微電子工藝處理設備和用於其的反應腔室的製作方法
2023-07-29 14:43:16 2
微電子工藝處理設備和用於其的反應腔室的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種微電子工藝處理設備和用於其的反應腔室。所述反應腔室包括：具有開口的上端的腔室本體；蓋住腔室本體且中央形成有第一通孔的進氣部件，進氣部件上形成有至少一個沿其周向分布的進氣孔；設在進氣部件上且中央形成有第二通孔的氣體分配件，氣體分配件的底面上形成有與進氣孔相連通的周向槽，且周向槽的與第二通孔相鄰的側壁和第二通孔的周向壁之間形成有氣體通道；噴淋板，所述噴淋板封閉第一通孔的下表面且噴淋板上形成有多個噴淋孔；以及形成有與第二通孔連通的上氣體入口的上蓋。根據本發明的反應腔室，可將清洗氣體和工藝氣體的入口分開，並且避免了傳統腔室進氣時、多種氣體互相對氣體通路的交叉汙染的問題。
【專利說明】微電子工藝處理設備和用於其的反應腔室
【技術領域】
[0001]本發明涉及微電子工藝設備領域，尤其是涉及一種用於微電子工藝處理設備的反應腔室以及微電子工藝處理設備。
【背景技術】
[0002]在微電子工藝設備中，傳統腔室的氣體入口大致如圖9所示。當傳統腔室用於等離子體的工藝設備中時，例如等離子增強化學氣象沉積設備(PECVD)，在工藝運行一段時間後需要進行腔室乾洗，一般乾洗的方法有採用外部遠程等離子源RPS (Remote PlasmaSource)清洗、直接等離子清洗或者兩者的結合。經驗證明，採用兩者結合的方法，更為有效。而腔室乾洗所用氣體和工藝氣體一般要分開控制，且分別通過不同的入口進入腔室。如圖9所示，清洗氣體從腔室的上口進入，而工藝氣體從側面進入。
[0003]清洗氣體通過氣路系統進入遠程等離子體源，經遠程等離子源激活後，產生活性粒子後進入腔室。工藝氣體在需要進行工藝時，按照設定的流程進入腔室後，通過增加射頻功率或者高溫等而產生物理化學反應，在基片上形成所需要的工藝結果。
[0004]需要說明的是，清洗氣體和工藝氣體由於性質不同，一般在進入腔室前禁止混合，而且這兩種氣體不能相互汙染各自的氣體通路。
[0005]另外，當傳統腔室用於需要多路氣體(典型如Ar和NF3)或源分別進入腔室的工藝設備(例如原子層沉積設備ALD)中時，且要求氣體或源在進入腔室之前為了避免相互汙染或不能混合而發生反應時，則需要在腔室上增加多個氣體入口。然而，在如圖9所示的腔室上增加多個氣體入口，就會導致加工困難且進氣效果變差。
【發明內容】
[0006]本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在於提出一種用於微電子工藝處理設備的反應腔室。
[0007]本發明的另一個目的在於提出一種具有上述反應腔室的微電子工藝處理設備。
[0008]根據本發明第一方面實施例的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，包括:腔室本體，所述腔室本體具有開口的上端；進氣部件，所述進氣部件蓋住所述腔室本體的上端且中央形成有第一通孔，所述進氣部件上形成有至少一個沿其周向分布的進氣孔；氣體分配件，所述氣體分配件設置在所述進氣部件上且中央形成有第二通孔，其中所述氣體分配件的底面上形成有與所述進氣孔相連通的周向槽，且所述周向槽的與所述第二通孔相鄰的側壁和所述第二通孔的周向壁之間形成有氣體通道；噴淋板，所述噴淋板封閉所述第一通孔的下表面且所述噴淋板上形成有多個噴淋孔；以及上蓋，所述上蓋設置在所述氣體分配件上且蓋住所述氣體分配件的所述第二通孔，且所述上蓋上形成有上氣體入口，所述上氣體入口與所述第二通孔相連通。
[0009]根據本發明的反應腔室，可將清洗氣體和工藝氣體的入口分開，並且避免了傳統腔室進氣時、多種氣體互相對氣體通路的交叉汙染的問題。[0010]另外，根據本發明的反應腔室還具有如下附加技術特徵:
[0011]所述進氣部件的頂面上設有兩條環形密封槽，其中所述氣體分配件底面的周向槽對應所述兩條環形密封槽之間的進氣部件頂面的部分。從而使得環形密封槽可與氣體分配件密封連接，進而保證氣體密封狀態。
[0012]所述進氣部件和所述氣體分配件形成為圓環形，且所述第一通孔、所述第二通孔以及所述上氣體入口同軸設置。由此可保證工藝氣體和清洗氣體進入第一通孔和第二通孔形成的空間內時直接通過噴淋板上的多個噴淋孔進入到工藝腔內，減小氣體流動阻礙。
[0013]所述進氣部件包括多個沿著周向均勻分布的進氣孔。
[0014]所述第一通孔和所述第二通孔的直徑相同且大於所述上氣體入口的直徑。製造和裝配簡單，且進一步減小氣體在第一通孔和第二通孔形成的空間內的流動阻礙。
[0015]所述周向槽的與所述第二通孔相鄰的側壁和所述第二通孔的周向壁之間形成有多個所述氣體通道。
[0016]優選地，所述氣體通道水平設置且沿著周向均勻分布。
[0017]可選地，所述氣體通道形成在所述周向槽的與所述第二通孔相鄰的側壁的第一開口位置高於所述氣體通道位於所述第二通孔的所述周向壁上的第二開口位置。由此，可有效地避免從上蓋的上氣體入口進入的清洗氣體通過氣體通道進入到周向槽內，從而避免汙染工藝氣體的氣流入口。
[0018]優選地，所述氣體通道的橫截面從所述第一開口位置朝向所述第二開口位置逐漸減小。這樣，可更為有效地避免清洗氣體汙染工藝氣體的氣流入口。
[0019]所述進氣部件、所述氣體分配件和所述上蓋中的至少一個由鋁材料製成，或通過在不鏽鋼外噴塗鋁或鎳製成。
[0020]所述腔室本體的上端形成有法蘭，所述進氣部件的邊緣固定至所述法蘭且所述法蘭上形成有與所述進氣孔相對應的通孔。
[0021]根據本發明第二方面實施例的一種微電子工藝處理設備，包括根據本發明第一方面實施例的所述的反應腔室。
[0022]所述微電子工藝處理設備為刻蝕設備、等離子增強化學氣象沉積設備、或原子層沉積設備。
[0023]本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]本發明的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0025]圖1是根據本發明實施例的用於微電子工藝處理設備的反應腔室的立體剖面圖；
[0026]圖2是圖1中所示的反應腔室的示意圖；
[0027]圖3是圖2中A-A向剖視圖；
[0028]圖4是圖1中所示的反應腔室的進氣部件的示意圖；
[0029]圖5是圖4中所示的進氣部件的剖視圖；
[0030]圖6是圖1中所示的反應腔室的氣體分配件的示意圖；[0031]圖7是圖6中所示的氣體分配件的剖視圖；
[0032]圖8 (a) - (e)是圖6和圖7中所示的氣體通道的多個實施例的示意圖；以及
[0033]圖9是傳統的反應腔室的進氣部分的示意圖。
【具體實施方式】
[0034]下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。
[0035]在本發明的描述中，需要理解的是，術語「中心」、「縱向」、「橫向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「豎直」、「水平」、「頂」、「底」、「內」、「外」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本發明的描述中，除非另有說明，「多個」的含義是兩個或兩個以上。
[0036]在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語「安裝」、「相連」、「連接」應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0037]下面參考附圖來詳細描述根據本發明實施例的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其中圖1是根據本發明實施例的用於微電子工藝處理設備的反應腔室的立體剖面圖。該反應腔室內適於充入工藝氣體或源以進行工藝處理。此外，該反應腔室內也可以通入乾洗氣體，以進行腔室乾洗。根據本發明的一個實施例，該微電子工藝處理設備可為刻蝕設備(ETCH)、等離子增強化學氣象沉積設備(PECVD)、原子層沉積設備(ALD)等，但是需要說明的是，本發明的微電子工藝處理設備不限於此，普通技術人員在閱讀了下述的技術方案之後，顯然可以應用到其他的工藝處理設備。
[0038]如圖1所示，根據本發明實施例的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，包括:腔室本體500、進氣部件300、氣體分配件200、噴淋板400和上蓋100，其中腔室本體500具有開口的上端且內部中空，由此在腔室本體500內可以限定出用於進行工藝處理的工藝腔520。
[0039]進氣部件300蓋住腔室本體500的上端且中央形成有第一通孔301，如圖4中所示。進氣部件300上形成有至少一個沿其周向分布的進氣孔302。噴淋板400封閉第一通孔301的下表面且噴淋板400上形成有多個噴淋孔401，如圖1中所示。
[0040]氣體分配件200設置在進氣部件300上，且氣體分配件200的中央形成有第二通孔202，第二通孔202與第一通孔301連通，如圖5、6中所示。優選地，第二通孔202與第一通孔301同軸地設置。其中氣體分配件200的底面上形成有與進氣孔302相連通的周向槽201，且周向槽201的與第二通孔202相鄰的側壁和第二通孔202的周向壁之間形成有氣體通道203。
[0041]上蓋100設置在氣體分配件200上且蓋住氣體分配件200的第二通孔202，且上蓋100上形成有上氣體入口 110，上氣體入口 110與第二通孔202相連通用於通入清洗氣體，如圖1中所示，優選地，第二通孔202與上氣體入口 110同軸地設置。
[0042]根據本發明的一個實施例，當進氣孔302在進氣部件300上僅設置為一個時，一路工藝氣體或源從進氣孔302中進入到氣體分配件200的底面上的周向槽201內，然後通過氣體通道203進入到第二通孔202內，再通過噴淋板400上的多個噴淋孔401進入到工藝腔內部，然後進行工藝處理。
[0043]根據本發明的一個實施例，當進氣孔302在進氣部件300上設置為多個且沿進氣部件300的周向分布時，多路工藝氣體或源分別從多個進氣孔302中進入到氣體分配件200的底面上的周向槽201內，然後通過氣體通道203進入到第二通孔202內，再通過噴淋板400上的多個噴淋孔401進入到工藝腔內部，然後進行工藝處理。
[0044]當上述工藝進行多次後需要對腔室500進行清洗時，從上蓋100的上氣體入口 110通入遠程等離子源粒子，進入到第一通孔301和第二通孔202形成的空間內，然後通過噴淋孔401進入工藝腔520內部，通過控制工藝腔內壓力，進行清洗，清洗一定時間之後，完成清洗工藝。其中優選地，在清洗時可向工藝腔520內通入射頻功率，以加快清洗速度。
[0045]根據本發明的反應腔室，可將清洗氣體和工藝氣體的入口分開，並且避免了傳統腔室進氣時、多種氣體互相對氣體通路的交叉汙染的問題。
[0046]根據本發明的一些實施例，在進氣部件300的頂面上設有兩條環形密封槽303，如圖4所示，其中氣體分配件200底面的周向槽201對應兩條環形密封槽303之間的進氣部件300頂面的部分。也就是說，如圖3和圖6所示，兩條環形密封槽303分別對應氣體分配件200底面上位於周向槽的內外兩側的兩個周向平面204、205上，從而使得環形密封槽303可與氣體分配件200密封連接，進而保證氣體密封狀態。
[0047]可選地，進氣部件300和氣體分配件200形成為圓環形，如圖4_7所示，且第一通孔301、第二通孔202以及上氣體入口 110同軸設置，由此可保證工藝氣體和清洗氣體進入第一通孔301和第二通孔202形成的空間700內時直接通過噴淋板400上的多個噴淋孔401進入到工藝腔內，減小氣體流動阻礙。進一步地，進氣部件300可優選地包括多個沿著周向均勻分布的進氣孔302。
[0048]在本發明的一些實施例中，如圖1-3中所示，第一通孔301和第二通孔202的直徑相同且大於上氣體入口 110的直徑，這樣，使得反應腔室的製造和裝配變得簡單，且進一步減小氣體在第一通孔301和第二通孔202形成的空間700內的流動阻礙。
[0049]如圖1、圖3和圖6所示，在周向槽201的與第二通孔202相鄰的側壁和第二通孔202的周向壁之間形成有多個氣體通道203。可選地，氣體通道203水平設置且沿著周向均勻分布。由此，可保證氣體從周向槽201內均勻地進入到第一通孔301和第二通孔202形成的空間700內。尤其當多路氣體分別從多個進氣孔302中進入到周向槽201內混合後，混合的氣體通過均勻分布的氣體通道203以及具有多個噴淋孔401的噴淋板400，並同時均勻地進入到工藝腔的內部，以進行工藝處理或者清洗。
[0050]由此，在工藝處理時，工藝氣體或源通過進氣孔302進入氣體分配件200的周向槽201內，氣體或源在周向槽201內混合後，經氣體通道203進入第一通孔301和第二通孔202形成的空間700內，氣體從空間700經噴淋板400進入工藝反應腔室500。
[0051]當需要對工藝腔520進行清洗時，清洗氣體或等離子體經由氣體上蓋100的氣體進入孔110直接進入到空間700中，再經噴淋板400進入工藝腔520，從而對工藝腔520進行例如幹法清洗。此時，清洗氣體不需要再經過氣體通道203、周向槽201以及進氣孔302。也就是說，清洗氣體不會或者減少汙染工藝氣體或源的氣流入口。
[0052]在本發明的進一步的實施例中，如圖8 (a) -8 (c)所示，氣體通道203在周向槽201的與第二通孔202相鄰的側壁的第一開口位置203a高於氣體通道203位於第二通孔202的周向壁上的第二開口位置203b。由此，可有效地避免從上蓋100的上氣體入口 110進入的清洗氣體通過氣體通道230進入到周向槽201內，從而避免或者減少汙染工藝氣體的氣流入口。
[0053]如圖8 (d)-8 (e)所示，可選地，氣體通道203的橫截面從第一開口位置203a朝向第二開口位置203b逐漸減小。這樣，可更為有效地避免清洗氣體進入或者汙染周向槽201，從而汙染工藝氣體的氣流入口。
[0054]可選地，進氣部件300、氣體分配件200和上蓋100中的至少一個由鋁材料製成，或通過在不鏽鋼外噴塗鋁或鎳製成。
[0055]如圖1-圖3所示，在本發明的一個實施例中，腔室本體500的上端形成有法蘭510，進氣部件300的邊緣固定至法蘭510且法蘭510上形成有與進氣孔302相對應的通孔511。也就是說，通孔511的數量可大於或等於進氣孔302的數量，且每個進氣孔302均可與一個通孔511對應，由此，如圖1所示，一路或多路工藝氣體可從通孔511通過進氣孔302進入到周向槽201內，然後再通過氣體通道203進入到第一通孔301和第二通孔202內，從而通過噴淋孔401進入工藝腔520內部。
[0056]下面參考圖1-圖8描述根據本發明多個實施例的用於微電子工藝處理設備的反應腔室的工作過程。
[0057]實施例一
[0058]在本實施例中，所述微電子工藝處理設備以等離子增強化學氣象沉積設備即PECVD設備為例進行說明。此時，在工藝腔520內設置下電極基座600，用於對放在下電極基座600上的基片(未示出)進行工藝。並且，本實施例以進氣部件300上的進氣孔302為一個為例來進行說明。
[0059]在工藝處理過程中，首先，將基片設置到下電極基座600上。接著，下電極基座600被上升至所需的工藝位置。此時，對工藝腔520內抽真空，並從進氣孔302通入工藝氣體。
[0060]工藝氣體通過進氣孔302進入氣體分配件200的周向槽201內，再經氣體通道203進入第一通孔301和第二通孔202形成的空間700內，氣體從空間700經噴淋板400進入工藝腔520。此時，控制工藝腔520內的壓力，加射頻功率預定時間，以進行工藝處理。
[0061]待工藝完成後，下電極基座600下降到傳片位置，以進行傳片和後續工藝處理。
[0062]當上述工藝進行多次後需要對腔室520進行幹法清洗時，從上蓋100的上氣體入口 110通入遠程等離子源粒子，該遠程等離子源粒子直接進入第一通孔301和第二通孔202形成的空間700內，通過噴淋板400進入工藝腔520，通過控制工藝腔內壓力，從而進行清洗。可選地，在進行幹法清洗過程中，可向工藝腔520內通入射頻功率，以加快清洗速度。
[0063]根據本發明實施例的PECVD設備的其他構成例如下電極基座600和基片的裝載過程等以及操作對於本領域普通技術人員而言都是已知的，這裡不再進行詳細描述。
[0064]實施例二
[0065]在本實施例中，所述微電子工藝處理設備以原子層沉積設備(ALD設備)為例進行說明。此時，在工藝腔520內設置下電極基座600，用於對放在下電極基座600上的基片(未示出)進行工藝處理。並且，本實施例以進氣部件300上的進氣孔302為多個為例進行說明，也就是說，需要通入多路工藝氣體。例如，在下面的示例中，將以對基片進行沉積AL2O3為例來進行說明，在該工藝過程中，需要通入四路工藝氣體或源，一路為液態源TMA，一路為液態源H2O, —路為吹掃氣體N2, —路為工藝氣體02。
[0066]當在工藝過程中未加等離子時，將基片放置到下電極基座600上。接著，將下電極基座600上升到所需的工藝位置。此時，對工藝腔520抽真空，並從第一進氣孔處通入液態源TMA預定時間，然後從第二進氣孔處通入吹掃氣體N2預定時間，接著從第三進氣孔處通入液態源H20。如此依次往復多次循環，以對基片進行沉積AL2O3工藝處理。
[0067]待工藝完成後，下電極基座600下降到傳片位置。
[0068]當在工藝處理過程中需要加入等離子時，將基片傳遞到下電極基座600上，然後將下電極基座600上升到所需的工藝位置。此時，對工藝腔520內抽真空，並從第一進氣孔處通入液態源以預定時間，同時從第三進氣孔處通入工藝氣體O2，然後從第二進氣孔處通入吹掃氣體N2以預定時間，接著從上氣體入口 110處通入Ar等離子體，同時從第三進氣孔處通入工藝氣體02。如此依次往復多次循環。以對基片進行沉積AL2O3工藝處理。
[0069]根據本發明實施例的ALD設備的其他構成例如下電極基座600和基片的裝載過程等以及操作對於本領域普通技術人員而言都是已知的，這裡不再進行詳細描述。
[0070]根據本發明第二方面實施例的一種微電子工藝處理設備，包括根據本發明第一方面實施例的用於微電子工藝處理設備的反應腔室。其中，所述微電子工藝處理設備可為刻蝕設備(ETCH)、等離子增強化學氣象沉積設備(PECVD)、原子層沉積設備(ALD)等。由此，在本發明的微電子工藝處理設備中，可將清洗氣體和工藝氣體的入口分開，並且避免了傳統腔室進氣時、多種氣體互相對氣體通路的交叉汙染的問題。
[0071]在本說明書的描述中，參考術語「一個實施例」、「一些實施例」、「示意性實施例」、「示例」、「具體示例」、或「一些示例」等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
[0072]儘管已經示出和描述了本發明的實施例，本領域的普通技術人員可以理解:在不脫離本發明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的範圍由權利要求及其等同物限定。
【權利要求】
1.一種用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，包括: 腔室本體，所述腔室本體具有開口的上端； 進氣部件，所述進氣部件蓋住所述腔室本體的上端且中央形成有第一通孔，所述進氣部件上形成有至少一個沿其周向分布的進氣孔； 氣體分配件，所述氣體分配件設置在所述進氣部件上且中央形成有第二通孔，其中所述氣體分配件的底面上形成有與所述進氣孔相連通的周向槽，且所述周向槽的與所述第二通孔相鄰的側壁和所述第二通孔的周向壁之間形成有氣體通道； 噴淋板，所述噴淋板封閉所述第一通孔的下表面且所述噴淋板上形成有多個噴淋孔；以及 上蓋，所述上蓋設置在所述氣體分配件上且蓋住所述氣體分配件的所述第二通孔，且所述上蓋上形成有上氣體入口，所述上氣體入口與所述第二通孔相連通。
2.根據權利要求1所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述進氣部件的頂面上設有兩條環形密封槽，其中所述氣體分配件底面的周向槽對應所述兩條環形密封槽之間的進氣部件頂面的部分。
3.根據權利要求1所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述進氣部件和所述氣體分配件形成為圓環形，且所述第一通孔、所述第二通孔以及所述上氣體A 口同軸設置。
4.根據權利要求1所述的用於微電子工藝處理設備的進氣裝置，其特徵在於，所述進氣部件包括多個沿著周向均勻分布的進氣孔。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述第一通孔和所述第二通孔的直徑相同且大於所述上氣體入口的直徑。
6.根據權利要求1所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述周向槽的與所述第二通孔相鄰的側壁和所述第二通孔的周向壁之間形成有多個所述氣體通道。
7.根據權利要求6所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述氣體通道水平設置且沿著周向均勻分布。
8.根據權利要求6所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述氣體通道在所述周向槽的與所述第二通孔相鄰的側壁的第一開口位置高於所述氣體通道位於所述第二通孔的所述周向壁上的第二開口位置。
9.根據權利要求8所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述氣體通道的橫截面從所述第一開口位置朝向所述第二開口位置逐漸減小。
10.根據權利要求1所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述進氣部件、所述氣體分配件和所述上蓋中的至少一個由鋁材料製成，或通過在不鏽鋼外噴塗招或鎳製成。
11.根據權利要求1所述的用於微電子工藝處理設備的反應腔室，其特徵在於，所述腔室本體的上端形成有法蘭，所述進氣部件的邊緣固定至所述法蘭且所述法蘭上形成有與所述進氣孔相對應的通孔。
12.—種微電子工藝處理設備,其特徵在於,包括權利要求1-11中任一項所述的反應腔室。
13.根據權利要求12所述的微電子工藝處理設備，其特徵在於，所述微電子工藝處理設備為刻蝕設備、 等離子增強化學氣象沉積設備、或原子層沉積設備。
【文檔編號】H01L21/67GK103915306SQ201210592823
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年12月31日 優先權日:2012年12月31日
【發明者】趙晉榮, 南建輝, 白志民 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司