凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法
2023-06-10 04:43:16 1
專利名稱：凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法
技術領域：
本發明屬於平面顯示技術領域、電子科學與技術領域、真空科學與技術領域、集成電路科學與技術領域以及納米科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發射顯示器的器件製作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發射顯示器的器件製作方面的內容，特別涉及到一種凹面星形柵控陰極陣列結構的碳納米管場致發射平板顯示器件的器件製作及其製作工藝。
背景技術：
碳納米管是一種同軸的管狀物質，具有小的尖端曲率半徑，高的縱橫比率以及優良的物理化學特性，能夠在外加電壓的作用下發射出大量的電子，是一種相當優秀的冷陰極場致發射陰極材料。製作大面積、薄型化、平板化的場致發射顯示器，一直是顯示技術研究領域的眾多研究者們不斷追求的目標。碳納米管材料的發現，並被成功的用作器件陰極來發射大量的電子，使得在平板顯示設備領域產生了革新性的變化。利用碳納米管作為陰極材料而製作的平板顯示器件具有高清晰度、高亮度、高解析度等特點，其應用越來越廣泛。
在三極結構的場致發射顯示器件當中，柵極是一個比較關鍵的元件，它對碳納米管陰極的電子發射起著必要的控制作用。如何在充分發揮柵極控制功能的同時，將柵極和陰極結構有機的結合到一起，促進整體器件的高度集成化發展，以及如何選擇適合的柵極結構形式，如何選擇適合的柵極製作工藝，等等，這些都是需要重點考慮的現實問題。另外，當在柵極上施加適當電壓以後，就會迫使碳納米管發射出大量的電子，但並不是所有的碳納米管陰極都能夠均勻穩定的發射大量電子的，而是位於陰極邊緣位置的碳納米管發射的電子最多，位於陰極中央位置的碳納米管發射的電子則相對要少一些，或者根本就不發射電子，這就是獨特的邊緣位置發射大量電子的現象。在器件製作的過程中，應該充分利用這一現象。
此外，在三極結構的平板場致發射顯示器件當中，在確保整體器件良好圖像質量的前提下，還要儘可能的降低總體器件成本，進行穩定可靠、成本低廉、性能優良、高質量的器件製作。
發明內容
本發明的目的在於克服上述平板顯示器件中存在的缺點和不足而提供一種成本低廉、製作過程穩定可靠、製作成功率高、結構簡單的凹面星形柵控陰極陣列結構的碳納米管平板顯示器件及其製作工藝。
本發明的目的是這樣實現的包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及製備在陽極導電層上的螢光粉層；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管陰極以及凹面星形柵控陰極陣列結構。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上的刻蝕後的金屬層形成陰極引線層；陰極玻璃面板上的刻蝕後的二氧化矽層形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來製作絕緣隔離層；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來製作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化矽被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層；陰極增高層斜坡面上的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層並不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現一種五角星型形狀位於陰極增高層的斜坡面上；陰極增高層最高處平面上的刻蝕後的二氧化矽層形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環柱型結構環繞在陰極增高層上面的周圍；絕緣隔離層上面的刻蝕後的金屬層形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位於絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態；柵極導電層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位於絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現懸空狀態部分的柵極導電層；碳納米管制備在陰極導電層的上面。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位於碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發射，陰極引線層為金屬金、銀、銅、鋁、鉻、鉬，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、錫、鉬，柵極導電層為金屬金、銀、鉻、鉬、錫、鎳、鈷、鋁。
一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其製作工藝如下1)陰極玻璃面板的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層的製作在陰極玻璃面板上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極引線層；3)陰極增高層的製作在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成陰極增高層；4)陰極導電層的製作在陰極增高層的斜坡面上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極導電層；5)絕緣隔離層的製作在陰極增高層的最高處平面的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環柱型結構環繞在陰極增高層上面的周圍；6)柵極導電層的製作在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極導電層；7)柵極覆蓋層的製作在柵極導電層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位於絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現懸空狀態部分的柵極導電層；8)凹面星形柵控陰極陣列結構的表面清潔處理對凹面星形柵控陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；9)碳納米管的製備在陰極導電層上製備出碳納米管陰極；10)陽極玻璃面板的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；11)陽極導電層的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；12)絕緣漿料層的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；13)螢光粉層的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；14)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構和玻璃圍框裝配到一起，並將消氣劑附屬元件[15]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；15)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟3具體為在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來製作絕緣隔離層的；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來製作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化矽被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層。
所述步驟4具體為在陰極增高層的斜坡面上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層並不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現一種五角星型形狀位於陰極增高層的斜坡面上。
所述步驟6具體為在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位於絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態。
所述步驟12具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
所述步驟13具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
所述步驟15具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
本發明具有如下的積極效果首先，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，柵極位於碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管陰極的電子發射。當在柵極上施加適當電壓以後，就會在碳納米管頂端形成強大的電場強度，迫使碳納米管發射出大量的電子。所製作的柵極導電層伸出了絕緣隔離層部分，形成一種懸空狀態，這比較有利於縮短柵極-陰極之間的距離，加大柵極的控制能力；其次，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，對碳納米管陰極的形狀也作了進一步的優化處理。一方面，製作了陰極增高層，並製作了斜坡面，這樣使得碳納米管陰極就形成了一個斜坡形狀，使得斜坡的高端更加接近於柵極，能夠有效地降低整體器件的工作電壓；另一方面，並沒有在斜坡面上布滿碳納米管陰極，而是製作成了五角星形狀，這樣就更加增強了角形處碳納米管陰極的表面電場強度，迫使碳納米管發射出更多的電子，充分利用邊緣位置發射大量電子的現象；第三，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，在柵極導電層的上面製作了柵極覆蓋層，將大部分柵極導電層覆蓋起來，這樣，可以進一步避免其它雜質對於柵極結構的影響，有利於進一步提高整體器件的製作成功率。
此外，在所述的凹面星形柵控陰極陣列結構中，並沒有採用特殊的結構製作材料，也沒有採用特殊的器件製作工藝，這在很大程度上就進一步降低了整體顯示器件的製作成本，簡化了器件的製作過程，能夠進行大面積的器件製作。
圖1給出了凹面星形柵控陰極陣列結構的縱向結構示意圖；圖2給出了凹面星形柵控陰極陣列結構中陰極導電層的俯視結構示意圖；圖3給出了凹面星形柵控陰極陣列結構的橫向結構示意圖；圖4給出了帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的、碳納米管場致發射平面顯示器的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明，但本發明並不局限於這些實施例。
所述的一種帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板9、陰極玻璃面板1和四周玻璃圍框14所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層10以及製備在陽極導電層上的螢光粉層12；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構13以及消氣劑附屬元件15；在陰極玻璃面板上有控制柵極6、碳納米管陰極8以及凹面星形柵控陰極陣列結構。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構包括陰極玻璃面板1、陰極引線層2、陰極增高層3、陰極導電層4、絕緣隔離層5、柵極導電層6、柵極覆蓋層7和碳納米管8陰極。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃、硼矽玻璃，也就是陰極玻璃面板1；陰極玻璃面板1上的刻蝕後的金屬層形成陰極引線層2；陰極玻璃面板上的刻蝕後的二氧化矽層形成陰極增高層3；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來製作絕緣隔離層5；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來製作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化矽被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層2；陰極增高層斜坡面上的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層4；陰極導電層4在陰極增高層的最低處和陰極引線層2相互連通；陰極導電層並不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現一種五角星型形狀位於陰極增高層的斜坡面上；陰極增高層最高處平面上的刻蝕後的二氧化矽層形成絕緣隔離層5；絕緣隔離層形成一個圓環柱型結構環繞在陰極增高層上面的周圍；絕緣隔離層上面的刻蝕後的金屬層形成柵極導電層6；柵極導電層大部分都位於絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態；柵極導電層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成柵極覆蓋層7；柵極覆蓋層要覆蓋住位於絕緣隔離層上面的柵極導電層6，但不得覆蓋住呈現懸空狀態部分的柵極導電層；碳納米管8製備在陰極導電層4的上面。
所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位於碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發射。陰極引線層可以為金屬金、銀、銅、鋁、鉻、鉬。陰極導電層可以為金屬金、銀、鎳、鈷、錫、鉬。柵極導電層可以為金屬金、銀、鉻、鉬、錫、鎳、鈷、鋁。
一種帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其製作工藝如下1)陰極玻璃面板1的製作對整體平板玻璃，如鈉鈣玻璃、硼矽玻璃，進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層2的製作在陰極玻璃面板上製備出一個金屬層，如金屬鉻層，刻蝕後形成陰極引線層；3)陰極增高層3的製作在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成陰極增高層；4)陰極導電層4的製作在陰極增高層的斜坡面上製備出一個金屬層，如金屬鉬層，刻蝕後形成陰極導電層4；5)絕緣隔離層5的製作在陰極增高層的最高處平面的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環柱型結構環繞在陰極增高層上面的周圍；6)柵極導電層6的製作在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，如金屬鉻層，刻蝕後形成柵極導電層；
7)柵極覆蓋層7的製作在柵極導電層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位於絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現懸空狀態部分的柵極導電層；8)凹面星形柵控陰極陣列結構的表面清潔處理對凹面星形柵控陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；9)碳納米管8的製備在陰極導電層上製備出碳納米管陰極；10)陽極玻璃面板9的製作對整體平板玻璃，如鈉鈣玻璃、硼矽玻璃，進行劃割，製作出陽極玻璃面板；11)陽極導電層10的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；12)絕緣漿料層11的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；13)螢光粉層12的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；14)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構13和玻璃圍框14裝配到一起，並將消氣劑附屬元件15放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周塗抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；15)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟3具體為在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來製作絕緣隔離層的；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來製作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化矽被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層。
所述步驟4具體為在陰極增高層的斜坡面上製備出一個金屬層，如金屬鉬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層並不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現一種五角星型形狀位於陰極增高層的斜坡面上。
所述步驟6具體為在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，如金屬鉻層，刻蝕後形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位於絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態。
所述步驟12具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘)之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結(燒結溫度580℃，保持時間10分鐘)；所述步驟13具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘)；所述步驟15具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
權利要求
1.一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板[9]、陰極玻璃面板[1]和四周玻璃圍框[14]所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層[10]以及製備在陽極導電層上的螢光粉層[12]；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構[13]以及消氣劑附屬元件[15]；其特徵在於在陰極玻璃面板上有控制柵極[6]、碳納米管陰極[8]以及凹面星形柵控陰極陣列結構。
2.根據權利要求1所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板[1]；陰極玻璃面板[1]上的刻蝕後的金屬層形成陰極引線層[2]；陰極玻璃面板上的刻蝕後的二氧化矽層形成陰極增高層[3]；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來製作絕緣隔離層[5]；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來製作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化矽被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層[2]；陰極增高層斜坡面上的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層[4]；陰極導電層[4]在陰極增高層的最低處和陰極引線層[2]相互連通；陰極導電層並不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現一種五角星型形狀位於陰極增高層的斜坡面上；陰極增高層最高處平面上的刻蝕後的二氧化矽層形成絕緣隔離層[5]；絕緣隔離層形成一個圓環柱型結構環繞在陰極增高層上面的周圍；絕緣隔離層上面的刻蝕後的金屬層形成柵極導電層[6]；柵極導電層大部分都位於絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態；柵極導電層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成柵極覆蓋層[7]；柵極覆蓋層要覆蓋住位於絕緣隔離層上面的柵極導電層[6]，但不得覆蓋住呈現懸空狀態部分的柵極導電層；碳納米管[8]製備在陰極導電層[4]的上面。
3.根據權利要求2所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位於碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發射，陰極引線層為金屬金、銀、銅、鋁、鉻、鉬，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、錫、鉬，柵極導電層為金屬金、銀、鉻、鉬、錫、鎳、鈷、鋁。
4.一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於，其製作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層[2]的製作在陰極玻璃面板上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極引線層；3)陰極增高層[3]的製作在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成陰極增高層；4)陰極導電層[4]的製作在陰極增高層的斜坡面上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極導電層[4]；5)絕緣隔離層[5]的製作在陰極增高層的最高處平面的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成絕緣隔離層；絕緣隔離層形成一個圓環柱型結構環繞在陰極增高層上面的周圍；6)柵極導電層[6]的製作在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極導電層；7)柵極覆蓋層[7]的製作在柵極導電層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；柵極覆蓋層要覆蓋住位於絕緣隔離層上面的柵極導電層，但不得覆蓋住呈現懸空狀態部分的柵極導電層；8)凹面星形柵控陰極陣列結構的表面清潔處理對凹面星形柵控陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；9)碳納米管[8]的製備在陰極導電層上製備出碳納米管陰極；10)陽極玻璃面板[9]的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；11)陽極導電層[10]的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；12)絕緣漿料層[11]的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；13)螢光粉層[12]的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；14)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構[13]和玻璃圍框[14]裝配到一起，並將消氣劑附屬元件[15]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；15)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
5.根據權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟3具體為在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成陰極增高層；陰極增高層從縱向上看是一個兩側高、中間低的盆地型形狀，從俯視角度來看是圓面形狀；陰極增高層的周圍高處是一個平面，是用來製作絕緣隔離層的；陰極增高層從周圍高處到中心最低處形成一個斜坡面，是用來製作碳納米管陰極的；陰極增高層的中心部位的二氧化矽被刻蝕掉，暴露出底部的陰極引線層。
6.根據權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟4具體為在陰極增高層的斜坡面上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層在陰極增高層的最低處和陰極引線層相互連通；陰極導電層並不是全部布滿陰極增高層的斜坡面上的，而是呈現一種五角星型形狀位於陰極增高層的斜坡面上。
7.根據權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟6具體為在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極導電層；柵極導電層大部分都位於絕緣隔離層的上面，但是前端靠近陰極增高層中心方向的柵極導電層要伸出絕緣隔離層，形成一種懸空狀態。
8.根據權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟12具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
9.根據權利要求4所述的凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟13具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
10.根據權利要求4所述的一種帶有凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述步驟15具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
全文摘要
本發明涉及到一種凹面星形柵控陰極陣列結構的平板顯示器及其製作工藝，包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及製備在陽極導電層上的螢光粉層；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構以及消氣劑附屬元件，在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管陰極以及凹面星形柵控陰極陣列結構；能夠進一步縮短柵極－陰極二者之間的距離，在增強柵極控制能力的同時有效地降低器件的工作電壓，提高器件的顯示亮度，具有製作過程穩定可靠、製作工藝簡單、製作成本低廉、結構簡單的優點。
文檔編號H01J1/00GK1909176SQ20061004853
公開日2007年2月7日 申請日期2006年8月2日 優先權日2006年8月2日
發明者李玉魁 申請人:中原工學院