具有順應性的微電子組件的製作方法

2023-07-29 13:56:51

專利名稱：具有順應性的微電子組件的製作方法
具有順應性的微電子組件交叉參考相關申請本申請要求於2005年2月25日申請的美國臨時申請序列號為60/656480 的優先權，該文件公開的內容也在此被引入作為參考。發明背景本發明涉及晶片級和半導體晶片的封裝。更具體地，本發明涉及改進的順 應(compliant)晶片和順應(compliant)半導體封裝結構以及它們的製作和測試方法。象半導體晶片這樣的微電子器件通常需要許多連接其他電子組件的輸入 和輸出連接。半導體晶片或其他類似器件的輸入和輸出連接通常被設置為大體 覆蓋器件表面(通常被稱作是"面陣列")的柵格狀圖案或平行且緊鄰器件前表 面齡邊緣的細長行狀，或處於該前表面的中央。典型的，象晶片這樣的器件必 須物理地安裝在例如印刷電路板的基板上，並且器件的接觸必須與電路板的電 導部件電性連接。半導體晶片通常採用這樣的封裝，i^寸裝便於晶片在製作和將它安裝到象 電路板或其他電路面板這樣的外部 上時的處理。例如，許多半導體晶片採 用適合於表面安裝的封裝。有許多這類的封裝被用於不同的用途。最普通的， 這^i寸裝包括一個介電元件，通常被稱作"晶片載體"，它具有由在電介質上鍍 覆的或蝕刻的金屬結構作為終端。這些終端通常通過沿晶片載體本身延伸的細 跡線或在晶片接觸與終端或跡線之間延伸的細導線或引線來與晶片本身的接觸 相連接。在表面安裝的操作中，封裝被置於電路板上以使封裝上的每個終端與 電路板上對應的接觸墊對齊。在終端和接觸墊之間提供焊料或其他粘合材料。通過加熱組件以使焊料熔化或"回流"或使連接材料活化，封裝就7乂久地固定 住了。許多封裝包括焊球形式的焊料團，通常直徑為約O.lmm和約0.8mm (5和 30mils)，與封裝的終端相接。具有從底面凸出的焊球陣列的封裝通常被稱為球
格陣列或"BGA"封裝。其他被稱為面格陣列(land grid anay)或"LGA"封
裝的封裝ffiii薄層或由焊料形成的面來與襯底固定。這種類型的封裝可以十分
緊湊。某些封裝，通常被稱為"晶片i^寸裝"，佔用電路板的面積等於識辭肖大 於包封在封裝中的器件面積。這樣的好處是它減少了組件的總面積，並允許襯 底上不同器件之間採用短互連(short interconnection),這可以限制器件之間信號 的傳播時間，從而便於組件在高速下工作。
包括封裝的組^^il受器件和^h由不同的熱膨脹和收縮導致的應力。 在工作狀態和製造過程中，半導體晶片膨脹和收縮的量與電路板的膨脹和收縮 的M於不同。當封裝的終端(例如通過使用焊料)固定到晶片或其他器件時， 這些效應會使得終端相對於電路板上的接觸墊移動。這會導致在連接終端和電 路板上的接觸墊的焊料中產生應力。正如在美國專利5679977、 5148266、 5148265、 5455390和5518964的某^i^實施例中公開的那樣，此處這些公開 被弓1入作為參考，半導體晶片封裝可以具有相對於晶片或其他包封在封裝中的 器件可移動的終端。這種移動育樹不同的膨脹和收縮進行顯著禾號的補償。
封裝器件的觀ij試引出另一個船隹的問題。在某些制敬程中，需要在封裝 器件的終端和測試裝置之間臨時連接，並通過這些連接來操作這些器件以保證 器件是完全有功能的。通常，這些臨時連接必須不能焊^i寸裝終端與測試裝置。 確保所有的終端與測試裝置的導電元件可靠連接是重要的。然而，很難通過將 封裝壓靠在例如具有平接觸墊的普通電路板這樣的簡單測試裝置上來形成連 接。如果封裝的終端不是共面的，或測試裝置的導電元件不是共面的， 一些終 端將不能與它們在測試裝置，應的接觸墊相連接。例如，在BGA封裝中，連 在終端上焊球直徑的不同和晶片載體的不平坦，可能導致某些焊球位於不同的 高度。
這些問題能通過使用特別構造的具有補償不平坦特性的測試裝置來加以 緩解。然而，這種特性增加了測試裝置的成本，並且，在某些情況下，給測試 裝置本身弓l入了某些不可靠性。這是非常不可取的，因為為了提供有意義的測 試，測試裝置以及器件與測試裝置的接合應當比封裝器件本身更可靠。而且， 有意於高頻工作的器件必須加入高頻信號進行測試。這種需求為測試裝置中信 號路徑的電特性弓l入了約束，這更加使測試裝置的構造，化。
此外，當測試晶片和具有連接到終端的焊球的封裝器件時，焊料趨於在測
試裝置的與焊球接合的那部分上積聚。這些焊柳戔留的積聚會縮短測試裝置的 壽命並削弱其可靠性。
已經推出了多種處SJl3悉問題的解決方法。在前述專利中公開的某些封裝 中具有相對於微電子器件可移動的終端。這種移動可以在某種程度上補償在測 試過程中終端的不平坦。
由Nishiguchi等發表的美國專利5196726和5214308公開了一種BGA型 的方法，其中晶片表面上的突點弓踐(突點弓l線)納入襯底上的杯狀凹槽並3I31— 種低熔點材料在3P焊合。由Beaman等發表的美國專利4975079公開了一種晶片 的測試凹槽，其中測試襯底上的半球形(dome-shaped)接觸置於圓錐型導槽 (guides)中。晶片緊壓在襯底上以i鵬球iaA圓錐導槽射妾合襯底上的半球形 管腳。應使用足夠的力量以使半球形管腳讓晶片的焊球實際上發生變形。
BGA凹槽的另一個例子可以在1998年9月8日公開的、共同受讓的美國 專利5802699中找到，該篇公開的內^fc此被引入作為參考。、699號專利公開 了一種具有許多孔洞的片狀連接器。每個孔洞提供有至少一個在內部延伸於孔 洞上的彈力薄層接觸。BGA器件的突點弓踐(bump leads)SA L洞以使突點弓踐 (bump leads)與宇數蟲接合。該組件可以被測試，如果被認為是可接受的，突點引 線就永久與接觸粘合。
於2001年3月20日公開的共同受讓的美國專利6202297，該文公開的內 容在此被弓l入作為參考，公開了一種用於具有突點弓l線的微電子裝置的連接器 和該連接器製造和使用的方法。在、297號專利的一個實施例中，絕緣襯底具有 從上表面向上延伸的多個柱。這些柱可以被排列成一個柱群的陣列，每個柱群 之間定義一個間隙。 一個基本上是薄片狀的接觸從每個柱的頂端延伸。為對器 件測試，器件的突點弓戰插入到各自的間隙中，這樣當突點引線繼續插入時與 挨著突點引線的接觸相接合。典型的，當突點弓l線插入到間隙時，接觸的末梢 部分向下朝襯底並從間隙中央向外偏轉。
共同受讓的美國專利6177636，該文的公開內M此被引入作為參考，公 開了一種在微電子器件和支持襯底之間提供內部互連的方法和設備。在、636號 專利的一個tm實施例中，製造微電子器件的內部互連組分的方法包括提供一 具有第一和第二表面的柔性晶片載體並在晶片載體的第一表面上耦合一導電 片。然後選擇蝕刻該導電片得到多個大體上堅硬的柱。支撐結構的第二表面上 Jil共一順應(compliant)層並且微電子器件例如微電子晶片與該jl鵬層接合，從而 i刻頃應層夾在微電子器件和晶片載體之間，並且豐W人晶片載體的外部表面凸出。 柱與微電子器件電連接。柱形成的凸起的封裝終端可以接合入凹槽或焊料焊合 至綱如電路面板這樣的 。由於柱相對於微電子器件是可移動的，這樣的封 裝相當適用於器件在4頓時器件和支持Slfe間驗膨脹係數的不匹配。而且， 柱的頂端可以是共面或接近共面的。
除了所有戰的在工藝上的艦，還有晶片和微電子封驗審隨、測i灶 的更多，將在下文描述。

發明內容
在本發明的某^i^實施方式中， 一個微電子組件包括象半導體晶片或芯 片這樣的微電子元件，微電子元件具有第一表面和該表面上的接觸件。該組件 要在微電子元件的第一表面上覆蓋一順應層，該順應層最好有與微電子元的接 觸件大體對準的開口。在微電子元件的第一表面和順應層之間可以設置一介電 鈍化層。組件還需包括鶴著順應層並從微電子元件的第一表面凸出的導電柱， 該導電柱與微電子元件的接觸件電氣互連。當導電柱的頂端與導電墊鄰接時， 例如是測糹 或印刷電路板上的導電墊，該導電柱的頂端可相對於微電子元件 上的接觸件移動從而適應不平坦。
在某，選實施例中，順應層優選由具有低彈性係數的材料構成。順應層 可以是由諸如矽樹脂、柔化環氧、聚醯亞胺、熱固性聚合物、含氟聚合物和熱 塑性聚，之類的材料構成。在其他的 實施例中，順應層可以有一上表面， 例如平的上表面，和一個在順應層的上表面和微電子元件的第一表面之間延伸 的傾斜表面。該傾斜表面可具有至少一t彎曲表面。在特別的雌實施例中， 該傾斜表面包括一從微電子元件的第一表面延伸的第一彎曲表面和一,AJ頃應層 的上表面延伸的第二彎曲表面。
微電子組件需要包括細長的電性導電元件用於電性互連導電柱和微電子元 件的接觸件。該細長的電性導電元件可以包括銅、金、鎳及其合金、化合物、 合成物等材料。在某，選實施例中，該細長的電性導電元件可以是焊合帶或 導電 。較佳地，細長的電性導電元件御頃應層上延伸。
在本發明的某，選實施例中，順應層包括多個覆蓋於微電子元件的第一
表面的順應±央。至少一個導電柱被置於至少一個順應±央的頂上。在其他的, 實施例中，每個導電柱設置於一個順應塊的頂上。還在其他的 實施例中， 一單獨的順應塊頂上設置兩個或更多導電柱。每個導電柱需有一鄰接順應層的 基部和一遠離順應層的頂部。導電柱,具有大於焊料掩蔽層厚度的高度，由 此導電柱是微電子組件上最高/長的結構。結果，在測試微電子組件時，導電柱
的頂部是與測試fch導電墊最先接合的部件。某Mt^實施例中，導電柱需有 約50 300 的高度。 ^ 實施例中，至少一個導電柱具有 圓錐 體的形狀，其基部具有約100 600微米的直徑，頂部具有約40 200微米的直 徑。導電柱可以由導電材料構成，如銅、銅合金、金以及其組合物等。
本發明的其他優選實施例中，微電子組件包括一微電子元件，如半導體晶 片或晶片，其具有一第一表面和在第一表面連接的接觸件，和一覆蓋著微電子 元件第一表面的順應層，該順應層具有與微電子元件第一表面隔開的上表面。 該組件還需包括覆蓋於順應層上表面並從微電子元件第一表面上凸起的導電 柱，禾B與導電柱和微電子元件上的，魏件電氣互連的細長形導電元件。
順應層可以包括多個順應i央，每個導電柱都設置於一個順應塊的頂部。順 應層需有與微電子元件的接觸件對準的開口，該開口定義了從微電子元件的第 一表面到順應層上表面延伸的傾斜層。該細長的導電元件需覆蓋在順應層的傾 斜表面上。
在本發明的其他實施例中，微電子組件包括具有第一表面和可與第一表面 連接的接觸件的微電子元件，覆蓋於微電子元件第一表面的多個順應塊，每個 順應±央鄰接微電子元件的一個接觸件設置。組件需包括覆蓋於微電子元件並從 微電子元件的第一表面凸出的導電柱，以及與導電柱和微電子元件的接觸件電 氣互連的導電跡線，藉此順應塊可使導電柱相對於微電子元件的接觸件是可動 的。
順應i^M具有與微電子元件第一表面隔開的上表面和招頓應塊的上表面 和微電子元件的第一表面間延伸的傾斜表面。導電跡線需延伸在順應塊的傾斜 表面上。
本發明的這些和其他的tM實施例將在下文中更具體的描述。


圖1A是具有一個或多個接觸件的微電子元件的剖面圖。
圖IB是圖1A中微電子元件在其撤蟲件承驗面上形卿頃應層後的剖面圖。
圖1C是圖IB中的微電子子組件拍頓應層上形成細長的導電跡線後的剖面圖。
圖ID是圖1C中的微電子子組件在導電柱或管腳形成在圖1C所示的細長 的導％3 上後的咅靦圖。
圖2示出了依照本發明另一雌實施例的微電子組件的咅靦圖。 圖3A和3B示出了圖ID中微電子組件的測試方法。 圖4A和4B示出了圖2中微電子組件的測試方法。 圖5示出了依照本發明另一優選實施例的微電子組件。
圖1A-1D示出了具有電性連接的導電柱或弓卿的順應微電子組件的製作流 程的剖面圖。
圖1A示出了一具有多個管芯或晶片的半導體晶片20。該晶片具有一第一 表面或接觸件承載面22，其上具有一個或多個與第一表面22連接的接觸件24。 該晶片在此處公開的製造過程中的任意點都可以切單成獨立的晶片封裝。在其 他的 實施例中，晶片20可以被單個的微電子晶片替換。在晶片20的接觸 件承im面22上可以澱積識佔附上一層介電鈍化層(未示出)。該鈍化層可以 是在半導體晶片的撤蟲件承i^面上普ili也形成的Si02鈍化層。在另一優選實 施例中，隔離介電鈍化層可以是如環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、光可成像介電質 等。j頓隔離介電鈍化層時，鈍化層可，戱定凃或增層(built up)構造成一個在 表面上平坦的片狀，或是4頓任何一種在本領域公知並普遍^ffl的電子粘合劑 (electronic grade adhesives)將介電片層壓在表面上。該鈍化層i^SM晶片的 接觸件承載表面22並使接觸件24露出，由此例如細長的粘合帶這樣的導電元 件可以在下文中描述的後續步驟中設置。
參見圖1B，在鈍化層(未示出)暴露的表面上澱積或層壓上一層順應層 26。該順應層可以形成和/或具有共同受讓的美國專利6211572、 6284563、 6465878、 6847107以及未決的美國申請09/020647和10/873883中公開的形狀，
這些文件公開的內容在此處被引入作為參考。[TESSERA 078線的實例]採用可 固化的液懶每順應層模版印刷、絲網印刷、轉化模製在鈍化層上，當這種液體 固化時，順應層粘附到該鈍化層。或者，採用電子粘合劑(electronic grade adhesive)以固化的順應墊的形式將順應層粘附到鈍化層的暴露表面上。順應層 26 i^具有一大體平坦的上表面28和一個在晶片20的，數4件7承im面22和順 應層的上表面28之間的、漸變、傾斜跡度表面30。該傾斜逾度表面30順著在 接觸件承載表面26和大體平的上表面28之間的曲率的線，或簡單地以一個使 得傾斜表面30相對於接觸件承fm面22和大體平的表面28不那麼垂直的角度 傾斜。順應層26可以由多種材料形成，如彈性係數低的材料。順應層還可以由 聚合物和其他如矽樹脂、柔化環氧、聚 胺、熱固性聚合物、含氟聚合物和 熱塑性聚合物等材料構成。在前述組件的上表面還可以澱積一電鍍種籽層(沒有示出)。該電鍍種籽層 可以用濺射(噴鍍)的方式來澱積。典型的電鍍種籽層材料包括鈀(用於非電 解鍍/化學鍍)、鈦、鎳鉤和鉻。然而，在其他優選實施例中，主要地使用銅種籽 層。參見圖1C，招頓應層26露出的上表面上施加光刻膠層(沒有示出)，然後 曝光和顯影，形成細長的電性導電粘合帶或跡線32以形成導電墊。該電性導電 粘合帶較佳地與靠近導電帶32 —端的晶片連 對牛24和靠近導電粘合帶32另一 端的終端34電氣互連。該粘合帶可以直接鍍在f數蟲件24上。優選的粘合帶材 料包括銅、金、鎳及其合金、化合物和合成物。參見圖1D，可在組件的上表面澱積^M壓上一掩蔽層36使得只有終端34露出。該掩模層可以是介電材料。在組件上澱積或層壓的悍茅 模可以包括通過絲網印刷的、曝光和顯影的廳壓的薄片，光刻膠材料或包括環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟聚合物等。參見圖1D，每個導電終端34的上部形成導電柱或管腳38。導電柱或管腳，過電鍍或澱積以使它們從半導體晶片20或晶片的接觸件承載表面22上凸 出。某實施例中，雌針導電柱38與導電纖32的終端34連接。柱 的尺寸可在一個相當大的範圍內變化。某實施例中，導電柱具有的高度 hp高出順應層26的上表面28約50 300 j綠。齡柱具有1卩近頓應層的基 部40和一遠離順應層的頂部42。導電柱38可以由任何導電材料構成，但最好
由銅、銅合金、金及其組合物之類的金屬材料構成。例如，導電柱38可由銅和設置在柱38表面的一層金44構成。某，選實施例中，可由如電鍍之類的傳統工藝來形成導電跡線，導電柱 可由普通受讓的美國專利6177636中公開的方法形成，該專利的公開內容在此 被引入作為參考。在其他的優選實施例中，也可以把導電柱當作單獨的元件制 作，然後以倒可誠的將導電柱連接到導電跡線32終端的方式把導電柱組合到 微電子組件上去。還在其他的一，選實施例中，組件可以這樣形成澱積一 種籽層，電鍍第一端連接微電子元件的接觸並且第二端澱積招頃應層上的導電 跡線，將導電柱電鍍在順應層上並連接導電跡線，然後去除種籽層。組件還可 以通過非電解鍍導電柱來形成。該導電柱可以通過採用銅或鎳進非電解鍍柱來 形成。參見圖2，在本發明其他的雌實施例中，微電子組件包括一在接觸面122 上有晶片接觸件124的半導體晶片120。在半導體晶片120的撤4面122上形成 一個或多個順應材料塊。某，選實施例中， 一個或多個順應±央126包括一大 體上平的上表面128和在上表面128和半導體晶片120的接觸表面122之間過 渡的傾斜表面130。組件的上部形成一個或多個導電粘合帶132。每個導電粘合 帶132具有一電連 觸124的第一端和一覆招頓應塊126的大體平的上表面 128上的第二端134。微電子子組件的上面J^共一掩蔽層136。該掩蔽層136具 有開口 137。導電跡線132的終端134 ita開口 137露出。子組件的上部形成一 個或多個導電柱138。每個導電柱138較佳地與導電跡線132的終端134電氣互 連。導電柱可被金層144覆蓋。參見圖3A，圖1D中的微電子組件可用具有導電墊52的,50進行測試， 例如印刷電路板。為清楚起見，圖3A和3B中的微電子組件被簡化了。該微電 子組件包括一具有第一表面22的晶片20和覆在晶片20的第1面22上的順 應層。導電柱38,A)頃應層26的上表面28上凸出。該導電柱38與晶片20上的 接觸件電氣互連。參見圖3A和3B，為對微電子組件測試，導電柱38的頂部42與電路化基 板50的導電墊52並列對齊。如圖3B所示，導電墊的頂部壓靠在導電墊上。順 應層26允許導電柱的頂部相對於晶片的，魏蟲可移動以適應柱和導電墊之間不平 坦和 鵬不平配的需要。如果微電子組件測試成功，可以採用例如焊料或其他
可熔或可導電的材料來使組件與例如印刷電路板這樣的 7乂久粘附。參見圖4A，圖2中的微電子組件可以採用例如測試板這樣具有導電墊152 的鎌150進行測試。為描述清艦見，圖4A和4B中顯示的微電子組件被簡 化了。該微電子組件包括具有第一表面122的晶片120和覆在晶片120的第一 表面122上的順應塊126。導電柱138 /All,塊126的上表面128上凸出。導電 柱138 ilil導電跡線132與晶片120上的接觸件124電氣互連。該導電跡線優 選地覆拍頓應±處。較佳地，該導 線與順應±娥觸。在某l^實施例中， 導電跡線與順應射妾觸並覆mj頃應塊的傾斜邊緣。較佳地，導電柱的頂部是微 電子組件最高的部分，這樣，該頂部是組件最先接合測試板上導電墊的部分。 導電柱可以具有任何高度，只要該高度高於形成在順應層或順應塊上的焊料掩 蔽層並_§7或者柱的頂部決定了組件的最高點。結果，在測試操作中，導電柱的 頂部直^l妾合測i^i:的導電墊，而無需如焊料或導電連接/橋這樣的添加物質。參見圖4A和4B，為對微電子組件測試，導電柱138的頂部142與電路化 150的導電墊152並列對齊。如圖4B所示，導電柱138的頂部壓靠在導電 墊152上以在微電子組件和基板150間形成電連接。順應層126允許導電柱138 相對於晶片120上的接觸件124可移動以適應柱138和測試iSfe上的導電墊152 之間的不平坦和溫度不匹配。如果微電子組件測試成功，可以採用例如焊料或 其他可熔或可導電的材料來使組件與例如印刷電路板這樣的S^反永久粘附。參見圖5，在本發明的某^iM實施例中，導電柱238可以具有大致m 圓錐體的形狀，針柱238的基部240和頂部242是煩圓形的。在這^tt定 的優選實施例中，柱的基部240典型地具有約100—600微米的直徑，頂部242 典型地具有約40—200微米的直徑。導電柱的外表面可以選擇性地,度上高導電 性的層，如金、^/鎳、^/皿^/鈀，^擇性地鍍上像鋨這樣的低電阻導電塗 層以保證在導電柱焊接或^A^時有良好的連接。在本發明的某M^實施例中，柱具有便於傾斜運動的m以當頂部與接 觸墊接合時每個柱的頂部碰J^t面的接觸墊。這種傾斜運動促進了可靠的電連 接。正如在未決的(co-pending)、共同受讓的序列號為10/985126的美國專利申 請中詳細描述的，其名為"MCRO PIN GRID ARRAY WITH WIPING ACTION"， 於2004年11月10日申請，該文件公開的內容在此被弓l入作為參考，可以以促 進,動作並在另一方面便於柱和接觸的接合的特徵來提供該導電柱。具有其 他的促進,和/或好的電連接的形狀與設計的導電柱可見於未決的/共同受讓的序列號為10/985119的美國申請，於2004年11月10日申請的，題為"MCRO PIN GRID WITH PIN MOTION ISOLATION"和共同受讓的申請序列號為 11/014439的美國專利申請，於2004年12月16日申請的，題為"MICRO PACKAGE AND METHODS THEREFOR"，這些文件公幵的^Eiit被弓l入作為參考。在本發明的某^ 實施例中，為{腿微電子元件間電連接的形戱便於 微電子封裝的測試，可在一個或多個微電子封裝的電可導部分提供顆粒塗敷， 正如在美國專利4804132和5083697中公開的那樣，該文件的公開在此被引入 作為參考。,在導電部分例如導電柱的導電終端或頂端提供顆粒塗敷。在一 lit定的優選實施例中，顆粒塗敷是使用標準光刻技術在微電子元件的導電部 分上選擇性地電鍍的金屬化金剛石晶體塗敷。在操作中，具有金剛石晶體塗敷 的導電部分可被壓在對面的接觸墊上以刺穿存在於接觸墊的外表面上的氧化 層。在傳統^^力作之外，通艦氧化層的刺穿，金岡IJ石晶條敷鵬形成了 可靠的電連接。還可以M在未決的、共同受讓的美國申請序列號為10/959465的，於2004 年10月6日申請並題為"Formation of Circuitry With Modification of Feature Height"中公開的工藝來製作導電柱，該文件的公開在此被引入作為參考。雖然本發明不局限於ffi可特定的操作理論，可以相信按此處公開的拍頓應 材料上形成導電柱可以提供一種適應於溫度不匹配並確保形成適當的電連接的 順應晶片級或晶片封裝。此外，使用導電管腳或導電柱使得微電子組件和減晶 片可以通過將導電柱頂部直接鄰接到測i微上的接觸艦行測試，而無需《頓 測試凹槽。雖然本發明以公開了一種以特定順序製作微電子組件或晶片的方法，但在 本發明的範圍之內這個順序還可以更換。在某，選實施例中，這裡公開的結構可以用於製作測試板，其具有順應 層和MJ頃應層凸出的導電柱。在測試晶片或管芯時，裸露的晶片或管芯上的接 觸與導電柱的頂端相鄰接。雖然此處本發明是以特定的實施例作為參考來介紹的，但可以理解這些實 施例只是對本發明的應用和原理做的介紹。因此，可以理解，在不背離本發明
的範圍和精神的條件下，可以對描述的實施例作許多修正和設計出其它組合， 本發明的範圍將由所附的權利要求所限定。 工業實用性本發明在微電子工業具有實用性。
權利要求
1、一種微電子組件，包括一具有第一表面和該第一表面上的接觸件的微電子元件；一覆蓋所述微電子元件的第一表面的順應層；覆蓋在所述的順應層上並從所述的微電子元件的第一表面凸出的導電柱，所述的導電柱與所述微電子元件的所述接觸件電氣互連。
2、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，0M的導電柱具有決定了所述 組件最高點的頂端。
3、 如權利要求i所述的組件，其特徵在於，戶;w頃應層具有與所述微電子組件的)fM接觸件大體Ji^準的開口 。
4、 如權利要求3所述的組件，其特徵在於，還包 S^31戶，I,層的開口的導電跡線，其與戶，導電柱和戶;M微電子元件的所述撤蟲件電氣互連。
5、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，所述的微電子元件是半導體晶片。
6、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，戶，的微電子元件是半導體晶片。
7、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，還包括設置於所述微電子元件 的第一表面和0MI,層之間的介電鈍化層。
8、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，戶/M的順應層包括一具有低彈 性係數的材料。
9、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，戶，的順應層包括一介電材料。
10、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，戶，的順應層包括由矽樹脂、 柔化環氧、聚醯亞胺、熱固性聚合物、含氟聚合物和熱塑性聚合物組成的組中 選取的一種材料。
11、 如權利要求l戶脫的組件，其特徵在於，臓的順應層具有一上表面和一傾斜表面，該傾斜表面在戶;M頓應層的上表面和所述微電子元件的第一表 面之間延伸。
12、 如權禾腰求ll戶誠的組件，其特徵在於，戶腿的順應層的上表面是基 本上平的。
13、 如權利要求12戶腿的組件，其特徵在於，戶腿的順應層具有一延伸於所逸頓應層的大體平的上表面和戶，微電子元件的第一表面之間的傾斜遺度表面，該傾斜a^度表面包括至少一個彎曲的表面。
14、 如權利要求13戶脫的組件，其特徵在於，該至少一個彎曲的表面包括 一從戶艦微電子元件的第一表面延伸的一彎曲表面。
15、 如權禾腰求13戶腿的組件，其特徵在於，其中該至少一個彎曲的表面 包括一,A^湖,應層的上表面延伸的一彎曲表面。
16、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，還包括與所述導電柱和所述 微電子元件的所述接觸件電氣互連的細長的導電元件。
17、 如權禾腰求16戶腿的組件，其特徵在於，戶湖的細長的導電元件包括 從銅、金、鎳及其合金、化合物、合成物組成的組中選擇的材料。
18、 如權禾腰求16戶腿的組件，其特徵在於，戶脫的細長的導電元件包括從粘合帶和跡線的組中選取的一種。
19、 如權禾腰求16戶脫的組件，其特徵在於，戶腿的細長的導電元件在所 逾頓應層上面延伸。
20、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，所逾頓應層包括覆蓋於所述 微電子元件的第一表面的多個順應塊。
21、 如權利要求20所述的組件，其特徵在於，所述導電柱的至少一個設置在戶;M頓應塊的至少一個上。
22、 如權禾腰求20戶腿的組件，其特徵在於，戶脫導電柱設置在戶湖頃應 塊的上面。
23、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，所述導電柱具有一鄰近戶，順應層的基部和一遠離戶;w頓應層的頂部。
24、 如權利要求l所述的組件，其特徵在於，^所述導電柱具有約50 300 的高度。
25、 如權利要求23戶腿的組件，其特徵在於，戶脫導電柱的至少一個具有 截頭圓錐體的皿，其基部直糹5約為100 600 ，頂部直徑約為40 200微 米。
26、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，其中所述導電柱包括導電的 材料。
27、 如權利要求1所述的組件，其特徵在於，所述導電柱包括從銅、銅合 金、M其組合物的組成的組中選取的材料。
28、 一種微電子組件，包括一具有第一表面和在該第一表面上的接觸件的微電子元件； 一覆蓋戶腿微電子元件的第一表面的順應層，戶脫的順應層具有一與戶脫 微電子元件的第一表面隔開的上表面；覆M^脫的順應層的上表面並,A^M的微電子元件的第一表面凸出的導電柱；與所述導電柱和所述微電子元件的所述接觸件電氣互連的細長的導電元件。
29、 如權利要求28戶腿的組件，其特徵在於，戶脫微電子元件是半導體晶片。
30、 如權利要求28所述的組件，其特徵在於，戶，微電子元件是半導體晶片。
31、 如權利要求28戶誠的組件，^JT徵在於，戶;M頃應層包括多個順應土央，每個所述導電柱設置在所逾頓應塊的一個之上。
32、 如權利要求28所述的組件，其特徵在於，BWJIte層具有與所述微電 子元件的所述接觸件對準的開口，所述開口限定了從所述微電子元件的第一表 面到戶湖頓應層的上表面延伸的所逾頓應層的傾斜表面，所述的細長的導電元 件覆在腳頃應層的傾斜表面上。
33、 一種微電子組件，包括-一具有第一表面和，一表面上的撤蟲件的微電子元件； 一覆蓋戶，微電子元件的第一表面的多個順應塊，旨戶，的順應±央設置為相鄰戶，微電子元件的一個戶; ^t^件；覆M^腿微電子元件並從戶服微電子元件的第一表面凸出的導電柱；與戶;M導電柱和戶M微電子元件的戶，接觸件電氣互連的導電跡線，所述的順應±刺妙服的導電柱相對戶腿微電子元件的戶腿接觸件移動。
34、 如權利要求33所述的組件，其特徵在於，BWJ頃應i央具有與所述微電 子元件的第一表面隔開設置的上表面和延伸於所逸頃應塊的上表面和所述微電 子元件的第一表面之間的傾斜表面。
35、如權利要求34戶腿的組件，其特徵在於，戶腿的導電纖在戶湖l鵬 塊的傾斜表面上延伸。
全文摘要
一種微電子組件包括一具有第一表面(22)和在第一表面(22)上的接觸件(24)的微電子元件(20)，例如半導體晶片或半導體晶片，一覆蓋於微電子元件的第一表面的順應層(26)，該順應層(26)具有與微電子元件的接觸件(24)對準的開口。該組件還需包括覆蓋順應層(26)並從微電子元件(20)的第一表面凸起的導電柱(38)，該導電柱(38)通過延伸在接觸(24)和導電柱(38)之間的細長的導電元件與微電子元件(20)的接觸件(24)電氣互連。
文檔編號H01L21/60GK101128931SQ200680005799
公開日2008年2月20日 申請日期2006年2月23日 優先權日2005年2月25日
發明者B·哈拉 申請人:德塞拉股份有限公司