一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用的製作方法

2023-07-16 23:32:26 1

專利名稱：一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，屬於發光與照明技術領域。
背景技術：
與傳統照明相比，發光二級管(LED)是節約能源最具潛力的固體照明，特別是白光發光二極體(WLED)已經有非常廣泛的應用。評估WLED發光效果的參數有國際照明委員會(CIE)色品坐標，顯色指數，色溫和光效。CIE色品坐標用來描述光被人眼感知的精確顏色，(O. 33，O. 33)是理想白光的CIE坐標。顯色指數反映了照明體復現顏色的能力，通常取值在O到100之間，顯色指數越大說明發光越接近白光。色溫是光在某一溫度T下所呈現出的顏色與黑體在某一溫度Ttl下的顏色相同時，將黑體此時的溫度Ttl定義為光的色溫。WLED 的色溫值範圍分為暖白光(2500K-3800K)、正白光(3800K-6500K)、和冷白光(5600-10000K及10000K以上)。理想的WLED需具備像太陽光一樣的較寬光譜，人眼更容易適應。然而目前大多數WLED的發光都是像螢光燈一祥刺眼的冷白光。實現白光最常用的方法是將黃光螢光粉Y3Al5Ol2 = Ce3+(YAG = Ce)與藍光(發光波段在450-470nm) InGaN發光二極體晶片複合產生白光。此類單粉白光LED的缺點在於顯色指數不高，很難實現暖白光。綠光螢光粉(例如3ボ&234^11)和紅光螢光粉(例如(31^&)S:Eu)的出現彌補了單粉白光LED的不足，但是由於紅光螢光粉螢光量子產率還較低，使得整個白光LED亮度不高、效率降低。因此，急需開發新型螢光粉。與以YAG = Ce為例的傳統稀土螢光粉不同，半導體納米晶不含稀土元素，發光顏色可調，自吸收小，光與熱穩定性好，已成為用於固體照明的最佳材料。基於CMSe半導體納米晶,Alivisatos率先研發出了電致發光LED。Bulovic研究團隊又對這種LED的結構進行了改進，大幅度提高了光效。實現白光的方法是將幾種電致發光半導體納米晶按照一定比例混合(例如，紅、綠、藍)獲得白光，通過改變各種半導體納米晶的用量配比精確調控發光光譜。例如，將發藍光、綠光、紅光的CdSe/ZnS (核/殼)納米晶混合製成WLED，這種電致發光器件壽命很長。WLED還可以將藍(CdZnS合金)，綠(ZnSe/CdSe/ZnS核/売/売)、紅(CdSe/ZnS核/売)發光納米晶製成膠體層，得到的WLED色品坐標為(O. 35，O. 41)，顯色指數為86。這種國內外專利所報導的量子點白光LED也都集中在II-VI、III-V族量子點，例如CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS等單殼層或多殼層量子點，但此類半導體納米晶螢光粉大都局限在含鎘的材料，由於鎘的毒性，限制了其在白光LED中的應用。另外也有摻雜量子點的報導，例如MmZnSe, Cu =CdS等，但上述不含鎘的摻雜量子點其本身穩定性還未解決，因此在白光LED領域的應用受到限制。ニ兀半導體納米晶突光粉材料，如銅鋼硫(Cu-In-S)和銅鋼砸(Cu-In-Se)等，是性能優異的光電功能材料，由於具有不含稀土元素以及發光範圍可調等特點，在白光LED領域中具有非常廣闊的應用前景與市場。現有技術中已用藍光LED晶片為激發光源，以銅銦硫(Cu-In-S)納米晶螢光粉為光轉化層的白光LED的報導，但所述銅銦硫(Cu-In-S)納米晶螢光粉僅限於黃色螢光粉，所得LED顯色指數低、色溫不可調、發光亮度低。

發明內容
針對現有技術未能製備出基於Cu-In-Znx-E/ZnS核殼結構半導體納米晶螢光粉白光LED的缺陷，本發明的目的之ー在於提供一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料以Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光粉為光轉化材料，以矽膠、環氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)為封裝材料，可用於白光LED中。本發明的目的之ニ在於提供所述含非稀土納米晶 螢光粉的封裝材料的製備方法。本發明的目的之三在於提供所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在白光LED中的應用。本發明的目的通過下述技術方案實現。一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料由紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉和封裝材料組成；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:2(Γ500 ；所述封裝材料為LED領域中通常使用的封裝材料；所述紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉為光轉化材料；其中，所述紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉為Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光粉，來自申請號為201110259596. 3，發明名稱為「ー種納米晶螢光粉」的發明專利申請；所述納米晶螢光粉製備方法如下步驟一、製備反應源將銅鹽、銦鹽、烷基硫醇和十八烯混合得到混合溶液1，在隔絕氧氣狀態下，將混合溶液I加熱到100 120°C並混合> 30分鐘，然後加入長烷基有機酸，在隔絕氧氣狀態下加熱到100 120°C直至溶解後，升高溫度至200 230°C，恆溫反應> 30分鐘，直至出現沉澱之前停止反應，得到反應源；其中，所述銅鹽的物質的量銦鹽的物質的量為8:1 1:8 ;當E=S時烷基硫醇和長烷基有機酸的物質的量之和銅鹽和銦鹽的物質的量之和為16:1 2:1 ;當E=Se時烷基硫醇和長烷基有機酸的物質的量之和銅鹽和銦鹽的物質的量之和為8:1 2:1 ;其中，所述銅鹽為納米晶螢光粉技術領域製備納米晶螢光粉所使用的常規銅鹽，如碘化亞銅、醋酸亞銅或硝酸銅等。銦鹽為納米晶螢光粉技術領域製備納米晶螢光粉所使用的常規銦鹽，如醋酸銦或硝酸銦等。燒基硫醇為納米晶突光粉技術領域製備納米晶突光粉所使用的常規燒基硫醇，如十_■燒基硫醇(DDT)或羊基硫醇等。長烷基有機酸為納米晶螢光粉技術領域製備納米晶螢光粉所使用的常規長烷基有機酸，如油酸(OA)等。十八烯用作溶剤。步驟ニ、製備膠體溶液
將鋅鹽、長烷基有機胺和十八烯混合得到渾濁的混合溶液2，在隔絕氧氣狀態下，將混合溶液2加熱到50 100°C並混合> 30分鐘，然後升高溫度至120 160°C，直至混合溶液2變澄清，製備得到鋅源；當E=S時將所述鋅源加入到步驟ー製備得到的反應源中，在200 230°C恆溫反應O. 5 3小吋，製備得到膠體溶液I ;當E=Se時將硒粉溶解到溶劑中製備得到硒源，將硒源加入到步驟ー製備得到的反應源中，在180 230°C恆溫反應，直至出現沉澱之前停止反應，得到膠體溶液2 ;再將所述鋅源加入到膠體溶液2中，在200 230°C恆溫反應O. 5 3小吋，製備得到膠體溶液3。其中，所述溶劑為三丁基膦或三辛基膦或三丁基膦和十八烯的混合液或三辛基膦和十八烯混合液。
其中，所述鋅鹽的物質的量長烷基有機胺的物質的量為10:1 O. 25:1 ;E=S時，步驟一中烷基硫醇的物質的量鋅源的物質的量為1:5 I: IE=Se時，步驟一中烷基硫醇的物質的量硒源的物質的量鋅源的物質的量為1:0. 5 2:1 5。其中，所述鋅鹽為納米晶螢光粉技術領域製備納米晶螢光粉所使用的常規鋅鹽，如醋酸鋅、硬脂酸鋅或黃原酸鋅等。長烷基有機胺為納米晶螢光粉技術領域製備納米晶螢光粉所使用的常規長烷基有機胺，如油胺等。十八烯用作溶剤。步驟ニ、製備納米晶突光材料將步驟ニ得到的產物用極性溶劑進行清洗，通過離心沉降得到Cu-In-Znx_E/ZnS納米晶突光材料；所述產物為膠體溶液I或2 ;當所述產物為膠體溶液I吋，製備得到的Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光材料中的E=S，即得到Cu-In_Znx-S/ZnS納米晶螢光材料；當所述產物為膠體溶液3吋，製備得到的Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光材料中的E=Se,即得到Cu-In-Znx-Se/ZnS納米晶螢光材料。所述極性溶劑為納米晶螢光粉技術領域製備納米晶螢光粉的常規清洗極性溶剤，如甲醇或丙酮等。所述清洗為納米晶螢光粉技術領域製備納米晶螢光粉的常規清洗技木。步驟四、製備納米晶螢光粉將步驟三得到的Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光材料在40 70°C下真空乾燥彡30分鐘，得到所述納米晶螢光粉。紅光非稀土納米晶螢光粉為以鋅鹽、銦鹽和銅鹽物質的量之和為100%計，鋅鹽的物質的量為30 50%時，製備得到的Cu-In-Znx-S/ZnS納米晶螢光粉，其中，x彡O ;或以鋅鹽、銦鹽和銅鹽物質的量之和為100%計，Zn佔Cu、In、Zn元素物質的量為50% 90%時，製備得到的Cu-In-Znx-Se/ZnS納米晶螢光粉，其中，x ^ O ；綠光非稀土納米晶螢光粉為以鋅鹽、銦鹽和銅鹽物質的量之和為100%計，鋅鹽的物質的量為80 90%時，製備得到的Cu-In-Znx-S/ZnS納米晶螢光粉，其中，x > O。優選封裝材料為矽膠或環氧樹脂之一；
一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的製備方法，所述方法步驟如下步驟一、配製溶液將非稀土納米晶螢光粉溶解於有機溶劑中，再加入封裝材料攪拌10_15min，得到溶液；有機溶劑的用量為將非稀土納米晶螢光粉溶解為宜；所述有機溶劑為氯仿、甲苯、ニ甲苯、正己烷或氯苯之ー；所述非稀土納米晶螢光粉為紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉；非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為5°/Γ80% ；步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液在2(T50°C，負壓條件下處理l(T60min，得到本發明所述的含非稀土納米 晶螢光粉的封裝材料；所述負壓為小於一個大氣壓的壓強。優選對於色溫在2500K 3800K的暖白區域白光LED，步驟一中紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:2(Γ100 ;紅色和緑色非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為10% 50% ；優選對於色溫在3800Κ 6500Κ的正白區域白光LED，步驟一中紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:10(Γ300 ;紅色和緑色非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為10% 50% ；優選對於色溫在6500Κ 10000Κ以及10000Κ以上的冷白區域白光LED，紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:30(Γ500 ;紅色和緑色非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為10% 50% ；一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的應用，所述應用是將所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料用於白光LED ；所述白光LED可為貼片、直插、大功率或薄膜型白光LED ；優選對於貼片、直插或大功率型白光LED，將所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料滴入LED杯碗中心的凹槽內，在12(Tl50°C下烘烤O. 5^3小時，實現所述螢光粉膠在白光LED中的應用；所述LED杯碗為貼片、直插或大功率型LED杯碗；三種杯碗上表面中心均開有凹槽，凹槽底部置有藍光或紫外LED晶片，杯碗上還設有正負極引腳。優選當所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料用於單層薄膜型LED時，採用如下方法步驟一、溶液配製將紅光非稀土螢光粉、綠光非稀土螢光粉封裝材料混合後溶於氯仿得到溶液；紅、綠光非稀土螢光粉的質量之和佔封裝材料的質量百分比為5 80%。紅光非稀土突光粉的質量綠光非稀土突光粉的質量==1 20^500 ；步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液在2(T50°C、負壓條件下處理l(T60min，得到含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料；步驟三、薄膜製備將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜；步驟四、薄膜複合與光激發將薄膜用波長為45(T460nm、功率為IOmW的藍光源照射至複合薄膜產生白光，實現所述非稀土納米晶螢光粉在白光LED中的應用，所述LED為單層薄膜型LED。優選當所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料用於雙層薄膜型LED時，採用如下方法步驟一、配製溶液將紅光非稀土納米晶螢光粉與封裝材料混合後溶於有機溶剤，得到溶液I ;紅光非稀土螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為5 80% ； 將綠光非稀土納米晶螢光粉與封裝材料混合後溶於有機溶剤，得到溶液2 ;綠光非稀土螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為5 80% ；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:2(Γ500 ；步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液I、溶液2分別在2(T50°C、負壓下真空處理l(T60min，得到含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I和含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2 ；步驟三、薄膜製備將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜I ;將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜2 ；步驟四、薄膜複合與光激發將薄膜I和薄膜2疊放後得到複合薄膜，用波長為45(T460nm、功率為IOmW 3W的藍光源照射至複合薄膜產生白光，實現所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在雙層薄膜型LED中的應用。其中，當所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料用於單層和雙層薄膜型LED吋，步驟一中的封裝材料為透明有機高分子材料，優選為PMMA。有益效果I.本發明提供了一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，所述螢光粉膠不含稀土
元素、毒性小；2.本發明提供了一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的製備方法，具體地說，是將非稀土 Cu-In-Znx-S/ZnS納米晶螢光粉與矽膠、環氧樹脂或PMMA封裝材料混合併固化，所述非稀土納米晶螢光粉可溶於有機溶劑得到均勻螢光粉膠，克服了稀土螢光粉不能實現溶液加工，即不溶於水和有機溶剤，只能與封裝材料物理混合再進行點膠，螢光粉膠和封裝材料混合不均勻的缺陷；3.本發明提供了一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在白光LED中的應用，如貼片、直插、大功率和薄膜型的LED，通過調節綠光、紅光納米晶螢光粉的配比，實現色溫可調；得到的LED具有較高的顯色指數、色溫可調、發光亮度高、熱穩定性好、壽命長，能耗低。


圖I為實施例I製備得到的非稀土納米晶螢光粉白光LED光譜圖；圖2為實施例2製備得到的非稀土納米晶螢光粉白光LED光譜圖；圖3為實施例3製備得到的非稀土納米晶螢光粉白光LED光譜圖；圖4為實施例4、5和6製備得到的非稀土納米晶螢光粉白光LED的色品坐標圖；圖5為實施例7製備得到的非稀土納米晶螢光粉白光LED光譜圖。
具體實施例方式在實施例I 7中，所述納米晶螢光粉來自申請號為201110259596. 3，發明名稱為「ー種納米晶螢光粉」的發明專利申請，為紅光非稀土納米晶螢光粉和綠光非稀土納米晶螢光粉；其中實施例廣6中，紅光非稀土螢光粉為所述申請中實施例I製備得到的納米晶螢光粉，綠光非稀土螢光粉為實施例7製備得到的納米晶螢光粉。 紅光非稀土納米晶螢光粉的製備過程如下步驟一、製備反應源將O. 19g碘化亞銅、I. 16g醋酸銦、5mL十二烷基硫醇和25mL十八烯加入到IOOmL的三ロ燒瓶中混合，得到混合溶液I，將混合溶液I真空加熱至120°C並攪拌30min ;然後加入2. 5mL油酸，繼續在真空120°C下攪拌30min至完全溶解後，通入氮氣保持30min，再升溫到220°C，溶液自淺黃色變為深紅色，恆溫反應lh，得到反應源。步驟ニ、製備膠體溶液將2. 64g醋酸鋅、IOmL油胺和IOmL十八烯混合得到渾濁混合溶液2，將混合溶液2真空加熱至50°C並攪拌30分鐘，然後通入氮氣30分鐘再升高溫度至120°C，至渾濁混合溶液2變澄清，製備得到鋅源；在220°C下將所述鋅源逐滴加入到步驟ー製備得到的反應源中進行反應，毎次加入需要5min，毎次反應15min，重複四次，製備得到膠體溶液。步驟ニ、製備納米晶突光材料將步驟ニ製備得到的膠體溶液加入IOOmL離心管中至管高一半處，進行離心分離，得到底層物I和上清液I 去除底層物I後，向上清液I加入3mL甲苯離心分離，得到底層物2和上清液2 去除底層物2後，向上清液2中加入60mL丙酮和20mL甲醇的混合液離心分離，得到底層物3和上清液3 ;④倒掉上清液3，底層物3用3mL甲苯溶解後，加入60mL丙酮和20mL甲醇混合液離心分離，洗滌兩遍； 用60mL甲醇清洗一遍，離心分離，倒掉上清液4，得到納米晶螢光材料。步驟四、製備納米晶螢光粉將步驟三得到的納米晶螢光材料在50°C下真空乾燥Ih得到所述紅光非稀土納米晶螢光粉。綠光非稀土納米晶螢光粉的製備過程如下步驟一、製備反應源將O. 038g碘化亞銅、O. 232g醋酸銦、O. 176g醋酸鋅、4mL十二烷基硫醇和4mL十八烯加入到50mL的三ロ燒瓶中混合，得到混合溶液1，將混合溶液I真空加熱至120°C並攪拌30min ;然後加入ImL油酸，繼續在真空120°C下攪拌30min至完全溶解後，通入氮氣保持30min,再升溫到230°C，溶液自淺黃色變為淺黃緑色，恆溫反應30min，得到反應源。步驟ニ、製備膠體溶液
將I. 584g醋酸鋅、2mL油胺和2mL十八烯混合得到渾濁混合溶液2，將液混合溶液2真空加熱至50°C並攪拌30分鐘，然後通入氬氣30分鐘，再升高溫度至120°C，至渾濁混合溶液2變澄清，製備得到鋅源；在230°C將所述鋅源逐滴加入到步驟ー製備得到的反應源中，姆次加入需要5min,姆次反應15min,重複四次,製備得到膠體溶液。步驟ニ、製備納米晶突光材料按照紅光非稀土納米晶螢光粉製備過程的步驟三進行。步驟四、製備納米晶螢光粉按照紅光非稀土納米晶螢光粉製備過程的步驟四進行，得到所述綠光非稀土螢光粉。實施例7中，紅光非稀土螢光粉為所述申請中實施例10製備得到的納米晶螢光 粉，綠光非稀土螢光粉為實施例7製備得到的納米晶螢光粉。紅光非稀土納米晶螢光粉的製備過程如下步驟一、製備反應源將O. 038g碘化亞銅、O. 232g醋酸銦，ImL十二烷基硫醇和IOmL十八烯加入到50mL的三ロ燒瓶中混合，得到混合溶液I，將混合溶液I真空的加熱至120°C並攪拌30min ;然後加入O. 5mL油酸，繼續在真空120°C下攪拌30min至完全溶解後，通入氮氣保持30min，再升溫到210°C ;溶液自淺黃色變為深紅色，恆溫反應lh，得到反應源。步驟ニ、製備膠體溶液將O. 352g醋酸鋅、IOmL油胺和IOmL十八烯混合得到渾濁混合溶液2，將混合液2真空加熱至80°C並攪拌30分鐘，通入氮氣40分鐘，再升高溫度至140°C，至渾濁混合溶液2變澄清，製備得到鋅源；將O. 5mmol硒粉溶解在三丁基膦中製備得到硒源，將硒源快速加入步驟ー製備得到的反應源中，溶液的顔色在30秒鐘，自淺黃色變為深紅色，在180°C恆溫反應直至出現沉澱之前停止反應，得到黑紅色的膠體溶液I ;再在200°C將所述鋅源逐滴加入到膠體溶液2中，姆次注入需要5min,姆次反應15min,重複四次,製備得到膠體溶液2。重複四次，製備得到膠體溶液2。步驟ニ、製備納米晶突光材料將步驟ニ製備得到的膠體溶液加入IOOmL離心管中至管高一半處，進行離心分離，得到底層物I和上清液I 去除底層物I後，向上清液I加入3mL甲苯離心分離，得到底層物2和上清液2 去除底層物2後，向上清液2中加入60mL丙酮和20mL甲醇的混合液離心分離，得到底層物3和上清液3 ;④倒掉上清液3，底層物3用3mL甲苯溶解後，加入60mL丙酮和20mL甲醇混合液離心分離，洗滌兩遍； 用60mL甲醇清洗一遍，離心分離，倒掉上清液4，得到納米晶螢光材料。步驟四、製備納米晶螢光粉將步驟三得到的納米晶螢光材料在50°C下真空乾燥lh，得到所述紅光非稀土納米晶螢光粉。在實施例f 7中，採用LED光電色綜合測試系統，對製備得到的非稀土納米晶螢光粉白光LED進行檢測；所述測試系統包括型號為WY-305的精密數顯直流穩流穩壓電源、型號為HAAS-2000的高精度快速光譜輻射計和型號為QEM- II -06VER I. 020. 8m的積分球；對於貼片型LED，採用20_80mA的測試電流；
對於直插型LED，採用20_100mA的測試電流；對於大功率型LED，採用350-700mA的測試電流。在實施例廣3和7中，所述LED杯碗為貼片、直插或大功率型LED杯碗；三種杯碗上表面中心均開有凹槽，凹槽底部置有藍光或紫外LED晶片，杯碗上還設有正負極引腳。貼片型LED杯碗型號為HKY-B002，廠家為東莞市盛拓塑膠有限公司；直插型LED杯碗型號為HKY-B002，廠家為東莞市雅筍電子有限公司；大功率型LED杯碗型號為91272EWG-3207YA (O. 46) -ZY，廠家為東莞競萬電子有限公司。
實施例I一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，具體步驟如下步驟一、配製溶液將非稀土納米晶螢光粉溶解於氯仿中，再加入封裝材料，用玻璃棒進行攪拌；攪拌速率為2 3圏/秒，向ー個方向順時針攪拌，避免產生過多的氣泡，攪拌IOmin得到溶液；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:50 ;所述封裝材料為矽膠0E6551A和矽膠0E6551B，矽膠0E6551A的質量矽膠0E6551B的質量=1:2 ;非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為10%。步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液放於真空乾燥箱中，在30°C，負壓條件下處理60min，得到本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料；在脫泡過程中，如溶液溢出，適當放氣阻止其溢出；脫泡完畢，取出含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，用玻璃棒以2 3秒/圈的速度按照ー個方向緩慢攪拌5分鐘，攪拌時避免產生氣泡。步驟三、點膠將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料移入到5mL針筒中，倒入的時候不可產生氣泡；給針筒安裝進氣管，對進氣管施加壓カ，使得針筒中的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料緩慢滴進貼片型LED杯碗中心的凹槽內，直至含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在杯碗中呈平杯狀態(與凹槽ロ平齊)，得到固化前的LED整體器件；步驟四、固化將固化前的LED整體器件放入乾燥箱中，在120°C下烘烤3小時，實現所述非稀土納米晶螢光粉在白光LED中的應用，所述LED為貼片型LED。對所述非稀土納米晶螢光粉白光LED進行檢測，測試步驟如下依次打開高精度快速光譜輻射計電源、精密數顯直流穩流穩壓電源和LEDspec測試軟體，選擇常規測量模式；將所述LED放在積分球入口處，LED的正負極引腳與精密數顯直流穩流穩壓電源連接，對LED施加規定的正向電流If為20mA，光度探測系統測量出光通量。在軟體上顯示出白光光譜以及CIE 1931色品坐標、顯色指數、色溫、效率參數，導出數據以及光譜進行分析，得到圖I所示的非稀土納米晶螢光粉白光LED光譜圖；可看出所述LED在450nm(藍光區域)、540nm (綠光區域)、635nm (紅光區域)具有特徵峰,說明發出的光由三種顏色組成；軟體分析得到CIE色品坐標為(O. 3122,0. 3850)，顯色指數為92，色溫為3770K，證明LED發出的光處於暖白區域。實施例2
一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，具體步驟如下步驟一、配製溶液將非稀土納米晶螢光粉溶解於甲苯中，再加入封裝材料，用玻璃棒進行攪拌；攪拌速率為2 3圏/秒，向ー個方向順時針攪拌，避免產生過多的氣泡，攪拌15min得到溶液；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:200 ；所述封裝材料為環氧樹脂GL001A和環氧樹脂GL001B，環氧樹脂GL001A的質量環氧樹脂GL001B的質量=1:1 ;非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為20%。步驟ニ、去除溶劑與脫泡
將溶液放於真空乾燥箱中，在50°C，負壓條件下處理lOmin，得到本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料；在脫泡過程中，如溶液溢出，適當放氣阻止其溢出；脫泡完畢，取出含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，用玻璃棒以2 3秒/圈的速度按照ー個方向緩慢攪拌5分鐘，攪拌時避免產生氣泡。步驟三、點膠將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料移入到5mL針筒中，倒入的時候不可產生氣泡；給針筒安裝進氣管，對進氣管施加壓力，使得針筒中的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料緩慢滴進直插型LED杯碗中心的凹槽內，直至含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在杯碗中呈平杯狀態，得到固化前的LED整體器件；步驟四、固化將固化前的LED整體器件放入乾燥箱中，在150°C下烘烤O. 5小時；步驟五、灌封將矽膠OE 6370HF A與矽膠OE 6370HF B作為灌封膠，將兩者按I: I的重量比混合，溶解於氯仿中用玻璃棒攪拌lOmin，然後在50°C、負壓下處理50分鐘，去除有機溶劑與脫泡後，用玻璃棒緩慢引流至灌膠機的膠盒中，排出一部分灌封膠，直到針頭吐出的膠連貫且無氣泡為止，迅速對直插型LED杯碗進行灌封，灌封膠內不可產生氣泡。然後在80°C固化lh，再於150°C固化lh，實現所述非稀土納米晶螢光粉在白光LED中的應用，所述LED為直插型LED。採用與實施例I相同的測試方法，施加規定的正向電流If為20mA，對所述非稀土螢光粉白光LED進行檢測，得到圖2所示的非稀土螢光粉白光LED光譜圖；可看出所述LED在450nm (藍光區域)、546nm (綠光區域)、640nm (紅光區域)具有特徵峰,說明發出的光由三種顏色組成；軟體分析得到CIE色品坐標為(O. 333，O. 344)，顯色指數為89. 7，色溫為5568K，說明LED發出的光處於正白區域。實施例3一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，具體步驟如下步驟一、配製溶液將非稀土納米晶螢光粉溶解於ニ甲苯中，再加入封裝材料，用玻璃棒進行攪拌；攪拌速率為2 3圏/秒，向ー個方向順時針攪拌，避免產生過多的氣泡，攪拌12min得到溶液；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:500 ；所述封裝材料為矽膠0E6551A和矽膠0E6551B，矽膠0E6551A的質量矽膠0E6551B的質量=1:2 ;非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為30%。步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液放於真空乾燥箱中，在30°C，負壓條件下處理30min，得到本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料；在脫泡過程中，如溶液溢出，適當放氣阻止其溢出；脫泡完畢，取出含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，用玻璃棒以2 3秒/圈的速度按照ー個方向緩慢攪拌5分鐘，攪拌時避免產生氣泡。步驟三、點膠
將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料移入到5mL針筒中，倒入的時候不可產生氣泡；給針筒安裝進氣管，對進氣管施加壓力，使得針筒中的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料緩慢滴進大功率型LED杯碗中心的凹槽內，直至含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在杯碗中呈平杯狀態，得到固化前的LED整體器件；步驟四、固化將固化前的LED整體器件放入乾燥箱中，在130°C下烘烤2小時。步驟五、灌封將矽膠OE 6370HF A與矽膠OE 6370HF B作為灌封膠，將兩者按I: I的重量比混合，溶解於ニ甲苯中用玻璃棒攪拌lOmin，然後在40°C、負壓下處理I小時，去除有機溶劑與脫泡後，至無氣泡時拿出。將灌封膠沿針筒內壁緩慢倒入針筒，排出一部分灌封膠，直到針頭吐出的膠連貫且無氣泡為止，在注膠ロ插入針頭，對大功率型LED杯碗進行灌封，然後在100°C固化O. 5h，再於120°C固化2h，實現所述非稀土納米晶螢光粉在白光LED中的應用，所述LED為大功率型白光LED。採用與實施例I相同的測試方法，施加規定的正向電流If為350mA，對LED進行檢測，得到圖3所示的非稀土納米晶螢光粉白光LED光譜圖；可看出所述LED在450nm (藍光區域)、566nm (黃光區域)具有特徵峰，此黃光區域由紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉發出的光複合而成，說明發出的光由兩種顏色組成；軟體分析得到CIE色品坐標為(O. 3500, O. 3120)，顯色指數為85，色溫為6670K，證明LED發出的光處於冷白區域。實施例4一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，具體步驟如下步驟一、溶液配製將紅光非稀土納米晶螢光粉與封裝材料PMMA混合後溶於氯仿，得到溶液I ;紅光非稀土納米晶螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為5% ；將綠光非稀土納米晶螢光粉與封裝材料PMMA混合後溶於氯仿，得到溶液2 ;綠光非稀土納米晶螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為5% ；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:500 ；步驟ニ、去除溶劑與脫泡
將溶液I、溶液2分別在室溫、負壓下處理30min，得到含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I和含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2 ；步驟三、薄膜製備將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜I ;將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜2 ；步驟四、薄膜複合與光激發將薄膜I和薄膜2疊放後得到複合薄膜，用波長為45(T460nm、功率為IW的藍光源照射至複合薄膜產生白光，實現所述非稀土納米晶螢光粉在白光LED中的應用，所述LED為 雙層薄膜型LED。採用LED光電色綜合測試系統，對所述LED進行檢測，得到圖4所示的非稀土納米晶螢光粉白光LED的色品坐標圖；得到CIE色品坐標為(O. 2980, O. 3005)，軟體分析得到顯色指數為87，色溫為10000K，證明LED發出的光處於冷白區域。實施例5一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，具體步驟如下步驟一、溶液配製將紅色非稀土納米晶螢光粉與封裝材料PMMA混合後溶於氯仿，得到溶液I ;紅光非稀土納米晶螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為80% ；將綠光非稀土納米晶螢光粉與封裝材料PMMA混合後溶於氯仿，得到溶液2 ;綠光非稀土納米晶螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為80% ；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:20 ;步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液I、溶液2分別在室溫、負壓下處理30min，得到含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I和含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2 ；步驟三、薄膜製備將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜I ;將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜2 ；步驟四、薄膜複合與光激發將薄膜I和薄膜2疊放後得到複合薄膜，用波長為45(T460nm、功率為IW的藍光源照射至複合薄膜產生白光，實現所述非稀土納米晶螢光粉在白光LED中的應用，所述LED為雙層薄膜型LED。採用LED光電色綜合測試系統，對所述LED進行檢測，得到圖4所示的非稀土納米晶螢光粉白光LED色品坐標圖；得到CIE色品坐標為(O. 4696，O. 4173)，軟體分析得到顯色指數為86，色溫為2500K，證明LED發出的光處於暖白區域。實施例6
一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，具體步驟如下步驟一、溶液配製將紅光非稀土螢光粉、綠光非稀土螢光粉封裝材料PMMA混合後溶於氯仿得到溶液；紅、綠光非稀土螢光粉的質量之和佔封裝材料的質量百分比為40%。紅光非稀土突光粉的質量綠光非稀土突光粉的質量=1 200 ；步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液在室溫、負壓下處理30min，得到含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料；步驟三、薄膜製備 將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜；步驟四、薄膜複合與光激發將薄膜用波長為45(T460nm、功率為IOmW的藍光源照射至複合薄膜產生白光，實現所述非稀土納米晶螢光粉在白光LED中的應用，所述LED為單層薄膜型LED。採用LED光電色綜合測試系統，對所述LED進行檢測，得到圖4所示的非稀土納米晶螢光粉白光LED的色品坐標圖；得到CIE色品坐標為(O. 3704，O. 3738)，軟體分析得到顯色指數為84，色溫為4248K，證明LED發出的光處於正白區域。實施例7一種本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，具體步驟如下步驟一、配製溶液將非稀土納米晶螢光粉溶解於ニ甲苯中，再加入封裝材料，用玻璃棒進行攪拌；攪拌速率為2 3圏/秒，向ー個方向順時針攪拌，避免產生過多的氣泡，攪拌12min得到溶液；Cu-In-Se/ZnS紅光非稀土納米晶螢光粉的質量Cu-In_S/ZnS綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:400 ；所述封裝材料為矽膠0E6551A和矽膠0E6551B，矽膠0E6551A的質量矽膠0E6551B的質量=1:2 ;非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為30%。步驟ニ、去除溶劑與脫泡將溶液放於真空乾燥箱中，在30°C，負壓條件下處理30min，得到本發明所述的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料；在脫泡過程中，如溶液溢出，適當放氣阻止其溢出；脫泡完畢，取出含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，用玻璃棒以2 3秒/圈的速度按照ー個方向緩慢攪拌5分鐘，攪拌時避免產生氣泡。步驟三、點膠將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料移入到5mL針筒中，倒入的時候不可產生氣泡；給針筒安裝進氣管，對進氣管施加壓力，使得針筒中的含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料緩慢滴進大功率型LED杯碗中心的凹槽內，直至含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在杯碗中呈平杯狀態，得到固化前的LED整體器件；步驟四、固化
將固化前的LED整體器件放入乾燥箱中，在130°C下烘烤2小時。所述LED為貼片型白光LED。採用與實施例I相同的測試方法，施加規定的正向電流If為350mA，對LED進行檢測，得到圖3所示的非稀土納米晶螢光粉白光LED光譜圖；可看出所述LED在450nm (藍光區域)、577nm (黃光區域)具有特徵峰，此黃光區域由紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉發出的光複合而成，說明發出的光由兩種顏色組成；軟體分析得到CIE色品坐標為(O. 3144，O. 2549)，顯色指數為82，色溫為7591K，證明LED發出的光處於冷白區域。綜上所述，以上僅為本發明的較佳實施例而已，並非用於限定本發明的保護範圍。 凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，其特徵在於所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料由紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉和封裝材料組成；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:2(Γ500 ；所述紅光、綠光非稀土螢光粉為Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光粉，製備方法如下 步驟一、製備反應源將銅鹽、銦鹽、烷基硫醇和十八烯混合得到混合溶液1，在隔絕氧氣狀態下，將混合溶液 I加熱到100 120°C並混合> 30分鐘，然後加入長烷基有機酸，在隔絕氧氣狀態下加熱到 100 120°C直至溶解後，升高溫度至200 230°C，恆溫反應> 30分鐘，直至出現沉澱之前停止反應，得到反應源；其中，所述銅鹽的物質的量銦鹽的物質的量為8:1 1:8 ;當E=S時燒基硫醇和長燒基有機酸的物質的量之和銅鹽和鋼鹽的物質的量之和為 16:1 2:1 ;當E=Se時燒基硫醇和長燒基有機酸的物質的量之和銅鹽和鋼鹽的物質的量之和為 8:1 2:1 ;步驟二、製備膠體溶液將鋅鹽、長烷基有機胺和十八烯混合得到渾濁的混合溶液2，在隔絕氧氣狀態下，將混合溶液2加熱到50 100°C並混合> 30分鐘，然後升高溫度至120 160°C，直至混合溶液2變澄清，製備得到鋅源；當E=S時將所述鋅源加入到步驟一製備得到的反應源中，在200 230°C恆溫反應O.5 3小時，製備得到膠體溶液I ;當E=Se時將硒粉溶解到溶劑中製備得到硒源，將硒源加入到步驟一製備得到的反應源中，在180 230°C恆溫反應，直至出現沉澱之前停止反應，得到膠體溶液2 ;再將所述鋅源加入到膠體溶液2中，在200 230°C恆溫反應O. 5 3小時，製備得到膠體溶液3 ； 其中，所述溶劑為三丁基膦或三辛基膦或三丁基膦和十八烯的混合液或三辛基膦和十八烯混合液；其中，所述鋅鹽的物質的量長烷基有機胺的物質的量為10:1 O. 25:1 ；E=S時，步驟一中烷基硫醇的物質的量鋅源的物質的量為1:5 1:1 E=Se時，步驟一中烷基硫醇的物質的量硒源的物質的量鋅源的物質的量為 1:0. 5 2:1 5。步驟三、製備納米晶螢光材料將步驟二得到的產物用極性溶劑進行清洗，通過離心沉降得到Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光材料；所述產物為膠體溶液I或2 ;當所述產物為膠體溶液I時，製備得到的Cu-In-Znx-E/ZnS 納米晶螢光材料中的E=S，即得到Cu-In-Znx-S/ZnS納米晶螢光材料；當所述產物為膠體溶液3時，製備得到的Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光材料中的E=Se,即得到Cu-In_Znx-Se/ZnS 納米晶突光材料；步驟四、製備納米晶螢光粉將步驟三得到的Cu-In-Znx-E/ZnS納米晶螢光材料在40 70°C下真空乾燥彡30分鐘， 得到所述納米晶螢光粉；其中，紅光非稀土納米晶螢光粉為以鋅鹽、銦鹽和銅鹽物質的量之和為100%計，鋅鹽的物質的量為30 50%時，製備得到的Cu-In-Znx-S/ZnS納米晶螢光粉，其中，x≥O ;或以鋅鹽、銦鹽和銅鹽物質的量之和為100%計，Zn佔Cu、In、Zn元素物質的量為50 90%時， 製備得到的Cu-In-Znx-Se/ZnS納米晶螢光粉，其中，x ≥ O ；綠光非稀土納米晶螢光粉為以鋅鹽、銦鹽和銅鹽物質的量之和為100%計，鋅鹽的物質的量為80 90%時，製備得到的Cu-In-Znx-S/ZnS納米晶螢光粉，其中，x > O。
2.根據權利要求I所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料，其特徵在於封裝材料為娃膠或環氧樹脂。
3.如權利要求I或2所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的製備方法，其特徵在於所述方法步驟如下步驟一、配製溶液將非稀土納米晶螢光粉溶解於有機溶劑中，再加入封裝材料攪拌10-15min，得到溶液；所述有機溶劑為氯仿、甲苯、二甲苯、正己烷或氯苯之一；所述非稀土納米晶螢光粉為紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉；非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為5°/Γ80% ；步驟二、去除溶劑與脫泡將溶液在2(T50°C，負壓條件下處理l(T60min，得到一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料。
4.根據權利要求3所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的製備方法，其特徵在於對於色溫在2500K 3800K的暖白區域白光LED，步驟一中紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:2(Γ100 ;紅色和綠色非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為10% 50%。
5.根據權利要求3所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的製備方法，其特徵在於對於色溫在3800Κ 6500Κ的正白區域白光LED，步驟一中紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:10(Γ300 ;紅色和綠色非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為10% 50%。
6.根據權利要求3所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的製備方法，其特徵在於對於色溫在6500Κ 10000Κ以及10000Κ以上的冷白區域白光LED，紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:30(Γ500 ;紅色和綠色非稀土納米晶螢光粉佔封裝材料的質量百分數為10% 50%。
7.如權利要求I或2所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的應用，其特徵在於所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料應用於白光LED。
8.根據權利要求7所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的應用，其特徵在於所述白光LED為貼片、直插、大功率或薄膜型白光LED。
9.根據權利要求8所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的應用，其特徵在於對於貼片、直插或大功率型白光LED，將所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料滴入 LED杯碗中心的凹槽內，在12(T150°C下烘烤O. 5 3小時，實現所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在白光LED中的應用；所述LED杯碗為貼片、直插或大功率型LED杯碗；三種杯碗上表面中心均開有凹槽,凹槽底部置有藍光或紫外LED晶片，杯碗上還設有正負極引腳。
10.根據權利要求8所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的應用，其特徵在於所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料應用於單層薄膜型LED，具體應用方法如下步驟一、溶液配製將紅光非稀土螢光粉、綠光非稀土螢光粉封裝材料混合後溶於氯仿得到溶液；紅、綠光非稀土螢光粉的質量之和佔封裝材料的質量百分比為5 80% ；紅光非稀土突光粉的質量綠光非稀土突光粉的質量==1:2(Γ500 ；步驟二、去除溶劑與脫泡將溶液在2(T50°C、負壓條件下處理l(T60min，得到含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料；步驟三、薄膜製備將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜；步驟四、薄膜複合與光激發將薄膜用波長為45(T460nm、功率為IOmW的藍光源照射至複合薄膜產生白光，實現所述非稀土納米晶螢光粉在單層白光LED中的應用；其中，步驟一中的封裝材料為透明有機高分子材料。
11.根據權利要求8所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的應用，其特徵在於所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料應用於雙層薄膜型LED，具體應用方法如下步驟一、配製溶液將紅光非稀土納米晶螢光粉與封裝材料混合後溶於有機溶劑，得到溶液I ;紅光非稀土螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為5 80% ；將綠光非稀土納米晶螢光粉與封裝材料混合後溶於有機溶劑，得到溶液2 ;綠光非稀土螢光粉的質量佔封裝材料的質量百分比為5 80% ；紅光非稀土納米晶螢光粉的質量綠光非稀土納米晶螢光粉的質量=1:2(Γ500 ； 步驟二、去除溶劑與脫泡將溶液I、溶液2分別在2(T50°C、負壓下真空處理l(T60min，得到含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I和含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2 ；步驟三、薄膜製備將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料I攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜I ;將含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料2攪拌均勻後，塗覆在載玻片上成膜，自然晾乾後取下得到薄膜2 ；步驟四、薄膜複合與光激發將薄膜I和薄膜2疊放後得到複合薄膜，用波長為45(T460nm、功率為IOmW 3W的藍光源照射至複合薄膜產生白光，實現所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料在雙層薄膜型 LED中的應用；其中，步驟一中的封裝材料為透明有機高分子材料。
12.根據權利要求10或11所述的一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的應用，其特徵在於步驟一中的封裝材料為聚甲基丙烯酸甲酯。
全文摘要
本發明公開了一種含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料、製備方法和應用，屬於發光與照明技術領域。所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料由紅光、綠光非稀土納米晶螢光粉和封裝材料組成；本發明還提供了所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料的製備方法，具體為將非稀土納米晶螢光粉溶解於有機溶劑中，再經過去除溶劑與脫泡製備得到；所述含非稀土納米晶螢光粉的封裝材料可用於白光LED，具體為貼片、直插、大功率或薄膜型白光LED；所述非稀土納米晶螢光粉可溶於有機溶劑得到均勻螢光粉膠，克服了稀土螢光粉不能實現溶液加工的缺陷；得到的LED具有較高的顯色指數、色溫可調、發光亮度高。
文檔編號H01L33/50GK102694110SQ201210188599
公開日2012年9月26日 申請日期2012年6月8日 優先權日2012年6月8日
發明者王美旭, 鄒炳鎖, 鍾海政, 陳冰昆 申請人:北京理工大學