有機電致發光元件製程中的光刻掩膜板的清洗方法及裝置的製作方法

2023-05-27 14:30:11

專利名稱：有機電致發光元件製程中的光刻掩膜板的清洗方法及裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及電子半導體元器件製造技術，特別是涉及一種有機電致發光元件製程中所用的光刻掩膜板(MASK)的清洗方法和相關的清洗設備的技術。 背錄技術有機電致發光顯示器件(0LED)作為平板顯示器的一大分支，具有面板厚度薄 (小於2mm),自發光，低操作電壓(3-IOV)，可製作大尺寸面板及製程簡單等特性， 成為極具潛力的一項平面顯示技術，而在OLED行業中其製造過程中需用到的大面積 高精度鉻版掩膜板已成為重要的光刻治具。由於在製造有機電致發光元件的過程中 需要經過多次光刻用於製造ITO像素，金屬電極，絕緣層和陰極隔離層， 一旦所使 用的光刻掩膜板受到汙染，就會對光刻圖形造成非常不利的影響。所以必須每天在 每一道0LED器件的光刻過程前都需要對光刻掩膜板進行徹底的清洗，以保證良品 率。但是由於反覆的徹底清洗鉻版MASK，對MASK上的圖案邊緣和膜質本身都產生 了不可挽回的損傷，使得MASK的使用壽命大大縮短，導致製造成本顯著增加。從而 要求有一種可以儘量減少MASK損傷的專用清洗方法和相關的清洗設備。一般來說，對於光刻掩膜板(MASK)的清洗多使用手工方法，操作人員用潔淨 布沾著有機溶劑或氫氧化鉀擦去MASK上的沾汙物後，再用大量純水衝洗，最後用手 持式氣槍吹乾。這種方法的整個過程MASK都由人手來清潔，很容易受到外界環境(手 套，衣物)的影響，而且無法確保純水的衝洗是否全面、徹底以及氣槍的氣流是否 真正吹乾了 MASK (水跡殘留)，容易造成二次汙染。這種手工操作的清洗光刻掩膜 板的方法費時費力，而且不能達到理想的清洗效果。目前， 一些國外的設備廠商也設計了用旋轉的(SPIN)的方式來清洗MASK的專 用的的設備，但需要的清洗試劑量大且設備的使用和保養也很煩瑣，最重要的是增 加一臺進口的專用設備就意味著製造成本的大大增加，潔淨房淨化環境的巨大改變。發明內容針對上述現有技術中存在的缺陷，本發明所要解決的技術問題是提供一種能降 低成本，縮短清洗時間，減少操作人員，提高清洗效果的有機電致發光元件製程中 光刻掩膜板的清洗方法及裝置。為了解決上述技術問題，本發明所提供的一種有機電致發光元件製程中光刻掩 膜板的清洗裝置，由裝置的輸入端至輸出端依次包括中段投片口、清洗單元的第一 段、清洗單元的第二段、二流體衝洗單元、淋式超聲洗單元、溫水洗單元、用於吹 幹、清潔的風刀單元、去靜電單元，所述各單元由傳送單元連接；其特徵在於，所 述清洗單元的第一段使用第一 (獨立的)循環純水系統，所述清洗單元的第二段、 二流體衝洗單元、淋式超聲洗單元使用第二循環純水系統，所述二流體衝洗單元的 二流體為純水和氣，所述溫水洗單元使用加熱後淋洗並直接排放的純水系統。進一步的，所述投片口設有能取放的保護罩。進一步的，所述傳送單元不設置壓輥。進一步的，所述第一和第二循環純水系統之間設有閥門。進一步的，所述光刻掩膜板的清洗裝置為經過改造的0LED基板清洗設備的後段 流水線設備。為了解決上述技術問題，本發明所提供的一種有機電致發光元件製程中光刻掩 膜板的清洗方法，其特徵在於，方法的步驟包括1) 光刻掩膜板送入投片口；2) 用水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送到設有獨立循環純水系統的清洗單元的第一段進行清洗；3) 再次清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板進入清洗單元的第二段、二流體衝洗單元 和淋式超聲洗單元進行清洗，經過這三單元的清洗光刻掩膜板的正反兩面的附著的 汙染物已基本洗淨；4) 溫水(去除油脂)清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板經使用溫純水的溫水洗單元 清洗；完全去除油脂的附著；5) 吹乾光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送至風刀單元進行吹乾；6) 光刻掩膜板去除靜電。進一步的，所述步驟1)之前將光刻掩膜板放入配有5°/。K0H溶液(電子純)的 清潔的容器中先浸泡5分鐘，然後將掩膜板取出再送入投片口。利用本發明提供的有機電致發光元件製程中光刻掩膜板的清洗方法及裝置，由 於採用這種改進的光刻掩膜板(MASK)的清洗方法和相關的清洗設備第一可以在不 增加設備，不增加製造成本的前提下，儘可能的減少清洗光刻掩膜板所用的時間和 人員；第二可以切實去除附著在MASK上的汙染物，並吹乾MASK，有效提高MASK的 清洗效果。光刻掩膜板以浸泡方式去除表面的光刻膠的沾汙，避免了人員在擦洗過 程中可能產生的二次汙染(如衣服，手套，潔淨布的接觸)；在不增加製造成本的前 提下，本發明能有效防止從光刻掩膜板上剝離的汙染物再次附著，明顯提高掩膜板 的清洗效果，並大大縮短了清洗時間，減少了操作人員，提高了工作效率。


圖1是本發明實施例的光刻掩膜板的清洗裝置結構示意圖。
具體實施方式
以下結合

對本發明的實施例作進一步詳細描述，但本實施例並不用於 限制本發明，凡是採用本發明的相似結構及其相似變化，均應列入本發明的保護範圍。如圖1所示，本發明實施例所提供的一種光刻掩膜板的清洗裝置，由裝置的輸 入端至輸出端依次包括中段投片口 1、清洗單元的第一段2a、清洗單元的第二段2b、 二流體衝洗單元3、淋式超聲洗單元4、溫水洗單元5、用於吹乾、清潔的風刀單元 6、去靜電單元7，所述各單元由滾輪傳送單元8連接；其特徵在於，所述清洗單元 的第一段2a使用第一 (獨立的)循環純水系統9，所述清洗單元的第二段2b、 二流 體衝洗單元3、淋式超聲洗單元4使用第二循環純水系統10，所述溫水洗單元5使 用加熱後淋洗並直接排放的純水系統12，所述二流體衝洗單元3的二流體為純水和 氣11。所述光刻掩膜板的清洗裝置為經過改造的0LED基板清洗設備的後段流水線 設備；所述投片口上設有能取放的保護罩；所述傳送單元8不設置壓輥；所述第一 和第二循環純水系統9、 IO之間設有閥門。本發明實施例所提供的一種光刻掩膜板的清洗方法是將光刻掩膜板放入配有 清洗試劑的容器中先浸泡若干時間後將掩膜板取出，立即投入(膜面朝上)經過改 造的0LED基板清洗設備的後段流水線設備中，經過純水的多道衝洗過程，最後吹乾， 去除靜電後取出。其特徵一光刻掩膜板以浸泡方式去除表面的光刻膠的沾汙，避 免了人員在擦洗過程中可能產生的二次汙染(如衣服，手套，潔淨布的接觸)其特 徵二.該方法使用到的清洗設備是利用了 OLED基板專用清洗設備(OLED器件對基板 清洗要求高)的後段純水清洗和風刀吹乾部分，整套基板清洗設備的中段被設計了 另一個投片口，投片口的長度不能太長，剛好等於MASK的邊長，這是為了避免基板 清洗流程受到妨礙；在該投片口上安有保護罩，在平時進行基板清洗的時候，保護 罩是放上去的，避免清洗設備內部被汙染。在MASK清洗時取下防護罩投入MASK進 行清洗。其特徵三MASK使用到的清洗設備裡不設置壓在基板上的壓輥，在運行中不 會對玻璃表面的金屬鉻膜造成損傷，也不會帶來二次汙染。其特徵四在MASK投入的 第一道水洗的水必須直接流掉，不進入其他水洗過程的循環用水的系統，以免汙染純水，這個可以通過閥門控制。其特徵五使用片狀風刀吹千玻璃，只有使用片狀風 刀才能真正完全吹乾大尺寸的玻璃表面。如圖1所示，本發明實施例所提供的一種光刻掩膜板的清洗方法1) 光刻掩膜板送入投片口將光刻用鉻版掩膜板放入配有5%K0H溶液(電子 純)的清潔的容器中先浸泡5分鐘左右，然後將掩膜板取出，鉻版掩膜板沿著基板 傳送方向A被放入基板清洗設備的中段投片口 1;2) 用水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板被傳送到進行二段式清洗單元的第一段 2a，這部分的水直接流掉，不進入設備的水循環系統，這部分可以設計成純水9直 接接入使用後直接排放到掉，也可以設置閥門使得這個清洗單元的第一段2a在平時 基板清洗的時候使用循環水，而在進行MASK清洗的時候水不流入循環水存放的處理 槽直接排掉；3) 再次清洗光刻掩膜板，接下來MASK進入二段式清洗單元的第二段2b, 二流 體衝洗單元3和淋式超聲洗單元4，這三個單元用的是循環水，經過這兒單元的清 洗MASK的正反兩面的附著的汙染物己基本洗淨；4) 溫水(去除油脂)清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板經使用溫純水的溫水洗單 元5，完全去除油脂的附著；5) 吹乾光刻掩膜板，掩膜板傳送至風刀單元6，經過過濾的乾燥氣體通過片狀 風刀的的出風口切過MASK表面，將表面的水份完全吹乾；6) 光刻掩膜板去除靜電，另外出片口安有去靜電單元7，所以從出片口傳送出 的光刻掩膜板是相當乾淨和乾燥的。
權利要求
1、一種有機電致發光元件製程中光刻掩膜板的清洗裝置，由裝置的輸入端至輸出端依次包括中段投片口、清洗單元的第一段、清洗單元的第二段、二流體衝洗單元、淋式超聲洗單元、溫水洗單元、用於吹乾、清潔的風刀單元、去靜電單元，所述各單元由傳送單元連接；其特徵在於，所述清洗單元的第一段使用獨立的第一循環純水系統，所述清洗單元的第二段、二流體衝洗單元、淋式超聲洗單元使用第二循環純水系統，所述溫水洗單元使用加熱後淋洗並直接排放的純水系統。
2、 根據權利要求l所述的光刻掩膜板的清洗裝置，其特徵在於，所述投片口設 有能取放的保護罩。
3、 根據權利要求1所述的光刻掩膜板的清洗裝置，其特徵在於，所述第一和第 二循環純水系統之間設有閥門。
4、 一種權利要求1所述的光刻掩膜板清洗裝置的清洗方法，其特徵在於，方法 的步驟包括1) 光刻掩膜板送入投片口；2) 用水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送到設有獨立循環純水系統的清洗單元 的第一段進行清洗；3) 再次清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板進入清洗單元的第二段、二流體衝洗單元 和淋式超聲洗單元進行清洗；4) 溫水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板經使用溫純水的溫水洗單元進行去除油脂 的清洗；5) 吹乾光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送至風刀單元進行吹乾；6) 光刻掩膜板去除靜電。
5、 根據權利要求4所述的光刻掩膜板的清洗方法，其特徵在於，所述步驟l)之前將光刻掩膜板放入配有電子純的5%K0H溶液的清潔的容器中先浸泡5分鐘，然 後將掩膜板取出再送入投片口 。
全文摘要
本發明公開一種有機電致發光元件製程中光刻掩膜板的清洗方法及裝置，涉及電子半導體元器件製造技術領域；所要解決的是清洗光刻掩膜板的降低成本，提高效果的技術問題；該裝置由輸入端至輸出端依次包括中段投片口、清洗單元的第一段、清洗單元的第二段、二流體衝洗單元、淋式超聲洗單元、溫水洗單元、用於吹乾、清潔的風刀單元、去靜電單元，所述各單元由傳送單元連接；其特徵在於，所述清洗單元的第一段使用獨立的第一循環純水系統，所述清洗單元的第二段、二流體衝洗單元、淋式超聲洗單元使用第二循環純水系統，所述溫水洗單元使用加熱後淋洗並直接排放的純水系統。本發明的清洗方法及裝置具有降低成本，縮短時間，減少操作人員，提高清洗效果的特點。
文檔編號G03F1/82GK101221355SQ20071017110
公開日2008年7月16日 申請日期2007年11月28日 優先權日2007年11月28日
發明者吳玉琦, 剛 周 申請人:上海廣電電子股份有限公司