磁光記錄媒體的製作方法
2023-06-09 17:56:56 2
專利名稱：磁光記錄媒體的製作方法
技術領域：
本發明涉及磁光記錄媒體，尤其涉及其中信息的記錄和再現是通過從基片相反側入射的光來進行的磁光記錄媒體。
背景技術：
絕大部分已經實際使用的傳統磁光記錄媒體是用大約1.0mm厚的其上已經累積了記錄層和保護層的基片形成的，並且信息的記錄和再現是通過基片入射的光來完成的。
作為用於開發高密度磁光記錄媒體的裝置，已經實踐的是降低在磁光記錄媒體上輻射的光束的光點尺寸。通常，有用方程φ＝λ/2NA表示的關係，其中φ表示光點尺寸，NA表示物鏡的數值孔徑，λ表示雷射的波長。根據該方程，為了降低光點尺寸φ，必須增加物鏡的數值孔徑NA。當NA增加時，焦深縮短，而解析度能夠增加。
因此，當數值孔徑NA變得較大時，因厚度不均勻和基片傾斜導致的象差將增加，並且因此必須儘可能地降低基片的厚度。因此，優選的是，為實現高密度記錄，記錄和再現是通過從記錄層一側入射的光來完成，而不是通過從基片側入射的光來完成。
通過從記錄層一側入射的光來完成記錄和再現的模型以後叫做前照射模型。
圖9是表示前照射模型之傳統磁光記錄媒體的示意剖面圖。
磁光記錄媒體包含例如用聚碳酸酯形成的基片1，其上已經累積至少有反射層2，記錄層4，保護層5和塗覆層6。反射層2通常例如由諸如銀的金屬膜構成和將從塗覆層6入射的光束7反射到塗覆層6側。
除了反射光的功能外，反射層2被要求具有對記錄層上精細形狀的記錄標記之熱釋放的功能。因此，反射層2具有大約100nm或更大厚度通常是必須的。
通過使用諸如銀的固體金屬靶的DC濺射方法，發射層2被形成在基片1上。
但是，在形成具有100nm或更大厚度的反射層的情況下，大約50nm或者更大顆粒形式的不均勻凸凹被形成在反射層2的表面上。例如，具有大約0.2μm寬度的脊和槽以凸凹形式被形成在基片1的表面上。當具有顆粒形式不均勻凸凹的反射層2被形成在脊和槽上時，這種問題發生主要在於脊被加寬而鈍化了矩形形狀的角，由此不能夠反映預定的脊槽寬度比率。
Ra是用於表示基片表面粗糙度的參數。儘管基片1本身的表面粗糙度Ra是小到大約0.3nm，但當大約100nm的反射層2被累積時該表面粗糙度Ra被增加到高於1.5nm。當表面粗糙度是通過形成反射層2增加時，媒體噪聲增加，其負面地影響在反射層2上形成的記錄層4的磁特性，由此不能夠實現高的解析度。
為了改善反射層2的表面粗糙度，考慮形成之後的反射層2進行刻蝕處理以被平滑化。而且，還考慮其上摻雜有添加劑的合金(例如摻Ag的Si)被用作為用於形成反射層2的材料，以改善具有被保持熱釋放功能的平滑度。
當反射層2的平滑度改善時，所謂的媒體噪聲被降低以改善CNR和SNR，但是當反射層2的表面不具有適當的粗糙度時，就產生這個問題使得其上形成的記錄層4的嬌頑磁力Hc降低。
嬌頑磁力Hc的下降導致通過外部施加的溫度或者磁場記錄的信息之記錄和再現的破壞。因此，反射層2的平滑度優選用於降低媒體噪聲，但是過度的平滑是不優選的，因為記錄層4的嬌頑磁力被下降了。
當以磁化強度方向被對準為一個方向的方式生長時，記錄層4的嬌頑磁力增加。例如，在作為下層的反射層2的表面具有幾十nm的周期性凸凹或者顆粒時，而不是在其上基本上不形成凸凹的情況下，磁化強度的方向有被對準的傾向和將有效增加嬌頑磁力。
但是，當在反射層2表面上形成凸凹周期是太大時，不能夠記錄短標記，結果，不能夠進行高密度記錄。
從上述可以理解，在基片上形成的反射層2必須具有用於保持熱釋放功能的適當厚度；必須具有用於將記錄層4磁化強度方向對準某個方向以獲得大的嬌頑磁力的適當的表面粗糙度；和優選具有用於記錄儘可能短的標記以實現高密度記錄的在表面上形成的凸凹小周期。
發明內容
本發明提供了磁光記錄媒體，其中提供有多個反射層，以及適當地選擇各個反射層的表面粗糙度和表面張力，由此能夠保持反射層的熱釋放特性，和能夠改善嬌頑磁力和CNR。
作為一個方面，本發明涉及磁光記錄媒體，其至少包括在基片上以該次序形成的反射層和記錄層，其中媒體適用於通過用來自記錄層側的光輻射來記錄和再現信息，以及反射層包括兩個或者多個不同表面粗糙度的薄膜層，並且在這些薄膜層中，靠近基片的一個具有小於靠近記錄層的一個之表面張力的表面張力。
與具有保持反射層熱釋放特性的傳統產品相比，根據本發明的方案能夠增加記錄層的嬌頑磁力。
而且，除了媒體噪聲減少之外，能夠改善CNR(載波/噪聲比)，並且因此能夠增加記錄密度。
以最靠近基片的薄膜層具有最小表面粗糙度和最靠近記錄層的薄膜層具有最大表面粗糙度的方式，在表面粗糙度上，由反射層構成的薄膜層有可能被漸進地調整。根據本實施例，記錄層的嬌頑磁力能夠被進一步地增加。
還有可能的是，在由反射層構成的薄膜層中，最靠近基片的第一薄膜層包括作為主要成分的Ag，Al或者Ni和以規定量被加入的選自Pd，Cu，Si，Ti，P和Cr的至少一種元素。
還有可能的是，除第一薄膜層之外的其它薄膜層包括選自W，Mo，Ta，Fe，Co，Ni，Cr，Pt，Ti，P，Au，Cu，Al，Ag，Si，Gd，Tb，Nd和Pd的至少一種元素的材料。
圖1是表示本發明磁光記錄媒體實施例的剖面圖；圖2A和2B是表示第一反射層表面形狀的示意圖；圖3A和3B是表示在表面張力和表面形狀之間關係的示意圖；圖4是表示元素表面張力數值例子的表；圖5是表示兩個媒體的嬌頑磁力和CNR的比較的表；圖6A和6B是表示在第一反射層和本發明第二反射層的材料被改變的例子中特性之比較的表；圖7是表示CNR對本發明媒體和傳統媒體下層厚度之關係的曲線；圖8是表示在具有本發明多層反射層的媒體中嬌頑磁力和CNR之間比較的表；圖9是表示前照射模型的傳統磁光記錄媒體的示意剖面圖。
具體實施例方式
在本發明的一個實施例中，本發明的磁光記錄媒體是由其上至少以該順序形成有反射層和記錄層的基片，並且還以該順序形成在記錄層，保護層和塗覆層。
這裡的基片，記錄層，保護層和塗覆層能夠用已傳統使用的材料形成。例如，基片可以用玻璃或者丙烯酸樹脂形成，記錄層可以用諸如TbFeCo的磁性膜形成，保護層可以用諸如SiN的非磁性層形成，和塗覆層可以用透明紫外線固化樹脂形成。
反射層通常要求具有高的熱釋放功能。本發明的媒體通過用兩個或者多個薄膜層形成反射層來不僅實現保持住熱釋放功能，而且改善記錄層嬌頑磁力和通過降低媒體噪聲來改善CNR。
尤其是，最靠近基片的第一薄膜層是保持高熱釋放功能形成的層，其被形成具有用於改善CNR的最小表面粗糙度。在第一薄膜層上形成的其它反射層被形成具有比主要用於改善記錄層嬌頑磁力和CNR的第一薄膜層更大的表面張力。
當靠近記錄層的薄膜層具有比最靠近基片的第一薄膜層更大的表面張力時，靠近記錄層的薄膜層具有凸凹，其具有後面說明的微小周期，並且其表面粗糙度變得比第一薄膜層的大，由此記錄層的嬌頑磁力和CNR能夠被改善。具有這種性質的反射層能夠用包含前面說明的元素的材料來形成。
下面將參考附圖來詳細地說明本發明的實施例，但是本發明將不限於此來構成。
本發明磁光記錄媒體實施例的構成將說明反射層是用兩個薄膜層來構成的實施例。
圖1是本發明磁光記錄媒體實施例的剖面圖。
本發明磁光記錄媒體包含其上以該順序累積有第一反射層2，第二反射層3，記錄層4，保護層5和塗覆層6的基片1。下面將說明各個構成元件。
(1)基片1基片1是用玻璃或者樹脂形成和是所謂的脊-槽(land-groove)基片，其具有在與第一反射層2接觸的表面上形成的脊和槽。
(2)第一反射層2第一反射層2主要起熱釋放功能的作用並且被形成具有大約100nm或更大的厚度和具有儘可能小凸凹之平滑表面。
例如，第一反射層2可以用包含Ag，Al或者Ni作為主要成分和以規定量加入的選自Pd，Cu，Si，Ti，P和Cr之至少一種元素的材料。
圖2A和2B是表示第一反射層2表面形狀的示意圖。圖2A表示在層是通過僅僅用Ag的共同濺射方法形成的情況下的表面形狀，和圖2B表示在層是通過用Ag作為主要成分和加有Cu，Pd和Si的共同濺射方法形成的情況下的表面形狀。
在層是通過僅僅用Ag形成的情況下，相對大顆粒形狀(具有大約55nm的直徑)的凸凹是用Ag形成的，如圖2A所示。當規定量的Cu，Pd和Si如後所述被加入時，平滑表面是通過橋接凸起之間的空隙形成的，如圖2B所示。
圖2A中，作為表示第一反射層2表面粗糙度之參數的Ra是大約1.5nm，而在圖2B中，Ra是大約0.3nm，並且因此應當理解，圖2B所示的第一反射層2的表面是相當平滑的。
(3)第二反射層3第二反射層3主要被提供用於防止記錄層4嬌頑磁力的減小並且被形成具有大於第一反射層2的表面粗糙度。而且，如後述，其用具有大於靠近基片1的第一反射層2之表面張力的材料形成。
例如，含有Fe和W的合金經過濺射方法形成第二反射層3，其具有在其表面上為大約85nm周期的微小凸凹。通過形成第二反射層3，能夠反射下基片的脊-槽形狀，並且能夠增加在第二反射層3上形成的記錄層4的嬌頑磁力Hc。
(3-a)反射層的表面粗糙度和磁特性將說明在第二反射層3的表面粗糙度和磁特性之間的關係。
通常，能夠被記錄層4保持的最小磁疇(即最短標記的長度)和磁特性之間的關係能夠由下述方程表示d＝σ/(2MsHc)其中d表示磁疇，σ表示由記錄層的材料和成分以及膜形成條件確定的常數，Ms表示飽和磁化強度，以及Hc表示嬌頑磁力。
根據該方程，當嬌頑磁力Hc小時，磁疇d變大，其意味著不能夠實現高密度記錄。換言之，為了實現高密度記錄，磁疇d應當變小，並且因此嬌頑磁力Hc做大是必須的。
在表面具有如圖2A所示的其上形成了大周期凸凹的情況下，因大的表面粗糙度，形成小的磁疇d在記錄層的垂直磁化強度方向上對齊是困難的，並且因此增加了媒體噪聲。結果，在表面粗糙度是大的情況下，不能夠很好地形成小磁疇d以降低CNR。
另一方面，在如圖2B所示的太平滑表面的情況下，根據上述方程磁疇d變大，因為記錄層4的嬌頑磁力Hc下降，並且因此不能夠實現高密度記錄。
因此，為了通過小磁疇d獲得高的嬌頑磁力Hc和實現高密度記錄，記錄層4的下層具有適當表面粗糙度是必須的，並且優選形成具有大於第一反射層2的表面粗糙度和具有微小周期凸凹的第二反射層3。
為了在第二反射層3的表面上形成微小周期的凸凹，可以考慮兩個反射層2和3的表面張力來選擇材料。通常，當含有具有較大表面張力的材料時，微小周期的凸凹能夠被形成在表面上。
(3-b)反射層的表面張力和表面形狀圖3A和3B是表示反射膜的表面張力和表面形狀之間關係的示意圖。
圖3A是表示在構成第一反射層2的元素的表面張力(γ1)是小於構成第二反射層3的元素的表面張力(γ2)的情況下表面狀態的示意圖。例如，當含有比Ag更大表面張力的作為主要成分的Fe的第二反射層3被形成在含有Ag作為主要成分的第一反射層2上時，認為Fe元素被形成為小周期λ的微小凸凹，如圖3A所示。
另一方面，圖3B是表示在構成第一反射層2的元素的表面張力(γ1)是大於構成第二反射層3的元素的表面張力(γ2)的情況下表面狀態的示意圖。在這種情況下，認為第二反射層3被形成為具有為相對大周期(100nm或者更大)的大凸凹。
因此，為了在第二反射層3的表面上形成具有微小周期的凸凹，優選第二反射層3是通過使用具有大於第一反射層2表面張力之表面張力的材料形成的。
圖4是表示元素的表面張力(mN/m)的數值例子的表。這裡示出了在30℃時的表面張力，考慮了元素的熔點。例如，Ag具有961℃的熔點，903(mN/m)的接近熔點的表面張力γ0，和-0.16的變分a(dr/dt)，以及在30℃時的表面張力γ30，能夠通過下述方程獲得。
Ag的γ30＝γ0+(30-t0)×a
＝903+(30-961)×(-0.16)＝1,052(mN/m)其它元素的值也能夠通過類似方程獲得。
根據圖4，在表的上半部所示的包括Fe的元素(即，W，Mo，Ta，Fe，Co，Ni，Cr，Pt和Ti)具有相對大的表面張力和能夠被用作為用於形成第二反射層3的材料，並且也能夠使用通過複合從中選擇的多個元素而獲得的合金。其例子包括FeW。
另一方面，Au和以下的元素(即Cu，Al，Ag，Si，Gd，Tb和Nd)具有相對小的表面張力和不是唯一地被用作為第二反射層，但是認為它們被優選地用作為具有帶相對大表面張力之元素的合金。其例子包括AlCr和AlPt。
也可以使用通過複合多個元素而獲得的半導體。其例子包括SiP。
儘管圖3A和3B表示具有包含兩層之反射層的作為例子的表面形狀，反射層可以具有多層結構，其包含三層或更多層的薄膜。從改善嬌頑磁力的觀點看，在n層(n≥3)的多層結構的情況下，最靠近基片的第一反射層的表面粗糙度是最小的，並且距基片最遠的且與記錄層接觸的薄膜層(稱為第n反射層)的表面粗糙度比其它薄膜層大。
認為在第一反射層和第n反射層之間的中間反射層(從第二到第n-1層)的表面粗糙度優選具有這種配置，使得該表面粗糙度是通過離開基片逐漸增加的，目的是保持記錄層的良好嬌頑磁力。
而且，在具有n層的多層反射層中，使用這種配置使得最靠近基片的第一反射層的表面張力為最小，而離基片最遠的且與記錄層接觸的第n反射層的表面張力為最大，並且在此之間的中間反射層的表面張力是通過離開基片逐漸增加。
通過將反射層形成為具有不同表面張力的多層結構的薄膜，能夠獲得高密度記錄以及改善記錄層的嬌頑磁力Hc。
(4)記錄層4，保護層5和塗覆層6在圖1實施例中，記錄層4被形成為具有所謂垂直磁各向異性的磁性膜。例如，使用TbFeCo和DyFeCo。
保護層5是防止記錄層4的氧化和氮化並且被形成為能夠透過光的非磁性層。例如，使用SiN。塗覆層6是防止灰塵和裂痕並且是用紫外線固化樹脂被形成為大約15μm的厚度。
本發明磁光記錄媒體例子的厚度和材料在具有這種構成的媒體中，因為第一和第二反射層2和3是用包含不透過光的金屬作為主要成分的材料形成，用於記錄和再現的光束7是從塗覆層6一側入射通過透鏡8的，如圖1所示。
圖1所示本發明磁光記錄媒體的例子能夠通過使用下述材料和厚度產生。
基片1用玻璃2P形成的脊-槽基片，具有120mm直徑，1.2mm的板厚度，0.25μm的脊-槽寬度，和30nm的槽深度第一反射層2Ag97Pd1Cu1Si1合金膜，具有100nm的厚度第二反射層3Fe80W20合金膜，具有30nm的厚度記錄層4TbFeCo磁性膜，具有25nm的厚度保護層5SiN非磁性膜，具有40nm的厚度塗覆層6透明紫外線固化樹脂，具有15μm的厚度本發明磁光記錄媒體的生產過程將說明本發明磁光記錄媒體例子的生產過程。
第一反射膜2通過共同濺射法被形成在基片1上。使用包含Ag作為主要成分和加有Pd和Cu的AgPdCu合金靶以及Si靶，並且濺射是用0.5Pa氣壓、施加到AgPdCu合金靶的500W的電功率和施加到Si靶的320W的電功率進行的。
根據該過程，具有Ag97Pd1Cu1Si1成分比的第一反射層2被形成為大約100nm的厚度。
第一反射層2的表面具有大約0.3nm的粗糙度Ra，並且其表面張力γ1是1052(mN/m)。因此，形成了如圖2B所示的很平滑表面。
然後，通過濺射法第二反射層3被形成在所得結構上。
使用Fe和W的合金靶，並且濺射是用0.5Pa氣壓和500W的施加電功率進行的。根據該工藝，具有Fe80W20成分比的第二反射層3被形成為大約30nm的厚度。
第二反射層3的表面具有大約0.6nm的粗糙度Ra，並且其表面張力γ2是2610(mN/m)。第二反射層3的表面粗糙度大於第一反射層2的表面粗糙度，以及其表面張力γ2是大於第一反射層2的。
在表面上形成的如圖3A所示的凸凹周期是用AFM(原子力顯微鏡)測量的，其為大約80nm。在如圖2A所示的僅僅用Ag形成反射層的傳統情況下，凸凹周期是大約100nm，因此，能夠認為能夠形成具有進一步微小尺寸的凸凹。
然後，通過濺射法記錄層4被形成在第二反射層3上。
例如，使用TbFeCo合金靶，層是通過用濺射法形成的，濺射法用用0.5Pa氣壓和500W的施加電功率。根據該工藝，能夠獲得具有足夠高嬌頑磁力Hc(13kOe)和良好CNR(45dB)的記錄層4，如後面所述。
通過濺射法保護層5被形成在記錄層4上。例如，使用摻B的Si靶，並且濺射膜的形成是用0.3Pa的氣壓和800W的施加電功率完成的。
最後，通過旋塗法形成塗覆層6。
紫外線固化樹脂被塗覆到大約15μm的厚度，然後其用紫外線照射大約30秒。
通過上述工藝步驟，就形成了圖1所示本發明磁光記錄媒體(以後稱為媒體A)。
本發明和傳統產品之間磁特性的比較為了比較諸如嬌頑磁力之特性，生產圖9所示沒有第二反射層3的傳統磁光記錄媒體(以後稱為媒體B)。
媒體B是通過下述生產的在與媒體A相同的基片上形成用Ag+Pd+Cu+Si合金形成的厚度為130nm的第一反射層2；和還形成記錄層4，保護層5以及塗覆層6，這些與媒體A中的相同。媒體B反射層厚度是與媒體A的兩個反射層總厚度相同。
圖5是表示本發明媒體A和傳統媒體B的嬌頑磁力和CNR之比較的表。
在媒體旋轉速度為9.0m/s，被記錄標記長度為0.2μm或者0.3μm，記錄功率為5.4mW和再現功率為1.4mW時，媒體的嬌頑磁力和CNR是通過使用克爾效應測量設備和譜分析器測量的。
根據圖5，傳統媒體B具有6kOe的嬌頑磁力Hc，而媒體A具有13kOe的嬌頑磁力Hc，其是媒體B的兩倍或更多。
在0.2μm更小長度的記錄標記的情況下，媒體B展現出42dB的CNR，而媒體A展現出45dB的CNR，因此可以理解CNR被改善了。
從前述可以理解，由於反射層是用具有相互不同之表面張力和表面粗糙度的兩層形成的，因此與傳統產品相比，即使當記錄小的記錄標記以獲得高密度記錄時，本發明的媒體A能夠在嬌頑磁力和CNR上有改善。
特別是，在反射層是用兩個薄膜層形成的情況下，下述構成是優選的。
(1)靠近基片的第一反射層2的表面粗糙度小於遠離基片的第二反射層3的表面粗糙度。
(2)靠近基片的第一反射層2的表面張力小於遠離基片的第二反射層3的表面張力。
必須是選擇材料以在第二反射層表面上形成的凸凹周期儘可能的小，並且其能夠通過選擇滿足條件(2)的考慮圖4所示元素之表面張力的材料獲得。即，當具有大表面張力的元素被附著在表面時，在表面上形成的凸凹周期變小。
本發明磁光記錄媒體的另一個例子圖6A和6B是表示在本發明第一反射層2和第二反射層3的材料改變時例子的特性比較的表。
圖6A和6B中，具有用傳統上已經使用的材料形成的單層結構之反射層的媒體為了比較也被述及。具有僅僅用Ag或者AlCr形成反射層的傳統產品具有1.5nm的表面粗糙度Ra，在表面上大約100nm的凸凹周期，10kOe的嬌頑磁力和39dB的CNR。
能夠理解，與媒體A比較，傳統產品具有相當弱的嬌頑磁力和CNR。
在具有僅僅用Ag97Pd1Cu1Si1形成的反射層之傳統產品中，表面被平滑為具有0.35nm的表面粗糙度，使得CNR有些改善(41dB)，並且周期小到96nm。但是，由於太平滑的表面，嬌頑磁力Hc是相當的低，為5kOe，並且其相對於外部磁場具有低的標記維持功率。
另一方面，與傳統產品相比，具有圖6A和6B所示兩個反射層的媒體具有大約從11到13kOe的大的嬌頑磁力Hc和從41到45dB的改善的CNR。
認為這是因為第二反射層3具有從0.5到0.7nm的適當表面粗糙度Ra，並且在其表面上形成的凸凹周期是小到從80到86nm。而且，如圖8所示，第一反射層2的表面張力γ1小於第二反射層3的表面張力。
從前述可以理解，優選的是，至少第二反射層表面粗糙度Ra小於1.5nm，更優選的是為大約從0.5到0.7nm，從CNR的觀點看，優選的是，至少在表面上的凸凹周期小於100nm，更優選的是為90nm或更小。
圖7是表示CNR對本發明媒體和傳統媒體下層厚度之關係的曲線。
縱坐標表示CNR(dB)，橫坐標表示再現功率Pr(mW)。傳統媒體是通過在基片上累積Ag單層反射層，TbFeCo記錄層(厚度25nm)和SiN保護層(厚度40nm)形成的。為了觀察CNR相對於Ag反射層厚度變化的變化，Ag反射層厚度是30，60，100或者130nm。
根據本發明媒體是通過在基片上累積具有兩層結構(第一反射層Ag97Pd1Cu1Si1(厚度100nm)，第二反射層Fe80W20(厚度30nm))的反射層，TbFeCo記錄層(厚度25nm)和SiN保護層(厚度40nm)形成的。
從圖7可以理解，與具有厚度為130nm之單反射層的傳統媒體相比，具有反射層總厚度為130nm的本發明的媒體在CNR上具有極大改善。
在具有單反射層的傳統媒體的情況下，與在再現功率Pr為從0.8到1.5mW範圍內的130nm厚度比較，較高的CNR是通過100nm的反射層厚度獲得的。可以認為這是因為當反射層厚度大到130nm時，反射層的表面粗糙度增加了，並且噪聲也快速增加。
在圖7的所有媒體中，當再現功率進一步增加時，CNR在再現功率的某個值處下降。認為這是因為由於增加的再現功率導致熱釋放功能變得不充分，由此記錄標記開始消失。
具有三層或更多層的反射層的例子儘管在前述例子中示出了包含具有兩層結構之反射層的媒體，媒體可以包含具有三層或更多層結構的反射層。在三層或者更多層的情況下，類似於具有兩層結構之反射層的情況，通過適當地設置這些層的表面粗糙度和表面張力，嬌頑磁力和CNR能夠被改善。
圖8是表示包含具有多層結構之反射層的媒體的嬌頑磁力和CNR之值的表。圖8中的樣品20使用Ag97Pd1Cu1Si1的第一反射層(厚度100nm)，Al98Cr2的第二反射層(厚度20nm)和Pt的第三反射層(厚度10nm)以做成130nm厚度的總反射層。在圖8所示的樣品21中，Pt第三反射層的厚度被改變到5nm，而Fe第四反射層被形成為5nm的厚度。
第一反射層的表面張力是1052mN/m，第二反射層的表面張力是1135mN/m，第三反射層的表面張力是2096mN/m，以及第四反射層的表面張力是2610mN/m。表面張力在最靠近基片的反射層是最小的，並且通過離開基片是逐漸增加的。
對於第一反射層，表面粗糙度Ra是0.3nm，其是最小的，並且通過離開基片是逐漸增加的。樣品20的第三反射層(Pt)的表面粗糙度Ra是0.65nm，樣品21的第四反射層的表面粗糙度Ra是0.55nm。
根據圖8，與具有兩層結構之反射層的情況比較，具有三層結構和四層結構之反射層的兩種媒體在嬌頑磁力Hc和CNR上被改善了。
在玻璃2P基片被用作為基片的情況下，儘管其表面粗糙度Ra傳統上是大約0.3nm，但通過用DUV(深UV)輻射基片，基片的表面粗糙度Ra能夠被改善到大約0.20nm。
當大約100nm厚度的AgPdCu第一反射層被形成在具有大約0.20nm表面粗糙度Ra的基片上時，表面具有大約0.28nm的表面粗糙度Ra。優選的是，形成第一反射層以儘可能地保持足夠的熱釋放功能和防止噪聲的產生。為了儘可能地防止產生噪聲，表面優選是平滑的，並且因此，在用DUV輻射基片之後形成第一反射層是有效的。
根據本發明，形成在基片上的反射層是用具有相互不同的表面粗糙度和表面張力的材料形成的，由此記錄層的嬌頑磁力被增加了，並且在保持了是反射層基本作用的良好熱釋放功能的同時改善了其CNR。
因此，即使當記錄標記小時也滿足關於嬌頑磁力和CNR的所要求記錄和再現特性，由此能夠實現比傳統產品有更高密度的磁光記錄媒體。
權利要求
1.一種磁光記錄媒體，其至少包括在基片上以該順序形成的反射層和記錄層，其中媒體適用於通過用從記錄層側輻照的雷射束來記錄和再現信息，並且反射層包括兩層或更多層的在表面粗糙度上不同的薄膜層，在這些薄膜層中，靠近基片的薄膜層具有小於靠近記錄層的薄膜層之表面張力的表面張力。
2.權利要求1的磁光記錄媒體，其中構成反射層的薄膜層在表面粗糙度上以這種方式漸進地調節這些薄膜層的表面粗糙度，使得最靠近基片的第一薄膜具有最小的表面粗糙度而最靠近記錄層的薄膜層具有最大的表面粗糙度。
3.權利要求2的磁光記錄媒體，其中第一薄膜層是由包含Ag，Al或者Ni作為主要成分和摻加選自Pd，Cu，Si，Ti，P和Cr的規定量的至少一種元素的材料形成。
4.權利要求3的磁光記錄媒體，其中構成反射層的各薄膜層而非第一薄膜層是由包含選自W，Mo，Ta，Fe，Co，Ni，Cr，Pt，Ti，P，Au，Cu，Al，Ag，Si，Gd，Tb，Nd和Pd的至少一種元素的材料形成。
5.權利要求2的磁光記錄媒體，其中最靠近記錄層的薄膜層具有小於1.5nm的表面粗糙度Ra和在最靠近記錄層的層的表面上形成的凸凹周期小於100nm。
全文摘要
磁光記錄媒體至少包括在基片上以該順序形成的反射層和記錄層，其中信息的記錄和再現是通過用來自記錄層側的雷射束輻射媒體實現的。反射層包括兩層或多層在表面粗糙度上不同的薄膜層，其中靠近基片的薄膜層具有小於靠近記錄層的薄膜層之表面張力的表面張力。通過設計記錄層的構成，本發明將改善磁光記錄媒體記錄層的嬌頑磁力和CNR以實現高密度記錄。
文檔編號G11B11/105GK1427404SQ02108708
公開日2003年7月2日 申請日期2002年3月29日 優先權日2001年12月17日
發明者上村拓也, 田中努, 松本幸治 申請人:富士通株式會社