔體203、204間隔設置，第一電極206、第二電極207塗布在間隔體204、203相對的內壁上，以形成與第一基板202、第一基板201平行的水平電場，以保持間隔體203、204之間的液晶分子222不管在何種狀態下始終都與屏幕(即第二基板201) 平行。
液晶顯示裝置還形成有維持第一電極206電壓的儲存電容230。需要說明的是，在每一單位像素內，沿數據線3方向延伸的間隔體203、204並不會貫穿整個單位像素，如圖1中所示，而是在間隔體203、204下端(此處所說的「下」端為圖 1中方向)留有空隙，液晶分子222可通過該空隙在各個單位像素之間流通，從而保證液晶分子的均勻性。圖3為根據本發明第二實施例的液晶顯示裝置的剖面結構示意圖。圖4為圖3所示液晶顯示裝置沿C-C線的剖面結構示意圖。請參照圖4所示，液晶顯示裝置由第一基板402與第二基板401組裝而成。在本實施例中，第一基板402為其上形成有薄膜電晶體(TFT，未圖示)以驅動顯示裝置的TFT基板，第二基板401為其上形成有彩色濾光片(未圖示)以顯示色彩的濾光片基板。與第一實施例不同，一對間隔體404均形成在第一基板402上，以便所有間隔體 404都可在同一道工序中形成，簡化製作工藝。同樣的，第一基板402與第二基板401相互組裝後，第一基板402的間隔體404會抵靠在第二基板401上，可以維持兩個對立的基板之間的均勻間隔尺寸。間隔體404結構相同，均呈底部寬頂部窄的等腰梯形，並且這兩個間隔體404在豎直方向上間隔放置。在第一基板402與第二基板401組裝完成後，一對間隔體404之間形成一個呈等腰梯形的區域。這個區域隨後會填充入液晶分子，形成用於透光或阻止光透過的液晶層420，所述填充進來的液晶分子的指向在常規狀態下(即不受電場作用時)平行於第二基板401。一對間隔體404、液晶層420與第一基板402、第二基板401會構成一個單位像素。間隔體404可以為有機膜、氮化矽或類似的絕緣材料。在間隔體404的形成過程中，間隔體404的側壁與第一基板402之間形成一個夾角，這個夾角優選為大於或等於45 度而小於90度，當所述夾角進一步優選為大於或等於60度而小於或等於80度，可以使得第一電極和第二電極之間形成的橫向電場較平直，較少垂直分量，同時可以降低製作的難度。第一電極406與第二電極407通過PVD (Physical Vapor D印osition，物理氣相沉積)的方式沉積在單位像素內一對間隔體404的相對的內壁上，以在薄膜電晶體(TFT)控制下產生水平電場。水平電場沿著平行於第一基板402、第二基板401的方向驅動液晶層的液晶分子，所以不管在何種狀態下液晶分子的指向始終都與屏幕(即第二基板401)平行， 只是在加電/常規狀態下液晶分子的偏轉方向有所不同。因為避免了液晶分子在豎直方向 (即，與第一基板402、第二基板401垂直的方向)上的偏轉，所以液晶顯示裝置可以達到較大的視角。在本實施例中，第一電極406為像素電極，第二電極407為公共電極，像素電極與公共電極的材料為透明的氧化銦錫(ITO)。與第一實施例不同，第一電極406與第二電極 407所在的平面並不相互平行。在本實施例中，第一電極406與第二電極407的材料為透明的氧化銦錫(ITO)。需要說明的是，在其它實施例中，第一電極406與第二電極407的材料也可為不透明的鋁或鋁合金。由於第一電極406與第二電極407設置在間隔體404的側壁而不是第一基板402或第二基板401上，穿行於第一基板402與第二基板401的光線已然無須穿透第一電極406 與第二電極407，因而即便為不透明材料第一電極406與第二電極407也不會阻礙光線。
不僅如此，由於第一電極406與第二電極407傾斜設置，因而不透明的第一電極 406、第二電極407可阻擋電極正下方的光線透過而電極正下方正是電場垂直分量較大的區域，也是引起光透過率降低的區域，所以通過設置不透明的電場將這部分區域遮擋，在某種程度上也可提高光透過率。正對所述間隔體404設置有黑矩陣405 (圖4中顯示黑矩陣405形成在間隔體404 的正下方)。黑矩陣405由包括碳顆粒的黑樹脂構成，由於碳顆粒具有吸光特性，所以黑矩陣可以防止光洩露。第一基板402包括玻璃基板、形成在玻璃基板上的陣列層、形成在陣列層上黑矩陣405及覆蓋在黑矩陣405、陣列層上的鈍化層。陣列層上形成有柵線、數據線及與柵線和數據線電性相連的用作開關器件的薄膜電晶體(未圖示)。黑矩陣405覆蓋在柵線、數據線與薄膜電晶體上。與第一實施例不同，與第二電極407連通以提供電源的公共線(未圖示)形成在第一基板402上。請參照圖3所示，由金屬層形成的柵線41和數據線43沿著水平方向和垂直方向設置在液晶顯示裝置的第一基板402上，從而限定單位像素。N條柵線和m條數據線彼此交叉，以在液晶顯示裝置上實現NXm個像素。但為了說明簡便，僅示出了一個像素。在柵線41和數據線43的交叉點處形成開關器件，如包括柵極、源極與漏極的薄膜電晶體(TFT)450。柵極、源極與漏極分別與柵線41和數據線43相連。藉助通過柵線41輸入的信號由柵極導通開關器件，而源極與漏極通過數據線43將輸入的信號傳送到單位像
ο在數據線43上方的一對間隔體404間隔設置，第一電極406、第二電極407塗布在間隔體404相對的內壁上，以形成與第一基板402、第二基板401平行的水平電場，以保持一對間隔體404之間的液晶分子不管在何種狀態下始終都與屏幕(即第二基板401)平行。液晶顯示裝置還形成有維持第一電極406電壓的儲存電容430。需要說明的是，在每一單位像素內，沿數據線43方向延伸的間隔體404並不會貫穿整個單位像素，如圖3中所示，而是在間隔體404下端(此處所說的「下」端為圖3中方向)留有空隙，液晶分子422可通過該空隙在各個單位像素之間流通，從而保證液晶分子的均勻性。作為對本發明的一個改進，每一像素單元可以包含多個間隔體。比如可以在第二實施例的一對間隔體404之間另設有一個間隔體，該間隔體的兩側壁分別設有電極(可以是第一電極或第二電極)，從而與原有的一對間隔體404共同將單個像素單元分做兩個區域，每個區域分別有各自的橫向電場。可以想見的是，由於每個區域內的電極之間距離變小 (相對於第一電極406與第二電極407之間的距離而言)，因而用於供應電極的驅動電壓可適當減小。圖5為現有的邊緣場偏轉型液晶顯示器(即FFS-IXD)通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖。請參照圖5，邊緣場偏轉型液晶顯示器50包含多個單位像素56，每個單位像素 56包括設在同側基板上的兩個電極51以形成電場，液晶分子57在電場作用下發生偏轉。 由於電極51表面上方區域的電場具有很強的垂直電極51表面的分量，該垂直分量會使液晶分子57發生垂直方向的傾斜而非水平方向的扭轉，進而導致於電極51表面上方形成低穿透率的區域。其中，兩電極51的材料均為透明的氧化銦錫(ITO)，兩電極51的電壓分別為5V與0V，兩電極51中心之間的距離為30微米；兩基板之間的距離為4微米。透過率曲線陽反映的是其下方的邊緣場偏轉型液晶顯示器50各處的透過率大小，其中X軸表示與液晶顯示裝置某處對應的位置信息，Y軸表示透過率大小。從透過率曲線55可以看出電極 51表面上方區域Q的對光線的透過率遠小於其它區域。綜合各區域的透過率，得出整個邊緣場偏轉型液晶顯示器50的透過率為25. 08%。圖6為本發明第一實施例的液晶顯示裝置通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖。其中，兩電極的材料均為透明的氧化銦錫(ITO)，兩電極的電壓分別為5V與0V，兩電極之間的距離為30微米；間隔體的腰(即側壁)與基板的夾角為45度；兩基板之間的距離為4微米。請參考圖6，並與圖5相比較，可發現，每個單位像素中發生液晶分子222沿垂直於基板方向扭轉的區域已大大減小，相應的，透過率曲線65中透過率明顯較低的區域已變得很小。整個液晶顯示裝置的透過率為31. 65%。由此可知，本發明的第一實施例確實可優化電極附近的水平電場，提高液晶顯示裝置的透過率。圖7為本發明第二實施例的液晶顯示裝置通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖。其中，兩電極的材料均為透明的氧化銦錫(ITO)，兩電極的電壓分別為5V與0V，兩電極中心之間的距離為30微米；間隔體的腰(即側壁)與基板的夾角為45度；兩基板之間的距離為4 微米。請參考圖7，並與圖5相比較，可發現，透過率曲線65中透過率明顯較低的區域已變得很小。相應的，整個液晶顯示裝置的透過率為35. 66%。由此可知，本發明的第二實施例確實可優化電極附近的水平電場，提高液晶顯示裝置的透過率。圖8為本發明液晶顯示裝置的另一實施例。其中，兩電極的材料均為透明的氧化銦錫(ITO)，兩電極的電壓分別為5V與0V，兩電極之間的距離為30微米；間隔體的腰(即側壁)與基板的夾角為45度；兩基板之間的距離為4微米。作為對第一實施例的改進，第一、二基板202、201外側設有透明屏蔽層觀0，以排除外界電場、磁場或電磁波的幹擾。液晶顯示裝置上方為通過DIMOS軟體獲得透過率曲線圖85。請參考圖8，並與圖5相比較，可發現，透過率曲線65中透過率明顯較低的區域已變得很小。相應的，整個液晶顯示裝置的透過率為33. 19%。圖9為本發明又一實施例的展示了多個液晶單元之間位置關係的液晶顯示裝置。 請參照圖9，四條縱向延伸的數據線94與四條橫向延伸的柵線95將整個區域分為九個矩形，每個矩形代表一個像素單元。以位於中心位置的像素單元90為例，其兩側的間隔體 911、912相對表面分別設置有第一電極921和第二電極922以形成橫向電場以驅動液晶分子偏轉；間隔體911的另一表面形成電極961，該電極961作為相鄰的像素單元96的第一電極或第二電極，間隔體912的另一表面形成電極971，該電極971作為相鄰的像素單元97 的第一電極或第二電極。沿數據線94方向延伸的間隔體911、912並不會貫穿整個單位像素，因而，位於同一列並相鄰的像素單元90、99的間隔體之間會存在空隙905，液晶分子可通過該空隙905在各個單位像素之間流通，從而保證液晶分子的均勻性。綜上，本發明提供了一種液晶顯示裝置，通過將兩電極設置在每一單位像素內一對間隔體的相對側壁上，從而在單位像素內形成優良的水平電場。與現有技術相比，所述水平電場的大部分邊緣區域仍能保持很好的水平方向，從而使液晶顯示裝置獲得較高的透過率。不僅如此，由於兩電極設置在間隔體的側壁而不是基板上，避免了電極對穿行於上下基板的光線的阻礙。 對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。 對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，其包括，第一基板、與第一基板相對設置的第二基板和填充於第一基板和第二基板之間的包括多個液晶分子的液晶層，其特徵在於所述液晶顯示裝置進一步包括多個設置於第一和第二基板之間的間隔體，相鄰間隔體的相對表面分別設置有第一電極和第二電極以形成橫向電場以驅動所述液晶分子偏轉。
2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述多個間隔體將所述液晶顯示裝置劃分為多個像素單元，每個像素單元包括相鄰兩個間隔體相對表面上分別設置的第一電極和第二電極。
3.如權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述多個像素單元成矩陣排列，同一列像素單元的相鄰兩間隔體為沿列向延伸的條狀間隔體。
4.如權利要求3所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，同一列相鄰兩個像素單元的相鄰兩間隔體之間形成有空隙。
5.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述液晶顯示裝置包括多個像素單元，每一像素單元包括多個間隔體。
6.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述第一電極為像素電極，第二電極為公共電極。
7.如權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述像素單元的相鄰兩個間隔體的其中一個形成在第一基板上，另一個形成在第二基板上。
8.如權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述像素單元的相鄰兩個間隔體均形成在第一基板上。
9.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，正對所述間隔體設置有黑矩陣。
10.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述間隔體呈梯形。
11.如權利要求10所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述梯形的腰與第一基板或第二基板形成一個夾角，所述夾角大於或等於45度而小於90度。
12.如權利要求11所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述夾角大於或等於60度而小於或等於80度。
13.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，構成所述間隔體的材料為有機膜材料或氮化矽材料。
14.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述第一基板與第二基板相對液晶層的另一側設有透明屏蔽層。
15.如權利要求14所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，構成所述透明屏蔽層的材料為氧化銦錫。
16.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，所述第一電極與第二電極所在的平面相互平行。
17.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，構成所述第一電極與第二電極的材料為透明的氧化銦錫。
18.如權利要求1、10、11或12中任一項所述的液晶顯示裝置，其特徵在於，構成所述第一電極與第二電極的材料為不透明金屬。
19.一種液晶顯示裝置基板，其包括一基板，其特徵在於所述液晶顯示裝置基板進一步包括設置在所述基板的多個間隔體，相鄰兩個間隔體相對表面分別設置有第一電極和第二電極，以在第一電極和第二電極之間形成橫向電場。
20.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述多個間隔體將所述液晶顯示裝置基板劃分為多個像素單元，每個像素單元包括相鄰兩個間隔體相對表面的第一電極和第二電極。
21.如權利要求20所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述多個像素單元成矩陣排列，同一列像素單元的相鄰兩間隔體為沿列向延伸的條狀間隔體。
22.如權利要求21所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，同一列相鄰兩個像素單元的相鄰兩間隔體之間形成有空隙。
23.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述液晶顯示裝置基板包括多個像素單元，每一像素單元包括多個間隔體。
24.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述第一電極為像素電極， 第二電極為公共電極。
25.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，正對所述間隔體設置有黑矩陣。
26.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述間隔體呈梯形。
27.如權利要求沈所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述梯形的腰與所述基板形成一個夾角，所述夾角大於或等於45度而小於90度。
28.如權利要求27所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述夾角大於或等於60度而小於或等於80度。
29.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，構成所述間隔體的材料為有機膜或氮化矽材料。
30.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，所述液晶顯示裝置基板相對間隔體的另一側設有透明屏蔽層。
31.如權利要求30所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，構成所述透明屏蔽層的材料為氧化銦錫。
32.如權利要求19所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，構成所述第一電極與第二電極的材料為透明的氧化銦錫。
33.如權利要求19或沈或27或觀所述的液晶顯示裝置基板，其特徵在於，構成所述第一電極與第二電極的材料為不透明金屬。
全文摘要
本發明公開了一種液晶顯示裝置與液晶顯示裝置基板，該液晶顯示裝置包括第一基板、與第一基板相對設置的第二基板和填充於第一基板和第二基板之間的包括多個液晶分子的液晶層及多個設置於第一和第二基板之間的間隔體，相鄰間隔體的相對表面分別設置有第一電極和第二電極以形成橫向電場以驅動所述液晶分子偏轉。與現有技術相比，本發明的液晶顯示裝置具有較寬的視角和較高的透過率。
文檔編號G02F1/1339GK102262322SQ20101018778
公開日2011年11月30日 申請日期2010年5月24日 優先權日2010年5月24日
發明者劉保玲, 霍思濤 申請人:上海天馬微電子有限公司