陣列基板及其製作方法、顯示裝置製造方法
2023-05-27 02:25:46 1
陣列基板及其製作方法、顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及顯示【技術領域】，公開了一種陣列基板及其製作方法、顯示裝置。所述陣列基板上的信號線包括至少兩個電性連接的導電層，當一個導電層發生斷裂時，可以通過其他導電層傳輸信號，提高了信號線電性導通的可靠性，進而提高了顯示裝置的良率。進一步地，在陣列基板現有的多個導電層圖案製作工藝中同時形成信號線的多個導電層，從而不需要單獨製作信號線，簡化了製作工藝。
【專利說明】陣列基板及其製作方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，特別是涉及一種陣列基板及其製作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術不斷發展，顯示裝置的像素越來越高，解析度(PPI)也越來越高，但是像素開口率仍保持不變，甚至有所增加。為了滿足上述需求，陣列基板上用於向像素單元傳輸信號的信號線越來越細，在陣列基板製作加工過程中，受製作工藝及設備波動，或環境影響，導致信號線經常發生斷裂。
【發明內容】
[0003]本發明提供一種陣列基板及其製作方法，用以解決由於信號線的寬度較細，在製作工藝中容易發生斷裂的問題。
[0004]本發明還提供一種顯示裝置，其包括上述陣列基板，用以提供顯示裝置的良率。
[0005]為解決上述技術問題，本發明提供一種陣列基板，包括用於傳輸信號的信號線，其特徵在於，所述信號線包括至少兩個電性連接的導電層。
[0006]本發明還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0007]同時，本發明還提供一種如上所述的陣列基板的製作方法，包括:
[0008]形成用於傳輸信號的信號線，所述信號線包括至少兩個電性連接的導電層。
[0009]本發明的上述技術方案的有益效果如下:
[0010]上述技術方案中，通過設置陣列基板上的信號線包括至少兩個電性連接的導電層，當一個導電層發生斷裂時，可以通過其他導電層傳輸信號，提高了信號線電性導通的可靠性，進而提高了顯示裝置的良率。進一步地，在陣列基板現有的多個導電層圖案製作工藝中同時形成信號線的多個導電層，從而不需要單獨製作信號線，簡化了製作工藝。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1表不現有技術中陣列基板的結構不意圖；
[0013]圖2表示圖1沿A-A的剖視圖；
[0014]圖3表不本發明實施例中陣列基板的結構不意圖一；
[0015]圖4表示圖3沿A-A的剖視圖；
[0016]圖5表示本發明實施例中陣列基板的結構示意圖二 ；
[0017]圖6表示圖5沿A-A的剖視圖；
【具體實施方式】
[0018]為了解決由於信號線的寬度較細，在製作工藝中容易發生斷裂的問題，本發明提供一種陣列基板，其上用於傳輸信號的信號線包括至少兩個電性連接的導電層，當一個導電層發生斷裂時，可以通過其他導電層傳輸信號，提高了信號線電性導通的可靠性，進而提高了顯示裝置的良率。
[0019]相應地，陣列基板的製作方法包括:
[0020]形成用於傳輸信號的信號線，所述信號線包括至少兩個電性連接的導電層。
[0021]對於液晶顯示裝置的薄膜電晶體陣列基板，其上的信號線包括柵線、數據線和公共信號線。對於有機發光二極體顯示裝置的陣列基板，其上的信號線包括柵線、數據線和驅動電源線。
[0022]下面將結合附圖和實施例，對本發明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用於說明本發明，但不用來限制本發明的範圍。
[0023]本發明實施例中以液晶顯示裝置的薄膜電晶體陣列基板為例，來具體介紹本發明的技術方案。
[0024]液晶顯示裝置的主體結構為液晶面板，液晶面板包括對盒的彩膜基板和陣列基板。其中，如圖1所示，薄膜電晶體陣列基板包括交叉分布的柵線I和數據線2，用於限定像素區域，每個像素區域包括薄膜電晶體8和像素電極3。像素電極與3薄膜電晶體8的漏電極電性連接。柵線I與薄膜電晶體8的柵電極連接，用於傳輸掃描信號，逐行打開每行的薄膜電晶體8。數據線2與每列薄膜電晶體8的源電極連接，用於傳輸像素數據，當薄膜電晶體8打開時，數據線2上的像素電壓通過薄膜電晶體8傳輸至像素電極3。
[0025]液晶面板還包括形成在陣列基板或彩膜基板上的公共電極，以及形成在陣列基板上、為公共電極提供基準電壓的公共信號線(圖中未示出)。公共電極與像素電極3形成的電場驅動液晶分子偏轉的預設的角度，實現顯示。
[0026]現有技術中，結合圖1和圖2所示，柵線I與薄膜電晶體8的柵電極由同一柵金屬薄膜形成，為一體結構。數據線2與薄膜電晶體8的源電極由同一源漏金屬薄膜形成，為一體結構。公共信號線可以與柵線1、柵電極由同一柵金屬薄膜形成，也可以與數據線2、源電極由同一源漏金屬薄膜形成。
[0027]本發明實施例中陣列基板的柵線、數據線和公共信號線中的僅一個或任意兩個或三個包括至少兩個電性連接的導電層，用以解決信號線較細，經常發生斷裂的問題。
[0028]相應地，在陣列基板上形成信號線的步驟包括:
[0029]形成交叉分布的柵線I和數據線2，柵線I與薄膜電晶體8的柵電極連接，數據線2與薄膜電晶體8的源電極連接；
[0030]形成公共信號線，用於提供基準電壓；
[0031]柵線1、數據線2和公共信號線中的僅一個或任意兩個或三個包括至少兩個電性連接的導電層。
[0032]最好的方式是設置陣列基板的柵線、數據線和公共信號線均包括至少兩個電性連接的導電層，一般包括兩個電性連接的導電層即可滿足需求，而且工藝簡單。
[0033]優選地，信號線的其中一個導電層為透明導電層，所述透明導電層與像素電極為同層結構(由同一透明導電薄膜形成)，不需要通過單獨的製作工藝形成，簡化工藝。具體的製作工藝為:
[0034]形成透明導電薄膜，對所述透明導電薄膜進行構圖工藝，形成像素電極，以及所述至少兩個電性連接的導電層中的透明導電層。
[0035]所述透明導電薄膜的材質可以為ITO或ΙΖ0，所述構圖工藝包括光刻膠的塗覆、曝光和顯影，以及以光刻膠作為阻擋對透明導電薄膜進行刻蝕，形成像素電極，以及所述至少兩個電性連接的導電層中的透明導電層。
[0036]由於透明導電層不會影響像素開口率，可以進一步設置信號線的透明導電層的寬度大於其他導電層的寬度，確保透明導電層不會受製作工藝及設備波動、或環境影響而發生斷裂，保證了信號線的傳輸性能。當然，也可以設置信號線的透明導電層寬度不大於其他導電層的寬度。
[0037]當信號線的其中一個導電層為透明導電層時，薄膜電晶體陣列基板的柵線可以包括柵金屬層和透明導電層兩個導電層，或柵金屬層、透明導電層和源漏金屬層三個導電層。數據線可以包括源漏金屬層和透明導電層兩個導電層，或柵金屬層、透明導電層和源漏金屬層三個導電層。公共信號線可以包括源漏金屬層和透明導電層兩個導電層，柵金屬層和透明導電層兩個導電層，或柵金屬層、透明導電層和源漏金屬層三個導電層。其中，信號線的柵金屬層可以與柵線為同層結構，由同一柵金屬薄膜形成。信號線的源漏金屬層可以與數據線為同層結構，由同一源漏金屬薄膜形成。由於現有的多個導電層圖案製作工藝中同時形成信號線的多個導電層，從而不需要單獨製作信號線，簡化了陣列基板的製作工藝。
[0038]為了不影響像素開口率，當信號線的新增導電層包括不透明導電層時，設置信號線的不透明導電層的寬度不大於原導電層的寬度。
[0039]需要說明的是，本發明實施例中信號線的原導電層是指現有技術中信號線僅包括的那個導電層。例如:柵線的原導電層為柵金屬層，數據線的原導電層為源漏金屬層，公共信號線的原導電層為數據線層或源漏金屬層。
[0040]在一個具體的實施方式中，陣列基板上的信號線均包括兩個導電層，而且信號線的另一導電層不為透明導電層，而由其他材料薄膜形成。例如:柵線包括柵金屬層和源漏金屬層兩個導電層，數據線包括柵金屬層和源漏金屬層兩個導電層，公共信號線包括柵金屬層和源漏金屬層。其中，柵線的源漏金屬層可以與數據線為同層結構，由同一源漏金屬薄膜形成。數據線的柵金屬層與柵線為同層結構，由同一柵金屬薄膜形成。公共信號線的柵金屬層與柵線為同層結構，由同一柵金屬薄膜形成。所述公共信號線的源漏金屬層與數據線為同層結構，由同一源漏金屬薄膜形成。
[0041]進一步地，為了不影響像素開口率，設置信號線的不透明導電層的寬度不大於原導電層的寬度，即，柵線的源漏金屬層的寬度不大於柵金屬層的寬度，數據線的柵金屬層的寬度不大於源漏金屬層的寬度。
[0042]則，薄膜電晶體陣列基板的製作方法包括:
[0043]形成柵金屬薄膜，對所述柵金屬薄膜進行構圖工藝，形成柵線的柵金屬層、數據線的柵金屬層，以及公共信號線的柵金屬層；
[0044]形成源漏金屬薄膜，對所述源漏金屬薄膜進行構圖工藝，形成數據線的源漏金屬層、柵線的源漏金屬層，以及公共信號線的源漏金屬層。
[0045]結合圖3和圖4所示，本發明實施例中薄膜電晶體陣列基板的一個具體結構，其製作過程為:
[0046]步驟S1、提供一透明襯底基板5,如:玻璃基板、石英基板、有機樹脂基板；
[0047]步驟S2、在襯底基板5上的形成柵電極(圖中未示出)、柵線I和公共信號線(圖中未示出)；
[0048]其中，柵電極、柵線I和公共信號線由同一柵金屬薄膜形成，柵金屬薄膜的材料可以為Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層可以為單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\M0，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。
[0049]步驟S3、在完成步驟S2的襯底基板5上形成柵絕緣層6 ；
[0050]柵絕緣層6的材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以為單層、雙層或多層結構。具體地，柵絕緣層6可以是SiNx, S1x或Si (ON) x ；
[0051]步驟S4、在完成步驟S3的襯底基板5上形成有源層圖案(圖中未示出)，有源層的材料可以為矽半導體，也可以為金屬氧化物半導體；
[0052]步驟S5、在完成步驟S4的襯底基板5上形成像素電極3和數據線2的透明導電層4，其中，像素電極3和透明導電層4由同一透明導電薄膜形成。透明導電薄膜的材料可以為 ITO 或 IZO ；
[0053]步驟S6、在完成步驟S5的襯底基板5上形成源電極和漏電極，以及數據線2的源漏金屬層；
[0054]其中，源電極、漏電極和數據線2的源漏金屬層由同一源漏金屬薄膜形成。源漏金屬薄膜的材料可以為Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬薄I旲可以是單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等;
[0055]步驟S7、在完成步驟S6的襯底基板5上形成鈍化層7 ；
[0056]鈍化層7的材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以為單層、雙層或多層結構。具體地，鈍化層7可以是SiNx，S1x或Si (ON) X。
[0057]步驟S8、在完成步驟S7的襯底基板5上形成狹縫公共電極(圖中未示出)，通過鈍化層7中的過孔與公共信號線電性連接。
[0058]所述公共電極由透明導電薄膜形成。
[0059]上述結構中，液晶面板的驅動電場為橫向電場，公共電極形成在陣列基板上。薄膜電晶體陣列基板為底柵型薄膜電晶體陣列基板，數據線2包括源漏金屬層和透明導電層4，其中，透明導電層4位於源漏金屬層下方，透明導電層4的寬度大於源漏金屬層的寬度。結合圖5和圖6所示，也可以將步驟S5和步驟S6的順序顛倒，使得數據線2的透明導電層4位於源漏金屬層上方。
[0060]當液晶面板的驅動電場為縱向電場，公共電極形成在彩膜基板上時，只需設置鈍化層7僅覆蓋薄膜電晶體8。
[0061]當陣列基板的柵線和公共信號線也包括透明導電層時，可以在形成像素電極3的同時，形成柵線I和公共信號線的透明導電層。
[0062]當陣列基板的柵線I和公共信號線包括源漏金屬層時，可以在形成源電極和漏電極的同時，形成柵線I和公共信號線的源漏金屬層。
[0063]當陣列基板的數據線2和公共信號線包括柵金屬層時，可以在形成柵電極的同時，形成數據線2和公共信號線的源漏金屬層。
[0064]本發明的技術方案也適用於頂柵型薄膜電晶體陣列基板、共面型薄膜電晶體陣列基板。
[0065]本發明的技術方案應用於有機發光二極體顯示裝置時，其信號線的新增導電層的製作工藝與薄膜電晶體陣列基板類似，在此不再詳述。
[0066]本發明實施例中還提供一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板，從而提高了產品的良率。
[0067]本發明的技術方案通過設置陣列基板上的信號線包括至少兩個電性連接的導電層，當一個導電層發生斷裂時，可以通過其他導電層傳輸信號，提高了信號線電性導通的可靠性，進而提高了顯示裝置的良率。進一步地，在陣列基板現有的多個導電層圖案製作工藝中同時形成信號線的多個導電層，從而不需要單獨製作信號線，簡化了製作工藝。
[0068]以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括用於傳輸信號的信號線，其特徵在於，所述信號線包括至少兩個電性連接的導電層。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述陣列基板為薄膜電晶體陣列基板，包括薄膜電晶體； 所述信號線包括: 交叉分布的柵線和數據線，所述柵線與薄膜電晶體的柵電極連接，所述數據線與薄膜電晶體的源電極連接； 公共信號線，用於提供基準電壓； 所述柵線、數據線和公共信號線中的僅一個或任意兩個或三個包括至少兩個電性連接的導電層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特徵在於，所述陣列基板還包括像素電極； 所述至少兩個電性連接的導電層包括透明導電層，所述透明導電層與像素電極為同層結構。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特徵在於，所述透明導電層的寬度大於其他導電層的寬度。
5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特徵在於，所述柵線、數據線和公共信號線均包括至少兩個電性連接的導電層。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特徵在於，所述柵線、數據線和公共信號線均包括兩個電性連接的導電層。
7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特徵在於，所述柵線包括柵金屬層和源漏金屬層，所述柵線的源漏金屬層的寬度不大於柵金屬層的寬度，所述柵線的源漏金屬層與數據線為同層結構。
8.根據權利要求6所述的陣列基板，其特徵在於，所述數據線包括源漏金屬層和柵金屬層，所述數據線的柵金屬層的寬度不大於源漏金屬層的寬度，所述數據線的柵金屬層與柵線為同層結構。
9.根據權利要求6所述的陣列基板，其特徵在於，所述公共信號線包括柵金屬層和源漏金屬層，所述公共信號線的柵金屬層與柵線為同層結構，所述公共信號線的源漏金屬層與數據線為同層結構。
10.一種顯示裝置，包括權利要求1-9任一項所述的陣列基板。
11.一種製作權利要求1-9任一項所述的陣列基板的方法,其特徵在於,包括: 形成用於傳輸信號的信號線，所述信號線包括至少兩個電性連接的導電層。
12.根據權利要求11所述的製作方法，所述陣列基板為薄膜電晶體陣列基板，包括薄膜電晶體； 形成信號線的步驟包括: 形成交叉分布的柵線和數據線，所述柵線與薄膜電晶體的柵電極連接，所述數據線與薄膜電晶體的源電極連接； 形成公共信號線，用於提供基準電壓； 所述柵線、數據線和公共信號線中的僅一個或任意兩個或三個包括至少兩個電性連接的導電層。
13.根據權利要求12所述的製作方法，其特徵在於，所述陣列基板還包括像素電極，所述至少兩個電性連接的導電層包括透明導電層； 所述製作方法包括: 形成透明導電薄膜，對所述透明導電薄膜進行構圖工藝，形成像素電極，以及所述至少兩個電性連接的導電層中的透明導電層。
14.根據權利要求12所述的製作方法，其特徵在於，所述柵線、數據線和公共信號線均包括多個電性連接的導電層。
15.根據權利要求14所述的製作方法，其特徵在於，所述柵線、數據線和公共信號線均包括兩個電性連接的導電層。
16.根據權利要求15所述的製作方法，其特徵在於，所述柵線包括柵金屬層和源漏金屬層，所述柵線的源漏金屬層的寬度不大於柵金屬層的寬度； 所述製作方法包括: 形成柵金屬薄膜，對所述柵金屬薄膜進行構圖工藝，形成柵線的柵金屬層； 形成源漏金屬薄膜，對所述源漏金屬薄膜進行構圖工藝，形成數據線的源漏金屬層和柵線的源漏金屬層。
17.根據權利要求15所述的製作方法，其特徵在於，所述數據線包括源漏金屬層和柵金屬層，所述數據線的柵金屬層的寬度不大於源漏金屬層的寬度； 所述製作方法包括: 形成源漏金屬薄膜，對所述源漏金屬薄膜進行構圖工藝，形成數據線的源漏金屬層； 形成柵金屬薄膜，對所述柵金屬薄膜進行構圖工藝，形成柵線的柵金屬層和數據線的柵金屬層。
18.根據權利要求15所述的製作方法，其特徵在於，所述公共信號線包括柵金屬層和源漏金屬層； 所述製作方法包括: 形成源漏金屬薄膜，對所述源漏金屬薄膜進行構圖工藝，形成數據線的源漏金屬層和公共信號線的源漏金屬層； 形成柵金屬薄膜，對所述柵金屬薄膜進行構圖工藝，形成柵線的柵金屬層和公共信號線的柵金屬層。
【文檔編號】H01L21/77GK104362155SQ201410679820
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月24日 優先權日:2014年11月24日
【發明者】陳磊, 劉還平, 彭志龍, 代伍坤 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司