高溫蝕刻工藝槽的製作方法

2023-05-29 01:50:51

專利名稱：高溫蝕刻工藝槽的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體LED晶片製作裝置。具體涉及一種高溫蝕刻工藝槽，該工藝槽主要用於半導體LED晶片行業中圖形化藍寶石襯底與外延片之間的工藝段，通過高溫蝕刻工藝在藍寶石襯底上生長垂直化結構，是提高LED晶片亮度提升的必要工藝設備。
背景技術：
本實用新型做出以前，由於所述工藝槽用於高溫藥液蝕刻，在工藝溫度下會產生大量腐蝕性揮發氣體，工藝槽內的溶液為強腐蝕性液體,不僅會增加廢氣處理難度及成本，還會導致工藝溫度失衡、藥液損耗嚴重等相關的由於揮發而導致的不利於生產的現象發生。

實用新型內容本實用新型的目的是提供一種高溫蝕刻工藝槽，其耐高溫，防腐蝕，抑制腐蝕氣體揮發，減少工藝槽內藥液損耗，能控制藥液升溫時間及藥液溫度的均勻性，能降溫排放藥液。為了達到上述目的，本實用新型有如下技術方案本實用新型的一種高溫蝕刻工藝槽，包括槽蓋、防腐外殼、保溫隔熱層、加熱裝置、抑制氣體揮發裝置、降溫裝置、工藝槽本體、連接供液裝置，所述槽蓋位於工藝槽本體頂部，保溫隔熱層位於防腐外殼內，工藝槽本體位於保溫隔熱層與工藝槽之間，加熱裝置設置在工藝槽本體底部，抑制氣體揮發裝置固定在工藝槽本體的上部，降溫裝置固定在工藝槽本體內壁，連接供液裝置從工藝槽本體頂部插入到工藝槽本體內。其中，所述槽蓋包括兩塊蓋板、開啟關閉動力機構、密封減震碰撞條，開啟關閉動力機構分別與兩塊蓋板連接，密封減震碰撞條位於兩塊蓋板關閉時的中間縫隙處，所述開啟關閉動力機構用於自動開啟或關閉槽蓋。其中，所述防腐外殼是採用聚丙烯板材焊接加工而成的防腐外殼。其中，所述保溫隔熱層採用莫來石。其中，所述加熱裝置為並排設置的若干個加熱燈管。其中，所述抑制氣體揮發裝置為若干個冷凝回流盤管。其中，所述降溫裝置包括降溫盤管、製冷裝置、冷卻液體，降溫盤管與製冷裝置連接，冷卻液體是在降溫盤管與製冷裝置之中循環的冷卻液體。其中，所述工藝槽本體採用石英材料，在工藝槽本體底部設有橫截面為V形的排放口。其中，所述連接供液裝置為若干個供液補液管道。由於採取了以上技術方案，本實用新型的優點在於本實用新型耐高溫，防腐蝕，抑制腐蝕氣體揮發，減少工藝槽內藥液損耗，能控制藥液升溫時間及藥液溫度的均勻性，能降溫排放藥液；本實用新型能通過連接供液裝置接通自動供液補液系統，實現工藝槽內的藥液的自動補液供液。

圖I為本實用新型整體結構的示意圖；圖2為圖I的AA向的剖視圖的示意圖；圖3為本實用新型槽蓋的俯視圖的放大示意圖。圖中1、槽蓋；2、防腐外殼；3、保溫隔熱層；4、加熱裝置、5、抑制氣體揮發裝置；6、降溫裝置；7、工藝槽本體；8、連接供液裝置。
具體實施方式
·[0020]以下實施例用於說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的範圍。參見圖I-圖3，本實用新型的一種高溫蝕刻工藝槽，由槽蓋、防腐外殼、保溫隔熱層、加熱裝置、抑制氣體揮發裝置、降溫裝置、工藝槽本體、連接供液裝置組成，所述槽蓋位於工藝槽本體頂部，保溫隔熱層位於防腐外殼內，工藝槽本體位於保溫隔熱層與工藝槽之間，加熱裝置設置在工藝槽本體底部，抑制氣體揮發裝置固定在工藝槽本體的上部，降溫裝置固定在工藝槽本體內壁，連接供液裝置從工藝槽本體頂部插入到工藝槽本體內。所述槽蓋由於所述工藝槽用於高溫藥液蝕刻，在工藝溫度下會產生大量腐蝕性揮發氣體，不僅會增加廢氣處理難度及成本，還會導致工藝溫度失衡、藥液損耗嚴重等相關的由於揮發而導致的不利於生產的現象發生，所以該工藝槽設置有自動槽蓋執行開啟與關閉動作。因考慮到揮發氣體的腐蝕性及耐溫性和在一定溫度下的熱變形性以及對材料本身的潔淨度要求等，故所述槽蓋選用石英板材作為蓋板。因考慮到石英板材的易碎性，故採用左右兩塊蓋板模式完成槽蓋的開啟與關閉，減少蓋板與實現蓋板開啟關閉動力機構連接處的扭力，防止石英蓋板碎裂。因考慮到石英板材的易碎性及槽蓋在關閉後的必須相對密封性和在一定溫度下的熱變形性以及對材料本身的潔淨度要求等，故在兩塊對開槽蓋板關閉時的中間縫隙處使用由聚四氟乙烯材料製作的密封減震碰撞條加以過渡，保證槽蓋關閉時的安全性。所述防腐外殼由於所述工藝槽用於高溫藥液蝕刻工藝，所以工藝槽所處環境充滿具有腐蝕性的酸鹼氣體。因考慮到所述保溫隔熱層、加熱裝置的連接導線不具備防腐能力，故採用潔淨防腐的PP(聚丙烯)板材焊接加工而成的殼體對該工藝槽的加熱導線連接及保溫隔熱層進行隔離保護。所述保溫隔熱層由於所述工藝槽為高溫藥液蝕刻工藝槽，該工藝槽的工藝溫度為最高600攝氏度，故選用耐火材料。所述加熱裝置由於所述工藝槽為高溫藥液蝕刻工藝槽，為滿足工藝及產能的需求故對藥液的升溫時間及藥液溫度均勻性都有很高的要求，所以選用紅外光波方式對其進行加熱。遠紅外發熱管具有1.熱效率高，熱輻射傳遞距離遠，熱交換速度快，節能環保；2.耐冷熱驟變性強，熱膨脹係數極小，有極高的熱穩定性，能承受劇烈的溫度變化而不炸裂；3.使用壽命長，在頻繁啟動、關閉和長期連續工作中，發熱體無氧化和擊穿現象等優點。該工藝槽在工藝槽本體底部設置有若干個並排的遠紅外發熱管，依靠熱量向上遊動的特性及紅外光照加熱的模式使藥液的溫度均勻性達到最佳。所述抑制氣體揮發裝置由於所述工藝槽為高溫藥液蝕刻工藝槽，且工藝溫度最高時可達600攝氏度，所以工藝槽中的藥液因為高溫會產生大量的揮發氣體，不但會給生產操作照成影響存在較大的安全隱患還會增加廢氣處理的成本。而且大量的揮發還會照成熱量的丟失及照成工藝槽中藥液濃度的下降及混合藥液的比例失衡。故在工藝槽本體上部加裝一組冷凝回流盤管，使揮發氣體接觸到冷凝盤管後產生凝華，凝華後藥液再次流回工藝槽中有效地降低藥液的揮發及熱量的損耗。所述降溫裝置·由於所述工藝槽為高溫藥液蝕刻工藝槽，且工藝溫度最高時可達600攝氏度，工藝蝕刻使用若干時間或批次後的藥液需更換新的藥液，而工藝槽的防腐排放管道以及廠家的廠務防腐排放管道以及廢液回收處理裝置均不具備承受如此高溫藥液的能力。所以該工藝槽在更換藥液時需先對槽中的高溫廢液進行降溫。故在該工藝槽本體內壁四周設置有降溫盤管，降溫盤管內為能耐600攝氏度高溫的冷卻液體通過製冷裝置使其在工藝槽中降溫盤管與製冷裝置之中循環，通過熱交換將工藝槽中藥液的溫度快速降溫至防腐排放管道以及廠家的廠務防腐排放管道以及廢液回收處理裝置能承受的溫度範圍從而進行換液前的排液。所述工藝槽本體由於所述工藝槽為高溫藥液蝕刻工藝槽，工藝溫度最高時可達600攝氏度，且工藝槽內的溶液為強腐蝕性液體，工藝要求對潔淨度也很高，所以該工藝槽本體採用耐高溫且潔淨的石英材料製作。該石英工藝槽本體底部設有排放口，且工藝槽本體底板橫截面為V形的排放口，方便藥液的排盡。所述連接供液裝置由於所述工藝槽為高溫藥液蝕刻工藝槽，工藝溫度最高時可達600攝氏度，且槽中液體為強腐蝕性藥液，多以藥液的更換及補充工作不得由人工操作，須由自動供液補液系統自動完成。故該工藝槽頂部另行裝置有與工藝槽本體相同材質的供液補液管道，該供液補液管道與供液補液系統的管道對接。各支對接管件可獨立拆卸更換。顯然，本實用新型的上述實施僅僅是為清楚地說明本實用新型所作的舉例，而並非是對本實用新型的實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無法對所有的實施方式予以窮舉。凡是屬於本實用新型的技術方案所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本實用新型的保護範圍之列。
權利要求1.一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於包括槽蓋、防腐外殼、保溫隔熱層、加熱裝置、抑制氣體揮發裝置、降溫裝置、工藝槽本體、連接供液裝置，所述槽蓋位於工藝槽本體頂部，保溫隔熱層位於防腐外殼內，工藝槽本體位於保溫隔熱層與工藝槽之間，加熱裝置設置在工藝槽本體底部，抑制氣體揮發裝置固定在工藝槽本體的上部，降溫裝置固定在工藝槽本體內壁，連接供液裝置從工藝槽本體頂部插入到工藝槽本體內。
2.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於所述槽蓋包括兩塊蓋板、開啟關閉動力機構、密封減震碰撞條，開啟關閉動力機構分別與兩塊蓋板連接，密封減震碰撞條位於兩塊蓋板關閉時的中間縫隙處，所述開啟關閉動力機構用於自動開啟或關閉槽蓋。
3.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於所述防腐外殼是採用聚丙烯板材焊接加工而成的防腐外殼。
4.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於所述保溫隔熱層採用耐火材料。
5.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於所述加熱裝置為並排設置的若干個加熱燈管。
6.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於所述抑制氣體揮發裝置為若干個冷凝回流盤管。
7.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於所述降溫裝置包括降溫盤管、製冷裝置、冷卻液體，降溫盤管與製冷裝置連接，冷卻液體是在降溫盤管與製冷裝置之中循環的冷卻液體。
8.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽,其特徵在於所述工藝槽本體採用石英材料，在工藝槽本體底部設有橫截面為V形的排放口。
9.如權利要求I所述的一種高溫蝕刻工藝槽，其特徵在於所述連接供液裝置為若干個供液補液管道。
專利摘要本實用新型涉及一種半導體LED晶片製作裝置。本實用新型公開了一種高溫蝕刻工藝槽，包括槽蓋、防腐外殼、保溫隔熱層、加熱裝置、抑制氣體揮發裝置、降溫裝置、工藝槽本體、連接供液裝置，所述槽蓋位於工藝槽本體頂部，保溫隔熱層位於防腐外殼內，工藝槽本體位於保溫隔熱層與工藝槽之間，加熱裝置設置在工藝槽本體底部，抑制氣體揮發裝置固定在工藝槽本體的上部，降溫裝置固定在工藝槽本體內壁，連接供液裝置從工藝槽本體頂部插入到工藝槽本體內。本實用新型耐高溫，防腐蝕，抑制腐蝕氣體揮發，減少工藝槽內藥液損耗，能控制藥液升溫時間及藥液溫度的均勻性，能降溫排放藥液。
文檔編號H01L21/306GK202712136SQ201220376750
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月31日 優先權日2012年7月31日
發明者耿彪 申請人:耿彪