等離子顯示板的製作方法
2023-06-18 07:58:21 1
專利名稱：等離子顯示板的製作方法
技術領域：
本發明是等離子顯示板及其尋址電極相關發明，更具體地說是尋址電極為控制由障壁形成的列的放電串及鄰接列的放電串而形成的等離子顯示板及其尋址電極相關發明。
背景技術：
平板顯示裝置有液晶顯示裝置(LiquidCrystalDisplay，以下稱為LCD)，場發射顯示器(FieldEmissionDisplay，以下稱為FED)及等離子顯示板(PlasmaDisplayPanel；以下稱為PDP)等，其中PDP是通過在惰性混合氣體的放電時產生的147nm的紫外線而使螢光體發光，從而顯示包括文字或圖表的圖像的裝置。
其中，上述PDP不僅容易薄膜化和大型化，而且結構簡單，因此容易製作的同時與其他平面顯示裝置相比，具有亮度及發光效率高的優點。
圖1為顯示採用傳統技術的等離子顯示板的局部斜剖視圖。
如圖1所示，採用傳統技術的PDP包括上/下端基板1、2和充入上述上/下端基板1、2之間的惰性混合氣體(圖中未顯示)。
其中上述上端基板1包括露出在用戶視野內的玻璃基板3；形成在上述玻璃基板3的下端的電介質層4；形成在上述電介質層4內的掃描電極1Y及維持電極1Z；形成在上述電介質層4下端，保護上述電介質層4的保護膜5。
而且，上述下端基板2包括玻璃基板6；形成在上述玻璃基板6的上端的電介質層7；形成在上述電介質層7內的尋址電極1X；形成在上述電介質層7的上端，為充入上述惰性氣體，從上述上端基板1側凸出，從而形成一定空間的障壁8。
其中，上述電介質層4層積等離子放電時產生的壁電荷，上述保護膜5防止等離子放電時產生的濺鍍損傷上述電介質層4的同時，提高2次電子的釋放效率。
而且，通過上述障壁8形成的內部空間塗抹了釋放紅/綠/藍色中任一個可見光的螢光體，上述螢光體是由等離子放電時產生的紫外線激發而產生紅色、綠色或藍色中任一個可見光。
而且，上述掃描電極1Y及上述維持電極1Z與上述尋址電極1X是互相正交配置。
其中，由上述障壁8形成的放電串根據其形狀分為條形(stripetype)，井形(welltype)及多邊形(deltatype)等。
圖2為顯示採用傳統技術的等離子顯示板的多邊形放電串的平面圖。
如圖2所示，採用傳統技術的等離子顯示板的多邊形放電串中，在各上述障壁8之間分別形成尋址電極1X。
但是，製造高像素PDP時，若與傳統一樣，在放電串形成的每個列都形成尋址電極1X時，存在尋址電極1X必須緊密形成的問題。
尤其是，若上述尋址電極1X緊密形成，則不僅使捆綁上述尋址電極形成的柔性印製電路(FlexiblePrintedCircuit以下稱為FPC，圖中未顯示)/製程封裝(ChipOnFilm；以下稱為COF，圖中未顯示)的連接變得複雜，而且因緊密形成的尋址電極1X，A/S時存在很難修理上述FPC/COF的問題。
而且，與傳統一樣，在放電串形成的每個列都形成尋址電極1X時，因稠密的間隔，存在不僅難形成上述尋址電極1X，而且增加費用的問題。
發明內容
本發明是為了解決上述傳統技術的問題而提出的，旨在提供尋址電極為控制由障壁形成的列的放電串及鄰接列的放電串而形成的等離子顯示板及其尋址電極。
為了解決上述問題，本發明是通過如下方案來實現的等離子顯示板，包括形成在多個列中的任一個列的主電極；由從上述主電極凸出，形成在與上述任一列鄰接的列的放電串中的凸出電極組成的尋址電極。
前述的等離子顯示板，其特徵在於上述主電極配置在上述放電串列的中心。
前述的等離子顯示板，其特徵在於上述凸出電極是以上述主電極為基準，左/右交替形成。
前述的等離子顯示板，其特徵在於上述等離子顯示板包括形成在與上述尋址電極對置的基板上的掃描/維持電極，上述凸出電極位於上述掃描電極側。
前述的等離子顯示板，其特徵在於上述等離子顯示板包括為形成多個列，形成多邊形放電串而呈長形的障壁，通過上述障壁形成的放電串列是通過一定間隔隔離的通道連接，上述凸出電極凸出於上述通道鄰接的列的放電串。
本發明的有益效果是具有如上結構的本發明的等離子顯示板是由形成在尋址電極的主電極控制形成在一個列的各放電串，從上述主電極凸出的凸出電極控制鄰接列的各放電串，因此與傳統相比，具有縮小尋址電極個數的效果。
而且，本發明的等離子顯示板即使製造高像素的基板，也可以降低捆綁上述尋址電極的FPC/COF的個數，因此具有簡化上述FPC/COF的製作及修理的效果。
而且，本發明的等離子顯示板通過減少FPC/COF的個數，具有降低FPC/COF的發熱量的效果。
而且，本發明的等離子顯示板，減少了在製造相同像素的PDP時形成的尋址電極的個數，因此不僅縮短工序，而且因可以用更寬的間隔形成尋址電極，因此具有容易製造的效果。
圖1為顯示採用傳統技術的等離子顯示板的局部斜剖視圖。
圖2為顯示採用傳統技術的等離子顯示板的多邊形放電串的平面圖。
圖3為顯示本發明的等離子顯示板的局部斜剖視圖。
圖4本發明的等離子顯示板的下端基板的局部斜剖視圖。
圖5為顯示的尋址電極形狀的平面圖。
圖中主要部分符號說明10上端基板 10X尋址電極10X′主電極10X″凸出電極10Y掃描電極10Z維持電極
11總線電極12玻璃基板14電介質層15保護膜20下端基板22玻璃基板24電介質層25，26障壁C放電串具體實施方式
以下，以附圖為參考，介紹本發明的等離子顯示板如下圖3為顯示本發明的等離子顯示板的局部斜剖視圖，圖4本發明的等離子顯示板的下端基板的局部斜剖視圖，圖5為顯示的尋址電極形狀的平面圖。
如圖3或圖4所示，本發明的PDP包括上/下端基板10、20和充入上述上/下端基板10、20之間的惰性混合氣體(圖中未顯示)。
其中，上述上端基板10包括露出在用戶視野內的玻璃基板12；形成在上述玻璃基板12的下端的電介質層14；形成在上述電介質層14內的掃描電極10Y及維持電極10Z；形成在上述電介質層14下端，保護上述電介質層14的保護膜15。
其中，上述掃描/維持電極10Y、10Z是透明的電導性金屬，本實例中是以銦錫氧化物(Indium-Tin-Oxide)形成，為降低電阻較大的上述掃描/維持電極10Y、10Z的電阻，上述掃描/維持電極10Y、10Z的下側分別形成了由電阻低的金屬(主要是Ag或Cu)材質組成的總線電極11。
尤其上述掃描/維持電極10Y、10Z是以一定間隔隔離而互相平行形成，形成在上述掃描/維持電極10Y、10Z的總線電極11同樣也是互相平行形成。
而且，上述保護膜15為防止等離子放電時產生的產生的濺鍍損傷上述電介質層14，由透明的氧化鎂(MgO)形成。
同時，上述下端基板20包括玻璃基板22；形成在上述玻璃基板22的上端的電介質層24；形成在上述電介質層24內的尋址電極10X；為充入上述惰性氣體，在上述上端基板1上端形成一定空間的障壁25。
其中，上述尋址電極10X與上述掃描/維持電極10Y、10Z互相交叉形成，在本實例中，上述尋址電極10X與上述掃描/維持電極10Y、10Z正交形成。
而且，上述電介質層14、24是由透明材質的低熔點玻璃組成，積累等離子放電時產生的壁電荷。
上述障壁25為確保均勻的放電空間、防止串擾(crosstalk)，以一定高度和寬度形成，為支撐上述上端基板10，由具有充分強度的透明的低熔點玻璃組成。
其中，上述障壁25與鄰接的障壁26形狀對應，形成一定的放電空間C，上述放電空間C根據其形狀分為長直線狀的條形(stripetype)、水井形狀的井形(welltype)及多邊形(deltatype)。
其中，上述多邊形是形成放電空間的各放電串以三角形配置的形狀，上述放電串分別釋放紅/綠/藍的可見光。
尤其是，根據上述多邊形的障壁25、26的形狀，可以以六角，四角等多種形狀形成，在本實例中上述障壁25、26形成六角的放電串C。
而且，上述障壁25、26為形成上述放電串C，以上/下方向長形設置，以上/下方向排列多個的上述放電串C是通過由上述障壁25、26的隔離間距形成的通道27連接。
其中，上述尋址電極10X如圖4或圖5所示，是由以與上述掃描/維持電極10Y、10Z交叉的方向形成的主電極10X′和從上述主電極10X′側向凸出，與上述掃描/維持電極10Y、10Z同向形成的凸出電極10X″組成。
因此，當上述掃描/維持電極10Y、10Z以左/右方向形成時，上述主電極10X′是上/下方向、上述凸出電極10X″是左/右方向形成。
尤其上述主電極10X′是沿著上述放電串C上/下方向長形設置，上述凸出電極10X″是橫穿上述障壁25其末端位於鄰接的放電串C。而且，上述凸出電極10X″是以上述主電極10X′為基準，左/右交替形成。
而且，上述凸出電極10X″最好凸出在上述掃描/維持電極10Y、10Z中的掃描電極10Y側。
因此，如此形成的尋址電極10X，不僅在配置上述主電極10X′的列，通過凸出的凸出電極10X″，也在鄰接列的放電串C′也引起放電，因此減少尋址電極10X的個數。
在此，分析上述放電串C的放電過程如下
首先，為使圖5的R放電串放電，上述基板的各掃描電極100Y上都進行復位放電，在上述復位放電後，在尋址區間內尋址電極100X及上述掃描電極100Y上施加形成一定電位差的脈衝，從而實現尋址放電。
此時，在上述尋址放電中，在選擇上述R放電串的尋址電極100X上施加脈衝，從而選擇縱向列的各放電串。
而且，在進行上述尋址放電之後，在上述維持電極100Z上施加引起維持放電的脈衝，由此上述R放電串被放電。
而且，分析在形成上述尋址電極100X的放電串中多個放電串R、G被放電的情況，則與使一個放電串R放電的情況相同，在上述基板的各掃描電極100Y都進行復位放電，在上述復位放電之後，在上述尋址電極100X及上述掃描電極100Y、101Y上施加形成一定電位差的脈衝，從而實現尋址放電。
其中，在選擇上述R、G放電串的尋址電極100X上施加脈衝時，形成主電極的放電串G及形成凸出電極的鄰接列的放電串R被同時選定。
而且，發生上述尋址放電，則在形成在R、G放電串的維持電極100Z、101Z上施加維持脈衝，從而實現維持放電。
因此，即使上述尋址電極100X是越過2個列形成，在各放電串R、G、B上只形成尋址電極100X的主電極或凸出電極，從而引起放電。
其中，在上述尋址放電中，施加到尋址電極100X及掃描電極100Y的陰/陽電位差的方向是可以根據情況適當選擇，在由上述復位/尋址/維持放電組成的子欄位中，上述復位放電可以根據情況省略。
而且，PDP是紅/綠/藍的放電串聚集成一個像素，上述紅/綠/藍中分別形成尋址電極，連接上述尋址電極的個數，設置FPC(圖中未顯示)/COF(圖中未顯示)。
其中，若是42英寸PDP，則由1024*768的像素(pixel)組成，上述像素中採用捆綁尋址電極的FPC/COF是用16個。
而且，最近為適合HD規格增加PDP的像素量，隨著上述像素的增加，控制上述像素的尋址電極的個數也增加，由此上述尋址電極捆綁的FPC/COF的個數也增加。
但是，若上述FPC/COF的個數增加，需在相同大小的基板上設置更多的FPC/COF，因此上述FPC/COF的寬度會變窄，若上述FPC/COF的寬度會變窄，則會引起上述FPC/COF產生的熱量問題。
但是，如本發明，當一個尋址電極10X控制到鄰接的放電串C時，與傳統中使用的尋址電極相比，可以大大減少其數量，容易製造高像素的PDP。
上述實施不以任何形式限定本發明，凡採取等同替換或等效變換的形式所獲得的技術方案，均落在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.等離子顯示板，包括形成在多個列中的任一個列的主電極；由從上述主電極凸出，形成在與上述任一列鄰接的列的放電串中的凸出電極組成的尋址電極。
2.根據權利要求1所述的等離子顯示板，其特徵在於上述主電極配置在上述放電串列的中心。
3.根據權利要求1所述的等離子顯示板，其特徵在於上述凸出電極是以上述主電極為基準，左/右交替形成。
4.根據權利要求1所述的等離子顯示板，其特徵在於上述等離子顯示板包括形成在與上述尋址電極對置的基板上的掃描/維持電極，上述凸出電極位於上述掃描電極側。
5.根據權利要求1所述的等離子顯示板，其特徵在於上述等離子顯示板包括為形成多個列，形成多邊形放電串而呈長形的障壁，通過上述障壁形成的放電串列是通過一定間隔隔離的通道連接，上述凸出電極凸出於上述通道鄰接的列的放電串。
全文摘要
本發明的等離子顯示板及其尋址電極是形成在尋址電極的主電極控制形成在一個列的各放電串，從上述主電極凸出的凸出電極控制鄰接列的各放電串，因此與傳統相比，具有縮小尋址電極個數的效果。
文檔編號H01J17/49GK1971813SQ20061014171
公開日2007年5月30日 申請日期2006年9月27日 優先權日2005年10月18日
發明者洪相玟 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司