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一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑及其生產工藝的製作方法

2023-07-28 07:50:11

本發明涉及鹽鹼地改良技術領域,尤其涉及一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑及其生產工藝。



背景技術:

我國是一個農業大國,但不是農業強國,全國各類鹽鹼土地總面積達148700萬畝,其中鹽漬化土壤為55400萬畝,殘餘鹽漬化土壤為67300萬畝,潛在鹽漬化土壤為26000萬畝,土壤鹽鹼化是指土壤含鹽量太高,而使農作物低產或不能生長的現象。當土壤表層的含鹽量超過0.3%時,農作物的產量將明顯下降;當土壤表層的含鹽量超過0.6%時,大多數植物已不能生長,當土壤表層的含鹽量超過1.0%時,只有一些特殊適應於鹽土的植物才能生長,土壤鹽鹼化其對農業生產的危害很大,一方面造成土壤板結與肥力下降,不利於農作物吸收養分,影響單位面積農作物產量,另一方面,嚴重的土壤鹽鹼化造成耕地的棄耕,直接影響到我國的可耕地面積。

在鹽鹼地改良過程中可能會產生鹽酸、硫酸和硝酸,從而造成汙染,在鹽鹼地的處理後可以利用含有脫硫石膏改良劑來防止造成鹽鹼地土壤二次汙染,改良效果好,且能夠提高鹽鹼地處理的效果。



技術實現要素:

本發明的目的是為了解決現有技術中存在的鹽鹼地肥力下降,且易於受到二次汙染等缺點,而提出的一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑及其生產工藝。

為了實現上述目的,本發明採用了如下技術方案:

一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑,所述含有脫硫石膏改良劑按照重量的配方如下:放線菌0.5-1.2份、光合細菌1.25-2.3份、枯草芽孢桿菌1.75-3.1份、脫硫石膏12.5-16份、混合植物粉22.5-31.5份、糠醛渣23-28.5份、粉煤灰25.5-30.5份。

優選的,所述含有脫硫石膏改良劑的最佳配方如下:放線菌0.85份、光合細菌1.7份、枯草芽孢桿菌2.45份、脫硫石膏14.5份、混合植物粉27份、糠醛渣25.5份、粉煤灰28.5份。

優選的,所述混合植物粉為小麥秸稈、紅豆草與聚合草組成,且小麥秸稈、紅豆草與聚合草按照重量的比例為3:2:1。

本發明還提供一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑的生產工藝,包括如下步驟:

S1、把小麥秸稈、紅豆草與聚合草利用高溫晾曬,在高溫晾曬2-3天後,將小麥秸稈、紅豆草與聚合草在粉碎機中粉碎處理,備用;

S2、在S1中的小麥秸稈、紅豆草與聚合草中加入腐爛劑,將粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑混合均勻,粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑的用量按重量比例為75:1,腐爛時間不少於10-15天,形成混合植物粉,備用;

S3、在糠醛渣、粉煤灰中加入與糠醛渣、粉煤灰的重量同樣的水,並將糠醛渣、粉煤灰與水均勻攪拌後,加入脫硫石膏;

S4、把S3中脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰充分混合後獲得混合料後,備用;

S5、把S2和S4中粉碎處理的混合植物粉與腐爛劑混合物與脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物通過攪拌裝置混合;

S6、把S5中的混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物放置於密閉空間內;

S7、在S6中混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物中加入放線菌、光合細菌、枯草芽孢桿菌的微生物進行再處理,處理時間為5-10天;

S8、把S7中形成的混合液即為成品;

S9、經過初檢、瓶裝封口和外包裝即得最終成品。

優選的,所述小麥秸稈、紅豆草與聚合草的粉碎後的長度為1.3-2.1釐米,且小麥秸稈、紅豆草與聚合草的含水量均不高於百分之八。

優選的,所述S2中的秸稈腐爛劑為分解纖維素、半纖維素、木質素和其它生物有機物質的微生物菌群,且其它生物有機物質的微生物菌群為米麴黴、綠色木黴、釀酒酵母與假絲酵母的混合物。

本發明提供的一種改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑,本發明以脫硫石膏、混合植物粉、糠醛渣、粉煤灰為主要成分製成含有脫硫石膏改良劑,防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑的生產工藝簡單,原材料和生產成本低廉,適宜大規模推廣施用,可以防止鹽鹼地土壤二次汙染。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合具體實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,並不用於限定本發明。

實施例1

一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑,所述含有脫硫石膏改良劑的配方如下:放線菌0.5份份、光合細菌1.25份、枯草芽孢桿菌1.75份、脫硫石膏12.5份、混合植物粉22.5份、糠醛渣23份、粉煤灰25.5份,所述混合植物粉為小麥秸稈、紅豆草與聚合草組成,且小麥秸稈、紅豆草與聚合草按照重量的比例為3:2:1。

本發明還提供一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑的生產工藝,包括如下步驟:

S1、把小麥秸稈、紅豆草與聚合草利用高溫晾曬,在高溫晾曬2-3天後,將小麥秸稈、紅豆草與聚合草在粉碎機中粉碎處理,備用;

S2、在S1中的小麥秸稈、紅豆草與聚合草中加入腐爛劑,將粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑混合均勻,粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑的用量按重量比例為75:1,腐爛時間不少於10-15天,形成混合植物粉,備用;

S3、在糠醛渣、粉煤灰中加入與糠醛渣、粉煤灰的重量同樣的水,並將糠醛渣、粉煤灰與水均勻攪拌後,加入脫硫石膏;

S4、把S3中脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰充分混合後獲得混合料後,備用;

S5、把S2和S4中粉碎處理的混合植物粉與腐爛劑混合物與脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物通過攪拌裝置混合;

S6、把S5中的混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物放置於密閉空間內;

S7、在S6中混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物中加入放線菌、光合細菌、枯草芽孢桿菌的微生物進行再處理,處理時間為5-10天;

S8、把S7中形成的混合液即為成品;

S9、經過初檢、瓶裝封口和外包裝即得最終成品。

實施例2

一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑,所述含有脫硫石膏改良劑的配方如下:放線菌0.8份、光合細菌1.7份、枯草芽孢桿菌2.4份、脫硫石膏14份、混合植物粉27份、糠醛渣26份、粉煤灰28份,所述混合植物粉為小麥秸稈、紅豆草與聚合草組成,且小麥秸稈、紅豆草與聚合草按照重量的比例為3:2:1。

本發明還提供一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑的生產工藝,包括如下步驟:

S1、把小麥秸稈、紅豆草與聚合草利用高溫晾曬,在高溫晾曬2-3天後,將小麥秸稈、紅豆草與聚合草在粉碎機中粉碎處理,備用;

S2、在S1中的小麥秸稈、紅豆草與聚合草中加入腐爛劑,將粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑混合均勻,粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑的用量按重量比例為75:1,腐爛時間不少於10-15天,形成混合植物粉,備用;

S3、在糠醛渣、粉煤灰中加入與糠醛渣、粉煤灰的重量同樣的水,並將糠醛渣、粉煤灰與水均勻攪拌後,加入脫硫石膏;

S4、把S3中脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰充分混合後獲得混合料後,備用;

S5、把S2和S4中粉碎處理的混合植物粉與腐爛劑混合物與脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物通過攪拌裝置混合;

S6、把S5中的混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物放置於密閉空間內;

S7、在S6中混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物中加入放線菌、光合細菌、枯草芽孢桿菌的微生物進行再處理,處理時間為5-10天;

S8、把S7中形成的混合液即為成品;

S9、經過初檢、瓶裝封口和外包裝即得最終成品。

實施例3

一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑,所述含有脫硫石膏改良劑的配方如下:放線菌1.2份、光合細菌2.3份、枯草芽孢桿菌3.1份、脫硫石膏16份、混合植物粉31.5份、糠醛渣28.5份、粉煤灰30.5份,所述混合植物粉為小麥秸稈、紅豆草與聚合草組成,且小麥秸稈、紅豆草與聚合草按照重量的比例為3:2:1。

本發明還提供一種防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑的生產工藝,包括如下步驟:

S1、把小麥秸稈、紅豆草與聚合草利用高溫晾曬,在高溫晾曬2-3天後,將小麥秸稈、紅豆草與聚合草在粉碎機中粉碎處理,備用;

S2、在S1中的小麥秸稈、紅豆草與聚合草中加入腐爛劑,將粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑混合均勻,粉碎處理的小麥秸稈、紅豆草與聚合草與腐爛劑的用量按重量比例為75:1,腐爛時間不少於10-15天,形成混合植物粉,備用;

S3、在糠醛渣、粉煤灰中加入與糠醛渣、粉煤灰的重量同樣的水,並將糠醛渣、粉煤灰與水均勻攪拌後,加入脫硫石膏;

S4、把S3中脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰充分混合後獲得混合料後,備用;

S5、把S2和S4中粉碎處理的混合植物粉與腐爛劑混合物與脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物通過攪拌裝置混合;

S6、把S5中的混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物放置於密閉空間內;

S7、在S6中混合植物粉、脫硫石膏、糠醛渣、粉煤灰的混合物中加入放線菌、光合細菌、枯草芽孢桿菌的微生物進行再處理,處理時間為5-10天;

S8、把S7中形成的混合液即為成品;

S9、經過初檢、瓶裝封口和外包裝即得最終成品。

綜上所述:本發明以脫硫石膏、混合植物粉、糠醛渣、粉煤灰為主要成分製成含有脫硫石膏改良劑,防止改良後鹽鹼地土壤二次汙染的含有脫硫石膏改良劑的生產工藝簡單,原材料和生產成本低廉,適宜大規模推廣施用,可以防止鹽鹼地土壤二次汙染。

以上所述,僅為本發明較佳的具體實施方式,但本發明的保護範圍並不局限於此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內,根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變,都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。

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