一種CdTe太陽能電池及其製作方法
2023-06-14 01:23:21 1
專利名稱：一種CdTe太陽能電池及其製作方法
技術領域：
本發明屬於太陽能電池領域，尤其涉及ー種CdTe太陽能電池及其製作方法。
背景技術：
碲化鎘是ー種化合物半導體，其能隙寬度最適合於光電能量轉換。用這種半導體做成的太陽電池是ー種將光能直接轉變為電能的器件，有很高的理論轉換效率，在室溫下的理論轉化效率為27%。而且，碲化鎘容易沉積成大面積的薄膜，沉積速率較高。因此，相比於矽太陽能電池，碲化鎘薄膜太陽電池的製造成本低，是應用前景廣闊的ー種新型太陽能電池。
傳統的CdTe太陽能電池的基本結構為玻璃襯底G/透明導電膜層T/CdS層N/CdTe層P/過渡層DE/背電極層M，具體結構如圖I所示。常用的普通玻璃襯底透過率為90%左右，而透明導電膜的透過率在70%-82%之間，按照傳統結構，到達CdTe吸收層的有效光照，會因為前面的玻璃襯底G和透明導電膜層T的吸收而減少很多，降低了光源的有效利用。因此，現有大規模製造的碲化鎘太陽能電池光電轉換效率基本在11%以下，實際光電轉化效率仍很低，未達到理想要求。
發明內容
本發明為了解決現有大規模製造的碲化鎘太陽能電池光電轉換效率低的技術問題，提供一種能減小電池製造エ藝的複雜程度，降低エ藝成本，提高電池的光吸收效率，在實現規模化生產的同吋，大大提高太陽能電池轉換效率的新型結構CdTe太陽能電池。本發明提供ー種CdTe太陽能電池，包括玻璃襯底G、光吸收層P、第一電極區BI及第二電極區B2 ；
第一電極區BI和第二電極區B2均設置於玻璃襯底G和光吸收層P之間；
第一電極區BI及第ニ電極區B2之間相互絕緣；
第一電極區BI包括依次層疊的富碲層D、背接觸過渡層E和正極層Ml ；
第二電極區B2包括依次層疊的N型層N和負極層M2 ；
富碲層D與光吸收層P的下表面相接觸；N型層N與光吸收層P的下表面相接觸； 正極層Ml與玻璃襯底G的上表面相接觸；負極層M2與玻璃襯底G的上表面相接觸。本發明中，玻璃襯底G、正極層Ml、負極層M2、富碲層D、背接觸過渡層E、N型層N和光吸收層P均各自包括上表面和下表面，其中玻璃襯底G的上表面與正極層Ml的下表面和負極層M2的下表面相接觸，正極層Ml的上表面與背接觸過渡層E的下表面相接觸，負極層M2的上表面與N型層N的下表面相接觸，富碲層D的上表面與光吸收層P的下表面相接觸，N型層N的上表面與光吸收層P的下表面相接觸。本發明提供的CdTe太陽能電池的製作方法，包括以下步驟
Ca)對玻璃襯底G進行清洗；
(b)在步驟(a)所得玻璃襯底G上表面上覆蓋相互絕緣的第一電極區BI及第ニ電極區B2 ；
在步驟(a)所得玻璃襯底G上表面上覆蓋第一電極區BI包括在玻璃襯底G的上表面製備正極層Ml，再在正極層Ml上製備背接觸過渡層E，後在背接觸過渡層E上製備富碲層D ；
在步驟(a)所得玻璃襯底G上表面上覆蓋第二電極區B2包括在玻璃襯底G的上表面依次製備負極層M2和N型層N ;
(c)在步驟(b)所得富碲層D的上表面和所得N型層N的上表面覆蓋光吸收層P。步驟(b)中，在玻璃襯底G上表面上覆蓋相互絕緣的第一電極區BI和第二電極區B2的順序本發明沒有特別限制，可以先在玻璃襯底G上表面部分區域覆蓋第一電極區BI後，在剰餘部分區域覆蓋第二電極區B2，也可以先在玻璃襯底G上表面部分區域覆蓋第二電極區B2後，在剰餘部分區域覆蓋第一電極區BI，也可以同時覆蓋相互絕緣的第一電極區 BI和第二電極區B2，例如在玻璃襯底G上表面上直接沉積金屬電極層後進行雷射切割後，再在分割的金屬電極層上表面分別沉積背接觸過渡層E及富碲層D和N型層N，從而製得第一電極區BI和第二電極區B2，其中，上表面沉積有背接觸過渡層E及富碲層D的即為正極層Ml，上表面沉積有N型層N的即為負極層M2。本發明提供的CdTe太陽能電池的製作方法中，可以通過在製備的過程中，在第一電極區BI和第二電極區B2之間留出部分的空隙，來實現第一電極區BI和第二電極區B2之間的相互絕緣；或者是在製備正極層Ml、負極層M2、背接觸過渡層E、富碲層D和N型層N之後，通過雷射切割的方式將第一電極區BI和第二電極區B2分開絕緣；或者也可通過採用其他的，由本領域的技術人員所公知的方式來實現第一電極區BI和第二電極區B2之間的相互絕緣。本發明提供的CdTe太陽能電池的製作方法，具體包括以下步驟
(a)玻璃襯底G的預處理將選用的玻璃襯底G，用丙酮超聲清洗，再用玻璃清洗劑超聲清洗，再用去離子水超聲清洗後，烘乾，放入預處理室，再對玻璃襯底G進行等離子體清洗；(Si)正極層Ml和負極層M2的製作將步驟(a)所得玻璃襯底G放入真空濺射設備中，對金屬耙材進行濺射，得到金屬電極層；對金屬電極層進行雷射切割，分別得到正極層Ml和負極層M2，所述正極層Ml和負極層M2間絕緣；
(s2) N型層N的製作將步驟(Si)中所得放入CdS鍍膜設備中，將正極層Ml掩蓋，在負極層M2的上表面鍍CdS薄膜，形成N型層N，得第二電極區B2 ；
(s3)背接觸過渡層E的製作將步驟(s2)中所得放入真空濺射設備中，將第二電極區B2掩蓋，分別對ZnTe = Cu耙材和ZnTe耙材進行濺射，在正極層Ml的上表面制ZnTe = Cu和ZnTe的複合過渡層，形成背接觸過渡層E ；
(s4)富碲層D的製作對步驟(s3)所得背接觸過渡層E，在真空濺射設備中繼續對Te耙材進行濺射，形成富碲層D，得到一電極區BI，所得第一電極區BI與第二電極區B2之間相互絕緣；
(c)光吸收層P的製作將步驟(s4)中所得放入真空鍍膜設備エ件架上，在富碲層D的上表面和N型層N的上表面鍍CdTe薄膜，形成光吸收層P，進而製得CdTe太陽能電池。本發明的發明人，突破了傳統CdTe太陽能電池結構的思維模式，創造性的將電池的光吸收層P設置在受光面，直接接受光源的照射，而將引出電池正電流的正極層Ml和引出電池負電流的負極層M2均設置在背光面，同時將玻璃襯底G也設置在了背光面，使得太陽光直接照射光吸收層P，避免了透明導電膜層T和玻璃襯底G對光的吸收，提高了光的利用率，同時省卻了傳統結構中的透明導電膜層T，減少了エ藝流程，降低了生產成本，提高了電池的光吸收效率，大大提高了締化鎘太陽能電池的光電轉換效率，有利於規模化生產。
圖I是現有技術提供的CdTe太陽能電池結構示意圖。圖2是本發明實施例提供的CdTe太陽能電池結構示意圖。
具體實施例方式為了使本發明所解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一歩詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用幹限定本發明。 如圖2所示，ー種CdTe太陽能電池，包括玻璃襯底G、光吸收層P、第一電極區BI及第ニ電極區B2 ；
其中，第一電極區BI包括依次層疊的富碲層D、背接觸過渡層E和正極層Ml ;第ニ電極區B2包括依次層疊的N型層N和負極層M2 ;第一電極區BI及第ニ電極區B2之間相互絕緣；
光吸收層P覆蓋在富碲層D和N型層N的上表面。本發明提供的CdTe太陽能電池中，玻璃襯底G作為吸收層沉積的載體，可為普通玻璃、超白玻璃或其他耐高溫透明材料，厚度優選為1_5_，該玻璃襯底G可直接在市場上購買得到。正極層Ml和負極層M2為導電性較高的金屬薄層，正極層Ml金屬薄層和負極層M2金屬薄層中的金屬分別各自選自Mo、Ni、Cu或Ag中的ー種或幾種，正極層Ml和負極層M2可採用真空濺射的方法分別製作，也可先通過真空濺射的方法製得金屬電極層，再進行雷射切割來分別得到，正極層Ml和負極層M2間絕緣，正極層Ml的厚度優選為50-300nm，負極層M2的厚度優選為50-300nm。N型層N為淡黃色的N型硫化鎘薄膜層，可採用化學水浴法(CBD)、真空沉積等方法製作而成，厚度優選為50-300nm。光吸收層P為P型棕黑色碲化鎘光吸收薄膜層，可採用近空間升華法(CSS)、蒸汽輸運法(VTD)、絲網印刷法等方法製作而成,厚度優選為2-5um。背接觸過渡層E為碲化鋅和摻雜銅的碲化鋅複合層，主要是起到歐姆接觸的作用，可採用真空蒸鍍或真空濺射的方法形成，厚度優選為10-100nm。富碲層D為Te薄膜，可通過真空蒸鍍或者真空濺射的方法獲得，厚度優選為3_30nmo本發明提供的CdTe太陽能電池中，應當認為關於玻璃襯底G、正極層Ml、負極層M2、背接觸過渡層E、富碲層D、N型層N和光吸收層P的製備方法，並不僅僅局限於上述所列舉的方法，其他本領域技術人員所公知的各層的製備方法也都應當包含在本發明的保護範圍之內。
傳統結構的CdTe太陽能電池中，導電膜T層作為前電極，即通常所說的負極，金屬背電極層作為後電極，也即正極引出電流。而本發明所提供的CdTe太陽能電池中，金屬電極層包括正極層Ml和負極層M2兩個部分，分別作為引出正電流的正極和引出負電流的負極，引出電流。其中，位於N型層N下方的負極層M2，即取代傳統結構中的透明導電膜層T作為電池負極。本發明的發明人，突破了傳統CdTe太陽能電池結構的思維模式，創造性的將電池的光吸收層P設置在受光面，直接接受光源的照射，而將引出電池正電流的正極層Ml和引出電池負電流的負極層M2均設置在背光面，同時將玻璃襯底G也設置在了背光面，使得太陽光直接照射光吸收層P，避免了透明導電膜層T和玻璃襯底G對光的吸收，提高了光的利用率，同時省卻了傳統結構中的透明導電膜層T，減少了エ藝流程，降低了生產成本，大大提高了締化鎘太陽能電池的光電轉換效率，有利於規模化生產。本發明所提供的CdTe太陽能電池由於具有與傳統CdTe太陽能電池完全不同的結構，在電池的製作流程方面與傳統CdTe太陽能電池也有很大的不同。本發明所提供的CdTe
太陽能電池的製備方法中，製得玻璃襯底G後，先是在玻璃襯底G上沉積金屬電極層，最後才製作光吸收層P。本發明的CdTe太陽能電池的製作方法，具體包括以下步驟
(a)玻璃襯底G的預處理採用1-5_厚的普通玻璃或超白玻璃作為襯底，先用丙酮超聲清洗10-60min，以除去玻璃表面的油脂，然後用玻璃清洗劑超聲清洗10_60min，去除玻璃表面的無機汙物，再用去離子水超聲清洗10-60min去除玻璃表面的雜質，最後將玻璃烘乾後放入預處理室，使用等離子體對玻璃襯底進行清洗；
(Si)正極層Ml和負極層M2的製作將步驟(a)所得玻璃襯底G放入真空濺射設備中，對Mo、Ni、Cu或Ag中的ー種或幾種金屬耙材進行濺射，得到厚度為50-300nm的金屬電極層；對金屬電極層進行雷射切割，分別得到正極層Ml和負極層M2，正極層Ml和負極層M2間絕緣；
(s2) N型層N的製作將步驟(Si)中所得放入CdS鍍膜設備中，將正極層Ml掩蓋，以高純的CdS粉末作為升華源，抽真空至10-200Pa，通入惰性氣體(Ar/02氣)，調節流量為l-20ml/min，調節升華源溫度為450_700°C，襯底溫度為常溫_500°C，鍍膜l_30min，在正極層Ml的上表面鍍得厚度為50-300 nm的CdS薄膜；
(s3)背接觸過渡層E的製作將步驟(s2)中所得放入真空濺射設備中，將CdS薄膜掩蓋，採用射頻電源，以300W的功率對ZnTe = Cu耙材濺射l_30min，然後換用600W的功率，對ZnTe耙材進行濺射l-30min，在正極層Ml的上表面制ZnTe:Cu和ZnTe的複合過渡層，得厚度為10-100 nm的背接觸過渡層E ；
(s4)富碲層D的製作對步驟(s3)所得背接觸過渡層E，在真空濺射設備中，再換用200W的功率對Te耙材濺射l_30min，得到厚度為3_30nm的富碲層D ；
(c)光吸收層P的製作將步驟(s4)中所得放入真空鍍膜設備エ件架上，以高純CdTe粉末為蒸發源。抽真空至10-200Pa，通入Ar氣，調節流量為l_20ml/min，調節升華源溫度為550-800°C，襯底溫度為300-550°C，鍍膜5_30min，在富碲層D的上表面和N型層N的上表面鍍得厚度為2-5 um的CdTe薄膜，進而製得CdTe太陽能電池。以下結合具體實施例對本發明作進ー步的闡述。
實施例I
具體的，該CdTe太陽能電池通過以下步驟製得
Ca)玻璃襯底G的預處理採用2. 2mm厚的普通玻璃作為襯底，先用丙酮超聲清洗IOmin,以除去玻璃表面的油脂，然後用玻璃清洗劑超聲清洗lOmin，去除玻璃表面的無機汙物，再用去離子水超聲清洗IOmin去除玻璃表面的雜質，最後將玻璃烘乾後放入預處理室，對玻璃襯底進行等離子體清洗；
(Si)正極層Ml和負極層M2的製作將步驟(a)所得玻璃襯底G，放入真空濺射設備中，採用直流電源，功率設定為300W，對Mo耙材進行濺射lOmin，得到Mo電極層，厚度為150nm，對金屬電極層從中間進行雷射切割，分別得到正極層Ml和負極層M2，正極層Ml和負極層M2間絕緣；
(s2) CdS薄膜N的製作將步驟(Si)中所得放入CdS鍍膜設備，升華源為高純的CdS粉末。抽真空至lOOPa，通入50%Ar氣和50%02氣，調節流量為10ml/min，調節升華源溫度為 5500C，襯底溫度為500°C，鍍膜時間為lmin，得到與負極層M2上表面相接觸的N型層N，所得N型層N的厚度為120nm ；
(s3)背接觸過渡層E的製作將步驟(s2)中所得放入真空濺射設備，將CdS薄膜掩蓋住，採用射頻電源，功率為300W，對ZnTe =Cu耙材進行濺射3min，然後換用功率為600W，對ZnTe耙材濺射5min，在正極層Ml的上表面得到ZnTe和ZnTe = Cu的複合過渡層，即背接觸過渡層E，其厚度為50nm，；
(s4)富碲層D的製作對步驟(s3)中所得背接觸過渡層E，換用功率為200W，對Te靶材濺射Imin得到富碲層D，富碲層D厚度為15nm ；
(c)CdTe薄膜P的製作將步驟(s4)中所得放入真空鍍膜設備エ件架上，蒸發源為高純CdTe粉末。抽真空至lOOPa，通入Ar氣，調節流量為10ml/min，調節升華源溫度為600°C，襯底溫度為500°C，鍍膜20min，得到層疊於富碲層D和N型層N上的光吸收層P，所得光吸收層P的厚度為3um ；
製得CdTe太陽能電池。實施例2
與實施例I的不同之處在於玻璃襯底G的厚度為3. 2mm。實施例3
與實施例I的不同之處在於光吸收層P的厚度為2um。實施例4
與實施例I的不同之處在於N型層N的厚度為50nm。實施例5
與實施例I的不同之處在於正極層Ml和負極層M2的厚度為300nm。實施例6
與實施例I的不同之處在於富碲層D的厚度為3nm。實施例7
與實施例I的不同之處在於背接觸過渡層E的厚度為lOOnm。對比例I
與實施例I的不同之處在於，此太陽能電池包括依次層疊的玻璃襯底G、透明導電層T、CdS層N、CdTe層P、過渡層DE及背電極層M ；
即先採用2. 2mm厚的超白玻璃作為玻璃襯底G，經過預處理後，在玻璃襯底G上濺射得到0. 5um厚的透明導電層T (FTO玻璃)；放入CdS鍍膜設備中，在透明導電層T表面鍍得120nm厚的CdS薄膜，即CdS層N ;再放入CdTe鍍膜設備中，在CdS薄膜表面鍍得3um厚的CdTe薄膜，即CdTe層 P ;再在CdTe薄膜表面真空鍍上ー層Te，即得富碲層，然後再依次沉積30nm的ZnTe層和20nm的ZnTe:Cu層，得到過渡層DE ;再放入真空濺射設備中，在過渡層DE表面製得150nm厚的Mo層，即背電極層M。性能測試
對上述得到碲化鎘太陽能電池進行如下性能測試
1、開路電壓
採用IEC 61646:2008進行測試；
2、短路電流
採用IEC 61646:2008進行測試；
3、光電轉換效率
採用IEC 61646:2008進行測試；
得到的測試結果填入表I :
表I
實施例I開路電壓I短路電流I光電轉化效『
實施例 I 948mV 23.9mA , 16. 10%_
實施例 2 945mV 24. ImA : 16.00%:
實施例 3 950mV 25. 5mA : 16. 30%:
實施例 4 873mV 22.9mA : 15. 35%:
實施例 5 92ImV 23.8mA :15.90%:
實施例 6 906mV 23.4mA ' 15.60%"
實施例 7 875MV 21.8mA :14.96%'
對比例 I lj68mV [21.2mA JlI. 90%
從表I可以看出，實施例1-7相對於對比例I的開路電壓，光電轉化效率等都有了大幅
的提高，這說明本發明的CdTe太陽能電池，通過將玻璃襯底G設置在背光面起到襯底的作
用，將引出電池正電流的正極層Ml和引出電池負電流的負極層M2均設置在背光面，而將光
吸收層P設置在受光面，直接接受太陽光的照射，提高了電池的光吸收效率，大大提高了電
池的光電轉換效率。以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.ー種CdTe太陽能電池，包括玻璃襯底(G)、光吸收層(P)、第一電極區(BI)及第ニ電極區(B2)； 所述第一電極區(BI)設置於玻璃襯底(G)和光吸收層(P)之間； 所述第二電極區(B2)設置於玻璃襯底(G)和光吸收層(P)之間； 所述第一電極區(BI)及第ニ電極區(B2)之間相互絕緣； 所述第一電極區(BI)包括依次層疊的富碲層(D)、背接觸過渡層(E)和正極層(Ml); 所述第二電極區(B2)包括依次層疊的N型層(N)和負極層(M2)； 所述富碲層(D)與所述光吸收層(P)的下表面相接觸；所述N型層(N)與所述光吸收層 (P)的下表面相接觸； 所述正極層(Ml)與所述玻璃襯底(G)的上表面相接觸；所述負極層(M2)與所述玻璃襯底(G)的上表面相接觸。
2.如權利要求I所述的CdTe太陽能電池，其特徵在於，所述玻璃襯底(G)的厚度為I-Omm0
3.如權利要求I所述的CdTe太陽能電池，其特徵在於，所述光吸收層(P)為CdTe薄膜，厚度為2-5 um。
4.如權利要求I所述的CdTe太陽能電池，其特徵在於，所述N型層(N)為CdS薄膜，厚度為 50-300 nm。
5.如權利要求I所述的CdTe太陽能電池，其特徵在於，所述富碲層(D)為Te薄膜，厚度為 3_30nm。
6.如權利要求I所述的CdTe太陽能電池，其特徵在於，所述背接觸過渡層(E)為碲化鋅和摻雜銅的碲化鋅複合層；所述背接觸過渡層(E)的厚度為10-100 nm。
7.如權利要求I所述的CdTe太陽能電池，其特徵在於，所述正極層(Ml)和負極層(M2)為金屬薄層，所述正極層(Ml)金屬薄層和負極層(M2)金屬薄層中的金屬分別各自選自Mo、Ni、Cu或Ag中的ー種或幾種； 所述正極層(Ml)的厚度為50-300nm ;所述負極層(M2)的厚度為50_300nm。
8.如權利要求I所述的CdTe太陽能電池，其特徵在於，所述第一電極區(BI)與第二電極區(B2)的厚度相同。
9.一種如權利要求I所述的CdTe太陽能電池的製作方法，包括以下步驟 Ca)對玻璃襯底(G)進行清洗； (b)在步驟(a)所得玻璃襯底(G)上表面上覆蓋相互絕緣的第一電極區(BI)及第ニ電極區(B2)； 在步驟(a)所得玻璃襯底(G)上表面上覆蓋第一電極區(BI)包括在玻璃襯底(G)的上表面製備正極層(Ml )，再在正極層(Ml)上製備背接觸過渡層(E)，後在背接觸過渡層(E)上製備富碲層(D)； 在步驟(a)所得玻璃襯底G上表面上覆蓋第二電極區(B2)包括在玻璃襯底(G)的上表面依次製備負極層(M2)和N型層(N)； (c)在步驟(b)所得富碲層(D)的上表面和所得N型層(N)的上表面覆蓋光吸收層(P)。
10.如權利要求9所述的CdTe太陽能電池的製作方法，其特徵在於，所述步驟(b)包括以下步驟(Si)正極層(Ml)和負極層(M2)的製作將步驟(a)所得玻璃襯底(G)放入真空濺射設備中，對金屬耙材進行濺射，得到金屬電極層；對金屬電極層進行雷射切割，分別得到正極層(Ml)和負極層(M2)，所述正極層(Ml)和負極層(M2)間絕緣； (s2)N型層(N)的製作將步驟(b)中所得放入CdS鍍膜設備中，將正極層(Ml)掩蓋，在負極層(M2)的上表面鍍CdS薄膜，形成N型層(N)，得到包括負極層(M2)和N型層(N)的第二電極區(B2)； (s3)背接觸過渡層(E)的製作將步驟(c)中所得放入真空濺射設備中，將第二電極區(B2)掩蓋，分別對ZnTe: Cu耙材和ZnTe耙材進行濺射，在正極層(Ml)的上表面制ZnTe: Cu和ZnTe的複合過渡層，形成背接觸過渡層(E)； (s4)富碲層(D)的製作對步驟(d)所得背接觸過渡層(E)，在真空濺射設備中繼續對Te耙材進行濺射，形成富碲層(D)，得到第一電極區(BI)，所得第一電極區(BI)與第二電極區(B2)之間相互絕緣。
11.如權利要求9或10所述的CdTe太陽能電池的製作方法，其特徵在於， 所述步驟(a)具體為玻璃襯底(G)的預處理將選用的玻璃襯底(G)，用丙酮超聲清洗，再用玻璃清洗劑超聲清洗，再用去離子水超聲清洗後，烘乾，放入預處理室，再對玻璃襯底(G)進行等離子體清洗； 所述步驟(c)具體為光吸收層(P)的製作將步驟(b)中所得放入真空鍍膜設備中，在富碲層(D)的上表面和N型層(N)的上表面鍍CdTe薄膜，形成光吸收層(P)，進而製得CdTe太陽能電池。
全文摘要
本發明提供了一種CdTe太陽能電池，包括玻璃襯底、光吸收層、第一電極區及第二電極區，第一電極區和第二電極區均設置於玻璃襯底和光吸收層之間；第一電極區及第二電極區之間相互絕緣；第一電極區包括依次層疊的富碲層、背接觸過渡層和正極層；第二電極區包括依次層疊的N型層和負極層；富碲層與光吸收層的下表面相接觸；N型層與光吸收層的下表面相接觸；正極層與玻璃襯底的上表面相接觸；負極層與玻璃襯底的上表面相接觸。本發明的CdTe太陽能電池，通過採用新型結構，減少了工藝流程，節省了原材料，降低了生產成本，增強了光透過率，大大提高了碲化鎘太陽能電池的光電轉換效率，有利於規模化生產。
文檔編號H01L31/0352GK102810573SQ201110142088
公開日2012年12月5日 申請日期2011年5月30日 優先權日2011年5月30日
發明者鄧瑞 申請人:比亞迪股份有限公司