隔離結構和製造隔離結構的方法與流程

2023-06-14 13:38:22

相關申請的交叉引用

本申請要求於2015年12月23日提交的申請號為10-2015-0184820的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用併入本文。

示例性實施例涉及半導體器件，更具體地，涉及隔離結構和製造隔離結構的方法。

背景技術：

當半導體器件高度集成時，要求具有更小寬度的隔離結構。可以通過在襯底中形成溝槽並在溝槽中填充電介質層來形成隔離結構。有源區可以由隔離結構限定。

但是，當有源區的臨界尺寸或圖案大小減小時，在有源區中發生傾斜現象或彎曲現象。

技術實現要素：

各個實施例涉及能夠防止傾斜現象和彎曲現象的隔離結構、用於製造隔離結構的方法以及用於製造包括隔離結構的半導體器件的方法。

在一個實施例中，一種製造半導體器件的方法可以包括：在襯底中形成第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽和第二溝槽互相連通，第二溝槽可以形成得比第一溝槽寬；在第一溝槽的內表面之上和在第二溝槽的內表面之上形成內襯層；在內襯層之上形成覆蓋層，以形成融合的懸垂部分和未融合的懸垂部分，融合的懸垂部分可以填充第一溝槽的頂部部分，未融合的懸垂部分可以使第二溝槽的頂部部分開口；並且在覆蓋層之上形成間隙填充層，以填充第一溝槽和第二溝槽的下部部分。融合的懸垂部分可以在第一溝槽的下部部分中限定第一間隙，未融合的懸垂部分可以在第二溝槽中限定第二間隙，第一間隙和第二間隙互相連通，並且間隙填充層可以填充第一間隙和第二間隙，並且從第二間隙延伸到第一間隙。所述方法還可以包括：使間隙填充層和覆蓋層平坦化，以在第一溝槽和第二溝槽中形成隔離結構，平坦化的間隙填充層可以包括設置在第一溝槽中的第一平坦化的間隙填充層和設置在第二溝槽中的第二平坦化的間隙填充層，第一平坦化的間隙填充層可以被融合的懸垂部分完全覆蓋，並且第二平坦化的間隙填充層可以形成在第一溝槽的頂部側壁之上。可以通過等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)或低溫原子層沉積(ald)形成覆蓋層。覆蓋層可以包括氧化物基材料。形成內襯層可以包括在第一溝槽的內部表面之上和在第二溝槽的內部表面之上形成種子矽層；並且在種子矽層之上形成非晶矽層。所述方法還可以包括，在形成內襯層之後，將內襯層轉化成氧化矽層。可以通過自由基氧化或幹法氧化來執行將內襯層轉化成氧化矽層。形成內襯層可以包括在第一溝槽的內部表面之上和在第二溝槽的內部表面之上形成第一氧化物層；執行氧化過程，以在第一溝槽和第二溝槽的內部表面與第一氧化物層之間形成第二氧化物層。可以通過自由基氧化或幹法氧化來執行氧化過程。形成間隙填充層可以包括：在覆蓋層之上形成第一電介質層，第一電介質層基本上完全填充第一溝槽並且部分填充第二溝槽；並且在第一電介質層之上形成第二電介質層，以填充第二溝槽。第一電介質層可以包括氮化物，並且第二電介質層可以包括氧化物。第一電介質層和第二電介質層中的每一個可以包括氮化物。所述方法還可以包括使間隙填充層和覆蓋層平坦化，以在第一溝槽和第二溝槽中形成隔離結構，隔離結構限定有源區；形成跨越隔離結構和有源區延伸的柵溝槽；在柵溝槽的內部表面之上形成柵電介質層；在柵電介質層之上形成柵層，以填充柵溝槽；使柵層凹陷，以形成柵電極，從而使柵電極保留在柵溝槽中；並且在柵電極之上並且在柵溝槽中形成柵覆蓋層。所述方法還可以包括使柵溝槽下的隔離結構凹陷，以形成鰭區。形成柵電介質層可以包括在柵溝槽的內部表面之上形成矽層；並且將矽層轉化成氧化矽層。形成柵電介質層可以包括在柵溝槽的內部表面之上形成氮化矽層；並且將氮化矽層轉化成氧化矽層。形成柵電介質層可以包括在柵溝槽的內部表面之上形成第一氧化矽層；並且執行氧化過程，以在柵溝槽的內部表面與第一氧化矽層之間形成第二氧化矽層。所述方法還可以包括在每一個有源區中形成第一接觸節點和第二接觸節點；形成耦合到第一接觸節點的位線；並且形成耦合到第二接觸節點的存儲元件。第一溝槽和第二溝槽可以限定有源區。有源區可以包括由第一溝槽限定並且由融合的懸垂部分支撐的第一對有源區；以及由第二溝槽限定的第二對有源區。

在一個實施例中，一種用於製造半導體器件的方法可以包括：在襯底中形成第一溝槽和第二溝槽以限定多個有源區，第一溝槽和第二溝槽互相連通，第二溝槽形成得比第一溝槽寬；在第一溝槽的內部表面之上和在第二溝槽的內部表面之上形成矽層；在矽層之上形成第一氧化物層；並且執行矽層和第一氧化物層的氧化過程，以形成第二氧化物層，第二氧化物層基本上完全填充第一溝槽。可以通過自由基氧化執行氧化過程。第一氧化物層可以包括可流動的氧化物。第一氧化物層可以包括含氫的氧化矽。矽層可以包括非晶矽。所述方法還可以包括在第二氧化物層之上形成氮化物層，以使氮化物層填充第二溝槽；使氮化物層和第二氧化物層平坦化，以在第一溝槽和第二溝槽中形成隔離結構；形成跨越隔離結構和有源區延伸的柵溝槽；並且在柵溝槽的內部表面之上形成柵電介質層。所述方法還可以包括使位於柵溝槽下的隔離結構凹陷，以形成鰭區。形成柵電介質層可以包括在柵溝槽的內部表面之上形成內襯矽層；並且將內襯矽層轉化成氧化矽層。形成柵電介質層可以包括在柵溝槽的內部表面之上形成氮化矽層；並且將氮化矽層轉化成氧化矽層。形成柵電介質層可以包括在柵溝槽的內部表面之上形成第一氧化矽層；並且執行氧化過程，以在柵溝槽的內部表面與第一氧化矽層之間形成第二氧化矽層。所述方法還可以包括在柵電介質層之上形成柵層，以填充柵溝槽；使柵層凹陷，以在柵溝槽中形成柵電極；並且在柵電極之上並且在柵溝槽中形成柵覆蓋層。所述方法還可以包括形成耦合到每一個有源區的第一接觸節點的位線；並且形成耦合到每一個有源區的第二接觸節點的存儲元件。

附圖說明

圖1a和圖1b是根據第一實施例的半導體器件的平面圖。

圖1c是沿圖1b的線a-a』截取的截面圖。

圖2a至圖2f示出了用於製造根據第一實施例的半導體器件的方法。

圖3a和圖3b是根據第二實施例的半導體器件的平面圖和截面圖。

圖4a至圖4e示出了用於製造根據第二實施例的半導體器件的方法。

圖5a和圖5b是根據第三實施例的半導體器件的平面圖和截面圖。

圖6a至圖6e示出了用於製造根據第三實施例的半導體器件的方法。

圖7a至圖7g示出了用於製造根據實施例的存儲單元的方法。

圖8是根據圖7g的存儲單元陣列的平面圖。

圖9是將第三實施例應用到其上的存儲單元陣列。

圖10是將第一實施例應用到其上的存儲單元陣列。

具體實施方式

以下將參考附圖更詳細地描述各個實施例。但是，本發明可以不同的形式體現，並應該理解為不限於在此列出的實施例。相反，提供這些實施例，以使本公開徹底和完整，並且將本發明範圍充分地傳達給本領域技術人員。在本公開中，相同的附圖標記在各個圖和本發明的實施例中是指相同的部件。

附圖並不一定成比例，並且在某些情況下，比例可能被誇大，以清楚地展示實施例的特徵。當第一層被稱為是在第二層「上」或在襯底「上」時，不只是指第一層直接形成在第二層或襯底上的情況，而且還指第三層存在於第一層與第二層或襯底之間的情況。

圖1a和圖1b是根據第一實施例的半導體器件的平面圖。圖1a是有源區和溝槽的細節圖。圖1b是形成有隔離結構的半導體器件的平面圖。圖1c是沿圖1b的線a-a』截取的截面圖。

參見圖1a至圖1c，半導體器件100可以包括襯底101。限定多個有源區104的隔離結構i100可以形成在襯底101中。

多個有源區104可以限定為島狀或棒狀。多個有源區104中的每一個可以具有沿第一方向x的短軸和沿第二方向y的長軸。長軸可以具有第一寬度w11，而短軸可以具有第二寬度w12。多個有源區104可以在它們沿第一方向x和第二方向y彼此間隔開的狀態下重複地形成。在多個有源區104之中，沿第二方向y彼此鄰近的一對有源區104y可以布置為僅它們的一部分沿第二方向y互相重疊。

第一方向x和第二方向y可以互相垂直。多個有源區104可以相對於第三方向x1和第四方向y1傾斜。第三方向x1和第四方向y1可以互相垂直。沿第一方向x鄰近的有源區104可以具有第一間隔xa和第二間隔xb。第一間隔xa可以小於第二間隔xb。硬掩模層102可以形成在有源區104上。

隔離結構i100可以形成在溝槽103中。可以通過使用硬掩模層102刻蝕襯底101來形成溝槽103。溝槽103可以包括多個第一溝槽103a和比第一溝槽103a寬的多個第二溝槽103b。第一溝槽103a可以具有第一間隔xa，而第二溝槽103b可以具有第二間隔xb。第一溝槽103a可以沿第一方向x限定第一對有源區104xa。第二溝槽103b可以沿第一方向x限定第二對有源區104xb。

隔離結構i100可以包括內襯和間隙填充層108。內襯可以包括第二氧化物內襯105和第一氧化物內襯106。隔離結構i100可以包括多個第一部分i101和多個第二部分i102。隔離結構i100的第一部分i101可以形成在第一溝槽103a中。隔離結構i100的第二部分i102可以形成在第二溝槽103b中。隔離結構i100的第一部分i101和第二部分i102可以是連續的並互相連通。

隔離結構i100的第一部分i101和第二部分i102可以由相同的材料形成。例如，第一溝槽103a和第二溝槽103b可以用第一氧化物內襯106和第二氧化物內襯105作為內襯，並且有內襯的溝槽103的第一溝槽103a和第二溝槽103b可以完全填充有間隙填充層108。第一氧化物內襯106和第二氧化物內襯105可以包括氧化矽。以此方式，隔離結構i100可以是雙氧化物內襯結構。

隔離結構i100還可以包括覆蓋層107。覆蓋層107可以形成在第二氧化物內襯105與間隙填充層108之間。覆蓋層107可以共形地覆蓋溝槽103的底部和側壁，並且在第二氧化物內襯105上。覆蓋層107可以包括懸垂部分107a，懸垂部分定位在溝槽103側壁的頂部處。由於懸垂部分107a，覆蓋層107可以具有融合部分107m。融合部分107m可以是由覆蓋層107的懸垂部分107a互相接觸並由此遮擋溝槽103(尤其是第一溝槽103a)的入口而形成的一部分。懸垂部分107a甚至可以形成在第二溝槽103b中。融合部分107m不形成在第二溝槽103b中。覆蓋層107可以包括氧化矽。

隔離結構i100的第一部分i101可以比第二部分i102窄。形成在隔離結構i100的第一部分i101中的間隙填充層108在寬度上可以比形成在第二部分i102中的間隙填充層108窄。間隙填充層108可以包括氧化矽、氮化矽或其組合。間隙填充層108可以包括第一電介質層108a和第二電介質層108b。第一電介質層108a完全填充第一溝槽103a並且部分填充第二溝槽103b。第二電介質層108b在第一電介質層108a之上填充第二溝槽103b。第一電介質層108a可以包括氮化矽，並且第二電介質層108b可以包括氧化矽。在另一實施例中，第一電介質層108a和第二電介質層108b可以包括氮化矽。

根據以上描述，隔離結構i100可以包括覆蓋層107，具體地是融合部分107m和懸垂部分107a，由此，可以防止有源區104的彎曲和傾斜。

圖2a至圖2f示出了用於製造根據第一實施例的半導體器件的方法。圖2a至圖2f示出了沿圖1b的線a-a』截取的截面圖。

如圖2a所示，可以形成溝槽13。一個或多個溝槽13可以形成在襯底11中。溝槽13可以包括多個第一溝槽13a和多個第二溝槽13b。第一溝槽13a和第二溝槽13b可以分別具有第一寬度w1和第二寬度w2。第一寬度w1可以小於第二寬度w2。第一寬度w1和第二寬度w2可以分別對應於圖1a的第一間隔xa和第二間隔xb。

通過第一溝槽13a和第二溝槽13b，可以限定多個有源區14。每個有源區14可以具有第三寬度w12。第三寬度w12可以是沿有源區14的短軸(見圖1a)測量的寬度。第一溝槽13a可以限定第一對有源區14a。第二溝槽13b可以限定第二對有源區14b。為了形成溝槽13，硬掩模層12可以形成在襯底11上。硬掩模層12可以包括開口12a。開口12a可以限定溝槽13。

襯底11可以包括半導體襯底。襯底11可以是含矽材料，即，矽基材料。襯底11可以是矽襯底、矽鍺襯底或絕緣體上矽(soi)襯底。硬掩模層12可以包括相對於襯底11具有刻蝕選擇性的材料。硬掩模層12可以包括氧化物、氮化物或其組合。例如，硬掩模層12可以包括氧化矽，如，正矽酸乙酯(teos)。

如圖2b所示，可以形成內襯層15。內襯層15可以共形地形成在襯底11上。內襯層15可以在溝槽13的底部和側壁形成內襯。此外，內襯層15可以覆蓋硬掩模層12的側壁和頂表面。在隨後的氧化過程中，內襯層15可以使有源區14的側壁的氧化最小化。內襯層15可以包括氧化物層。內襯層15可以形成為高溫氧化物(hto)層。高溫氧化物(hto)層是指在高溫下沉積的氧化物層。內襯層15可以是高溫氧化矽層。

根據當前實施例的內襯層15可以具有良好的階梯覆蓋。形成有內襯層15的溝槽13可以被稱為「有內襯的溝槽」。

如圖2c所示，可以執行氧化過程16。形成有內襯層15的溝槽13可以暴露在氧化過程16中。由於氧化過程16，可以消除在形成溝槽13的過程中產生的刻蝕損傷。可以通過氧化過程16形成氧化物層17。氧化過程16和沉積內襯層15的工藝可以在原位執行，即，沒有打斷或中斷。由於內襯層15，可以使有源區14的側壁的氧化最小化。即，可以使溝槽13的側壁上的氧化最小。因此，可以使矽的損失最小化。

在氧化過程16中，因為氧穿過內襯層15並與溝槽13側壁上的矽耦合，所以與通過在形成溝槽13的狀態下執行直接氧化過程而形成的側壁氧化物相比，氧化物層17可以形成為薄的厚度。因為溝槽13側壁上的矽的損失最小化，所以不發生有源區14側壁的大量損失。因此，有源區14可以基本保持臨界尺寸。

氧化物層17可以比內襯層15薄。因為內襯層15提前形成，即使通過氧化過程16形成氧化物層17，溝槽13的內部空間也可以不大幅變窄。

氧化物層17可以是氧化矽。氧化物層17也可以形成在硬掩模層12與有源區14的界面處。

可以使用自由基氧化過程來執行用於形成氧化物層17的氧化過程16，以抑制有源區14的側壁的損失。在另一實施例中，可以在氧氣氣氛下使用幹法氧化過程來執行氧化過程16。

形成有氧化物層17和內襯層15的溝槽13可以被稱為有內襯的溝槽。內襯層15和氧化物層17可以統稱為氧化物內襯。

如圖2d所示，覆蓋層18可以形成在內襯層15上。覆蓋層18可以具有差的階梯覆蓋。即，溝槽13頂部處的厚度、溝槽13側壁處的厚度以及溝槽13底表面處的厚度可以互不相同。由於這種差的階梯覆蓋，懸垂部分18a可以形成在溝槽13的頂部處。此外，由於懸垂部分18a，覆蓋層18可以具有融合部分18m。每個融合部分18m可以是由覆蓋層18的懸垂部分18a互相接觸並由此遮擋溝槽13(具體是第一溝槽13a)的入口而形成的一部分。

懸垂部分18a甚至可以形成在第二溝槽13b中。融合部分18m不形成在第二溝槽13b中。因為第二溝槽13b比第一溝槽13a寬，所以懸垂部分18a形成在第二溝槽13b中，而融合部分18m不形成在第二溝槽13b中。

間隙18g可以由覆蓋層18的懸垂部分18a和融合部分18m形成。形成在第一溝槽13a中的間隙18g可以比形成在第二溝槽13b中的間隙18g窄。形成在第二溝槽13b中的間隙18g可以暴露到外部。形成在第一溝槽13a中的間隙18g可以被融合部分18m覆蓋。間隙18g可以從第二溝槽13b的內側延伸到第一溝槽13a的內側。

有源區14的頂部可以被懸垂部分18a和融合部分18m保護。更詳細地，相鄰有源區14的頂部的側壁可以被懸垂部分18a和融合部分18m支撐。在隨後的間隙填充工藝中，懸垂部分18a和融合部分18m可以用作相鄰有源區14的支撐。由於形成在第二溝槽13b中的間隙18g，可以確保用於隨後的間隙填充工藝的路徑。形成在第二溝槽13b中的間隙18g可以是開放型的，並且可以在融合部分18m之下延伸到形成在第一溝槽13a中的間隙18g。形成在第一溝槽13a中的間隙18g可以是被融合部分18m關閉的類型。

覆蓋層18可以由氧化物形成。為了形成具有懸垂部分18a和融合部分18m的覆蓋層18，可以應用等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)。覆蓋層18可以由矽烷(sih4)基氧化矽形成。在另一實施例中，覆蓋層18可以通過原子層沉積(ald)來沉積。在應用原子層沉積的情況下，為了引入差的階梯覆蓋，可以在低溫下沉積覆蓋層18。

如圖2e所示，可以執行間隙填充工藝。例如，間隙填充層19可以形成在覆蓋層18上。間隙18g可以填充有間隙填充層19。因此，間隙填充層19可以同時填充在第一溝槽13a和第二溝槽13b中。間隙填充層19可以包括氧化物、氮化物或其組合。在當前實施例中，間隙填充層19可以包括氮化矽。因此，有內襯的溝槽13可以填充有氮化矽。在另一實施例中，間隙填充層19可以包括第一電介質層19a和第二電介質層19b。第一電介質層19a完全填充第一溝槽13a並且部分填充第二溝槽13b。第二電介質層19b在第一電介質層19a之上填充第二溝槽13b。第一電介質層19a可以包括氮化矽，而第二電介質層19b可以包括氧化矽。在另一實施例中，第一電介質層108a和第二電介質層108b可以包括氮化矽。

填充在有內襯的溝槽13的第一溝槽13a中的間隙填充層19和填充在有內襯的溝槽13的第二溝槽13b中的間隙填充層19可以具有不同的厚度。間隙填充層19的厚度差可以引起拉應力，並導致有源區14的傾斜和彎曲。在當前實施例中，可以通過覆蓋層18的懸垂部分18a和融合部分18m來防止有源區14的傾斜和彎曲。

如圖2f所示，可以執行平坦化工藝，直到暴露硬掩模層12的頂表面為止。例如，可以從硬掩模層12的頂部去除間隙填充層19、覆蓋層18和內襯層15。因此，可以在溝槽13中保留間隙填充層19'、氧化物層17和內襯層15'。氧化物層17可以不暴露在平坦化工藝中。在平坦化工藝之後，可以保留覆蓋層18'的懸垂部分18a和融合部分18m。

在下文，氧化物層17將被稱為第一氧化物內襯17，而內襯層15'將被稱為第二氧化物內襯15'。

隔離結構20可以形成在溝槽13中。隔離結構20可以包括形成在溝槽13底部和側壁上的第一氧化物內襯17、形成在第一氧化物內襯17上的第二氧化物內襯15'以及填充溝槽13並形成在第二氧化物內襯15'上的間隙填充層19'。隔離結構20還可以包括覆蓋層18'，並且覆蓋層18'可以定位在間隙填充層19'與第二氧化物內襯15'之間。

在間隙填充層19'包括氧化物的情況下，隔離結構20可以變成完全填充有氧化物基材料的結構。在間隙填充層19'包括氮化物的情況下，隔離結構20可以填充有氧化物基材料和氮化物基材料。隔離結構20可以包括多個第一部分20a和多個第二部分20b。隔離結構20的第一部分20a可以填充在第一溝槽13a中。隔離結構20的第二部分20b可以填充在第二溝槽13b中。隔離結構20的第一部分20a和第二部分20b可以由相同的材料形成。在當前實施例中，第一溝槽13a和第二溝槽13b可以用第一氧化物內襯17和第二氧化物內襯15'作為內襯，並且有內襯的溝槽13的第一溝槽13a和第二溝槽13b可以完全填充有間隙填充層19'。

隔離結構20的第一部分20a可以包括懸垂部分18a和融合部分18m。隔離結構20的第二部分20b可以僅包括懸垂部分18a，而可以不包括融合部分18m。即，隔離結構20的第二部分20b可以是無融合部分。形成在隔離結構20的第一部分20a中的間隙填充層19'可以比形成在第二部分20b中的間隙填充層19'窄。隔離結構20的第一部分20a可以比第二部分20b窄。

根據第一實施例，可以通過形成具有懸垂部分18a和融合部分18m的覆蓋層18來防止有源區14的傾斜和彎曲。

圖3a和圖3b是根據第二實施例的半導體器件的平面圖和截面圖。根據第二實施例的半導體器件200的某些組件可以類似於根據第一實施例的半導體器件100的那些組件。

參見圖3a和圖3b，半導體器件200可以包括多個有源區104和限定多個有源區104的隔離結構i200。隔離結構i200可以形成在溝槽103中。有源區104和溝槽103可以具有與圖1a所示的相同的形狀。

可以通過使用硬掩模層102刻蝕襯底101來形成溝槽103。溝槽103可以包括多個第一溝槽103a和比第一溝槽103a寬的多個第二溝槽103b。隔離結構i200可以包括氧化物內襯201和間隙填充層203。隔離結構i200可以包括多個第一部分i201和多個第二部分i202。隔離結構i200的第一部分i201可以形成在第一溝槽103a中。隔離結構i200的第二部分i202可以形成在第二溝槽103b中。隔離結構i200的第一部分i201和第二部分i202可以是連續的並互相連接。隔離結構i200的第一部分i201和第二部分i202可以由相同的材料形成。例如，第一溝槽103a和第二溝槽103b可以用氧化物內襯201作為內襯，並且有內襯的溝槽103的第一溝槽103a和第二溝槽103b可以完全填充有間隙填充層203。氧化物內襯201可以包括氧化矽。隔離結構i200可以是單氧化物內襯結構。

隔離結構i200還可以包括覆蓋層202。覆蓋層202可以形成在氧化物內襯201與間隙填充層203之間。覆蓋層202可以共形地覆蓋溝槽103的底部和側壁，並且可以形成在氧化物內襯201上。

覆蓋層202可以包括懸垂部分202a，懸垂部分定位在溝槽103側壁的頂部處。由於懸垂部分202a，覆蓋層202可以具有融合部分202m。每個融合部分202m可以是由覆蓋層202的懸垂部分202a互相接觸並由此遮擋溝槽103(具體是第一溝槽103a)的入口而形成的一部分。懸垂部分202a甚至可以形成在第二溝槽103b中。融合部分202m不形成在第二溝槽103b中。覆蓋層202可以包括氧化矽。

隔離結構i200的第一部分i201可以比第二部分i202窄。形成在隔離結構i200的第一部分i201中的間隙填充層203可以比形成在第二部分i202中的間隙填充層203窄。間隙填充層203可以包括氧化矽、氮化矽或其組合。間隙填充層203可以包括第一電介質層203a和第二電介質層203b。第一電介質層203a完全填充第一溝槽103a並且部分填充第二溝槽103b。第二電介質層203b在第一電介質層203a之上填充第二溝槽103b。第一電介質層203a可以包括氮化矽，而第二電介質層203b可以包括氧化矽。在另一實施例中，第一電介質層203a和第二電介質層203b可以包括氮化矽。

根據以上描述，隔離結構i200可以包括覆蓋層202，具體地是融合部分202m和懸垂部分202a，由此，可以防止有源區104的彎曲和傾斜。

圖4a至圖4e示出了用於製造根據第二實施例的半導體器件的方法。除了根據第二實施例的內襯層31可以與第一實施例的內襯層15不同之外，根據第二實施例的製造方法可以類似於根據第一實施例的製造方法。

如圖4a所示,可以形成內襯層31。內襯層31可以共形地形成在襯底11上，襯底11形成有溝槽13。內襯層31可以覆蓋溝槽13的底部和側壁。此外，內襯層31可以覆蓋硬掩模層12的側壁和頂表面。在隨後的氧化過程中，內襯層31可以防止有源區14的側壁的氧化。此外，內襯層31可以抑制有源區14的側壁上的矽的損失。

內襯層31可以包括能夠在隨後的氧化過程中轉化成氧化材料的材料。即，內襯層31可以包括能夠在隨後的氧化過程中被氧化的材料。內襯層31可以包括含矽材料。內襯層31可以形成為矽層。內襯層31可以形成為非晶矽層。內襯層31可以被稱為有內襯的矽層。內襯層31可以通過低壓化學氣相沉積(lpcvd)來沉積。

為了改善粗糙度，可以在沉積種子層(未示出)之後沉積內襯層31。可以使用二異丙基氨基矽烷(dipas)氣體來沉積種子層。即，種子層可以是矽層。可以使用乙矽烷(si2h6)氣體來沉積內襯層31。可以在380℃至510℃的溫度下沉積內襯層31。內襯層31可以被沉積成至的厚度。在直接沉積內襯層31而不使用種子層的情況下，粗糙度可能變差，因此隨後的氧化過程的均勻性可能降低。

根據當前實施例的內襯層31可以具有良好的階梯覆蓋。內襯層31在溝槽13的頂部處、在溝槽13的側壁處以及在溝槽13的底部表面處可以具有相同的厚度。

如圖4b所示，覆蓋層18可以形成在內襯層31上。覆蓋層18可以具有差的階梯覆蓋。即，覆蓋層18在溝槽13頂部處、在溝槽13側壁處以及在溝槽13底表面處的厚度可以互不相同。由於這種差的階梯覆蓋，懸垂部分18a可以形成在溝槽13的頂部處。兩個或更多個懸垂部分18a結合，以形成融合部分18m。每個融合部分18m可以是由覆蓋層18的懸垂部分18a互相接觸並由此遮擋溝槽13(具體是第一溝槽13a)的入口而的形成的一部分。

間隙18g可以由融合部分18m形成。懸垂部分18a甚至可以形成在第二溝槽13b中。融合部分18m不形成在第二溝槽13b中。間隙18g可以從第二溝槽13b的內側延伸到第一溝槽13a的內側。因為第二溝槽13b比第一溝槽13a寬，所以僅懸垂部分18a形成在第二溝槽13b中，而融合部分18m不形成在第二溝槽13b中。

有源區14的頂部可以被懸垂部分18a和融合部分18m保護。具體地，相鄰有源區14的頂部的側壁可以被懸垂部分18a和融合部分18m支撐。在隨後的氧化和間隙填充工藝中，懸垂部分18a和融合部分18m可以用作相鄰有源區14的支撐。由於間隙18g，可以確保用於隨後的氧化過程和間隙填充工藝的路徑。

覆蓋層18可以由氧化物形成。為了形成具有懸垂部分18a和融合部分18m的覆蓋層18，可以應用等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)。覆蓋層18可以由矽烷(sih4)基氧化矽形成。在另一實施例中，覆蓋層18可以通過原子層沉積(ald)來沉積。在應用原子層沉積的情況下，為了引入差的階梯覆蓋，可以在低溫下沉積覆蓋層18。覆蓋層18可以被沉積成至的厚度。

如圖4c所示，內襯層31可以轉化成氧化物內襯層33。轉化可以包括氧化過程32。內襯層31可以暴露在氧化過程32中。通過氧化過程32，可以消除在形成溝槽13的過程中產生的刻蝕損傷。內襯層31可以通過氧化過程32氧化。結果,可以形成氧化物內襯層33。可以在原位置執行內襯層31的沉積過程和內襯層31的氧化過程32。在內襯層31的氧化過程32中，可以抑制有源區14的側壁的氧化。即，可以抑制溝槽13的側壁上的氧化。因此，可以防止矽的損失。

因為內襯層31通過氧化過程32氧化，所以有源區14可以保持與氧化過程32之前相同的尺寸。因為不發生溝槽13側壁上的矽的損失，所以不發生有源區14的側壁的損失。氧化物內襯層33可以形成比通過在形成溝槽13的狀態下執行直接氧化過程而形成的氧化物內襯層薄的厚度。例如，因為容易控制內襯層31的沉積厚度，所以氧化物內襯層33也可以形成為薄的厚度。直接氧化過程是指一般的側壁熱氧化過程。在通過一般的側壁熱氧化而形成氧化物內襯的情況下，不容易控制厚度，因此可能發生有源區14的側壁的損失。

氧化物內襯層33可以具有與內襯層31相同的厚度或比內襯層31厚的厚度。為了防止間隙填充層在溝槽13中差的間隙填充，氧化物內襯層33的厚度可以被控制到或之下。因為內襯層31提前形成，即使通過氧化過程32來形成氧化物內襯層33，溝槽13的內部空間也不會大幅變窄。

由於氧化過程32，內襯層31可以轉化成氧化物內襯層33。氧化物內襯層33可以是氧化矽。氧化物內襯層33可以是當內襯層31完全氧化時產生的sio2。氧化物內襯層33可以覆蓋硬掩模層12的側壁和頂表面。

可以使用能夠將內襯層31有效地轉化成氧化材料同時抑制有源區14側壁的損失的自由基氧化過程來執行用於形成氧化物內襯層33的氧化過程32。可以在750℃至900℃的溫度下執行自由基氧化過程。在另一實施例中，可以在氧氣氣氛下使用幹法氧化過程來執行氧化過程32。可以在800℃至900℃的溫度下執行幹法氧化過程。

在如上所述的內襯層31的氧化過程32中，可以發生有源區14的傾斜現象。在當前實施例中，為了防止傾斜現象，在氧化過程32之前形成覆蓋層18。覆蓋層18的融合部分18m可以用作防止有源區14傾斜的支撐。形成有氧化物內襯層33的溝槽13可以被稱為有內襯的溝槽。

如圖4d所示，可以執行間隙填充工藝。例如，間隙填充層19可以形成在覆蓋層18上。間隙18g可以填充有間隙填充層19。因此，間隙填充層19可以同時填充在第一溝槽13a和第二溝槽13b中。間隙填充層19可以包括氧化物、氮化物或其組合。在當前實施例中，間隙填充層19可以包括氮化矽，以便有內襯的溝槽13可以填充有氮化矽。在另一實施例中，間隙填充層19可以包括第一電介質層19a和第二電介質層19b。第一電介質層19a完全填充第一溝槽13a並且部分填充第二溝槽13b。第二電介質層19b在第一電介質層19a之上填充第二溝槽13b。第一電介質層19a可以包括氮化矽，而第二電介質層19b可以包括氧化矽。在另一實施例中，第一電介質層108a和第二電介質層108b可以包括氮化矽。

填充在有內襯的溝槽13的第一溝槽13a中的間隙填充層19和填充在有內襯的溝槽13的第二溝槽13b中的間隙填充層19可以具有不同的厚度。間隙填充層19的厚度差可以引起拉應力，從而有可能發生有源區14的彎曲。在當前實施例中，可以通過覆蓋層18的融合部分18m來防止有源區14的彎曲。間隙填充層19可以在550℃至630℃的溫度下沉積到至的厚度。為了使縫最小化，間隙填充層19可以通過原子層沉積(ald)來沉積。

如圖4e所示，可以執行平坦化工藝，直到暴露硬掩模層12的頂表面為止。例如，可以從硬掩模層12的頂部去除間隙填充層19、覆蓋層18和氧化物內襯層33。結果，可以在溝槽13中保留間隙填充層19'、覆蓋層18'和氧化物內襯33'。在平坦化工藝之後，可以在溝槽13中保留覆蓋層18'的懸垂部分18a和融合部分18m。

隔離結構34可以形成在溝槽13中。隔離結構34可以包括(i)形成在溝槽13底部和側壁上的氧化物內襯33'以及(ii)填充溝槽13並形成在氧化物內襯33'上的間隙填充層19'。隔離結構34還可以包括覆蓋層18'，並且覆蓋層18'可以定位在間隙填充層19'與氧化物內襯33'之間。在間隙填充層19'包括氧化物的情況下，隔離結構34可以變成完全填充有氧化物基材料的結構。在間隙填充層19'包括氮化物的情況下，隔離結構34可以完全填充有氧化物基材料和氮化物基材料。

隔離結構34可以包括多個第一部分34a和多個第二部分34b。隔離結構34的第一部分34a可以填充在第一溝槽13a中。隔離結構34的第二部分34b可以填充在第二溝槽13b中。隔離結構34的第一部分34a和第二部分34b可以由相同的材料形成。

在當前實施例中，第一溝槽13a和第二溝槽13b可以用氧化物內襯33'作為內襯，並且有內襯的溝槽13的第一溝槽13a和第二溝槽13b可以完全填充有間隙填充層19'。隔離結構34的第一部分34a可以包括融合部分18m，而隔離結構34的第二部分34b可以不包括融合部分18m。即，隔離結構34的第二部分34b可以是無融合部分。隔離結構34的第一部分34a可以比第二部分34b窄。形成在隔離結構34的第一部分34a中的間隙填充層19'可以比形成在第二部分34b中的間隙填充層19'窄。

根據第二實施例，可以通過形成具有懸垂部分18a和融合部分18m的覆蓋層18來防止在氧化過程32中有源區14的傾斜。此外，可以通過覆蓋層18的懸垂部分18a和融合部分18m來防止有源區14的彎曲。

圖5a和圖5b是示出了根據第三實施例的半導體器件的平面圖和截面圖。根據第三實施例的半導體器件300的某些組件可以類似於根據第一實施例的半導體器件100的那些組件。

參見圖5a和圖5b，半導體器件300可以包括多個有源區104和限定多個有源區104的隔離結構i300。隔離結構i300可以形成在溝槽103中。有源區104和溝槽103可以具有與圖1a所示的有源區和溝槽相同的形狀。

可以通過使用硬掩模層102刻蝕襯底101來形成溝槽103。溝槽103可以包括多個第一溝槽103a和比第一溝槽103a寬的多個第二溝槽103b。隔離結構i300可以包括氧化物內襯301和間隙填充層。隔離結構i300可以包括多個第一部分i301和多個第二部分i302。隔離結構i300的第一部分i301可以形成在第一溝槽103a中。隔離結構i300的第二部分i302可以形成在第二溝槽103b中。隔離結構i300的第一部分i301和第二部分i302可以是連續的。

隔離結構i300的第一部分i301和第二部分i302可以由不同的材料形成。例如，第一溝槽103a可以用氧化物內襯301作為內襯，並且有內襯的溝槽103的第一溝槽103a可以完全填充有間隙填充氧化物層302。氧化物內襯301可以包括氧化矽。第二溝槽103b可以用氧化物內襯301和間隙填充氧化物層302作為內襯，並且有內襯的溝槽103的第二溝槽103b可以完全填充有間隙填充氮化物層303。氧化物內襯301和間隙填充氧化物層302可以包括氧化矽。間隙填充氮化物層303可以包括氮化矽。

隔離結構i300的第一部分i301可以比第二部分i302窄。隔離結構i300的第一部分i301和第二部分i302可以具有不同的間隙填充材料。例如，第一部分i301可以填充有間隙填充氧化物層302，並且第二部分i302可以填充有間隙填充氮化物層303。

根據以上描述，隔離結構i300可以包括間隙填充氧化物層302，由此可以防止有源區104的彎曲和傾斜。

圖6a至圖6e示出了用於製造根據第三實施例的半導體器件的方法。根據第三實施例的製造方法可以類似於根據第二實施例的製造方法。根據第三實施例的內襯層31可以由與第二實施例的內襯層31相同的材料形成，並且可以通過相同的方法形成。

如圖6a所示，可以形成內襯層31。內襯層31可以共形地形成在具有溝槽13的襯底11上。內襯層31可以覆蓋溝槽13的底部和側壁。同樣，內襯層31可以覆蓋硬掩模層12的側壁和頂表面。

如圖6b所示，附加的內襯層41可以形成在內襯層31上。附加的內襯層41可以是與內襯層31不同的材料。附加的內襯層41可以是氧化物基材料。附加的內襯層41可以是可流動的氧化物。附加的內襯層41可以由氧化矽形成。附加的內襯層41可以是含氫的氧化矽。例如，附加的內襯層41可以是hq(氫倍半氧烷，hydrogenquioxane)sio。

第一溝槽13a可以被附加的內襯層41部分填充。即，附加的內襯層41可以從第一溝槽13a的底部形成，以具有自底向上的形狀41b。第一溝槽13a的上部可以不被填充。

附加的內襯層41可以共形地形成在第二溝槽13b上。附加的內襯層41可以通過旋塗形成。因為附加的內襯層41是可流動的氧化物，所以可以補償在隨後的氧化過程中由體積膨脹引起的應力。

如圖6c所示，附加的內襯層41和內襯層31可以暴露在氧化過程32中。通過氧化過程32，可以消除在形成溝槽13的過程中產生的刻蝕損傷。通過氧化過程32，內襯層31可以被氧化，而附加的內襯層41可以變得緻密。內襯層31可以轉化成氧化物內襯33，並且當內襯層31轉化成氧化物內襯33時可能發生體積膨脹。由於附加的內襯層41變得緻密，所以附加的內襯層41可以完全填充第一溝槽13a。在氧化過程32之後附加的內襯層41將被稱為間隙填充氧化物層42。間隙填充氧化物層42可以填充第一溝槽13a，並且可以作為第二溝槽13b的內襯。

因為內襯層31通過氧化過程32氧化，可以抑制有源區14的側壁的氧化。因此，有源區14可以保持與氧化過程32之前相同的尺寸。因為不發生溝槽13側壁上的矽的損失，所以不發生有源區14側壁的損失。

間隙填充氧化物層42可以是氧化矽。間隙填充氧化物層42可以覆蓋硬掩模層12的側壁和頂表面。

可以使用自由基氧化過程來執行氧化過程32。在另一實施例中，可以在氧氣氣氛下使用幹法氧化過程來執行氧化過程32。可以在750℃至900℃的溫度下執行自由基氧化過程。可以在800℃至900℃的溫度下執行幹法氧化過程。

在如上所述的氧化過程32中，可以抑制有源區14的傾斜現象。即，因為第一溝槽13a完全填充有間隙填充氧化物層42，防止了有源區14的傾斜。在當前實施例中，第一溝槽13a完全填充有氧化物基材料。這可以被稱為氧化物填充的結構。

如圖6d所示，可以執行間隙填充過程。例如，間隙填充氮化物層43可以形成在間隙填充氧化物層42上。間隙填充氮化物層43可以填充在第二溝槽13b中。間隙填充氮化物層43可以包括氮化矽。結果，有內襯的溝槽13的第二溝槽13b可以填充有氮化矽。填充在有內襯的溝槽13的第一溝槽13a中的間隙填充氧化物層42和填充在有內襯的溝槽13的第二溝槽13b中的間隙填充氮化物層43可以具有不同的厚度。因為間隙填充氮化物層43在間隙填充氧化物層42形成之後形成，所以可以防止有源區14的彎曲。

如圖6e所示，可以執行平坦化工藝，直到暴露硬掩模層12的頂表面為止。例如，可以從硬掩模層12的頂部去除間隙填充氮化物層43、間隙填充氧化物層42和氧化物內襯33。結果，可以在第一溝槽13a中保留間隙填充氧化物層42'和氧化物內襯33'。可以在第二溝槽13b中保留間隙填充氮化物層43'、間隙填充氧化物層42'和氧化物內襯33'。

隔離結構44可以形成在溝槽13中。隔離結構44可以包括多個第一部分44a和多個第二部分44b。隔離結構44的第一部分44a可以填充在第一溝槽13a中。隔離結構44的第二部分44b可以填充在第二溝槽13b中。隔離結構44的第一部分44a和第二部分44b可以由彼此不同的材料形成。在當前實施例中，第一溝槽13a可以用氧化物內襯33'作為內襯，並且可以完全填充有間隙填充氧化物層42'。第二溝槽13b可以用氧化物內襯33'和間隙填充氧化物層42'的疊層作為內襯，並且可以完全填充有間隙填充氮化物層43'。間隙填充氧化物層42'可以比間隙填充氮化物層43'薄。第一溝槽13a和第二溝槽13b可以用氧化物基材料作為內襯。有內襯的溝槽13的第一溝槽13a填充有氧化物基材料，而有內襯的溝槽13的第二溝槽13b填充有氮化物基材料。

根據第三實施例，通過由氧化過程32形成氧化物內襯33和間隙填充氧化物層42，可以防止有源區14的傾斜和彎曲。

圖7a至圖7g示出了作為當前實施例的應用實例的用於製造存儲單元的方法。首先，如圖4a至圖4e所示，可以形成隔離結構34和有源區14。可以以與第二實施例相同的方式形成隔離結構34。

接下來，如圖7a所示，可以使硬掩模層12圖案化。因此，硬掩模層12可以被圖案化成包括多個線形的開口(未示出)。多個開口可以限定將設置柵電極的區域。硬掩模層12的開口可以形成為暴露有源區14的部分和隔離結構34的部分。

為了形成一個或多個柵溝槽51，可以刻蝕由硬掩模層12的開口暴露的襯底11。即，為了形成柵溝槽51，可以刻蝕有源區14的暴露部分和隔離結構34的暴露部分。柵溝槽51的底部表面可以位於比有源區14的頂部表面低的水平處。柵溝槽51可以具有線形狀。柵溝槽51可以跨越有源區14和隔離結構34延伸。當柵電極或掩埋的字線形成在柵溝槽51中時，可以增加有效的溝道長度，並且可以減少短溝道效應。

柵溝槽51可以在任一方向上延伸。例如，柵溝槽51可以在圖1a的第三方向x1上延伸。柵溝槽51可以跨越有源區14和隔離結構34延伸。隨後，可以形成鰭區11f。為了形成鰭區11f，柵溝槽51之下的隔離結構可以凹陷。

如圖7b所示,可以形成柵電介質層52。可以通過熱氧化過程形成柵電介質層52。除了熱氧化過程之外，可以通過以下各種方法形成柵電介質層52。例如，可以在形成氧化物內襯之後執行氧化過程，以形成柵電介質層52。即，在沉積高溫氧化物之後，高溫氧化物可以暴露在自由基氧化過程中。

對於另一實例，可以在形成內襯多晶矽層之後執行氧化過程。即，在沉積內襯多晶矽層之後，內襯多晶矽層可以暴露在自由基氧化過程中。結果，內襯多晶矽層可以完全氧化，並且可以轉化成柵電介質層52。可以使用種子層來形成內襯多晶矽層。

對於又一實例，可以在形成氮化物內襯之後執行氧化過程。即，可以通過由自由基氧化過程完全氧化氮化物內襯來形成柵電介質層52。

當使用上述氧化物內襯、內襯多晶矽層或氮化物內襯來形成柵電介質層52時，可以使有源區14的側壁的損失最小化或防止有源區14的側壁的損失。結果，在形成隔離結構34的過程和形成柵電介質層52的過程中，有源區14可以穩定地形成而不傾斜和彎曲。

如圖7c所示，柵層53a可以形成在柵電介質層52上。柵層53a可以形成為填充柵溝槽51並形成在柵電介質層52上。柵層53a可以形成在包括柵電介質層52的襯底11的整個表面上。為了減小柵電極的電阻率，柵層53a可以包括低電阻率金屬。例如，柵層53a可以包括鎢(w)、氮化鈦(tin)或其組合。

如圖7d所示，可以形成柵電極53。為了形成柵電極53，柵層53a可以凹陷。柵電極53的頂部表面可以位於比襯底11的頂部表面低的水平處。可以通過平坦化工藝和回蝕工藝來執行柵層53a的凹陷。柵電極53可以被稱為掩埋的字線。柵電極53可以包括高功函數材料，以減小溝道劑量。

如圖7e所示，柵覆蓋層54可以形成在柵電極53上。為了形成柵覆蓋層54，覆蓋材料(未示出)可以填充在柵溝槽51中並且在柵電極53上。隨後，可以通過cmp或回蝕工藝使覆蓋材料平坦化。平坦化的覆蓋材料可以變成柵覆蓋層54。

如圖7f所示，可以形成摻雜區域55和56。可以通過諸如注入的摻雜工藝來形成摻雜區域55和56。摻雜區域55和56中的每一個可以包括n型摻雜劑或p型摻雜劑。摻雜區域55可以被稱為位線接觸節點55。另一摻雜區域56可以被稱為儲存節點接觸節點56。

如圖7g所示，可以形成耦合到位線接觸節點55的位線接觸插塞57。隨後，可以形成耦合到位線接觸插塞57的位線59。

可以形成耦合到儲存節點接觸節點56的儲存節點接觸插塞58。儲存節點接觸插塞58可以耦合到摻雜區域56。隨後，可以形成耦合到儲存節點接觸插塞58的存儲元件60。存儲元件60可以包括電容器。

圖8是示出存儲單元陣列的平面圖。圖7a至圖7g可以是沿圖8的線b-b』截取的截面圖。

參見圖8，多個柵電極53可以形成為沿第三方向x1延伸，而多個位線59可以形成為沿第四方向y1延伸。每個有源區14可以包括位線接觸節點55和儲存節點接觸節點56。位線接觸節點55可以形成在有源區14的中心部分中。儲存節點接觸節點56可以分別地形成在有源區14的端部部分中。

在多個儲存節點接觸節點56之中，沿第一方向x鄰接的儲存節點接觸節點56可以被隔離結構34的第一部分34a間隔開。在多個位線接觸節點55之中，沿第一方向x鄰接的位線接觸節點55可以被隔離結構34的第二部分34b間隔開。因此，兩個相鄰儲存節點接觸節點56之間的距離可以比兩個相鄰位線接觸節點55之間的距離窄。隔離結構34的第一部分34a和第二部分34b可以包括氧化物內襯33'、覆蓋層18'和間隙填充層19'。

圖9是將第三實施例應用到其上的存儲單元陣列的視圖。可以通過圖7a至圖7g中所示的製造方法來形成根據圖9的存儲單元陣列。但是，可以通過圖6a至圖6e中所示的製造方法來形成隔離結構。

參見圖9，在多個儲存節點接觸節點56之中，沿第一方向x鄰接的儲存節點接觸節點56可以被隔離結構44的第一部分44a間隔開。在多個位線接觸節點55之中，沿第一方向x鄰接的位線接觸節點55可以被隔離結構44的第二部分44b間隔開。因此，兩個相鄰儲存節點接觸節點56之間的距離可以比兩個相鄰位線接觸節點55之間的距離窄。

隔離結構44的第一部分44a可以包括氧化物內襯33'和間隙填充氧化物層42'。隔離結構44的第二部分44b可以包括氧化物內襯33'、間隙填充氧化物層42'和間隙填充氮化物層43'。因此，兩個相鄰儲存節點接觸節點56之間的間隙或空間可以填充有氧化物，並且兩個相鄰位線接觸節點55之間的間隙或空間可以填充有氧化物和氮化物。

圖10是將第一實施例應用到其上的存儲單元陣列的視圖。可以通過圖7a至圖7g中所示的製造方法來形成根據圖10的存儲單元陣列。然而，可以通過圖2a至圖2f中所示的製造方法來形成隔離結構。

參見圖10，在多個儲存節點接觸節點56之中，沿第一方向x鄰接的儲存節點接觸節點56可以被隔離結構20的第一部分20a間隔開。在多個位線接觸節點55之中，沿第一方向x鄰接的位線接觸節點55可以被隔離結構20的第二部分20b間隔開。因此，兩個相鄰儲存節點接觸節點56之間的距離可以比兩個相鄰位線接觸節點55之間的距離窄。隔離結構20的第一部分20a和第二部分20b可以包括氧化物層17、內襯層15'、覆蓋層18'和間隙填充層19'。

根據上述實施例的半導體器件可以應用到動態隨機存取存儲器(dram)，但不限於此。例如，根據上述實施例的半導體器件還可以應用到存儲器，如，靜態隨機存取存儲器(sram)、快閃記憶體、鐵電隨機存取存儲器(feram)、磁性隨機存取存儲器(mram)以及相變隨機存取存儲器(pram)。

根據實施例，因為覆蓋層形成為支撐件，所以可以防止有源區的傾斜和彎曲。此外，根據實施例，因為使用矽內襯層，所以可以充分地確保有源區的臨界尺寸或大小。另外，在實施例中，因為形成了覆蓋層，所以可以穩定地填充溝槽，而有源區不傾斜。

此外，根據實施例，因為在氧化矽內襯層的過程中通過形成覆蓋層可以延長用於有源區的頂部部分的氧化劑路徑，由此可以確保有源區的頂部部分的臨界尺寸。此外，根據實施例，通過使用覆蓋氧化物來支撐有源區的頂部部分，可以防止可能在間隙填充氮化物過程中引起的有源區的彎曲現象。

雖然為了說明性的目的已經描述了各個實施例，但對於本領域技術人員顯而易見的是，可以做出各種改變和修改，而不脫離如以下權利要求所限定的本發明的主旨和範圍。