基片級聲表面波器件的頻率修正方法
2023-05-27 03:52:36 1
專利名稱：基片級聲表面波器件的頻率修正方法
技術領域：
本發明涉及聲表面波器件的前工序工藝製作，特別涉及一種基片級的聲表面波器件頻率修正方法。
背景技術：
在製作聲表面波器件時，如濾波器、諧振器等各種部件，必須使聲表面波器件達到需要的頻率特性。但是，聲表面波器件的頻率特性由於各個壓電基片之間物理性質的變化以及在形成IDT中的製造精密度差而偏離所設計的特性。所以聲表器件的頻率主要由金屬膜厚度、金屬指條寬度和基片材料聲速等決定。聲表面波器件前工序的工藝目的，是在基片表面上製作形成所需要的金屬(一般為鋁)圖形。在完成金屬圖形製作的基片上，探針設備將對基片上的晶片圖形進行頻率、插損等電性能指標的在線檢測和評估，並以此作為基片合格與否的判據。達到合格條件的基片，可流入後工序繼續製作，未達到合格條件的基片， 則採取回收或報廢的方式進行處理。但是如果能夠對頻率偏低不合格的基片進行頻率調節，則能使基片的頻率達到合格範圍。因此急需一種基片級聲表面波器件器件的頻率修正方法。
發明內容
有鑑於此，為了解決上述問題，本發明提出一種穩定可靠的基片級聲表面波器件的頻率修正方法。通過減薄金屬膜厚度和減細指條寬度來提高器件頻率，使其頻率達到合格範圍。本方法對其他電性能指標影響較小，不引入新的不合格因素，有效提升前工序的合格率和生產效率。本發明的目的是提出一種基片級聲表面波器件的頻率修正方法。本發明的目的是這樣實現的
本發明提供的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，包括以下步驟
51在基片表面上製作金屬膜；
52利用腐蝕液通過腐蝕法來減薄金屬膜厚度；
53檢測基片的電性能指標；
54判斷基片的電性能指標是否合格；
55如果基片的電性能指標不合格，則返回步驟S2 ；
56如果基片的電性能指標合格，則結束腐蝕。進一步，所述腐蝕液為顯影液，所述顯影液為通過添加純水進行稀釋，其稀釋比例 (體積比)控制在1 :1 1 :10之間；
進一步，所述稀釋後的顯影液置放於空氣中，待其中氣體成分揮發完畢後，再行使用；
進一步，所述基片腐蝕浸泡時間控制在0 10分鐘內；
進一步，所述步驟Sl中在基片表面上還包括製作金屬插指換能器；
進一步，所述步驟S2中還包括利用腐蝕液通過腐蝕法來減細金屬插指換能器的寬度；進一步，所述金屬材料採用鋁材料；
進一步，所述腐蝕液為採用HF-HN03溶液、KOH溶液或TMAH四甲基氫氧化銨溶液。本發明的優點在於本發明通過較為均勻地減薄金屬膜厚度和減細金屬叉指換能器寬度來提高器件頻率，使基片內器件頻率穩定均勻的提高，從而達到合格範圍，是一種穩定可靠的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，本方法對其他電性能指標影響較小，插損、 波形等其他指標則變化不大，不引入新的不合格因素，基片內的頻率一致性在操作前後變化不大，有效提升前工序的合格率和生產效率，修正幅度約在器件中心頻率的0. 5%之內。本發明的其它優點、目標和特徵在某種程度上將在隨後的說明書中進行闡述，並且在某種程度上，基於對下文的考察研究對本領域技術人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發明的實踐中得到教導。本發明的目標和其它優點可以通過下面的說明書，權利要求書，以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步的詳細描述，其中
圖1為本發明提供的基片級聲表面波器件的頻率修正方法流程圖。
具體實施例方式以下將結合附圖，對本發明的優選實施例進行詳細的描述；應當理解，優選實施例僅為了說明本發明，而不是為了限制本發明的保護範圍。圖1為本發明提供的基片級聲表面波器件的頻率修正方法流程圖，如圖所示本發明提供的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，包括以下步驟
Sl 在基片表面上製作金屬膜和金屬插指換能器。S2:利用腐蝕液通過腐蝕法來減薄金屬膜厚度和減細金屬插指換能器的寬度。S3 檢測基片的電性能指標；
54判斷基片的電性能指標是否合格；
55如果基片的電性能指標不合格，則返回步驟S2 ；
56如果基片的電性能指標合格，則結束腐蝕。根據金屬膜厚、器件中心頻率以及頻率偏低的程度，可以將選擇顯影液作為腐蝕液，所用顯影液的濃度均為2. 38%，然後將顯影液通過添加適當的純水進行稀釋，其稀釋比例(體積比)控制在1 :1 1 :10之間。也可以根據具體情況，使用不同配比的液體，本發明實施例中稀釋配比採用1 :2和1 :5進行實驗。所述稀釋後的顯影液置放於空氣中，本發明實施例採取敞放2小時和5小時，待其中氣體成分揮發完畢後，再行使用。所述腐蝕液也可以採用HF-HN03溶液、KOH溶液或TMAH四甲基氫氧化銨溶液。所述基片腐蝕浸泡時間控制在0 10分鐘內，本發明腐蝕時間分別採用2分鐘，4 分鐘，6分鐘，8分鐘進行實驗。所述金屬材料採用鋁材料。以某型95M聲表濾波器為例，在1 1配比的溶劑中浸泡2分鐘後，鋁膜減薄19. 4nm (2. 85%)，指寬減細 0. 305nm (7. 01%)，頻率提高 0. 028M (0. 0295%)，插入損耗增加 0. 05db(0·245%)ο 以上所述僅為本發明的優選實施例，並不用於限制本發明，顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於包括以下步驟51在基片表面上製作金屬膜；52利用腐蝕液通過腐蝕法來減薄金屬膜厚度；53檢測基片的電性能指標；54判斷基片的電性能指標是否合格；55如果基片的電性能指標不合格，則返回步驟S2 ；56如果基片的電性能指標合格，則結束腐蝕。
2.根據權利要求1所述的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於所述腐蝕液為顯影液，所述顯影液為通過添加純水進行稀釋，其稀釋比例(體積比)控制在1 :1 1 10之間。
3.根據權利要求2所述的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於所述稀釋後的顯影液置放於空氣中，待其中氣體成分揮發完畢後，再行使用。
4.根據權利要求3所述的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於所述基片腐蝕浸泡時間控制在0 10分鐘內。
5.根據權利要求4所述的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於所述步驟Sl中在基片表面上還包括製作金屬插指換能器。
6.根據權利要求5所述的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於所述步驟S2中還包括利用腐蝕液通過腐蝕法來減細金屬插指換能器的寬度。
7.根據權利要求6所述的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於所述金屬材料採用鋁材料。
8.根據權利要求1所述的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，其特徵在於所述腐蝕液為採用HF-HN03溶液、KOH溶液或TMAH四甲基氫氧化銨溶液。
全文摘要
本發明公開了一種基片級聲表面波器件的頻率修正方法，採用分段操作多次腐蝕浸泡的方法，通過減薄金屬膜厚度和減細指條寬度來提高器件頻率，使其達到合格範圍，本發明的優點在於本發明通過較為均勻地減薄金屬膜厚度和減細金屬叉指換能器寬度來提高器件頻率，使基片內器件頻率穩定均勻的提高，從而達到合格範圍，是一種穩定可靠的基片級聲表面波器件的頻率修正方法，本方法對其他電性能指標影響較小，插損、波形等其他指標則變化不大，不引入新的不合格因素，基片內的頻率一致性在操作前後變化不大，有效提升前工序的合格率和生產效率，修正幅度約在器件中心頻率的0.5%之內。
文檔編號H03H3/04GK102412802SQ20111037843
公開日2012年4月11日 申請日期2011年11月24日 優先權日2011年11月24日
發明者唐代華, 張華 , 李燕, 李磊, 段偉, 趙建國 申請人:中國電子科技集團公司第二十六研究所