陶瓷基大功率紅綠藍led的封裝結構的製作方法

2023-05-28 23:29:41

專利名稱：陶瓷基大功率紅綠藍led的封裝結構的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種LED的封裝結構，尤其涉及一種陶瓷基大功率LED的封裝結 構，屬於照明技術領域。
背景技術：
目前，白光LED(發光二極體)作為一種新型節能燈光源，以其能耗低、壽命長、亮 度高、響應時間短等優點開始得到廣泛的應用。大功率白光LED普遍採用藍色晶片塗敷熒 光粉的方法，當螢光粉受藍光激發後發出黃色光，藍光和黃光混合形成白光。此種方法所帶 來的不足是無法實現高光效與高顯色性。近來使用RGB(紅、綠、藍)三原色晶片發出的紅、 綠、藍三種光混合成白光，但傳統結構封裝的RGB大功率晶片，又帶來混色不均的缺陷。因 此，提供一種新型封裝結構的紅綠藍LED解決混色不均的缺陷尤為重要。

實用新型內容本實用新型的目的在於提供一種紅綠藍LED的封裝結構，此種封裝結構能避免傳 統封裝結構存在的混色不均缺陷。 本實用新型的目的通過以下技術方案予以實現 —種陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構，包括陶瓷基板1、紅色晶片2、綠色晶片 3、藍色晶片4、金線6、散熱熱沉8，電路及反射層10通過蝕刻鍍銀方式設置在陶瓷基板1之 上，散熱熱沉8位於陶瓷基板1下側的固晶區域，所述三種晶片通過金線6分別連接到陶瓷 基板1的電路上；所述陶瓷基板1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7，高導熱銀膠5將紅色 晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體7之中，反射腔 體7內注入透明矽膠9覆蓋金線6和所述三種晶片，6隻引腳10分別設置在陶瓷基板1的 邊緣。 本實用新型的目的還可以通過以下技術措施進一步予以實現 前述的陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構，其中所述陶瓷基板l的厚度為 0. 5 lmm，長、寬為3 5mm ;所述陶瓷基板1的導熱率為170w/m. K以上，銀膠5導熱率為 20w/m. K以上。 本實用新型的有益效果是由於本實用新型的陶瓷基板分二層壓合形成凹杯形反 射腔體7，紅、綠、藍晶片側部所發出的光通過反射腔體從正向射出，能充分混合紅、綠、藍三 基色，出光均勻，避免了傳統封裝結構混光不均勻現象。由於本實用新型陶瓷基板的導熱率 高達170w/m.K以上，且陶瓷基板下設有高導熱率的銅質或鋁質的散熱熱沉，有利於大功率 晶片的散熱。陶瓷基板熱形變係數極低，可切割成厚度在0. 5 lmm，長寬在3 5mm的微 小的單個發光單元，易於實現微型化。

圖1是本實用新型的俯視結構示意圖；[0010] 圖2是圖1的A-A剖視圖。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。 如圖1、圖2所示，本實用新型包括陶瓷基板l、邊長在30mil(lmil = 1/1000英寸 =0. 0254mm)以上的紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4、金線6、散熱熱沉8，電路及反射 層10通過蝕刻鍍銀方式設置在陶瓷基板1之上，散熱熱沉8位於陶瓷基板1下側的固晶區 域，紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4分別用金線6焊接到陶瓷基板1的電路上，6隻引腳 10分別設置在陶瓷基板1的邊緣，分開單獨控制紅、綠、藍三種顏色的發光晶片。陶瓷基板 1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7，紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4側部所發出的光 通過反射腔體7從正向射出，能充分混合紅、綠、藍三基色，出光均勻，混光效果好。高導熱 銀膠5將紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體 7之中，反射腔體7內注入透明矽膠9覆蓋金線6和紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4，並 進行烘烤固化，紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4三種晶片發光經充分混合形成白光，也 可根據發光顏色需求，調節紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4三種晶片的驅動電流，混合 成不同的顏色。 本實用新型採用的陶瓷基板導熱率高達170w/m.K以上，銀膠導熱率達到20w/ m. k，有利於大功率晶片的散熱。並且陶瓷基板熱形變係數極低，可將本實用新型其切割成 厚度在0. 5 lmm，長寬尺寸在3 5mm的微小的單個發光單元，易於實現紅綠藍LED產品 的微型化。 除上述實施例外，本實用新型還可以有其他實施方式，凡採用等同替換或等效變 換形成的技術方案，均落在本實用新型要求的保護範圍內。
權利要求一種陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構，包括陶瓷基板(1)、紅色晶片(2)、綠色晶片(3)、藍色晶片(4)、金線(6)、散熱熱沉(8)，電路及反射層(10)通過蝕刻鍍銀方式設置在陶瓷基板(1)之上，散熱熱沉(8)位於陶瓷基板(1)下側的固晶區域，紅色晶片(2)、綠色晶片(3)和藍色晶片(4)、通過金線(6)分別連接到陶瓷基板(1)的電路上；其特徵在於，所述陶瓷基板(1)分二層壓合形成凹杯形反射腔體(7)，高導熱銀膠(5)將紅色晶片(2)、綠色晶片(3)和藍色晶片(4)呈品字形固定在陶瓷基板(1)凹杯形反射腔體(7)之中，反射腔體(7)內注入透明矽膠(9)覆蓋金線(6)和紅色晶片(2)、綠色晶片(3)、藍色晶片(4)，6隻引腳(10)分別設置在陶瓷基板(1)的邊緣。
2. 如權利要求1所述的陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構，其特徵在於，所述陶瓷基 板(1)的厚度為0. 5 lmm，長、寬為3 5mm。
3. 如權利要求1或2所述的陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構，其特徵在於，所述陶 瓷基板(1)的導熱率為170w/m. K以上，銀膠(5)導熱率為20w/m. K以上。
專利摘要本實用新型公開了一種陶瓷基大功率紅綠藍LED的封裝結構，包括陶瓷基板1、紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4、金線6、散熱熱沉8，電路及反射層10通過蝕刻鍍銀方式設置在陶瓷基板1之上，散熱熱沉8位於陶瓷基板1下側的固晶區域，陶瓷基板1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7，銀膠5將紅色晶片2、綠色晶片3、藍色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體7之中，前述三種晶片通過金線6分別連接到陶瓷基板1的電路上；反射腔體7內注入透明矽膠9覆蓋金線6和三種晶片，6隻引腳10分別設置在陶瓷基板1的邊緣。本實用新型能充分混合RGB三基色，混光均勻，陶瓷基板有利於大功率晶片的散熱及實現微型化。
文檔編號H01L23/13GK201549499SQ20092018820
公開日2010年8月11日 申請日期2009年10月13日 優先權日2009年10月13日
發明者胡建紅 申請人:中外合資江蘇穩潤光電有限公司