雙柵極驅動的橫向排列的像素結構及顯示面板的製作方法

2023-07-21 07:18:51 2

專利名稱：雙柵極驅動的橫向排列的像素結構及顯示面板的製作方法
技術領域：
本發明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構及顯示面板。
背景技術：
現有技術中，顯示面板的一個主像素區的三個子像素區的排列從左到右分別為 R(紅)，G(綠)，B(藍)，其中，每個主像素區為正方形或者圓形，每個子像素區為長方形，且每個子像素區的短邊與柵極線基本並行，如圖I所示，其中，解析度為mXn，G1, G2,G3......Gm_2，Gm^1, Gm 為 m 條柵極線，D1, D2, D3......D3n_3，D3n_2，D3n^1, D3n 為 3η 條數據線，通常這種子像素區的排列方式稱為縱向排列。
平板顯示器的像素結構根據驅動模式的不同，主要可區分為單柵極 (single-gate)驅動的像素排列方式，雙柵極(dual-gate)驅動的像素排列方式，三柵極 (tri-gate)驅動的像素排列方式，其中，單柵極驅動的像素排列方式是三個顏色子像素區一起被單個柵極驅動；雙柵極驅動的像素排列方式是三個顏色子像素區一起被兩個柵極驅動；三柵極驅動的像素排列方式是三個顏色子像素區分別被三個柵極驅動。
通常，在3D顯示中，為了讓人的左右眼看到不同的圖像，置於顯示面板前的光柵格子需要縱向排列，其中，一個光柵格子的大小與一個主像素區的大小相近；由於光柵格子所在的玻璃板與顯示面板組裝時的對位誤差，導致光柵格子可能會遮擋住某個顏色，比如遮擋了紅色子像素區的部分面積，從而造成嚴重的顏色偏離和色差。為了解決這個問題，現有技術提供了橫向排列方式，即將各顏色子像素區橫向排列，這樣即使光柵格子所在的玻璃板與顯示面板組裝時有對位誤差，三個顏色的子像素區都會被擋住相同的面積，雖然每個子像素區的透光量有所下降，但是三個子像素區所形成的顏色不會有偏移，目前的像素橫向排列方式包括以下幾種單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式、雙柵極驅動的像素橫向排列方式和三柵極驅動的像素橫向排列方式。
單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的原理是將解析度為mXn的屏橫過來變成解析度為nXm的屏來使用，這種排列方式需要驅動電路中加入緩存器將顯示信號進行橫豎的轉化，這會大大增加系統的成本，所以這種排列方式很少得到應用。
三柵極驅動的像素橫向排列方式與單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式相比，其柵極線數目是單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三倍，而數據線數目縮減為單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三分之一，因此採用該排列方式的顯示面板使用較多的柵極驅動晶片與較少的源極驅動晶片。由於柵極線數目是單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三倍，每條柵極線驅動時間縮短為單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三分之一，當解析度比較高時普通的薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)製程很難達到驅動要求。發明內容
本發明實施例提供一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構及顯示面板。有鑑於此，本發明實施例提供一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，包括水平相鄰的兩個主像素區，其中，每個主像素區分別包括垂直相鄰的三個次像素區；六個薄膜電晶體，分別設置於對應的次像素區內；兩條柵極線和三條數據線；其中，每條數據線分別與兩個薄膜電晶體的源極電連接，其中，不同的數據線所電連接的薄膜電晶體不同；與同一條數據線電連接的兩個薄膜電晶體的柵極分別與不同的柵極線電連接。 —種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位於第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設置有上述雙柵極驅動的橫向排列的像素結構。一種雙柵極驅動的橫向排列的驅動方法，適用於上述雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其包括在第一時刻，兩條柵極線中的第一柵極線為高電平，兩條柵極線中的第二柵極線為低電平，與所述第一柵極線電連接的薄膜電晶體打開；三條數據線分別為與自己電連接的薄膜電晶體供電；在第二時刻，所述第二柵極線為高電平，所述第一柵極線為低電平，與所述第二柵極線電連接的薄膜電晶體打開，三條數據線分別為與自己電連接的薄膜電晶體供電。本發明實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構包括雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其中，每條數據線分別與兩個薄膜電晶體的源極電連接；與同一條數據線電連接的兩個薄膜電晶體的柵極分別與不同的柵極線電連接。採用這種像素結構，對於解析度為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數據線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅動時間縮短為單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當解析度比較高時普通的TFT製程也可以達到驅動要求。


為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I是現有技術提供的像素縱向排列的示意圖；圖2是本發明實施例提供的一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖；圖3是本發明實施例提供的基於圖2的像素結構具體示意圖；圖4是本發明實施例提供的採用雙柵極驅動的橫向排列的像素結構的一種驅動方式示意圖；圖5是本發明實施例提供的採用雙柵極驅動的橫向排列的像素結構的另一種驅動方式示意圖；圖6是本發明實施例提供的採用雙柵極驅動的橫向排列的像素結構的又一種驅動方式示意圖7是本發明實施例提供的另一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖8是本發明實施例提供的又一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖9是本發明實施例提供的又一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖10是本發明實施例提供的又一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖11是本發明實施例提供的又一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖12是本發明實施例提供的又一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖13是本發明實施例提供的又一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實 施例，都屬於本發明保護的範圍。
本發明實施例提供一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其包括
多個像素單元，所述像素單元包括
兩條柵極線和三條數據線；其中，兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線，三條數據線包括順序排列的第一數據線、第二數據線和第三數據線；其中，兩條柵極線設置於基板上並沿著第一方向平行排列；三條數據線設置於基板上並沿著第二方向平行排列； 兩條柵極線與三條數據線交叉，在一種具體的實施方式中，第一方向與第二方向垂直；
水平相鄰的兩個主像素區，其中，每個主像素區分別包括垂直相鄰的三個次像素區；三個次像素區分別為R(紅)，G(綠)和B(藍)；每個次像素的長邊與第一方向基本平行，每個次像素的短邊與第二方向基本平行。
六個薄膜電晶體，分別設置於對應的次像素區內，即每個次像素區內有一個薄膜電晶體，每個薄膜電晶體包括源極、漏極和柵極；
其中，每條數據線分別與兩個薄膜電晶體的源極電連接，使三條數據線與六個薄膜電晶體的源極電連接，其中，不同的數據線所電連接的薄膜電晶體不同，即第一數據線所電連接的薄膜電晶體、與第二數據線所電連接的薄膜電晶體、與第三數據線所電連接的薄膜電晶體完全不同，這樣，就可以使三條數據線與六個薄膜電晶體的源極電連接；與同一條數據線電連接的兩個薄膜電晶體的柵極分別與不同的柵極線電連接。
該像素結構還可以包括像素電極和與像素電極部分重迭構成存儲電容的公共電極線，其中，像素電極覆蓋在對應的次像素區的透光區上，每個像素電極分別與對應的薄膜電晶體的漏極電連接；具體的可以包括兩條公共電極線，即第一公共電極線和第二公共電極線，其中，覆蓋在第一主像素區內次像素區上的像素電極與所述第一公共電極線交疊形成三個存儲電容；覆蓋在第二主像素區內次像素區上的像素電極與所述第二公共電極線交疊形成三個存儲電容，即第一公共電極線和第二公共電極線分別與數據線平行，兩條公共電極線形成六個存儲電容；或者，包括三條公共電極線，即第一公共電極線、第二公共電極線和第三公共電極線，這三條公共電極線分別平行於柵極線，每條公共電極線分別與第一主像素區和第二主像素區中各一個次像素區上的像素電極交疊形成存儲電容，即每條公共電極線與兩個不同主像素區的像素電極交疊形成兩個存儲電容，三條公共電極線形成六個存儲電容。
本發明實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構包括雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其中，每條數據線分別與兩個薄膜電晶體的源極電連接；與同一條數據線電連接的兩個薄膜電晶體的柵極分別與不同的柵極線電連接。採用這種像素結構，對於解析度為mXn的屏，η為水平解析度，m為垂直解析度，其需要的柵極線為2m條，其需要的數據線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅動時間縮短為單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當解析度比較高時普通的TFT也可以達到驅動要求，適於廣泛應用。進一步的，本發明實施例提供的像素結構與現有的雙柵極驅動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數據線相同，這樣，源極驅動晶片、柵極驅動晶片的個數也相同，每條柵極線的驅動時間和驅動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現有的雙柵極驅動的縱向排列的像素結構的生產工藝就可以生產出本發明實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構。
為了使本發明實施例提供的技術方案更加清楚，如下實施例對本發明上述技術方案進行詳細描述
本發明實施例提供一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，具體結構可如圖2所示，其包括多個像素單元，每個像素單元包括
兩條柵極線，即第一柵極線G1和第二柵極線G2 ;兩條柵極線設置於基板上並沿著第一方向平行排列；
三條數據線，即順序排列的第一數據線D1、第二數據線D2和第三數據線D3，三條數據線設置於基板上並沿著第二方向平行排列；第二方向基本垂直於第一方向。
兩個主像素區，即第一主像素區和第二主像素區，其中，第一主像素區分別包括第一次像素區L1，第二次像素區L2和第三次像素區L3 ;第二主像素區分別包括第四次像素區 L4，第五次像素區LjP第六次像素區L6。其中，PpPyPyPpPpPe分別為第一次像素區U、 第二次像素區L2、第三次像素區L3、第四次像素區L4、第五次像素區L5和第六次像素區L6的透光區，每個次像素區的長邊與第一方向基本平行，每個次像素區的短邊與第二方向基本平行，其中，兩個主像素區優選的包括兩個紅色次像素區、兩個綠色次像素區和兩個藍色次像素，其中可以有多重組合方式；兩個主像素區也可以包括任意種色彩次像素區的排列組合方式。
六個薄膜電晶體，分別設置於對應的次像素區內，即每個次像素區內有一個薄膜電晶體，如第一次像素區的薄膜電晶體T1，第二次像素區的薄膜電晶體T2，第三次像素區的薄膜電晶體T3,第四次像素區的薄膜電晶體T4，第五次像素區的薄膜電晶體T5，第六次像素區的薄膜電晶體T6，每個薄膜電晶體包括源極、漏極和柵極；
六個像素電極(圖中未示出)，每個像素電極覆蓋在對應的次像素區的透光區上， 分別與對應的薄膜電晶體的漏極電連接；
兩條公共電極線(圖中未示出)，即第一公共電極線C1和第二公共電極線C2，其中，與TpTyT3的漏極電連接的像素電極(即覆蓋在Lp L2、L3上的像素電極)分別與第一公共電極線交疊形成三個存儲電容；與T4, T5, T6的漏極電連接的像素電極(即覆蓋在L4、 L5> L6上的像素電極)分別與第二公共電極線交疊形成三個存儲電容，其中，第一公共電極線、第二公共電極線分別與數據線平行。其中，如圖2所示，該實施例中，第一主像素區位於第一數據線與第二數據線之間；第二主像素區位於第二數據線與第三數據線之間；兩條柵極線和三條數據線交叉形成第一封閉區和第二封閉區；第二次像素區L2、第五次像素區L5分別位於第一封閉區和第二封閉區內。其中，第一數據線D1與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T2的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T3和薄膜電晶體T4的源極電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T5 和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線G2電連接。需要說明的是，次像素區可以為矩形區域，具體包括第一邊和第二邊，第一柵極線G1和第二柵極線G2與次像素區的第一邊平行，且分別設置於每個主像素區內的三個次像素區之間或者設置於各次像素區之外；第一數據線D1、第二數據線D2和第三數據線D3與次像素區的第二邊平行，且分別設置於所述像素單元的兩個主像素區之間或者設置於兩個主像素區之外。在一種優選方式中，第一邊為矩形區域的長邊，第二邊為矩形區域的短邊，在另一種實施方式中，第一邊為矩形區域的短邊，第二邊為矩形區域的長邊。其中，兩條柵極線、三條數據線的具體設置方式可參見後續圖7至圖13所對應部分的詳細描述。本發明實施例以兩個主像素區為一個重複單位，每個主像素區包括三個次像素區(優選的一種組合為紅色次像素區R、綠色次像素區G、藍色次像素區B)，也就是最小的一個重複單位包含6個次像素區。一個最小重複單位中包括兩個柵極線，三個數據線，六個薄膜電晶體，且每條數據線驅動兩個次像素區，兩個次像素區分別由不同的柵極線控制，採用這種像素結構，對於解析度為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數據線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅動時間縮短為單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當解析度比較高時普通的TFT也可以達到驅動要求，適於廣泛應用。進一步的，本發明實施例提供的像素結構與現有的雙柵極驅動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數據線相同，這樣，源極驅動晶片、柵極驅動晶片的個數也相同，每條柵極線的驅動時間和驅動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現有的雙柵極驅動的縱向排列的像素結構的生產工藝就可以生產出本發明實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，且本發明實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構更適合於3D顯示。如下描述一種雙柵極驅動的橫向排列的驅動方法，該方法適用於上述雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其包括在第一時刻，兩條柵極線中的第一柵極線為高電平，兩條柵極線中的第二柵極線為低電平，與第一柵極線電連接的薄膜電晶體打開，三條數據線分別為與自己電連接的薄膜電晶體供電；在第二時刻，所述第二柵極線為高電平，所述第一柵極線為低電平，與所述第二柵極線電連接的薄膜電晶體打開，三條數據線分別為與自己電連接的薄膜電晶體供電。即對於圖2所示的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，在I1時刻，G1為高電平，薄膜電晶體!\、T4和T5同時打開，此時，D1給L1輸送數據，D2給L4輸送數據，D3給L5輸送數據。接著在t2時刻，G1變為低電平，G2為高電平，T1, T4, T5同時關閉，薄膜電晶體T2、T3> T6 同時打開，D1給L2輸送數據，D2給L3輸送數據，D3給L6輸送數據，這樣就實現了對一個像素單元的驅動。
下面以常白液晶顯示屏(TN normally white)模式為例，描述單色顯示的驅動方法，如圖3所示，假定第一像素區L1為綠色次像素區G1，第二像素區L2為紅色次像素區R1, 第三像素區L3為藍色次像素區B1，第四像素區L4為紅色次像素區R2,第五像素區L5為藍色次像素區B2，第六像素區L6為綠色次像素區G2。其中，數據線D提供像素電壓S，像素電壓 S相對於參考電壓COM為正的高電平或者負的高電平時，次像素區處於暗態，像素電壓S相對於參考電壓COM為正的低電平或者負的低電平時，次像素區處於亮態，其中，像素電壓S 為數據線為薄膜電晶體所輸送的數據的電平，其中，像素電壓S相對於參考電壓COM為正的低電平或者負的低電平表示像素電壓S與參考電壓COM接近。
如下描述適用於上述像素結構的紅色顯示的驅動方法
如圖4所示，時刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1,R2^B2的薄膜電晶體打開，SpS2、S3分別給GpR2、B2輸送數據，圖中的SpS2和S3分別為數據線DpD2和D3所輸送的數據的電平(也稱為像素電壓)，假定S1為正的高電平，S2為負的低電平，S3為正的高電平，所以G1暗，R2亮，B2暗。t2時刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R」 B1' G2的電晶體打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2輸送數據，S1為負的低電平，S2為正的高電平，S3為負的高電平，R1亮，B1暗，G2暗。這樣在一個重複單元內只有紅色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時刻兩個主像素內的每條數據線的信號重複^和t2時候的波形使該整個重複單元一直顯不紅色。
如下描述適用於上述像素結構的綠色顯示的驅動方法
如圖5所示，h時刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1,R2^B2的薄膜電晶體打開，Si、S2, S3分別給Gp R2, B2傳輸數據，S1為正的低電平，S2為負的高電平，S3為正的高電平，G1亮，R2暗，B2暗。t2時刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R1、B」 G2的薄膜電晶體打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2傳輸數據，S1為負的高電平，S2為正的高電平，S3為負的低電平，R1暗，B1暗，G2亮。這樣在一個重複單元內只有綠色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時刻兩個主像素內的每條數據線的信號重複^和t2時候的波形使該整個重複單元一直顯示綠色。
如下描述適用於上述像素結構的藍色顯示的驅動方法
如圖6所示，h時刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1,R2^B2的薄膜電晶體打開，Sp S2, S3分別給Gp R2, B2傳輸數據，S1為正的高電平，S2為負的高電平，S3為正的低電平，G1暗，R2暗，B2亮。t2時刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R1、B」 G2的薄膜電晶體打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2傳輸數據，S1為負的高電平，S2為正的低電平，S3為負的高電平，R1暗，B1亮，G2暗。這樣在一個重複單元內只有藍色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時刻兩個主像素內的每條數據線的信號重複^和t2時候的波形使該整個重複單元一直顯不藍色。
以上驅動方法可以單獨控制每個次像素區的顏色和亮度，實現顯示紅色、綠色或者藍色，可見採用上述驅動方法驅動本發明實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構可以控制整個屏幕顯示用戶想要的顏色和圖案。
圖7示出了本發明實施例提供的一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，與圖2所示實施例不同之處在於第一數據線D1與薄膜電晶體T2和薄膜電晶體T3的源極電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T4和薄膜電晶體T5的源極電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第二柵極線G2電連接。圖8示出了本發明實施例提供的另一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，與圖2所示實施例不同之處在於第一數據線D1與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T3的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T2和薄膜電晶體T5的源極電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T4和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線G2電連接。
圖9示出了本發明實施例提供的另一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，與圖2所示實施例不同之處在於第一數據線D1與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T3的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T2和薄膜電晶體T5的源極電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T4和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖10示出了本發明實施例提供的另一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，與圖2所示實施例不同之處在於第一主像素區位於第一數據線與第二數據線之間；第二主像素區位於第二數據線與第三數據線之間；兩條柵極線和三條數據線交叉形成第一封閉區和第二封閉區；第二次像素區L2和第三次像素區L3位於第一封閉區內，第五次像素區L5和第六次像素區L6位於第二封閉區內。具體的，第一數據線D1與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T2的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T3和薄膜電晶體T4的源極電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T5和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖11示出了本發明實施例提供的另一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，與圖2所示實施例不同之處在於第一主像素區位於第一數據線與第二數據線之間；第二主像素區位於第二數據線與第三數據線之間；兩條柵極線和三條數據線交叉形成第一封閉區和第二封閉區；第一次像素區L1、第二次像素區L2和第三次像素區L3位於第一封閉區內，第四次像素區L4、第五次像素區L5和第六次像素區L6位於第二封閉區內。具體的，第一數據線D1與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T2的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T3和薄膜電晶體T4的源極電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T5和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線62電連接。
圖12示出了本發明實施例提供的另一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，與圖2所示實施例不同之處在於第一主像素區位於第一數據線的外側，其中，第一數據線的外側為第一數據線的背向第二數據線的一側；第二主像素區位於第二數據線與第三數據線之間，具體的，第一數據線D1與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T2的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T3和薄膜電晶體T4的源極電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T5和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖13示出了本發明實施例提供的另一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，與圖2所示實施例不同之處在於第一主像素區位於第一數據線的外側，其中，第一數據線的外側為第一數據線的背向第二數據線的一側；第二主像素區位於第三數據線的外側，其中，第三數據線的外側為第三數據線的背向第二數據線的一側；具體的，第一數據線D1與薄膜電晶體T1和薄膜電晶體T2的源極電連接；薄膜電晶體T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數據線D2與薄膜電晶體T3和薄膜電晶體T4的源極電連接；薄膜電晶體T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數據線D3與薄膜電晶體T5和薄膜電晶體T6的源極電連接；薄膜電晶體T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜電晶體T6的柵極與第二柵極線G2電連接。需要說明的是，上述各實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構中的次像素區的可以為長方形區域，此時，長方形區域的長邊與柵極線平行，長方形區域的短邊與數據線平行；或者，次像素區為非長方形區域，不影響本發明的實現。本發明所描述的實例中柵極線、數據線、第一主像素區、第二主像素區間的位置變換及薄膜電晶體的連接關係僅為最佳實例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例均屬於本發明的保護範圍。本發明上述各實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構包括雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其中，每條數據線分別與兩個薄膜電晶體的源極電連接；與同一條數據線電連接的兩個薄膜電晶體的柵極分別與不同的柵極線電連接。採用這種像素結構，對於解析度為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數據線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅動時間縮短為單柵極驅動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當解析度比較高時普通的TFT也可以達到驅動要求，適於廣泛應用。進一步的，本發明實施例提供的像素結構與現有的雙柵極驅動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數據線相同，這樣，源極驅動晶片、柵極驅動晶片的個數也相同，每條柵極線的驅動時間和驅動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現有的雙柵極驅動的縱向排列的像素結構的生產工藝就可以生產出本發明實施例提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構。基於本發明提供的上述雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，本發明還提供一種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位於第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設置有上述雙柵極驅動的橫向排列的像素結構。其中，第一基板可以是TFT基板； 第二基板可以是彩色濾光片(Color filter, CF)基板。
以上對本發明實施例所提供的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構及顯示面板進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用於幫助理解本發明的方法及其核心思想；同時，對於本領域的一般技術人員，依據本發明的思想，在具體實施方式
及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制。
權利要求
1.一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於，包括 水平相鄰的兩個主像素區，其中，每個主像素區分別包括垂直相鄰的三個次像素區； 六個薄膜電晶體，分別設置於對應的次像素區內； 兩條柵極線和三條數據線； 其中，每條數據線分別與兩個薄膜電晶體的源極電連接，其中，不同的數據線所電連接的薄膜電晶體不同；與同一條數據線電連接的兩個薄膜電晶體的柵極分別與不同的柵極線電連接。
2.根據權利要求I所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於，次像素區為長方形區域，所述長方形區域的長邊與柵極線平行。
3.根據權利要求I所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於， 兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；三條數據線包括順序排列的第一數據線、第二數據線和第三數據線； 次像素區包括第一邊和第二邊； 所述第一柵極線和第二柵極線與次像素區的第一邊平行，且分別設置於每個主像素區內的三個次像素區之間或者設置於各次像素區之外。
4.根據權利要求I所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於， 兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；三條數據線包括順序排列的第一數據線、第二數據線和第三數據線； 次像素區包括第一邊和第二邊； 所述第一數據線、第二數據線和第三數據線與次像素區的第二邊平行，且分別設置於所述像素單元的兩個主像素區之間或者設置於兩個主像素區之外。
5.根據權利要求3或者4所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於， 水平相鄰的兩個主像素區包括第一主像素區和第二主像素區； 第一主像素區位於第一數據線與第二數據線之間； 第二主像素區位於第二數據線與第三數據線之間； 兩條柵極線和三條數據線交叉形成第一封閉區和第二封閉區； 其中， 第一主像素區有一個次像素區位於第一封閉區內，第二主像素區有一個次像素區位於第二封閉區內； 或者， 第一主像素區中垂直相鄰的二個次像素區位於第一封閉區內，第二主像素區中垂直相鄰的二個次像素區位於第二封閉區內； 或者， 第一主像素區中垂直相鄰的三個次像素區位於第一封閉區內，第二主像素區中垂直相鄰的三個次像素區位於第二封閉區內。
6.根據權利要求3或者4所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於， 水平相鄰的兩個主像素區包括第一主像素區和第二主像素區； 第二主像素區位於第二數據線與第三數據線之間； 第一主像素區位於第一數據線的外側，所述第一數據線的外側是第一數據線背向第二數據線的一側。
7.根據權利要求3或者4所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於， 水平相鄰的兩個主像素區包括第一主像素區和第二主像素區； 第一主像素區位於第一數據線的外側，所述第一數據線的外側是第一數據線背向第二數據線的一側； 第二主像素區位於第三數據線的外側，所述第三數據線的外側是第三數據線背向第二數據線的一側。
8.根據權利要求I至4任一項所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於， 還包括像素電極，和與像素電極部分重迭構成存儲電容的公共電極線，其中，像素電極覆蓋在次像素區的透光區上。
9.根據權利要求8所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特徵在於， 所述公共電極線包括分別與柵極線平行的第一公共電極線和第二公共電極線； 或者， 所述公共電極線包括分別與數據線平行的第一公共電極線、第二公共電極線和第三公共電極線。
10.一種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位於第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設置有權利要求I至9所述的任意一個雙柵極驅動的橫向排列的像素結構。
11.一種雙柵極驅動的橫向排列的驅動方法，其特徵在於，適用於權利要求I至9所述的任意一個雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其包括 在第一時刻，兩條柵極線中的第一柵極線為高電平，兩條柵極線中的第二柵極線為低電平，與所述第一柵極線電連接的薄膜電晶體打開；三條數據線分別為與自己電連接的薄膜電晶體供電； 在第二時刻，所述第二柵極線為高電平，所述第一柵極線為低電平，與所述第二柵極線電連接的薄膜電晶體打開，三條數據線分別為與自己電連接的薄膜電晶體供電。
全文摘要
本發明公開了一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構及顯示面板，其中雙柵極驅動的橫向排列的像素結構包括水平相鄰的兩個主像素區，每個主像素區分別包括垂直相鄰的三個次像素區；六個薄膜電晶體，分別設置於對應的次像素區內；兩條柵極線和三條數據線；其中，每條數據線分別與兩個薄膜電晶體的源極電連接，不同的數據線所電連接的薄膜電晶體不同；與同一條數據線電連接的兩個薄膜電晶體的柵極分別與不同的柵極線電連接。使用該方案，能夠使當解析度比較高時普通的TFT也可以達到驅動要求，且利用現有雙柵極驅動縱向排列像素結構的生產工藝就可以生產出本發明提供的像素結構。
文檔編號G09G3/36GK102930809SQ20111023178
公開日2013年2月13日 申請日期2011年8月12日 優先權日2011年8月12日
發明者夏志強, 陳晨, 黃忠守, 周思思 申請人:上海中航光電子有限公司