沉積薄膜的方法和具有用於噴灑清潔氣體的單獨噴射口的薄膜沉積系統的製作方法
2023-07-13 22:41:26 2
專利名稱：沉積薄膜的方法和具有用於噴灑清潔氣體的單獨噴射口的薄膜沉積系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種薄膜沉積系統，且更特定而言涉及一種具有至少一個第一氣體噴霧器和第二氣體噴霧器的薄膜沉積系統，其中所述至少一個第一氣體噴霧器具有一用於噴灑原料氣體和反應氣體的可旋轉結構，所述第二氣體噴霧器位於用於噴灑清潔氣體的所述第一氣體噴霧器上，以及一種使用所述薄膜沉積系統沉積一薄膜的方法，進而改進薄膜的沉積效果和生產率。
背景技術：
當基板具有大直徑時，很難在大直徑基板的整個表面上沉積一個具有均勻厚度的薄膜。另外，當複數個基板引入一個單獨反應室以使薄膜沉積在所述基板上時，很難在所有基板上形成具有相同厚度的薄膜。其歸因於這個事實，即原料氣體在反應室不均勻分布。當複數個基板引入一個反應室以使得薄膜同時沉積在所述基板上時，所述薄膜產量增加，但上述問題產生。從而，這個提議不能實際使用。
由於半導體元件的高度集成化，半導體元件的尺寸減小，從而降低了半導體元件的垂直尺度。例如，存在電晶體的柵絕緣膜和電容器的介電膜充當DRAM的數據存儲單元。為順利地形成這些具有大約100的小厚度的薄膜，用於通過向基板交替供給原料材料而沉積薄膜的方法，而非通過同時向基板供給原料材料而沉積薄膜的常規化學方法已改進。在這個新方法中，由於僅通過基板表面的化學發應而實現了薄膜沉積，具有均勻厚度的薄膜在基板上生長而不考慮基板表面的不均度，且由於所沉積薄膜的厚度不與將所述薄膜沉積到基板所需的時間成比例，而與原料供給循環的次數更比例，因此可能精確控制所沉積薄膜的厚度。
然而，當上述方法可大體應用時，歸因於原料材料的供給、清潔氣體的供給和排氣時間，處理速度大大減少。因此，要求另一種改進薄膜生產率的方法。
為解決上述問題，本發明申請人發明了一個具有至少一個可旋轉氣體噴霧器的薄膜沉積系統(韓國專利申請案第10-2002-060145號)。
在下文中，參考圖1A和1B，將詳細描述一個常規薄膜沉積系統。
圖1A為常規薄膜沉積系統的截面圖，且圖1B為說明使用常規薄膜沉積系統在晶片上薄膜的沉積的透視圖。
如圖1A所示，常規薄膜沉積系統包含一個反應室10，其具有一個穿過其所形成的用於將內部氣體排到反應室10外的氣體出口12；一個支撐件20，其水平安裝以使得支撐件20可繞反應室10的一個中心軸旋轉；一個基座30，其被置放在其上安裝晶片2的所述支撐件20的上表面上且以所述反應室10的中心軸為中心旋轉；和一第一氣體噴霧器40，其位於基座30上以允許用於薄膜配料的原料氣體沉積在晶片2上，反應氣體達成沉積，以及允許存在於反應室中的氣體接觸晶片2的上表面，以及噴灑清潔氣體用於排出反應後的氣體。
四個基座30被置放在支撐件20上，且晶片2分別安裝在對應基座30上。一個或一個以上的通孔21形成穿過支撐件20未置放基座30的部分，這樣通孔21成螺旋形地排列在基座30周圍，進而允許氣體通過氣體出口12排到反應室10的外部。另外，通過所述第一氣體噴霧器40所噴灑的氣體經由所述支撐件20和反應室10的內壁之間的空隙通過氣體出口12排到反應室10的外部。
所述第一氣體噴霧器40包括一個原料氣體噴霧器42，其通過原料氣體噴射口43用於噴灑原料氣體；一個反應氣體噴霧器44，其通過反應氣體噴射口45噴灑反應氣體；和一對清潔氣體噴霧器46，其通過清潔氣體噴射口47噴灑清潔氣體。原料氣體噴霧器42和反應氣體噴霧器44以180°角連接，且各個清潔氣體噴霧器46和原料和反應氣體噴霧器42和44連接成180°角。
如圖1B所示，所述原料、反應和清潔氣體噴霧器42、44和46將對應氣體噴灑到晶片2的上表面，且在水平方向隨旋轉軸48的旋轉而旋轉。
在原料氣體噴灑到晶片2的上表面後，懸浮在空氣中而非置於晶片2的上表面上的原料氣體顆粒通過清潔氣體排放到反應室(參考圖1A的10)的外部。在完成清潔氣體的噴灑後，噴灑用於將置放在晶片2的上表面上的原料氣體的顆粒沉積到晶片2上的反應氣體。接著，在完成原料氣體顆粒的沉積後，再次噴灑清潔氣體以將反應氣體排放到反應室的外部。意即，相繼重複原料氣體的噴灑、清潔氣體的噴灑、反應氣體的噴灑和清潔氣體的噴灑，且上述四個步驟形成薄膜沉積的一個循環。
當使用上述的常規薄膜沉積系統時，原料、反應和清潔氣體噴霧器42、44和46在噴霧器42、44和46以旋轉軸48為中心旋轉的條件下噴射對應氣體，從而並非垂直向下地將對應氣體噴灑到晶片2的上表面，而是成曲線地將對應氣體噴灑到晶片2的上表面。意即，如圖1B所示，氣體噴灑線為曲線。因此，噴向晶片2的原料氣體並非僅噴到晶片2的上表面，而是擴散到反應室的內壁，從而噴灑效率降低。另外，在原料氣體到達晶片2的上表面之前，噴灑的原料氣體在空氣中接觸反應氣體。此外，歸因於原料、反應和清潔氣體噴霧器42、44和46的旋轉，在反應室10中產生一個空氣渦流。空氣渦流加速了原料氣體和反應氣體在空氣中的接觸。
在空氣中原料氣體和反應氣體彼此接觸的情況下，在原料氣體顆粒到達晶片2之前，原料氣體和反應氣體在空氣中的不當的化學反應發生，因此不能正常沉積在晶片上。
另外，在使用常規薄膜沉積系統的情況下，旋轉軸48旋轉一次，則執行一次薄膜沉積處理。此處，當旋轉軸48高速度旋轉時以縮短處理時間時，空氣中原料氣體和反應氣體之間的接觸的可能性增加，從而抑制了薄膜生查率的改進。
發明內容
因此，鑑於以上問題之作出本發明，且本發明的目的為提供一種薄膜沉積系統，其可增加原料氣體到晶片表面上的吸收率，且可有效縮短各種氣體的供給循環，從而具有改進的生產率。
本發明的另一目的為提供一種薄膜沉積系統，其可改進清潔氣體的清潔效果以便在晶片的上表面上沉積薄膜。
根據本發明的一個方面，通過提供一種薄膜沉積系統可實現上述和其它目的，所述薄膜沉積系統包含一個反應室；至少一個安裝在反應室中的基座，可用於在其上安裝基板；一個第一氣體噴霧器，其旋轉地位於所述基座上；和至少一個位於對應所述基座的位置的加速構件，其用於垂直加速來自第一氣體噴霧器的氣體。
優選地，所述加速構件可為一個第二氣體噴霧器。
另外，優選地，可沿第一氣體噴霧器的一個中心軸供給源氣體和反應氣體；且所述第二氣體噴霧器可包括至少一個向反應室內壁延伸用於噴灑源氣體的源氣體噴霧器，和至少一個向反應室內壁延伸用於噴灑反應氣體的反應氣體噴霧器。
此外，優選地，所述第二氣體噴霧器安裝在所述第一氣體噴霧器上，這樣所述第二氣體噴霧器覆蓋所述基座。
根據本發明的另一方面，其提供一個薄膜沉積系統，包含一個反應室；至少一個安裝在所述反應室中基座，可在其上安裝基板；一個第一氣體噴霧器，其旋轉地位於所述基座上；和至少一個第二氣體噴霧器，其安裝在所述第一氣體噴霧器上用於噴灑清潔氣體。
根據本發明的另一方面，其提供一個薄膜沉積方法，包含預備一個薄膜沉積系統，所述薄膜沉積系統包括一個反應室、至少一個安裝在所述反應室中且可在其上安裝基板的基座、一個旋轉地位於所述基座上的第一氣體噴霧器，和至少一個位於對應於所述基座位置以垂直加速由所述第一氣體噴霧器所提供的氣體的加速構件；將基板安裝在反應室的基座上；通過被旋轉的第一氣體噴霧器將源氣體和反應氣體噴灑到基板上；並通過加速構件將清潔氣體噴灑到基板上。
根據本發明的再一方面，其提供一種薄膜沉積方法，包含預備一個薄膜沉積系統，所述薄膜沉積系統包括一個反應室、至少一個安裝在所述反應室中且可在其上安裝基板的基座、一個旋轉地位於所述基座上的第一氣體噴霧器，和至少一個安裝在所述第一氣體噴霧器上用於噴灑清潔氣體的第二氣體噴霧器；將基板安裝在反應室的基座上；通過被旋轉的第一氣體噴霧器將源氣體和反應氣體噴灑到基板上；並通過第二氣體噴霧器將清潔氣體噴灑到基板上。
所述薄膜沉積系統包含一個反應室；至少一個安裝在反應室內用於安裝一個物件的基座，在所述物件上可沉積一薄膜；一個位於所述基座上用於將第一和第二氣體噴灑到所述物件上的第一氣體噴霧器；和至少一個安裝在所述第一氣體噴霧器上用於將第三氣體噴灑到所述物件的第二氣體噴霧器。
所述第一氣體噴霧器以一個垂直旋轉軸為中心旋轉，且包括至少一個源氣體噴霧器，其沿旋轉軸安裝在反應室中且向反應室內壁延伸用於噴灑充當第一氣體的源氣體；和至少一個反應氣體噴霧器，其沿旋轉軸安裝在反應室中且向反應室內壁延伸用於噴灑充當第二氣體的反應氣體。此處，所述源氣體噴霧器和反應氣體噴霧器以一直角會合，且交替安置。
所述第二氣體噴霧器具有足夠覆蓋其上沉積有薄膜的物件的尺寸，向所述物件噴灑充當第三氣體的清潔氣體，且包括穿過其下部分而形成的複數個噴射口，這樣所述噴射口以相同間距彼此間隔且形成螺旋或格子形狀。
所述反應室中基座的數目為複數，且所述第二氣體噴霧器的數目為對應於所述基座數目的複數，這樣所述第二氣體噴霧器分別位於所述基座上方，或一個第二氣體噴霧器具有足夠同時覆蓋所述基座的形狀。
優選地，所述第二氣體噴霧器的氣體噴灑速度可高於所述第一氣體噴霧器的氣體噴灑速度。
本發明的薄膜沉積方法包含將物件定位在一反應室內的基座上，且通過第一氣體噴霧器將第一和第二氣體噴灑到物件上，且通過安裝在所述第一氣體噴霧器上方的第二氣體噴霧器將第三氣體噴灑到物件上。此處，所述第一氣體為源氣體，所述第二氣體為反應氣體，且所述第三氣體為清潔氣體。
由於將源氣體和反應氣體同時噴灑到物件上，相比相繼噴灑源氣體和反應氣體的常規薄膜沉積方法而言，本發明的薄膜沉積方法可縮短氣體的供給循環。因此本發明的薄膜沉積方法可縮短薄膜沉積循環，因此可改進薄膜的生產率。
結合附圖，從以下詳細描述可清楚了解本發明的上述和其他目標、特徵和其它優點，其中圖1A為常規薄膜沉積系統的截面圖；圖1B為常規薄膜沉積系統的透視圖；圖2為說明根據本發明的一個實施例的薄膜沉積系統的內部結構的截面圖；圖3為根據本發明的一個實施例的薄膜沉積系統的透視圖；圖4為沿圖2中的線A-A的介面圖；且圖5為根據本發明的另一實施例的薄膜沉積系統的第二氣體噴霧器的截面圖。
具體實施例方式
現在參考附圖詳細描述本發明的優選實施例。
圖2為說明根據發明的一個實施例的薄膜沉積系統的內部結構的截面圖。
如圖2所示，根據本發明的一個實施例的薄膜沉積系統包含一個反應室100，其具有穿過其而形成用於將內部氣體排到反應室10外的氣體出口110；一個支撐件200，其位於反應室100中且具有至少一個用於安裝物件600的基座300，例如一個半導體基板，可在其上沉積一個薄膜；一個以垂直軸為中心旋轉的第一噴霧器400，其用於將諸如原料氣體、反應氣體的處理氣體交替地噴灑到安裝在基座300上的物件600的表面；和安裝在第一氣體噴霧器400上的第二氣體噴霧器500，其用於將清潔氣體噴灑到安裝在基座300上的物件600的表面上以清潔物件600和所述系統。
構建基座300以使得基座300加熱其上所安裝的物件600進而誘發物件600的表面上的化學反應。基座300的上述構造與常規薄膜沉積系統的基座構造相同，且因此不作詳細描述。
第一氣體噴霧器400包括一個旋轉軸430，其充當所述第一氣體噴霧器400的旋轉中心且包括通過反應室100的上部的中心部分插入反應室100的一端；和至少一個原料氣體噴霧器410和至少一個反應氣體噴霧器420，其包括通過旋轉軸430插入反應室100的端和在向著反應室100的內壁以水平方向縱向延伸的另些端，這樣原料和反應氣體噴霧器410和420由指定間距與基座300的上表面分離。在使用兩個原料氣體噴霧410和兩個反應氣體噴霧器420的情況下，交替排列所述兩個原料氣體噴霧器410和所述兩個反應氣體噴霧器420。這樣所述原料和反應氣體噴霧器410和420以直角會合，且用於通過其噴灑原料和反應氣體的原料氣體噴射口412和反應氣體噴射422分別通過原料和反應氣體噴霧器410和420的縱向延伸部分的下表面形成。
當所述原料氣體噴霧器410經過物件600的上表面時，通過原料氣體噴射口412將原料氣體噴霧器410所供給的原料氣體噴灑到物件600的表面，且當所述反應氣體噴霧器420經過物件600的上表面時，通過反應氣體噴霧器420將反應氣體噴霧器420所供給的反應氣體噴灑到物件600的表面。第一氣體噴霧器400的旋轉和由所述第一氣體噴霧器400所進行的原料和反應氣體到物件600的噴灑和常規薄膜沉積系統的第一氣體噴霧器的那些相同，因此不作詳細描述。
在常規薄膜沉積系統中，由於在噴灑原料氣體後噴灑清潔氣體，且在噴灑反應氣體後再噴灑清潔氣體，所噴灑的原料和反應氣體的整個量並不傳輸到晶片，且部分所噴灑的原料和反應氣體擴散到反應室100。
另一方面，在本發明的薄膜沉積系統中，在將原料和反應氣體噴灑到物件600的上表面期間，由於通過清潔氣體噴射口502將清潔氣體持續噴灑到物件600的上表面，原料和反應氣體被清潔氣體推動且接著傳輸物件600的表面。因此，擴散到反應室100的原料和反應氣體量大大減少，從而增加了將薄膜沉積到物件600的效率，且防止了擴散到反應室100的原料和反應氣體對所述系統的汙染。
本發明的薄膜沉積系統的第二氣體噴霧器500以高於噴灑原料和反應氣體的速度噴灑清潔氣體，且增加原料氣體顆粒到達物件600的表面的速度，和反應氣體接觸到達物件600的表面的原料氣體顆粒的速度，從而縮短了將薄膜沉積到物件600所用的時間。
支撐件200以在垂直方向上形成的旋轉軸210為中心旋轉，以使得原料氣體反應氣體均勻地安置在安裝於基座300上的所有物件600，且每一基座300都以在垂直方向上形成的對應旋轉軸310為中心旋轉以使得原料氣體反應氣體均勻地安置在對應物件600的整個上表面上。
在這個實施例中，支撐件200和基座300可旋轉。支撐件200和基座300的可旋轉結構是用於更均勻地將薄膜沉積到物件600的選擇。因此，本發明薄膜沉積系統的支撐件200和基座300並不具有上述可旋轉結構，而可具有固定結構，在所述固定結構中在支撐件200和基座300固定的情況下將薄膜沉積到物件600上。
圖3為根據本發明的一個實施例的薄膜沉積系統的透視圖。
如圖3所示，呈螺旋形排列且以垂直旋轉軸210為中心以90°角度交會的四個基座300被置放在支撐件200的上表面上。儘管在這個實施例中基座300的數目為四個，但是根據各種情況，諸如物件600的尺寸和支撐件200的尺寸，可對基座300的數目進行各種更改。
一或一個以上的通孔202穿過未置放基座300的支撐件200的部分形成，這樣通孔202呈螺旋狀繞基座300排列，進而允許氣體通過氣體出口110排放到反應室100的外部(參考圖2)。儘管在這個實施例中通孔202穿過支撐件200形成，但支撐件200也可不包括通孔202。在支撐件200不包括通孔202的情況下，建構支撐件200以使反應室100的氣體穿過支撐件200與反應室100內壁之間的一間隙通過氣體出口110排出。
第一氣體噴霧器400包括一對原料氣體噴霧器410，其水平延伸以使所述原料氣體噴霧器410以一180°的角度交會；一對反應氣體噴霧420，其與原料氣體噴霧器410成一直角且水平延伸以使所述反應氣體噴霧器420以一180°的角度交會；及連接到原料氣體噴霧器410和反應氣體噴霧器420以充當第一氣體噴霧器400的旋轉中心的旋轉軸430。
在如圖1B所示的常規薄膜沉積系統中，旋轉軸46旋轉一次，分別執行一次原料氣體到晶片2的上表面的噴灑和反應氣體到晶片2的上表面的噴灑，意即執行一次薄膜沉積處理。在如圖3所示的本發明薄膜沉積系統中，旋轉軸430旋轉一次，分別執行兩次原料氣體到物件600的上表面的噴灑和反應氣體到物件600的上表面的噴灑，意即執行兩次薄膜沉積處理，進而縮短了執行薄膜沉積處理的時間，且改進了薄膜沉積系統的生產率。
儘管這個實施例採用兩個原料氣體噴霧器410和兩個反應氣體噴霧器420以使得所述兩個原料氣體噴霧器410和所述兩個反應氣體噴霧器420以「+」形狀交替排列，原料氣體噴霧器410和反應氣體噴霧器420的數目並不限於其且可進行各種更改。此處，在原料氣體噴霧器410和反應氣體噴霧器420的數目極大的情況下，在原料氣體到達物件600前，原料氣體可化學的與反應氣體反應，且在原料氣體噴霧器410和反應氣體噴霧器420的數目極小的情況下，薄膜沉積處理的循環延長，因而降低了薄膜沉積系統的生產率。因此，優選地，原料氣體噴霧器410和反應氣體噴霧器420的數目應適當地由原料和反應氣體的噴灑速度、第一氣體噴霧器400的旋轉速度和清潔氣體的噴灑速度來決定。
位於對應基座300上的每一個第二氣體噴霧器500都具有一個足夠覆蓋對應物件600以均勻地將清潔氣體噴灑到安裝在基座300的上表面上的物件600的整個上表面的形狀，且包括穿過其下表面形成且以均勻間距間隔用於噴灑清潔氣體的噴射口。
一般而言，每一個物件600具有一個圓形。優選地，為增加薄膜沉積系統的內部的空間利用和加熱物件600的效率，每一個基座300具有和物件600相同的圓形。另外，優選地，為將清潔氣體僅噴灑到物件600的區域以有效使用所述清潔氣體，每一第二氣體噴霧器500具有相同圓形。
因此，在使用本發明的薄膜沉積系統的情況下，當從原料氣體噴霧器410和反應氣體噴霧器420噴灑原料氣體和反應氣體時，清潔氣體持續從第二氣體噴霧器500噴出，且垂直向下推動原料氣體和反應氣體。從而，儘管旋轉軸430旋轉，原料氣體和反應氣體既不擴散到反應室也不成曲線，而是直接噴灑到物件600的表面。特定而言，當清潔氣體的噴灑速度極高時，原料氣體和反應氣體的噴灑線接近如圖3所示的直線。
如上文所述當原料氣體和反應氣體直接噴灑到物件600的上表面時，原料氣體和反應氣體接觸物件600前，所述原料氣體和反應氣體不發生化學反應，從而改進了沉積薄膜的效率。
圖4為沿圖2的線A-A的截面圖。
如圖4所示，用於噴灑本發明薄膜沉積系統清潔氣體的每一第二氣體噴霧器500具有和每一物件600的相同的形狀，且其恰好位於對應物件600上。
上述第二氣體噴霧器500的結構使清潔氣體僅噴灑到物件600的上表面以避免清潔氣體的損耗。第二氣體噴霧器500的數目、形狀和位置並不限於其，且可進行各種更改。
特定而言，當噴灑清潔氣體時在支撐件200旋轉的情況下，第二氣體噴霧器500垂直位於物件600上方的位置並不重要。在此情況下，優選地，改變所述第二氣體噴霧器500的形狀和位置以使得清潔氣體均勻地噴灑到以支撐件200的垂直旋轉軸210為中心旋轉的物件600的上表面上。
圖5為根據本發明另一個實施例的薄膜沉積系統的第二氣體噴霧器的截面圖。
此實施例的薄膜沉積系統的第二氣體噴霧器500具有通過支撐件200的旋轉足夠覆蓋所有物件600的上表面的尺寸。
當所述第二氣體噴霧器500具有如圖5所示的環形時，無論物件600在何位置，清潔氣體都均勻地噴灑到所有物件600的上表面。
從以上描述可清楚了解，本發明提供一種薄膜沉積方法，其中同時噴灑反應氣體和源氣體以縮短氣體的供給循環，從而改進生產率。
另外，本發明提供一種薄膜沉積系統，其可改進清潔氣體的清潔效果，以使得薄膜穩定地沉積到晶片的上表面，可增加原料氣體到晶片表面的吸收率，且可防止原料氣體到反應室的內表面的吸收，這樣容易管理所述系統。
儘管出於說明目的揭示本發明的優選實施例，但是所述領域技術人員應了解在不偏離隨附權利要求書所揭示的本發明的範圍和精神下，各種更改、增加和替代都是可能的。
權利要求
1.一種薄膜沉積系統，其包含一反應室；至少一個安裝在所述反應室中用於在其上安裝一基板的基座；一以旋轉方式定位在所述基座上的第一氣體噴霧器；和至少一個定位在一對應於所述基座的位置用於垂直加速由所述第一氣體噴霧器供給的氣體的加速構件。
2.根據權利要求1所述的薄膜沉積系統，其中所述加速構件為一第二氣體噴霧器。
3.根據權利要求1所述的薄膜沉積系統，其中沿所述第一氣體噴霧器的一中心軸供給源氣體和反應氣體；和所述第一氣體噴霧器包括至少一個向所述反應室的內壁延伸用於噴灑所述源氣體的源氣體噴霧器，和至少一個向所述反應室內壁延伸用於噴灑所述反應氣體的反應氣體噴霧器。
4.根據權利要求1所述的薄膜沉積系統，其中複數個源氣體噴霧器和複數個反應氣體噴霧器被交替地安裝成與所述基板平行。
5.根據權利要求4所述的薄膜沉積系統，其中所述源氣體噴霧器和所述反應氣體噴霧器以一直角會合，且複數個噴射口穿過所述源和所述反應氣體噴霧器的下部分而形成。
6.根據權利要求2所述的薄膜沉積系統，其進一步包含一旋轉軸；和一其上安裝有複數個所述基座且連接到所述旋轉軸且以所述旋轉軸為中心旋轉的支撐件。
7.根據權利要求6所述的薄膜沉積系統，其中所述第二氣體噴霧器被安裝在所述第一氣體噴霧器上方，以使得所述第二氣體噴霧器覆蓋所述基座。
8.根據權利要求6所述的薄膜沉積系統，其中至少一個通孔穿過鄰近所述基座的所述支撐件的一部分而形成。
9.根據權利要求2所述的薄膜沉積系統，其中複數個第二氣體噴霧器具有與所述基座的那些相同的形狀和足夠分別覆蓋所述基板的尺寸，定位在對應於所述基座的一位置，且噴灑清潔氣體。
10.根據權利要求2所述的薄膜沉積系統，其中第二噴射口穿過所述第二氣體噴霧器的每一個的所述下部分而形成，以使得所述第二噴射口以相同間距彼此間隔，且形成一螺旋或格子形狀。
11.根據權利要求2所述的薄膜沉積系統，其中所述反應室中的所述基座的數目為複數個，且所述第二氣體噴霧器的數目為複數個，以使得所述第二氣體噴霧器分別對應於所述基座。
12.根據權利要求2所述的薄膜沉積系統，其中所述第二氣體噴霧器的所述氣體噴灑速度高於所述第一氣體噴霧器的所述氣體噴灑速度。
13.根據權利要求1所述的薄膜沉積系統，其進一步包含一用於將所述反應室中的所述氣體排放出去的氣體出口。
14.一種薄膜沉積系統，其包含一反應室；至少一個安裝在所述反應室中用於在其上安裝一基板的基座；一個以旋轉方式定位在所述基座上的第一氣體噴霧器；和至少一個安裝在所述第一氣體噴霧器上用於噴灑清潔氣體的第二氣體噴霧器。
15.根據權利要求14所述的薄膜沉積系統，其中沿所述第一氣體噴霧器的一中心軸供給源氣體和反應氣體；和所述第一氣體噴霧器包括至少一個向所述反應室內壁延伸用於噴灑所述源氣體的源氣體噴霧器和至少一個向所述反應室內壁延伸用於噴灑所述反應氣體的反應氣體噴霧器。
16.一種薄膜沉積方法，其包含準備一薄膜沉積系統，所述薄膜沉積系統包括一反應室、至少一個安裝在所述反應室中用於在其上安裝一基板的基座、一以旋轉方式定位在所述基座上的第一氣體噴霧器和至少一個定位在一對應於所述基座的位置用於垂直加速所述由第一氣體噴霧器所供給的氣體的加速構件；將所述基板安裝到所述反應室中的所述基座上；通過所述旋轉第一氣體噴霧器將源氣體和反應氣體噴灑到所述基板上；和通過所述加速構件將清潔氣體噴灑到所述基板上。
17.根據權利要求16所述的薄膜沉積系統，其中同時噴灑所述源氣體、所述反應氣體和所述清潔氣體。
18.一種薄膜沉積方法，其包含準備一薄膜沉積系統，所述薄膜沉積系統包括一反應室、至少一個安裝在所述反應室中用於在其上安裝一基板的基座、一旋轉地定位在所述基座上的第一氣體噴霧器和至少一個被安裝到所述第一氣體噴霧器上用於噴灑清潔氣體的第二氣體噴霧器；將所述基板安裝到所述反應室中的所述基座上；通過所述旋轉第一氣體噴霧器將源氣體和反應氣體噴灑到所述基板上；和通過所述第二氣體噴霧器將清潔氣體噴灑到所述基板上。
全文摘要
本發明揭示了一種薄膜沉積系統和方法。所述薄膜沉積系統包括一反應室、至少一個安裝在所述反應室中用於在其上安裝一基板的基座、一個以旋轉方式定位在所述基座上的第一氣體噴霧器和至少一個安裝在所述第一氣體噴霧器上用於噴灑清潔氣體的第二氣體噴霧器。所述薄膜沉積系統可增加源氣體到所述基板表面的吸收率，有效縮短氣體的供給循環以改進其生產率，且改進所述清潔氣體的清潔效果以使得薄膜穩定地沉積到所述基板上。
文檔編號C23C16/42GK1693535SQ200510067928
公開日2005年11月9日 申請日期2005年4月28日 優先權日2004年4月30日
發明者樸海進, 羅聖閔 申請人:周星工程股份有限公司