一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法

2023-07-16 09:51:16 3

一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法
【專利摘要】本發明涉及一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法，本發明屬於植物栽培技術、園林植物與觀賞園藝領域。採用一定比例的草炭土，珍珠巖和腐葉土混合，組成君子蘭假鱗莖切片扦插繁殖的培養基質，通過調節合適的基質酸鹼度，把培養基質放入育秧盤中，並將君子蘭假鱗莖切片進行消毒和生根處理後插入其中，提供合適的溫度和溼度環境，當插穗的假鱗莖切片上長出新根芽後移栽，通過常規管理辦法在溫室條件下長成正常的君子蘭植株。本發明通過扦插繁殖，使切割的君子蘭假鱗莖片處於優良的生長環境，能有效提高扦插君子蘭假鱗莖片的分化生長與繁殖率。
【專利說明】一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法。本發明屬於植物栽培技術、園林植物與觀賞園藝領域。
【背景技術】
[0002]君子蘭(Clivia miniata)是石蒜科君子蘭屬的一種多年生草本植物，原產於非洲南部，生樹下面，所以它既怕炎熱又不耐寒，喜歡半陰而溼潤的環境，畏強烈的直射陽光，生長的最佳溫度在18-22°C之間，5°C以下，30°C以上，生長受抑制，目前共發現五種君子蘭，分別稱作垂笑君子蘭(Nobilis),大花君子蘭(miniata),花園君子蘭(gardenii),有莖君子蘭(caulescens)和奇異君子蘭(mirabibis)。君子蘭於本世紀先後從歐洲，日本引進到我國，我國目前主要以種植大花君子蘭為主。君子蘭喜歡通風的環境，花期較長可達30-50天。喜深厚肥沃疏鬆的土壤，適宜室內培養，具有很高的觀賞價值，為目前名貴的觀賞花卉之一，經濟價值十分巨大。目前君子蘭的繁殖方法主要以種子種植和分株繁殖為主，由於君子蘭的遺傳結構中基因型以雜合體居多，種子種植方法由於其遺傳不穩定，即使得到種子，也不一定能繁殖出來具有親本表型的植株，機率很低；另外，分株繁殖需要成年君子蘭植株生長出子芽後進行分株，一年最多也就分出1-3株；近幾年一些實驗室成功進行了君子蘭的組織培養實驗，實驗操作還存在一些不穩定性和成本較高的弊端。扦插繁殖方法具有操作簡單，成活率高，生產成本低的優點，容易被市場所接受並產生較好的技術效果，該方法非常適合推廣應用。

【發明內容】

[0003]本發明的目的在於針對現有技術的不足，提供一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法，簡便實用，成本低廉、便於大規模人工栽培，能快速有效地大量生產優質君子蘭幼苗。
[0004]為實現這樣的目的，本發明的技術方案中，採用一定比例的草炭土，珍珠巖和腐葉土混合，組成君子蘭假鱗莖切片扦插繁殖的培養基質，通過調節合適的基質酸鹼度、提供合適的培養溫度和溼度等技術條件手段，提高扦插的君子蘭假鱗莖切片分化生長與繁殖率。
[0005]本發明的目的通過以下技術方案予以實現。
[0006]1、培養基質的配製:取乾燥的草炭土，珍珠巖和腐葉土按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌30分鐘；
[0007]2、培養基質的pH值調節:在培養基質中加入適量水分使之溼潤，調節培養基質pH在6.5-6.7之間，然後將培養基質倒入育秧盤中備用，調節培養基質pH值時可用稀鹽酸、氫氧化鈉溶液；
[0008]3、母株假鱗莖的切割和消毒:取株齡3年以上的君子蘭母株，清洗乾淨，將植株形態以葉片向上根向下放置，刀口平行於葉片從上往下縱切母株，並確保每部分均帶有一片君子蘭母株葉片和部分假鱗莖盤，去掉所有的地下莖和老根組織，然後將這些切割好的君子蘭假鱗莖切片在稀釋1000倍的多菌靈中浸泡30分鐘消毒，然後再將切面部分在生根粉粉劑中蘸一下，使藥粉包敷在假鱗莖盤的切面上，然後取出作為插穗待插；
[0009]4、假鱗莖切片插穗的種植:將消毒的插穗插入育秧盤中的培養基質內，種植行間距5X5釐米，將假鱗莖切片插入培養基質3-4釐米深，置於22-25°C的陰暗條件下培養120-130天，期間控制溼度在60% -80%之間，並待每次培養基質乾燥後澆透水；
[0010]5、幼苗的移植:當插穗的假鱗莖切片上長出新根芽後，移栽至按照草炭土、珍珠巖、腐葉土和稻殼3: I: 3: I混合成的培養基質中，在常規管理條件下長成正常的君子蘭植株。
[0011]本發明的一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法操作簡便，通過優化扦插繁殖的培養基質，使切割的君子蘭假鱗莖切片處於優良的生長環境，能有效提高扦插的君子蘭假鱗莖切片的分化生長與繁殖率。
[0012]本發明方法能快速有效地大量生產優質君子蘭種苗，為廣大花卉生產企業提供一種簡便實用的生產君子蘭種苗的技術。
【具體實施方式】
[0013]以下通過的實施例對本發明的技術方案作進一步描述。以下實施例不構成對本發明的限定。
[0014]實施例1
[0015]選擇優良大花君子蘭假鱗莖進行扦插繁殖。
[0016]1、培養基質的配製:取乾燥的草炭土，珍珠巖和腐葉土按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌30分鐘；
[0017]2、培養基質的pH值調節:在培養基質中加入適量水分使之溼潤，調節培養基質pH在6.5，然後將培養基質倒入育秧盤中備用，調節培養基質pH值時可用稀鹽酸、氫氧化鈉溶液；
[0018]3、母株假鱗莖的切割和消毒:取株齡3年以上的大花君子蘭母株，清洗乾淨，將植株形態以葉片向上根向下放置，刀口平行於葉片從上往下縱切母株，並確保每部分均帶有一片君子蘭母株葉片和部分假鱗莖盤，去掉所有的地下莖和老根組織，然後將這些切割好的君子蘭假鱗莖切片在稀釋1000倍的多菌靈中浸泡30分鐘消毒，然後再將切面部分在生根粉粉劑中蘸一下，使藥粉包敷在假鱗莖盤的切面上，然後取出作為插穗待插；
[0019]4、假鱗莖切片插穗的種植:將消毒的插穗插入育秧盤中的培養基質內，種植行間距5X5釐米，將假鱗莖切片插入培養基質3-4釐米深，置於22-25°C的陰暗條件下培養125天，期間控制溼度在60% -80%之間，並待每次培養基質乾燥後澆透水；
[0020]5、幼苗的移植:當插穗的假鱗莖切片上長出新根芽後，移栽至按照草炭土、珍珠巖、腐葉土和稻殼3: I: 3: I混合成的培養基質中，在常規管理條件下長成正常的君子蘭植株。
[0021]實施例2
[0022]選擇優良垂笑君子蘭假鱗莖進行扦插繁殖。
[0023]1、培養基質的配製:取乾燥的草炭土，珍珠巖和腐葉土按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌30分鐘；
[0024]2、培養基質的pH值調節:在培養基質中加入適量水分使之溼潤，調節培養基質pH在6.7，然後將培養基質倒入育秧盤中備用，調節培養基質pH值時可用稀鹽酸、氫氧化鈉溶液；
[0025]3、母株假鱗莖的切割和消毒:取株齡3年以上的垂笑君子蘭母株，清洗乾淨，將植株形態以葉片向上根向下放置，刀口平行於葉片從上往下縱切母株，並確保每部分均帶有一片君子蘭母株葉片和部分假鱗莖盤，去掉所有的地下莖和老根組織，然後將這些切割好的君子蘭假鱗莖切片在稀釋1000倍的多菌靈中浸泡30分鐘消毒，然後再將切面部分在生根粉粉劑中蘸一下，使藥粉包敷在假鱗莖盤的切面上，然後取出作為插穗待插；
[0026]4、假鱗莖切片插穗的種植:將消毒的插穗插入育秧盤中的培養基質內，種植行間距5X5釐米，將假鱗莖切片插入培養基質3-4釐米深，置於22-25°C的陰暗條件下培養130天，期間控制溼度在60% -80%之間，並待每次培養基質乾燥後澆透水；
[0027]5、幼苗的移植:當插穗的假鱗莖切片上長出新根芽後，移栽至按照草炭土、珍珠巖、腐葉土和稻殼3: I: 3: I混合成的培養基質中，在常規管理條件下長成正常的君子蘭 植株。
【權利要求】
1.一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法，其特徵在於包括下列步驟: 1)培養基質的配製:取乾燥的草炭土，珍珠巖和腐葉土按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌30分鐘； 2)培養基質的pH值調節:在培養基質中加入適量水分使之溼潤，調節培養基質pH在，6.5-6.7之間，然後將培養基質倒入育秧盤中備用，調節培養基質pH值時可用稀鹽酸、氫氧化鈉溶液； 3)母株假鱗莖的切割和消毒:取株齡3年以上的君子蘭母株，清洗乾淨，將植株形態以葉片向上根向下放置，刀口平行於葉片從上往下縱切母株，並確保每部分均帶有一片君子蘭母株葉片和部分假鱗莖盤，去掉所有的地下莖和老根組織，然後將這些切割好的君子蘭假鱗莖切片在稀釋1000倍的多菌靈中浸泡30分鐘消毒，然後再將切面部分在生根粉粉劑中蘸一下，使藥粉包敷在假鱗莖盤的切面上，然後取出作為插穗待插； ， 4)假鱗莖切片插穗的種植:將消毒的插穗插入育秧盤中的培養基質內，種植行間距5X5釐米，將假鱗莖切片插入培養基質3-4釐米深，置於22-25°C的陰暗條件下培養120-130天，期間控制溼度在60% -80%之間，並待每次培養基質乾燥後澆透水； ， 5)幼苗的移植:當插穗的假鱗莖切片上長出新根芽後，移栽至按照草炭土、珍珠巖、腐葉土和稻殼3 : I: 3: I混合成的培養基質中，在常規管理條件下長成正常的君子蘭植株。
【文檔編號】A01G1/00GK103843538SQ201210496549
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月29日 優先權日:2012年11月29日
【發明者】崔金騰, 張克中, 王全, 王傑 申請人:北京農學院