半導體發光裝置及其製造方法

2023-06-14 04:30:36

專利名稱：半導體發光裝置及其製造方法
技術領域：
實施方式涉及半導體發光裝置及其製造方法。
背景技術：
半導體發光裝置不僅有顯示用途，還被期待作為代替電燈泡或螢光燈等的球管光源的低耗電的光源。並且，例如為了置換球管光源等的目的，希望半導體發光裝置的高輸出化。例如，對發光二極體(Light Emitting Diode LED)而言,通過向其發光層整體均勻地注入電流，能夠提高發光效率。進而，通過提高來自半導體結晶的光的取出效率，能夠進行高輸出化。因此，提出了對向發光層注入的電流進行均勻化的電極圖案、或對發光面整體形成透明電極的技術等。但是，僅通過這些技術並不能滿足高輸出化的要求，需要以低成本實現進一歩的高輸出化的半導體發光裝置及其製造方法。

發明內容
本發明的實施方式提供能夠以低成本實現高輸出化的半導體發光裝置及其製造方法。實施方式的半導體發光裝置具備層疊體，該層疊體具有第I導電型的第I半導體層、第2導電型的第2半導體層、以及在上述第I半導體層與上述第2半導體層之間設置的發光層。還具備透明電極層，設置在上述第2半導體層的表面，使從上述發光層放射的光透過；第I電極，與上述透明電極層電連接；以及第2電極，與上述第I半導體層電連接。並且，具有沿著上述透明電極層的邊緣的區域，該區域設置成上述透明電極層的厚度在上述邊緣側比中央側薄。根據本發明的實施方式，能夠提供能以低成本實現高輸出化的半導體發光裝置及其製造方法。


圖I是表示第I實施方式的半導體發光裝置的構造的示意圖。圖2是表示第I實施方式的半導體發光裝置的製造過程的示意截面圖。圖3是表示後續於圖2的製造過程的示意截面圖。圖4是表示後續於圖3的製造過程的示意截面圖。圖5是例示出第I實施方式的半導體發光裝置的光取出的示意圖。圖6是例示出第I實施方式的半導體發光裝置的電流注入的示意圖。
圖7是表示第I實施方式的半導體發光裝置的電流注入的其他例的示意圖。圖8是例示第I實施方式的半導體發光裝置的光輸出的曲線圖。圖9是表示第I實施方式的半導體發光裝置的光輸出的其他例的曲線圖。圖10是表示第I實施方式的變形例的半導體發光裝置的製造過程的示意截面圖。圖11是表示第2實施方式的半導體發光裝置的製造過程的示意截面圖。圖12是表示第3實施方式的半導體發光裝置的製造過程的示意截面圖。圖13是表示第4實施方式的半導體發光裝置的製造過程的示意截面圖。
具體實施方式
以下，參照

本發明的實施方式。另外，在以下的實施方式中，對附圖中的同一部分附加同一號碼並適當省略其詳細說明，而說明不同的部分。進而，雖然將第I導電型設為η型、將第2導電型設為P型來說明，但也可以將第I導電型設為P型，將第2導電型設為η型。(第I實施方式)圖I是表示第I實施方式的半導體發光裝置100的構造的示意圖。圖1(a)是表示發光面的俯視圖，圖1(b)表示圖1(a)中的A-A截面的構造。半導體發光裝置100例如是以GaN類氮化物半導體為材料的LED，如圖I (a)所示，具有方形的外形，在其兩端具備作為第I電極的P電極13、以及作為第2電極的η電極15。並且，如圖1(b)所示，例如具備設置在藍寶石基板2上的層疊體10，該層疊體10包括作為第I半導體層的η型GaN層3、發光層5、以及作為第2半導體層的P型GaN層7。發光層5設置在η型GaN層3與P型GaN層7之間，例如包含由InGaN阱層和GaN阻擋層構成的量子講。在P型GaN層7的表面設有透明電極層9。透明電極層9具有低電阻的導電性，向P型GaN層7的整個面擴散電流並注入到發光層5。進而，透明電極層9中，為了將發光層5的發光取出到外部而使用對發光透明的材料。例如，能夠使用作為導電性氧化膜的ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)。在透明電極層9的表面設有P電極13。P電極13例如是將鎳(Ni)以及金(Au)依次層疊而成的金屬膜，其與透明電極層9電連接而設置。進而，在將透明電極層9以及P型GaN層7、發光層5選擇性地去除而露出的η型GaN層3的表面3a上設有η電極15。η電極15例如是將鈦(Ti)以及鋁(Al)依次層疊而 成的金屬膜，與η型GaN層3電連接。本實施方式的半導體發光裝置100如圖I (a)所示，具有沿著透明電極層9的邊緣的區域9a。區域9a設置成透明電極層9的厚度在邊緣側比在中央側薄。例如，如圖1(b)所示，能夠形成從中央側向邊緣變薄的錐狀。進而，透明電極層9的邊緣與從透明電極層9的表面向η型GaN層3的方向將透明電極層9、ρ型GaN層7以及發光層5連續地蝕刻而設置的側面IOa相接。S卩，如圖I (b)所示，透明電極層9的邊緣與P型GaN層7的邊緣一致。並且，透明電極層9的邊緣與p型GaN層7的邊緣在嚴格的意義上來說不僅包括一致的情況，還包括大致一致的情況。例如，也可以存在因透明電極層9的橫方向的蝕刻速度與P型GaN層7的橫方向的蝕刻速度的差異而產生的程度的臺階。接著，參照圖2及圖4說明半導體發光裝置100的製造過程。圖2 (a) 圖4是示意地表示各個製造エ序中的晶片的一部分的截面圖。首先，如圖2 (a)所示，在藍寶石基板2上依次形成η型的GaN層3、發光層5以及ρ型的GaN層7。這些氮化物半導體層例如能夠使用MOCVD (Metal Organic Chemical VaporDeposition :金屬有機化學氣相沉積)法來形成。接著，如圖2(b)所示，在ρ型GaN層7的表面形成透明電極層9。透明電極層9是低電阻的導電性膜，使用將從發光層5放出的光透過的材料。例如使用能夠利用濺射法或蒸鍍法來形成的ITO、ZnO等的導電性氧化膜。透明電極層9的厚度考慮其方塊電阻和透過率來決定。例如，若使透明電極層9變厚，則方塊電阻變低，但發光的透過率下降。另ー方面，若將透明電極層9形成得薄，則透過率變高，但方塊電阻變大。例如，在ITO的情況下，能夠設為250nm左右的厚度。接著，如圖3(a)所示，形成覆蓋透明電極層9的一部分的蝕刻掩膜21。蝕刻掩膜21例如使用氧化娃膜(SiO2) ο接著,例如利用RIE (Reactive Ion Etching :反應性離子蝕刻)法從透明電極層9的表面向η型GaN層3的方向對透明電極層9、ρ型GaN層7以及發光層5連續進行蝕刻。圖3 (b) 圖3 (d)示意地表示蝕刻的過程。作為蝕刻氣體而使用氯(Cl2)，使用垂直方向(從透明電極層9向η型GaN層3的方向)的蝕刻佔主導地位的蝕刻條件。如圖3 (b)所示，在蝕刻的最初階段，例如通過蝕刻掩膜21選擇性地蝕刻透明電極層9以及ρ型GaN層7，形成垂直的蝕刻面10a。同吋，蝕刻掩膜21也被蝕刻而變薄。接著，進行蝕刻掩膜21的邊緣21a的蝕刻，從中央向邊緣21a的方向變薄。進而，若進行蝕刻，則如圖3(c)所示，蝕刻掩膜21的邊緣21a的厚度成為O。並且，在其以後的蝕刻中，如圖3(d)所示，蝕刻掩膜21的邊緣21a向中央側後退，透明電極層9的端部逐漸被蝕刻。並且，蝕刻掩膜21的端部的形狀被複製，透明電極層9的厚度從中央側向邊緣變薄。結果，在使η型GaN層3的表面3a露出的同時，能夠形成沿著透明電極層9的邊緣的區域9a。換言之，在將透明電極層9、p型GaN層7以及發光層5去除而使η型GaN層3的表面3a露出的期間，調整蝕刻掩膜21的厚度，以在透明電極層9的端部形成區域9a。接著，例如通過溼式蝕刻來去除蝕刻掩膜21。然後，如圖4所示，在透明電極層9的表面形成P電極13,在η型GaN層3的表面3a形成η電極15。ρ電極13例如利用真空蒸鍍法在透明電極層9的表面將Ni以及Au依次層疊並進行構圖來形成。η電極15例如利用濺射法或蒸鍍法將Ti以及Al依次層疊並進行構圖來形成。通過上述的製造過程完成半導體發光裝置100。並且，將藍寶石基板2的背面研磨並加工成較薄之後，例如利用切割機從晶片切出各個半導體發光裝置100。接著，參照圖5 圖7說明本實施方式的半導體發光裝置的作用。圖5(a) 圖 7 (c)是表示本實施方式的半導體發光裝置100 120、比較例的半導體發光裝置200及300的部分截面的示意圖。例如，圖5(a)所示的半導體發光裝置100中，從發光層5放射井向透明電極層9的端部傳播的發光L1透過區域9a而放出到外部。
相對於此，圖5(b)所示的半導體發光裝置200中，在透明電極層9的端部沒有設置區域9a。並且，以比臨界角大的角度入射到透明電極層9的表面的發光L2在透明電極層9的表面以及蝕刻面IOa上被全反射，在層疊體10的內部一邊反覆反射ー邊衰減。即，向透明電極層9的端部傳播的發光的一部分無法取出到外部。這樣，在本實施方式的半導體發光裝置100中，設置沿著透明電極層9的邊緣的區域9a,減少從發光層5放射的發光的全反射而提高光的取出效率。圖6(a)及(b)是表示半導體發光裝置100及300的電流注入的例的示意圖。圖6(a)表示本實施方式的半導體發光裝置100，圖6(b)表示比較例的半導體發光裝置300。圖6(a)所示的半導體發光裝置100中，透明電極層9的邊緣Em包含於蝕刻面10a。 並且，透明電極層9的邊緣Εμ、ρ型GaN層7的邊緣以及發光層5的邊緣一致，能夠將通過透明電極層9擴散的驅動電流Id注入到發光層5的端部。另ー方面，圖6(b)所示的半導體發光裝置300中，透明電極層9的邊緣形成為比P型GaN層7以及發光層5的邊緣向層疊體10的內側後退We的狀態。因此，即使驅動電流ID通過透明電極層9擴散到ρ型GaN層7中，注入到發光層5的端部分的電流也少，發光強度低。即，半導體發光裝置300中，在發光層5的端部中發光強度降低，實質上的發光面積縮小。因此，半導體發光裝置300的光輸出比半導體發光裝置100低。在半導體發光裝置300的製造過程中，透明電極層9、ρ型GaN層7以及發光層5不被連續地蝕刻，而是在不同エ序中被加工。即，在對透明電極層9進行構圖之後，進行ρ型GaN層7以及發光層5的蝕刻。並且，例如圖3 (a)所示的蝕刻掩膜21設置成覆蓋被構圖的透明電極層9的狀態。因此，如圖6 (b)所示，透明電極層9的邊緣形成為比ρ型GaN層7以及發光層5的邊緣向層疊體10的內側後退We的狀態。相對於此，在本實施方式的半導體發光裝置100中，通過將透明電極層9、p型GaN層7以及發光層5連續蝕刻，使透明電極層9的邊緣EM、p型GaN層7以及發光層5的邊緣一致。由此，能夠擴大發光層5中的放射發光的區域的實質性面積，實現光輸出的提高。圖7(a) 圖7(c)是表示半導體發光裝置100、110及120的電流注入的例的示意圖。在半導體發光裝置100 120中,各自沿著P型GaN層7的表面的方向(橫方向)的、從中央側到邊緣的區域9a的寬度WP(參照圖1(a))不同。在區域9a中，透明電極層9的厚度在邊緣側比在中央側薄，因此在邊緣側，透明電極層9的電阻高，驅動電流Id向邊緣側的擴散得到限制。因此，注入到發光層5的端部的電流減少，發光強度下降。因而，為了擴大發光區域的面積，有利的是縮小區域9a的寬度WP。另ー方面，從參照圖5說明的光的取出效率的觀點來看，為了減少全反射的發光的成分，有利的是區域9a的寬度Wp寬。S卩，區域9a的寬度Wp是考慮發光區域的面積以及光取出效率而形成的。作為ー個基準，能夠考慮層疊體10的層疊方向的厚度TE1。例如，對於注入到發光層5的端部的驅動電流ID，能夠將Wp看作橫方向的電流路徑的長度，將Tei看作層疊方向的電流路徑的長度。並且，在Wp比Tei寬的情況、以及Wp比Tei窄的情況下，區域9a的電阻對注入到發光層5的端部的電流的影響不同。例如，在如圖7(a)所示的半導體發光裝置100中，Wp設置成比層疊體10的層疊方向的厚度Tei窄，與橫方向的電流路徑相比向層疊方向的電流路徑長。因此，透明電極層9的電阻對驅動電流Id的向橫方向的擴散的影響得到緩和，能夠抑制發光層5的端部的發光強度下降。另ー方面，在如圖7(b)所示的半導體發光裝置110中，Wp設置成比Tei寬，與向層疊方向的電流路徑相比橫方向的電流路徑長。因此，區域9a的電阻限制驅動電流Id的橫方向的擴散，減少注入到發光層5的端部的電流。並且，即使作為將Wp設得寬的效果而可以預想到光取出效率提高，但發光層5的端部的發光強度下降的影響較大，光輸出的提高有限。S卩，在半導體發光裝置100中，通過使Wp比Tei窄，能夠抑制發光層5的端部的發光強度下降。並且，在Wp比Tei窄的範圍內，通過將Wp最優化，能夠提高光取出效率而提高光輸出。進而，如圖7 (C)所示的半導體發光裝置120所示，也可以將Wp形成為比層疊在發 光層5上的半導體層(這裡，ρ型GaN層7)的厚度Te2窄。由此，能夠維持驅動電流Id的橫方向的擴散，進ー步抑制發光層5的端部的發光強度下降而提高光輸出。這裡，應注意當透明電極層9的厚度在區域9a與透明電極層9的未被蝕刻的中央部之間連續變化的情況下，無法確定其邊界的位置。因此，作為區域9a的寬度WP，例如定義為從透明電極層9的厚度比未被蝕刻的中央部的厚度薄10%這一點到透明電極層9的邊緣為止的間隔。圖8是表示半導體發光裝置100的光輸出的例的曲線圖。橫軸表示樣品號，縱軸表示光輸出。在樣品號SI S3所示的半導體發光裝置中，在透明電極層9的邊緣沒有形成區域9a，具有透明電極層9的邊緣比ρ型GaN層7的邊緣向層疊體10的內側後退的構造。另ー方面，樣品號S2 S6的光輸出是半導體發光裝置100的數據，可知比SI S3的光輸出高約18%。圖9是表示半導體發光裝置100的光輸出的其他例的曲線圖。橫軸表示在透明電極層9的邊緣形成的錐形狀的區域9a的錐角Θ (參照圖5(a))，縱軸表示光輸出。半導體發光裝置100的晶片尺寸為長邊350 μ m、短邊300 μ m。如圖9所示，可知與錐角Θ為90°的情況(與未形成區域9a的構造對應)的光輸出相比，隨著Θ變小為60°、40°，光輸出提高。這表示通過將區域9a的寬度Wp設得寬，光取出效率提高。層疊體10的厚度為約6 μ m、透明電極層9 (ITO)的厚度為250nm，在Te2 > Wp的範圍內。這樣，本實施方式的半導體發光裝置100中，在沿著透明電極層9的邊緣的區域9a中，將透明電極層9的厚度設為從中央側向邊緣側變薄。由此，能夠提高光取出效率，提高光輸出。進而，將透明電極層9、p型GaN層7以及發光層5連續蝕刻，使透明電極層9的邊緣、P型GaN層7的邊緣以及發光層5的邊緣一致，由此擴大發光區域的面積並提高光輸出。此外，由於將透明電極層9、p型GaN層7以及發光層5連續蝕刻，因此能夠將製造エ序簡單化，降低成本。在上述的半導體發光裝置100的製造過程中示出了作為透明電極層9、p型GaN層7以及發光層5的蝕刻掩膜21而使用SiO2膜的例子，但也可以使用抗蝕劑膜。並且，如圖10所示，也可以將蝕刻掩膜21變形到蝕刻前，將抗蝕劑膜的厚度形成為從中央側向邊緣側的方向變薄。例如，抗蝕劑膜通過以比其軟化溫度高的溫度進行熱處理，能夠變形到在圖10中用21b所示的形狀。
(第2實施方式)圖11是表示第2實施方式的半導體發光裝置的製造方法的示意截面圖。如圖11(a)所示，在本實施方式的製造方法中，利用將SiO2膜31和抗蝕劑膜32層疊而成的蝕刻掩膜33，而對透明電極層9、ρ型GaN層7以及發光層5進行蝕刻。如該圖所示，抗蝕劑膜32以覆蓋SiO2膜31的表面整體的方式形成。圖11(b)是例示出利用蝕刻掩膜33進行乾式蝕刻後的晶片的部分截面的示意圖。如該圖所示，透明電極層9、ρ型GaN層7以及發光層5被蝕刻，露出η型GaN層3的表面3a。並且，沿著透明電極層9的邊緣而形成區域9a。通過將SiO2膜31和抗蝕劑膜32層疊，即使抗蝕劑膜32全部被蝕刻，在透明電極層9的表面也會殘留SiO2膜 31，能夠防止透明電極層9的過蝕刻。(第3實施方式)圖12是表示第3實施方式的半導體發光裝置的製造方法的示意截面圖。如圖12(a)所示，在本實施方式的製造方法中，使用將抗蝕劑膜35和抗蝕劑膜37層疊而成的蝕刻掩膜38。抗蝕劑膜37以覆蓋抗蝕劑膜35的表面整體的方式形成。圖12(b)是例示出利用蝕刻掩膜38進行乾式蝕刻後的晶片的部分截面的示意圖。由於將抗蝕劑膜35和抗蝕劑膜37層疊，由此在抗蝕劑膜37被蝕刻之後在透明電極層9的表面殘留抗蝕劑膜35，防止過蝕刻。例如，抗蝕劑膜35中使用蝕刻速度比抗蝕劑膜37慢的材料。(第4實施方式)圖13是表示第4實施方式的半導體發光裝置的製造方法的示意截面圖。如圖13(a)所示，在本實施方式的製造方法中，例如利用將SiO2膜41、Si02膜42以及SiO2膜43層疊而成的3層的蝕刻掩膜45，對透明電極層9、p型GaN層7以及發光層5進行蝕刻。如該圖所示，SiO2膜42的邊緣比SiO2膜41的邊緣向內側後退而形成,SiO2膜43的邊緣形成為比SiO2膜42的邊緣向內側後退的狀態。圖13(b)是例示出利用蝕刻掩膜45進行乾式蝕刻後的晶片的部分截面的示意圖。如該圖所示，進行蝕刻，以使在對透明電極層9、p型GaN層7以及發光層5進行蝕刻之後在透明電極層9上至少殘留SiO2膜41。由此，能夠防止透明電極層9的過蝕刻。進而，能夠用SiO2膜42以及43的後退幅度來調整沿著透明電極層9的邊緣形成的區域9a的形狀。此外，也可以代替SiO2膜41 43而使用利用了抗蝕劑膜的3層構造的蝕刻掩膜。例如，也可以為正性(positive)抗蝕劑/負性(negative)抗蝕劑/正性抗蝕劑的3層構造。上述的實施方式不限於使用了 GaN類氮化物半導體的半導體發光裝置，也能夠適用於以其他氮化物半導體、AlGaInP類半導體為材料的半導體發光裝置。另外，在本申請說明書中，「氮化物半導體」包含BxInyAlzGa1^zN(O彡x彡I，O彡y彡1，O彡z彡1,0 ^ x+y+z ^ I)的III-V族化合物半導體，進而，作為V族元素，除了 N(氮)以外還包括含有磷(P)或神(As)等的混晶。此外，「氮化物半導體」還包含如下物質、即進ー步包含為了控制導電型等的各種物性而添加的各種元素的物質、以及進ー步包含非有意包含的各種元素的物質。說明了本發明的若干個實施方式，但這些實施方式是作為例子來提示的，並不是要限定發明的範圍。這些新的實施方式能夠以其他的各種方式實施，在不脫離發明的主旨的範圍內能夠進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變形包含在發明的範圍及主旨 中，並且包含在權利要求所記載的發明及其等效範圍中。
權利要求
1.一種半導體發光裝置，具備 層疊體，具有第I導電型的第I半導體層、第2導電型的第2半導體層、以及在上述第I半導體層與上述第2半導體層之間設置的發光層； 透明電極層，設置在上述第2半導體層的表面，使從上述發光層放射的發光透過； 第I電極，與上述透明電極層電連接；以及 第2電極，與上述第I半導體層電連接； 該半導體發光裝置具有沿著上述透明電極層的邊緣的區域，該區域設置成上述透明電極層的厚度在上述邊緣側比在中央側薄。
2.如權利要求I所述的半導體發光裝置，其特徵在幹， 上述透明電極層的邊緣與從上述透明電極層的表面向上述第I半導體層的方向對上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層連續地進行蝕刻而形成的上述第2半導體層的側面相接。
3.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 上述透明電極層的邊緣與上述第2半導體層的邊緣一致。
4.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 在沿著上述透明電極層的邊緣的上述區域中，沿著上述第2半導體層的表面的方向的從中央側到邊緣的上述區域的寬度比上述層疊體的層疊方向的厚度小。
5.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 在沿著上述透明電極層的邊緣的上述區域中，沿著上述第2半導體層的表面的方向的從中央側到邊緣的上述區域的寬度比上述第2半導體層的厚度小。
6.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 上述透明電極層包含導電性氧化膜。
7.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 上述透明電極層包含ITO以及ZnO中的至少ー種。
8.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 沿著上述透明電極層的邊緣的上述區域是從中央側向邊緣變薄的錐狀。
9.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 上述第I半導體層、上述第2半導體層以及發光層分別包含GaN類氮化物半導體。
10.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 上述第I半導體層、上述第2半導體層以及發光層設置在藍寶石基板上。
11.如權利要求I所述的半導體發光裝置， 上述第I半導體層、上述第2半導體層以及發光層分別包含AlGaInP類半導體。
12.—種半導體發光裝置的製造方法，包括如下エ序 在基板上依次形成第I導電型的第I半導體層、發光層以及第2導電型的第2半導體層的エ序； 在上述第2半導體層的表面形成透明電極層的エ序，該透明電極層使從上述發光層放出的發光透過；以及 從上述透明電極層的表面向上述第I半導體層的方向對上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層連續進行蝕刻的エ序，形成沿著上述透明電極層的邊緣的區域，該區域設置成上述透明電極層的厚度在上述邊緣側比在中央側薄。
13.如權利要求12所述的半導體發光裝置的製造方法， 將在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中使用的掩膜的端部的形狀複製到沿著上述透明電極層的邊緣的區域。
14.如權利要求12所述的半導體發光裝置的製造方法， 在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中利用反應性離子蝕刻法。
15.如權利要求14所述的半導體發光裝置的製造方法， 在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中，使用從上述透明電極層向上述第I半導體層的方向的蝕刻佔主導地位的條件。
16.如權利要求12所述的半導體發光裝置的製造方法， 在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中使用的掩膜由氧化矽膜即SiO2構成。
17.如權利要求12所述的半導體發光裝置的製造方法， 在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中使用的掩膜是以比軟化溫度高的溫度處理後的抗蝕劑膜。
18.如權利要求12所述的半導體發光裝置的製造方法， 在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中使用的掩膜是氧化矽膜即SiO2、以及抗蝕劑膜的層疊膜。
19.如權利要求12所述的半導體發光裝置的製造方法， 在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中使用的掩膜是包含多個抗蝕劑膜的層疊膜。
20.如權利要求12所述的半導體發光裝置的製造方法， 在上述透明電極層、上述第2半導體層以及上述發光層的蝕刻中使用的掩膜是包含多個氧化矽膜即SiO2的層疊膜。
全文摘要
一種半導體發光裝置，具備層疊體，該層疊體具有第1導電型的第1半導體層、第2導電型的第2半導體層、以及在上述第1半導體層與上述第2半導體層之間設置的發光層。並且具備透明電極層，設置在上述第2半導體層的表面，使從上述發光層放射的發光透過；第1電極，與上述透明電極層電連接；以及第2電極，與上述第1半導體層電連接。並且，具有沿著上述透明電極層的邊緣的區域，該區域設置成上述透明電極層的厚度在上述邊緣側比在中央側薄。
文檔編號H01L33/00GK102694099SQ20121005499
公開日2012年9月26日 申請日期2012年3月5日 優先權日2011年3月23日
發明者衣川佳之 申請人:株式會社東芝