磁碟用玻璃基板的製造方法

2023-05-26 23:42:11

磁碟用玻璃基板的製造方法
【專利摘要】本發明提供磁碟用玻璃基板的製造方法，在使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進行研磨來製造磁碟用玻璃基板時，可以製造難以產生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的磁碟用玻璃基板。該方法為具備一對主表面以及與該一對主表面正交的側壁面的磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法包括：研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對玻璃坯板的主表面進行研磨；和除去工序，在上述研磨工序之後，物理性除去在研磨上述玻璃坯板的側壁面或主表面時由於該玻璃坯板的側壁面與玻璃基板的側壁面面對的載具的端面發生摩擦而附著於玻璃坯板的側壁面的氧化鋯顆粒。
【專利說明】磁碟用玻璃基板的製造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及磁碟用玻璃基板的製造方法。
【背景技術】
[0002]如今,在個人計算機或DVD (Digital Versatile Disc)記錄裝置等中內置有用於記錄數據的硬碟裝置(HDD=HardDiskDriveh特別是在筆記型個人計算機等以移動性為前提的設備中使用的硬碟裝置中，使用在玻璃基板上設置有磁性層的磁碟，利用在磁碟的面上微微懸浮的磁頭對磁性層記錄或讀取磁記錄信息。作為該磁碟的基板，由於具有比金屬基板(鋁基板)等更難以發生塑性變形的性質，因而優選使用玻璃基板。
[0003]另外，應增大硬碟裝置中存儲容量的要求，尋求磁記錄的高密度化。例如使用垂直磁記錄方式，使磁性層中的磁化方向相對於基板的面為垂直方向，進行磁記錄信息區域(記錄位(bit))的微細化。由此，可以增大I張碟片基板中的存儲容量。進一步，為了進一步增大存儲容量，還進行通過使磁頭的記錄再現元件部更加突出，從而極度縮短其與磁記錄層之間的距離，進一步提高信息的記錄再現精度(提高S/N比)。需要說明的是，這種磁頭的記錄再現元件部的控制被稱作DFH(Dynamic Flying Height)控制機構,配備該控制機構的磁頭被稱作DHl頭。對於與這種DHl頭組合用於HDD的磁碟用基板而言，為了避免其與磁頭或從磁頭上進一步突出的記錄再現元件部之間的碰撞和接觸，按照使基板的表面凹凸極小的方式進行製作。
[0004]製作磁碟用玻璃基板的工序包括:磨削工序，利用固定磨粒對模壓成型後製成平板狀的玻璃坯板的主表面進行磨削；主表面的研磨工序，目的在於除去因該磨削工序而在主表面殘留的傷痕、變形。
[0005]以往已知一種磁碟用玻璃基板的製造方法，在上述主表面的研磨工序中，使用氧化鈰(二氧化鈰)磨粒作為研磨材料(專利文獻I)。
[0006]該方法中,在磨削工序後、玻璃還板的端面研磨後,使用氧化鋪作為游離磨粒進行主表面的研磨(第一研磨)，之後對玻璃坯板進行化學強化。
[0007]現有技術文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本特開2008-254166號公報
【發明內容】

[0010]發明要解決的問題
[0011]另一方面，作為屬於稀有金屬且較難獲得的氧化鈰的研磨材料的替代，考慮使用較易獲得且以往已知在玻璃產品中作為研磨材料的氧化鋯(二氧化鋯)。
[0012]然而可知，在以上述氧化鋯作為玻璃坯板的游離磨粒的研磨材料而製作的玻璃基板上成膜出磁性層從而製作磁碟的情況下，與使用氧化鈰作為研磨材料而製作的玻璃基板相比，在使用磁頭的長時間LUL試驗中，磁頭劃碰(head crash)故障、熱粗糙(thermalasperity)故障等不良情況的產生相對增多。
[0013]因此，本發明的目的在於提供磁碟用玻璃基板的製造方法，在使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進行研磨來製造磁碟用玻璃基板時，可以製造難以產生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的磁碟用玻璃基板。
[0014]用於解決問題的手段
[0015]本發明人為了探明使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進行研磨從而製造的磁碟用玻璃基板產生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的原因，進行了深入研究。其結果發現，對於玻璃基板的主表面，在鏡面拋光的研磨後，即使充分清洗主表面來去除顆粒等，但在進行磁性層的成膜時，有時在主表面仍附著有氧化鋯顆粒。此時，在氧化鋯顆粒的上方層積磁性層而導致在磁性層的表面上形成微小凹凸。因而，該微小凹凸成為磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的原因。進一步還可知，在玻璃基板的主表面附著的氧化鋯顆粒是研磨中使用的氧化鋯磨粒的一部分，很可能是附著於玻璃基板的外周面和內周面的側壁面上的磨粒。這樣的問題在使用氧化鈰、二氧化矽等其它磨粒作為研磨材料時不會產生，但是使用氧化鋯磨粒則會產生。需要說明的是，尚未建立有效除去附著於玻璃基板的氧化鋯顆粒的清洗方法。需要說明的是，在本說明書中，「粘固」是指例如氧化鋯顆粒扎進玻璃坯板的側壁面而被固定。需要說明的是，在本說明書中，表述為「附著」的情況下，例如除了解釋為氧化鋯顆粒僅殘留於玻璃坯板的主表面的意思以外，也可以解釋為氧化鋯顆粒粘固於玻璃坯板的側壁面的意思。
[0016]即使充分清洗主表面來去除顆粒等，進行磁性層的成膜時，有時在主表面仍附著有氧化鋯顆粒，本發明人認為其理由如下。即，即使在通過利用氧化鋯磨粒的主表面研磨而在玻璃坯板上殘留有氧化鋯顆粒的情況下，也會通過之後對主表面的最終研磨來除去在主表面上殘留的氧化鋯顆粒，但是在玻璃坯板的側壁面上殘留或附著的氧化鋯顆粒不能通過之後的玻璃坯板的清洗而被除去。尤其是在利用氧化鋯磨粒的主表面研磨中將玻璃坯板保持在載具中進行的情況下，可知由於在研磨中玻璃坯板與載具抵接，因而氧化鋯顆粒粘固於玻璃坯板的側壁面。
[0017]如此使玻璃坯板保持在載具中進行主表面研磨時，氧化鋯顆粒粘固於玻璃坯板的原因據認為是:使用氧化鋯磨粒作為研磨材料的情況下，相比於使用氧化鈰磨粒的情況，以強得多的力量將研磨墊與玻璃坯板壓緊、或者以比使用氧化鈰的情況更快的旋轉速度使定盤、載具相對於研磨墊進行旋轉(相對移動)。使用氧化鋯磨粒的情況下以如此苛刻的條件進行主表面研磨的理由是因為，如果以與使用氧化鈰磨粒的情況相同的條件進行，則加工速率相比於使用氧化鈰磨粒的情況顯著下降。
[0018]並且據推測，在利用氧化鋯磨粒的主表面研磨之後的工序中，在側壁面附著的氧化鋯顆粒脫離並附著於玻璃坯板或磁碟用玻璃基板的主表面。例如可以認為，在玻璃坯板的主表面研磨之後，為了使主表面的表面性狀不變差，在工序上夾持玻璃坯板或磁碟用玻璃基板的側壁面，但是由此導致氧化鋯顆粒脫離。存在將兩塊以上的玻璃坯板或磁碟用玻璃基板裝在支架上在清洗槽或化學強化液槽中浸潰的工序時，還可以認為側壁面與箱體(力★ 〃卜)抵接導致氧化鋯顆粒脫離，由此氧化鋯顆粒附著於主表面。
[0019]鑑於上述情況，本發明人從而完成了想到如下所述方式的發明。
[0020] 即，本發明的方式之一涉及具備一對主表面以及與該一對主表面正交的側壁面的磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法包括:研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對玻璃坯板的主表面進行研磨；和除去工序，在上述研磨工序之後，物理性除去在研磨上述玻璃坯板的側壁面或主表面時由於該玻璃坯板的側壁面與玻璃基板的側壁面面對的載具的端面發生摩擦而附著於玻璃坯板的側壁面的氧化鋯顆粒。
[0021]本發明的另一種方式涉及具備一對主表面以及與該一對主表面正交的側壁面的磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法包括:主表面研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對玻璃坯板的主表面進行研磨；和端面研磨工序，在上述主表面研磨工序之後，對在上述主表面研磨工序中與上述載具的端面接觸過的玻璃坯板的側壁面進行研磨。
[0022]本發明的再一種方式涉及具備一對主表面以及與該一對主表面正交的側壁面的磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法包括:第一研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對玻璃坯板的主表面進行研磨；和第二研磨工序，使上述玻璃坯板保持在上述載具中，利用上述研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間以及玻璃坯板的側壁面和載具的端面之間供給具有氧化鋯顆粒以外的磨粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對該玻璃坯板的主表面進行研磨。
[0023]在上述磁碟用玻璃基板的製造方法的第二研磨工序中，上述玻璃坯板和上述載具之間的最大間隙優選為0.5mm以上。
[0024]上述磁碟用玻璃基板的製造方法中，與上述玻璃坯板的側壁面接觸的上述載具的端面的表面粗糙度優選為5 μ m以下。
[0025]上述磁碟用玻璃基板的製造方法中，使用具有上述氧化鋯顆粒的研磨液進行研磨之前，玻璃坯板的側壁面的表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計優選為0.1 μ m以下。
[0026]上述磁碟用玻璃基板的製造方法適合在上述磁碟用玻璃基板的直徑大於2.5英寸的尺寸且板厚為0.6mm以下的情況下進行。
[0027]在上述磁碟用玻璃基板的製造方法中，對上述玻璃坯板的側壁面進行研磨時優選使用固定磨粒進行研磨。
[0028]在上述磁碟用玻璃基板的製造方法中，對上述玻璃坯板的側壁面進行研磨時也可以使用游離磨粒進行研磨，此時該游離磨粒的尺寸優選小於氧化鋯的上述研磨磨粒的尺寸。
[0029]上述磁碟用玻璃基板的製造方法中，在對上述玻璃坯板的側壁面進行研磨後，優選對玻璃還板實施化學強化。
[0030]在上述磁碟用玻璃基板的製造方法的第一研磨工序之前，優選對上述玻璃坯板的側壁面進行研磨。
[0031]在上述磁碟用玻璃基板的製造方法的第二研磨工序之後，優選對上述玻璃坯板實施化學強化。[0032]發明效果
[0033]根據上述的磁碟用玻璃基板的製造方法，在使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進行研磨來製造磁碟用玻璃基板時，可以製造難以產生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的磁碟用玻璃基板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1為表示第一實施方式的玻璃基板的製造方法的流程的一個示例的圖。
[0035]圖2為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的立體分解圖。
[0036]圖3為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的截面圖。
[0037]圖4為表示第二實施方式的玻璃基板的製造方法的流程的一個示例的圖。
[0038]圖5為表示載具與研磨中的玻璃基板之間的間隙的圖。
【具體實施方式】
[0039]下面，對本發明的磁碟用玻璃基板的製造方法進行詳細說明。
[0040](I)第一實施方式
[0041]首先，對第一實施方式的磁碟用玻璃基板的製造方法進行說明。
[0042][磁碟用玻璃基板]
[0043]作為本實施方式中的磁碟用玻璃基板的材料，可以使用鋁矽酸鹽玻璃、鹼石灰玻璃、硼矽酸鹽玻璃等。尤其是從可以實施化學強化並且可以製作主表面平坦度和基板強度優異的磁碟用玻璃基板這些方面考慮，可以優選使用鋁矽酸鹽玻璃。
[0044]對本實施方式的磁碟用玻璃基板的組成不作限定，但本實施方式的玻璃基板優選為由如下組成構成的鋁矽酸鹽玻璃:換算為氧化物基準，以摩爾％表示，含有50?75%的SiO2 ；1?15%的Al2O3 ;合計為5?35%的選自Li20、Na2O和K2O中的至少I種成分；合計為O?20%的選自MgO、CaO、SrO, BaO和ZnO中的至少I種成分；以及合計為O?10%的選自 ZrO2, Ti02、La203、Y2O3> Ta2O5' Nb2O5 和 HfO2 中的至少 I 種成分。
[0045]本實施方式中的磁碟用玻璃基板為圓環狀的薄板玻璃基板。磁碟用玻璃基板的尺寸沒有限制，例如優選為公稱直徑為2.5英寸的磁碟用玻璃基板。
[0046][磁碟用玻璃基板的製造方法]
[0047]下面，關於第一實施方式的磁碟用玻璃基板的製造方法，按照圖1所示的工序逐個進行說明。但是，也可以對各工序的順序適當進行調換。
[0048](I)玻璃坯板的成型(SlO)和磨光工序(S12)
[0049]例如在利用浮法的玻璃坯板的成型工序中，首先例如將上述組成的熔融玻璃連續地流入填充有錫等熔融金屬的浴槽內，由此得到板狀玻璃。熔融玻璃在施加嚴密的溫度操作的浴槽內沿行進方向流動，最終形成調整至所期望的厚度、寬度的板狀玻璃。從該板狀玻璃切出規定形狀的玻璃坯板，作為磁碟用玻璃基板的基礎。浴槽內的熔融錫的表面是水平的，因此對於通過浮法得到的玻璃坯板而言，其表面的平坦度足夠高。
[0050]另外，例如在利用模壓成型法的玻璃坯板的成型工序中，向作為料滴裝料成型模的下模上供給由熔融玻璃構成的玻璃料滴，使用作為與下模相對的料滴成型模的上模，對玻璃料滴進行模壓成型。更具體來說，向下模上供給由熔融玻璃構成的玻璃料滴後，使上模用筒形模具(上型用胴型)的下表面與下模用筒形模具(下型用胴型)的上表面抵接，在超出上模與上模用筒形模具之間的滑動面和下模與下模用筒形模具之間的滑動面的外側形成薄玻璃坯板的成型空間，進而降下上模進行模壓成型，進行模壓成型後隨即升起上模。由此，成型出作為磁碟用玻璃基板的基礎的玻璃坯板。
[0051]需要說明的是，玻璃坯板不限於上述方法，可以使用下拉(downdraw)法、再拉(redraw)法、熔融法等公知的製造方法進行製造。
[0052]接著，對於按照規定形狀切出的玻璃坯板的兩個主表面，根據需要使用氧化鋁系游離磨粒進行磨光加工。具體來說，使磨光定盤從上下兩面壓住玻璃還板的雙面，向玻璃還板的主表面上供給含有游離磨粒的磨削液(漿料)，使它們進行相對移動從而進行磨光加工。需要說明的是，利用浮法對玻璃坯板進行成型時，成型後的主表面的粗糙度的精度高，因此也可以省略該磨光加工。
[0053](2)鑽芯工序(S14)
[0054]使用圓筒狀的金剛石鑽頭，在玻璃坯板的中心部形成內孔，製成圓環狀的玻璃坯板。
[0055](3)倒角工序(S16)
[0056]鑽芯工序之後，進行倒角工序，在端部(外周端部和內周端部)形成倒角部。倒角工序中，對於圓環狀的玻璃坯板的外周端部和內周端部，例如通過使用金剛石磨粒的金屬結合劑砂輪(^夕> F'砥石)等實施倒角，形成倒角部。 [0057](4)利用固定磨粒的磨削工序(S18)
[0058]利用固定磨粒的磨削工序中，使用具備行星齒輪機構的雙面磨削裝置對圓環狀的玻璃坯板的主表面進行磨削加工。磨削的加工餘量為例如幾Pm~IOOym左右。雙面磨削裝置具有上下一對定盤(上定盤和下定盤)，在上定盤和下定盤之間夾持圓環狀的玻璃坯板。並且，通過對上定盤或下定盤的任意之一或對兩者進行移動操作，使玻璃坯板和各定盤進行相對移動，由此可以對玻璃坯板的兩個主表面進行磨削。
[0059](5)第一研磨(主表面研磨)工序(S20)
[0060]接著，對所磨削的玻璃坯板的主表面實施第一研磨。第一研磨的加工餘量為例如幾μL?~50μπ?左右。第一研磨的目的在於除去因利用固定磨粒的磨削而在主表面殘留的傷痕、變形，調整起伏、微起伏。需要說明的是，進行第一研磨之前的玻璃坯板的側壁面的表面粗糙度(Ra)優選為0.1 μ m以下。更優選為0.05 μ m以下。此處所指的表面粗糙度(Ra)可以利用觸針式粗糙度計進行測定。通過使玻璃坯板的側壁面的表面粗糙度如此之小，可以增大與載具的接觸面積，因而進入間隙的磨粒增加，受力被分散到更大量的磨粒上，因而ZrO2顆粒難以扎入。另外，若粗糙度小，在與載具接觸時，也難以因載具而產生傷痕，因而被該傷痕所捕獲的ZrO2磨粒減少，由此也可以間接地減小扎入玻璃坯板的側壁面的可能性。因此，在進行第一研磨的期間，難以引起因氧化鋯磨粒扎入等而粘固於玻璃坯板的側壁面。
[0061][研磨裝置]
[0062]對於第一研磨工序中使用的研磨裝置，參照圖2和圖3進行說明。圖2為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的立體分解圖。圖3為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的截面圖。需要說明的是，與該研磨裝置同樣的構成也可以適用於上述磨削工序中使用的磨削裝置中。。[0063]如圖2所示，研磨裝置具有上下一對定盤、即上定盤40和下定盤50。上定盤40和下定盤50之間夾持圓環狀的玻璃坯板G，通過對上定盤40或下定盤50的任意之一或對兩者進行移動操作，使玻璃坯板G和各定盤進行相對移動，由此可以對該玻璃坯板G的兩個主表面進行研磨。
[0064]參照圖2和圖3對研磨裝置的構成進一步進行具體說明。
[0065]研磨裝置中，作為一個整體，在下定盤50的上面和上定盤40的底面安設圓環形狀的平板的研磨墊10。載具30(保持部件)具有設置在外周部與太陽齒輪61和內齒輪62嚙合的齒部31、和用於容納保持玻璃還板G的一個或兩個以上孔部31。在孔部31中的與玻璃坯板的側壁面接觸的端面(與玻璃坯板的側壁面相面對的壁面)的表面粗糙度為5μπι以下、優選為3μπι以下。此處所指的表面粗糙度(Ra)可以使用觸針式粗糙度計對於孔部31的端面在圓周方向移動針，由此進行測定。通過使載具的孔部31的端面的表面粗糙度如此之小，可以增大與玻璃坯板的接觸面積，因而進入間隙的磨粒增加，受力分散在更大量的磨粒上，因而ZrO2顆粒難以扎入。。另外，若粗糙度小，與玻璃坯板接觸時，也難以在玻璃坯板上產生傷痕，因此被該傷痕所捕獲的ZrO2磨粒減少，由此也可以間接地減小扎入玻璃坯板的側壁面的可能性。在進行第一研磨的期間，玻璃坯板的側壁面的過度粗糙化被抑制，氧化鋯磨粒難以粘固於側壁面。
[0066]太陽齒輪61、在外邊緣設置的內齒輪62和圓板狀的載具30作為一個整體構成以中心軸CTR為中心的行星齒輪機構。圓板狀的載具30在內周側與太陽齒輪61嚙合，且在外周側與內齒輪62嚙合，同時容納保持一塊或兩塊以上玻璃坯板G (工件)。在下定盤50上，載具30作為行星齒輪在進行自轉的同時進行公轉，使玻璃坯板G和下定盤50進行相對移動。例如，若太陽齒輪61按照CCW(逆時針)的方向旋轉，則載具30按照CW(順時針)的方向旋轉，內齒輪62按照CCW的方向旋轉。其結果使研磨墊10和玻璃坯板G之間產生相對運動。可以同樣地使玻璃坯板G和上定盤40進行相對移動。
[0067]上述相對運動的動作中，上定盤40被以規定負荷朝向玻璃坯板G(即在鉛垂方向上)按壓，研磨墊10被朝向玻璃坯板G按壓。另外，通過未圖示的泵將研磨液(漿料)從研磨液供給罐71經由一根或兩根以上配管72供給至玻璃坯板G和研磨墊10之間。通過該研磨液中含由研磨材料對玻璃坯板G的主表面進行研磨。此處，優選玻璃坯板G的研磨中使用的研磨液從上下定盤中被排出，藉助未圖示的過濾器和回流配管而返回研磨液供給罐71並被再次使用。
[0068]需要說明的是，該研磨裝置中，出於對玻璃坯板G設定所期望的研磨負荷的目的，優選調整上定盤40給予玻璃坯板G的負荷。從實現高研磨速度和抑制對玻璃坯板的刮擦的觀點出發，負荷優選為50g/cm2以上、更優選為70g/cm2以上、進一步優選為90g/cm2以上。並且從減少刮擦以及品質穩定化的觀點出發，研磨負荷優選為180g/cm2以下、更優選為160g/cm2以下、進一步優選為140g/cm2以下。SP，負荷優選為50g/cm2?180g/cm2、更優選為70g/cm2?160g/cm2、進一步優選為90g/cm2?140g/cm2。另外,對於該研磨裝置而言，也可以出於達到與使用氧化鈰磨粒進行研磨的情況相同程度以上的加工速率的目的來調整上定盤40給予玻璃坯板G的負荷。從實現高研磨速度的觀點出發，負荷優選為120g/cm2以上、更優選為130g/cm2以上、進一步優選為150g/cm2以上。另外，從實現高研磨速度的觀點出發，進而優選使定盤轉速為35rpm以上、更優選為50rpm以上。另外，太陽齒輪61的旋轉速度優選為Irpm以上、更優選為2rpm以上。
[0069]研磨加工時的研磨液的供給速度因研磨墊10、研磨液的組成和濃度、玻璃坯板G的尺寸的不同而不同，但從提高研磨速度的同時抑制對玻璃坯板的刮擦的觀點出發，研磨加工時的研磨液的供給速度優選為500?5000ml/分鐘、更優選為1000?4500ml/分鐘、進一步優選為1500?4000ml/分鐘。
[0070]圖1的研磨裝置中使用的研磨液含有氧化鋯(ZrO2)磨粒作為研磨材料。
[0071]從提高研磨速度的觀點出發，氧化鋯磨粒的平均粒徑(D50)優選為0.10?0.60 μ m、更優選為0.2?0.4 μ m。此處平均粒徑(D50)是指,從粒徑小的一側起計算，以體積分數計算的累積體積頻率達到50%的粒徑。另外，同樣地從有效活用磨粒總數來提高研磨速度的觀點出發，優選使磨粒的粒徑一致，研磨液內的氧化鋯磨粒的標準偏差(SD)優選Slym以下、更優選為0.5 μ m以下、進一步優選為0.2 μ m以下。
[0072]第一研磨工序中，對於玻璃坯板的主表面的表面凹凸，進行研磨使得粗糙度(Ra)為0.5nm以下且使微觀波紋度(MW-Rq)為0.5nm以下。此處，微觀波紋度可以以RMS (Rq)值表示，RMS(Rq)值是作為主表面整面的半徑為14.0?31.5mm的區域中的波動間距為100?500 μ m的粗糙度而算出的，例如使用Polytec公司製造的Model-4224進行測量。
[0073]主表面的粗糙度以根據JIS B0601:2001所規定的算術平均粗糙度Ra表示，主表面的粗糙度為0.006 μ m以上且200 μ m以下的情況下，例如可以由Mitutoyo公司製造的粗糙度測定機SV-3100進行測定，按照JIS B0633:2001中規定的方法。其結果是，粗糙度為0.03 μ m以下的情況下，例如可以利用日本Veeco公司製造掃描型探針顯微鏡(原子力顯微鏡；AFM)Nano Scope進行測量，按照JIS R1683:2007中規定的方法算出。在本申請中，可以使用在I μ mX I μ m見方的測定區域中以512X512像素的解析度進行測定時的算術平均粗糙度Ra。
[0074](6)端面研磨工序(S22)
[0075]接著，進行圓環狀的玻璃坯板的端面研磨(邊緣拋光)。
[0076]端面研磨中，對玻璃坯板的內周側的側壁面(端面)和外周側的側壁面(端面)進行端面研磨。通過進行端面研磨，進行除去在玻璃坯板的側壁面附著灰塵等的汙染、破壞或傷痕等的損傷，由此可以防止發生熱粗糙、防止產生導致鈉、鉀等的腐蝕的離子析出。進一步，通過進行端面研磨，可以物理性除去在上述第一研磨工序中可能附著於玻璃坯板G的側壁面的氧化鋯顆粒(除去工序)。需要說明的是，本說明書中所述的「物理性除去氧化鋯顆粒」之中不包括通過蝕刻處理、擦洗等從玻璃坯板除去氧化鋯顆粒的方式。
[0077]玻璃坯板的側壁面通過端面研磨的加工餘量為30 μ m以上、優選為50 μ m以上。由此，可以切實除去附著於玻璃坯板的側壁面的氧化鋯顆粒。
[0078]為了通過研磨除去在玻璃坯板G的側壁面附著的氧化鋯顆粒，也可以利用使用固定磨粒的研磨和使用游離磨粒的研磨中的任一種。但優選固定磨粒。這是出於如下理由。例如對夾著填充物層積玻璃坯板而成的層積體進行端面研磨時，考慮到與玻璃坯板主表面平行的方向的各個玻璃基板在層積時的偏移，填充物按照位於玻璃還板的側壁面的內側(玻璃坯板的中心側)的方式確定尺寸。因此，在層積玻璃坯板時，各個玻璃坯板的主表面的外周邊部形成微微暴露的狀態。在這種狀態下，使用游離磨粒對層積體進行端面研磨時，游離磨粒有可能進入暴露的玻璃坯板的主表面的外周邊部而使表面粗糙化(損傷)。因此，對於端面研磨而言，相比於使用游離磨粒的研磨，優選使用固定磨粒的研磨，其不會因磨粒而使主表面的外周邊部粗糙化。
[0079]對於使用固定磨粒的研磨而言，作為固定磨粒，例如對於硬質聚氨酯墊(JIS-A硬度:60~95)，優選使用含有鈰等氧化鋯以外的研磨材料的固定磨粒。在先工序的第一研磨工序中，氧化鋯顆粒所附著的是玻璃坯板的側壁面，因此在對玻璃坯板的層積體進行研磨時，利用具備與由各個玻璃坯板的側壁面構成的層積體的側面平行的面的聚氨酯墊等進行研磨即可。
[0080]另一方面，使用游離磨粒進行端面研磨時，例如可以使用含有例如氧化鈰等微粒作為游離磨粒的眾料(研磨液)進行刷光(brushing)研磨。此時，端面研磨中所使用的游離磨粒的尺寸優選小於第一研磨中使用的氧化鋯磨粒的尺寸。這是因為，即使在端面研磨中游離磨粒進入玻璃坯板的主表面的情況下，由於該游離磨粒小於氧化鋯顆粒，因而也不會使在第一研磨工序中得到的表面性狀變差。例如，游離磨粒的粒徑的平均值(D50)為0.3 ~1.0 μ m0
[0081](7)化學強化工序(S24)
[0082]接著，對第一研磨後的玻璃坯板進行化學強化。
[0083]作為化學強化液，可以使用例如硝酸鉀(60重量％ )和硫酸鈉(40重量％ )的混合液等。化學強化中，化學強化液被加熱至例如300°C~400°C，經清洗的玻璃坯板被預熱至例如200°C~300°C，然後玻璃坯板在化學強化液中浸潰例如I小時~5小時。該浸潰時，為了使玻璃坯板的兩個主表面整體被化學強化，並且使兩塊以上玻璃坯板在側壁面處被保持，優選以容納在支架中的狀態進行。
[0084]如此，通過將玻璃坯板浸潰在化學強化液中，玻璃坯板的表層的鋰離子和鈉離子分別被化學強化液中的離子半徑相對大的鈉離子和鉀離子所取代，玻璃坯板得到強化。需要說明的是，對經過化學強化處理的玻璃坯板進行清洗。例如，用硫酸進行清洗後，用純水等進行清洗。
[0085](8)第二研磨(最終研磨)工序(S26)
[0086]接著，對經過化學強化而被充分清洗的玻璃坯板實施最終研磨。最終研磨的加工餘量為5μπι以下。第二研磨的目的在於主表面的鏡面拋光。最終研磨中，例如使用在第一研磨中使用的研磨裝置。此時，與第一研磨不同的點在於游離磨粒的種類和顆粒尺寸不同和樹脂拋光材料(# 'J ^ )的硬度不同。作為第二研磨中使用的游離磨粒，例如使用懸浮在漿料中的膠態二氧化矽等微粒(顆粒尺寸:直徑為10~50nm左右)。
[0087]使用中性洗滌劑、純水、IPA等對研磨後的玻璃坯板進行清洗，由此得到磁碟用玻璃基板。
[0088]以上，逐個工序對本實施方式的磁碟用玻璃基板的製造方法進行了說明，但工序的順序不限於上述的順序。只要在使用氧化鋯磨粒的第一研磨工序之後進行端面研磨工序即可，其它順序可以適當改變。例如，化學強化工序也可以在第一研磨工序之前進行。
[0089] 根據本實施方式的磁碟用玻璃基板的製造方法，在使用含有氧化鋯作為研磨磨粒的研磨液對玻璃坯板的主表面進行研磨的第一研磨工序之後，在端面研磨工序中對該玻璃坯板的側壁面進行研磨，因此在第一研磨工序中附著於玻璃坯板的側壁面的氧化鋯顆粒在之後的端面研磨工序中被除去。[0090]以往，對於使玻璃坯板保持在載具中並且使用氧化鈰磨粒作為研磨材料進行主表面研磨的方法而言，在比較寬鬆的加工條件下也能夠以高加工速率進行研磨。例如，可以在加工壓力為100g/cm2左右、定盤的轉速為IOrpm左右的加工條件下進行研磨。然而，對於使用鋯磨粒進行研磨的方法而言，在應用與使用氧化鈰磨粒的情況相同的加工條件的情況下，加工速率會極度惡化，因而需要應用比使用氧化鈰的情況更嚴苛的加工條件。例如，需要在上定盤40給予玻璃坯板G的負荷為120g/cm2以上、定盤轉速為35rpm以上的加工條件下進行研磨。由此，使用氧化鋯磨粒時的加工條件與使用氧化鈰時的常規加工條件不同，因此在進行主表面研磨的期間，存在氧化鋯磨粒通過扎入等而粘固於玻璃坯板的側壁面的問題。然而，根據本實施方式的製造方法，第一研磨工序中附著於玻璃坯板的側壁面的氧化鋯顆粒在之後的端面研磨工序中被除去，因此在之後的工序中氧化鋯顆粒不會附著於玻璃還板的主表面。
[0091]本實施方式的製造方法適合於製造直徑大於2.5英寸且板厚為0.6mm以下的磁碟用玻璃基板的情況。這種磁碟用玻璃基板的縱橫比(直徑/板厚)相比以往更高。因此，玻璃坯板的板厚薄、與載具的端面的接觸面積小，因此玻璃坯板容易以更強的力與載具的端面接觸。另外，玻璃坯板的主表面的面積大，容易由研磨墊受到摩擦力，因此這也會使玻璃坯板以更強的力與載具的端面接觸。基於這樣的理由，氧化鋯顆粒容易附著於玻璃坯板的側壁面，氧化鋯顆粒附著於玻璃坯板的側壁面的比例增高。然而，根據本實施方式的製造方法，如上所述，在玻璃坯板的側壁面附著的氧化鋯顆粒在端面研磨工序中被除去，因此可以抑制這種問題的產生。
[0092]需要說明的是，在本實施方式的磁碟用玻璃基板的製造方法中，化學強化工序優選在端面研磨之後進行。這齣於如下理由。即因為，化學強化工序中，如上述的那樣，將兩塊以上玻璃坯板安裝在支架中並浸潰在化學強化液槽中，但是若在此時刻氧化鋯顆粒殘留於玻璃坯板的側壁面，則在把持玻璃坯板、或玻璃坯板的側壁面與支架接觸時，氧化鋯顆粒脫落，該脫落的氧化鋯顆粒有可能附著於玻璃坯板的主表面。
[0093][磁碟]
[0094]對於磁碟，可以使用磁碟用玻璃基板按如下方式得到。
[0095]磁碟構成例如為:在磁碟用玻璃基板(下面簡稱為「基板」)的主表面上，自接近主表面起至少依次層積有附著層、底層、磁性層(磁記錄層)、保護層、潤滑層。
[0096]例如，將基板導入進行抽真空後的成膜裝置內，利用DC磁控濺射法在Ar氣氛中，將從附著層至磁性層在基板的主表面上依次成膜。作為附著層可以使用例如CrTi，作為底層可以使用例如CrRu。作為磁性層，可以使用例如CoPt系合金。另外，也可以形成Lltl有序結構的CoPt系合金、FePt系合金來形成熱輔助磁記錄用的磁性層。上述成膜後，例如通過CVD法使用C2H4成膜出保護層，接著對表面進行導入氮的氮化處理，由此可以形成磁記錄介質。之後，例如通過浸潰塗布法在保護層上塗布PFPE(全氟聚醚)，由此可以形成潤滑層。
[0097]所製作的磁碟優選為搭載有DFH(Dynamic Flying Height)控制機構的磁頭，同時被安裝在作為磁記錄再現裝置的HDD (Hard Disk Drive)中。
[0098](2)第二實施方式
[0099]接著，對於第二實施方式的磁碟用玻璃基板的製造方法進行說明。
[0100]此處，著重於與第一實施方式的不同進行說明。[0101]圖4中示出第二實施方式的玻璃基板的製造方法的流程的一個示例。下面，逐個說明圖4所示的工序。圖4所示的工序的順序也可以適當替換。
[0102]第二實施方式的玻璃基板的製造方法具備如下各工序:玻璃坯板的成型(S30)、磨光工序(S32)、鑽芯工序(S34)、倒角工序(S36)、端面研磨工序(S38)、利用固定磨粒的磨削工序(S40)、第一研磨(主表面研磨)工序(S42)、第二研磨工序(S44)、化學強化工序(S46)和最終研磨工序(S48)。
[0103](I)玻璃坯板的成型(S30)和磨光工序(S32)
[0104]與第一實施方式的玻璃還板的成型(SlO)和磨光工序(S12)同樣地進行。
[0105](2)鑽芯工序(S:M)
[0106]與第一實施方式的鑽芯工序(S14)同樣地進行。
[0107](3)倒角工序(S36)
[0108]與第一實施方式的倒角工序(S16)同樣地進行。
[0109](4)端面研磨工序(S38)
[0110]除了下點之外，與第一實施方式的端面研磨工序(S22)同樣地進行。
[0111]本實施方式中，對於端面研磨而言,通過刷光研磨對玻璃坯板的內周側的側壁面(端面)和外周側的側壁面(端面)進行鏡面加工。此時，可以使用含有氧化鈰等微粒作為游離磨粒的漿料。
[0112]為了使玻璃坯板的端面平滑從而使在後工序的第一研磨工序中氧化鋯磨粒難以附著於玻璃坯板的側壁面，端面研磨工序優選在第一研磨工序之前進行。例如，優選進行端面研磨使得端面研磨工序後的玻璃坯板的端面的算術平均粗糙度Ra為0.1 μ m以下。
[0113]需要說明的是，在本實施方式中，為了通過研磨除去在玻璃坯板G的側壁面附著的氧化鋯顆粒，可以利用使用固定磨粒的研磨和使用游離磨粒的研磨中的任意一種。
[0114](5)利用固定磨粒的磨削工序(S40)
[0115]與第一實施方式的利用固定磨粒的磨削工序(S16)同樣地進行。
[0116](6)第一研磨(主表面研磨)工序(S42)
[0117]與第一實施方式的第一研磨(主表面研磨)工序(S24)同樣地進行。
[0118](7)第二研磨工序(S44)
[0119]第二研磨工序(S44)中，對於經過第一研磨工序的玻璃坯板的主表面實施第二研磨。第二研磨的加工餘量為例如幾μπι?20μπι左右、優選為30μπι以上、更優選為50μπι以上。由此，可以切實地除去在玻璃坯板的側壁面附著的氧化鋯顆粒。第二研磨的目的在於，以高的研磨加工速率對主表面進行研磨，同時物理性除去在第一研磨工序中可能附著於玻璃坯板的側壁面的氧化鋯顆粒(進行除去工序)。第二研磨工序中，優選使用氧化鈰(二氧化鈰)磨粒作為研磨材料。
[0120]第二研磨中，例如使用第一研磨中使用的研磨裝置，但是出於以在玻璃坯板和載具30之間供給氧化鈰磨粒的狀態進行主表面的研磨的目的，在玻璃坯板G和載具30之間設置了間隙。對於該點，參照圖5進行進一步說明。圖5為表示玻璃坯板G容納在載具30的孔部31中的狀態的圖。
[0121]如圖5所示，作為研磨對象的玻璃坯板G的外徑記為D1、載具30的孔部31的直徑(玻璃坯板所抵接的抵接面的直徑)記為D2時，D2 > Dl成立。由此，在玻璃坯板G的側壁面Gt與形成載具30的孔部31的側壁面30t之間，設置有研磨液中的氧化鈰(CeO2)的磨粒能夠進入(即被供給)的程度的間隙CL。此時，間隙CL的最大值(最大間隙)至多為(D2-D1)。通過該間隙CL，規定了玻璃坯板G與載具30之間的相對位移量的最大值。
[0122]如圖5所示，在對玻璃坯板G和載具30的孔部31的間隙CL供給了氧化鈰磨粒的狀態下，對玻璃坯板G的主表面進行主表面的研磨，此時能夠除去在第一研磨中附著在玻璃坯板G的側壁面Gt的氧化鋯顆粒。這是基於下面說明的作用。即，在研磨加工中，玻璃還板G在板厚方向上通過定盤施加有負荷且對於與主表面平行的方向而言未被束縛在載具30的孔部31內的狀態下運動。此時，玻璃坯板G的側壁面Gt可以抵接於形成孔部31的側壁面30t，但是向玻璃坯板G和載具30的孔部31的間隙CL中供給的氧化鈰磨粒研磨玻璃坯板G的側壁面Gt，由此附著於側壁面Gt的氧化鋯顆粒從玻璃坯板G的側壁面Gt脫離。從側壁面Gt脫離的氧化鋯顆粒隨研磨液一起排出。需要說明的是，為了不因為玻璃坯板G的側壁面Gt抵接載具30的側壁面30t時的衝擊而使側壁面Gt的表面性狀變差(即，使表面粗糙化)，也可以在載具30的側壁面30t設置彈性部件。
[0123]出於向玻璃坯板G的側壁面Gt與形成載具30的孔部31的側壁面30t之間充分供給氧化鈰(CeO2)的磨粒從而確保對於玻璃坯板G的側壁面Gt的高研磨性能的目的，玻璃坯板G的側壁面Gt與載具30的側壁面30t的間隙CL的最大值(最大間隙；D2-D1)優選為0.5mm以上、更優選為1.0mm以上。
[0124]從在第二研磨中通過氧化鈰磨粒對玻璃坯板G的側壁面Gt進行高效率的研磨從而除去氧化鋯顆粒的觀點出發，氧化鈰磨粒在研磨液中的濃度優選為5?30重量％。
[0125]在該研磨工序中，向玻璃坯板G和載具30的孔部31的間隙CL中供給的研磨材料不限於氧化鈰磨粒，也可以為其它研磨材料。即，出於提高主表面的研磨的加工速率的觀點，優選氧化鈰磨粒，但是在第二研磨的主要目的在於物理性除去可能在玻璃坯板的側壁面附著的氧化鋯顆粒的情況下，研磨材料也可以不為氧化鈰磨粒。作為其它研磨材料，也可以為例如氧化鋁、金剛石、鈦、二氧化矽的磨粒。需要說明的是，第二研磨中的研磨液中的磨粒的平均粒徑(D50)優選與第一研磨中的氧化鋯磨粒的平均粒徑(D50)同等或者更小。
[0126]需要說明的是，第二實施方式中，除了第一研磨工序(S42)以外，在第二研磨工序(S44)中也同樣地進行研磨，使得對於玻璃坯板的主表面的表面凹凸而言，粗糙度(Ra)為
0.5nm以下且微觀波紋度(MW-Rq)為0.5nm以下。
[0127](8)化學強化工序(S46)
[0128]與第一實施方式的化學強化工序(S24)同樣地進行。
[0129](9)最終研磨工序(S48)
[0130]與第一實施方式的第二研磨(最終研磨)工序(S26)大致同樣地進行。
[0131]在最終研磨工序(S48)中，也與第二研磨工序(S44) —樣，玻璃坯板的側壁面與載具的側壁面的間隙的最大值(最大間隙)優選為0.5mm以上、更優選為1.0mm以上。由此，除了第二研磨以外，在最終研磨中也對玻璃坯板的側壁面進行研磨，因此針對可能附著於側壁面的氧化鋯顆粒的除去性能提高。
[0132]需要說明的是，在最終研磨工序中，也可以設定與圖5中所示的方式同樣地向玻璃坯板與載具的孔部之間供給膠態二氧化矽等顆粒，由此來對玻璃坯板的側壁面進行研磨從而除去附著於側壁面的氧化鋯顆粒。[0133]對於磁碟用玻璃基板、磁碟,與第一實施方式中說明的內容一樣。。
[0134][第一實施方式涉及的實施例、比較例]
[0135]為了確認第一實施方式的玻璃基板的製造方法效果，由所製造的玻璃基板製作
2.5英寸的磁碟，進行LUL耐久試驗，考察有無產生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況。
[0136]所製造的磁碟用玻璃基板的玻璃的組成如下所述。是指質量％)。
[0137][玻璃的組成]
[0138]由如下組成構成的鋁矽酸鹽玻璃:換算為氧化物基準，以摩爾％表示，含有50?75 %的SiO2 ; I?15 %的Al2O3 ;合計為5?35 %的選自Li20、Na2O和K2O中的至少I種成分；合計為O?20 %的選自MgO、CaO、SrO, BaO和ZnO中的至少I種成分；以及合計為O?10% 的選自 ZrO2, Ti02、La203、Y2O3> Ta2O5' Nb2O5 和 HfO2 中的至少 I 種成分。
[0139]在本實施方式的玻璃基板的製造方法中，(I)的玻璃坯板的成型使用日本特開2011-138589號公報中記載的磁碟用玻璃基板的製造方法中所使用的模壓成型方法。磨光中使用了平均粒徑為20 μ m的氧化鋁系游離磨粒。
[0140](4)的利用固定磨粒的磨削中，使用將金剛石磨粒(平均粒徑:1?20μπι)用樹脂粘結劑固定而成的金剛石片粘貼在上定盤、下定盤上的磨削裝置進行磨削。
[0141](5)的第一研磨中，使用圖2和圖3的研磨裝置，使用粒徑的平均值(D50)為
1.0 μ m的氧化錯磨粒研磨60分鐘。
[0142](6)的端面研磨中，使用粒徑的平均值(D50)為0.5 μ m的氧化鈰作為游離磨粒，利用研磨刷對在玻璃坯板間夾著填充物層積的兩塊以上玻璃坯板進行60分鐘研磨。
[0143](7)的化學強化中，使用硝酸鉀(60重量％)和硝酸鈉(40重量％)的混合液等作為化學強化液，使化學強化液的溫度為350°C，將事先預熱至200°C的玻璃坯板在化學強化液內浸潰4小時。
[0144](8)的第二研磨中，使用與圖2和圖3的研磨裝置同樣的研磨裝置，使用粒徑為10?50 μ m的膠態二氧化矽，研磨規定的時間。由此，使主表面的算術平均粗糙度Ra(JISB0601:2001)為0.15nm以下。使用中性清洗液和鹼性清洗液對第二研磨後的玻璃坯板進行清洗。由此，得到了磁碟用玻璃基板。
[0145]需要說明的是，粒徑的平均值(D50)使用粒徑/粒度分布測定裝置(日機裝株式會社制、Nanotrac UPA-EX150)通過光散射法進行測定。
[0146]製作在所得到的磁碟用玻璃基板上形成磁性層的磁碟，進行LUL耐久試驗(60萬次)進行評價。LUL耐久試驗是指，在構成磁碟的硬碟驅動器(HDD)置於溫度為70°C、溼度為80%的恆溫恆溼層中的狀態下，使磁頭在斜坡(ramp)與ID止動器之間不停息地進行往復運動(尋道動作)，考察試驗後產生的磁頭的汙染、磨損等異常的試驗。進行8萬次/天X 7.5天=60萬次的LUL試驗，結果用顯微鏡將磁頭ABS面放大進行目測，觀察到汙染的附著、磨損或缺損的情況評價為不合格。
[0147].實施例
[0148]實施例中，如上所述，依次進行(I)的玻璃坯板的成型和磨光工序、(2)的鑽芯工序、⑶的倒角工序、⑷的利用固定磨粒的磨削工序、(5)的第一研磨(主表面研磨)工序、(6)的端面研磨工序、(7)的化學強化工序、(8)的第二研磨(最終)研磨工序。即，在第一研磨工序之後進行端面研磨工序。[0149].比較例
[0150]比較例中，依次進行⑴的玻璃坯板的成型和磨光工序、⑵的鑽芯工序、⑶的倒角工序、(6)的端面研磨工序、(4)的利用固定磨粒的磨削工序、(5)的第一研磨(主表面研磨)工序、(7)的化學強化工序、(8)的第二研磨(最終)研磨工序。即，在第一研磨工序之前進行端面研磨工序。
[0151]上述實施例和比較例中的LUL耐久試驗中，實施例為合格，比較例為不合格。考察了在LUL耐久試驗中不合格的比較例的原因，結果可知在玻璃基板和O磁性層之間附著有顆粒，對該顆粒進行組成分析，結果可知顆粒為氧化鋯顆粒。即可知，第一研磨中使用的氧化鋯磨粒的殘留物附著於玻璃基板的主表面是上述耐久試驗的不合格的原因。由此可知，在第一研磨工序之後進行端面研磨使磁頭劃碰 故障、熱粗糙故障等不良情況難以發生。
[0152][第二實施方式涉及的實施例、比較例]
[0153]此處，著重於與上述第一實施方式涉及的實施例、比較例的不同，進行說明。
[0154]按照順序進行第二實施方式的玻璃基板的製造方法的各工序。
[0155]此處，
[0156](4)的端面研磨中，利用研磨刷，使用粒徑的平均值(D50)為1.Ομπι的氧化鈰作為游離磨粒，對在玻璃坯板間夾著填充物層積的兩塊以上玻璃坯板進行研磨。
[0157](5)的利用固定磨粒的磨削中，使用將金剛石磨粒(平均粒徑:1~20μπι)用樹脂粘結劑固定而成的金剛石片粘貼在上定盤、下定盤上的磨削裝置進行磨削。
[0158](6)的第一研磨中，使用圖1和圖2的研磨裝置研磨60分鐘。詳細的研磨條件如下所示。
[0159](7)的第二研磨中，使用與圖1和圖2同樣的另一研磨裝置研磨30分鐘。詳細的研磨條件如下所示。玻璃坯板與研磨裝置的載具之間的最大間隙如表2所示。
[0160]
[0161].研磨墊:硬質聚氨酯墊(JIS-A硬度:80~100)
[0162].研磨負荷:120g/cm2
[0163].定盤轉速:30rpm
[0164].研磨液供給流量:3000L/min
[0165].研磨液:含有15重量％的氧化鋯(ZrO2)作為研磨磨粒。
[0166].粒徑的平均值(D50):0.3~1.5 μ m
[0167].粒徑的標準偏差(SD):0.1~0.4 μ m
[0168]
[0169].研磨墊:硬質聚氨酯墊(JIS-A硬度:80~100)
[0170].研磨負荷:120g/cm2
[0171].定盤轉速:30rpm
[0172]?研磨液供給流量:3000L/min
[0173].研磨液:含有15重量％的表1和表2中記載的研磨磨粒。
[0174].粒徑的平均值(D50):0.8~1.5 μ m
[0175].粒徑的標準偏差(SD):0.2~0.8 μ m
[0176][表 I]
【權利要求】
1.一種磁碟用玻璃基板的製造方法，其是具備一對主表面以及與該一對主表面正交的側壁面的磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法包括: 研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對玻璃坯板的主表面進行研磨；和 除去工序，在所述研磨工序之後，物理性除去在研磨所述玻璃坯板的側壁面或主表面時由於該玻璃坯板的側壁面與玻璃基板的側壁面面對的載具的端面發生摩擦而粘固於玻璃坯板的側壁面的氧化鋯顆粒。
2.—種磁碟用玻璃基板的製造方法，其是具備一對主表面以及與該一對主表面正交的側壁面的磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法包括: 主表面研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對玻璃坯板的主表面進行研磨；和 端面研磨工序，在所述主表面研磨工序之後，對在所述主表面研磨工序中與所述載具的端面接觸過的玻璃坯板的側壁面進行研磨。
3.一種磁碟用玻璃基板的製造方法，其是具備一對主表面以及與該一對主表面正交的側壁面的磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法包括: 第一研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對玻璃坯板的主表面進行研磨；和 第二研磨工序，使所述玻璃坯板保持在上述載具中，利用所述研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間以及玻璃坯板的側壁面和載具的端面之間供給具有氧化鋯顆粒以外的磨粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進行相對移動，由此對該玻璃坯板的主表面進行研磨。
4.如權利要求3所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其特徵在於，在所述第二研磨工序中，所述玻璃坯板與所述載具之間的最大間隙為0.5mm以上。
5.如權利要求1?4中任一項所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其特徵在於， 與所述玻璃坯板的側壁面接觸的所述載具的端面的表面粗糙度為5μπι以下。
6.如權利要求1?5中任一項所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其特徵在於，使用具有所述氧化鋯顆粒的研磨液進行研磨之前的玻璃坯板的側壁面的表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.1ym以下。
7.如權利要求1?6中任一項所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其特徵在於，所述磁碟用玻璃基板的直徑大於2.5英寸的尺寸且板厚為0.6mm以下。
【文檔編號】B24B37/04GK104011795SQ201280064360
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2012年12月28日 優先權日:2011年12月29日
【發明者】中川裕樹, 飯泉京介, 巖間健太, 吉丸剛太郎 申請人:Hoya株式會社