雷射氣體分析系統的標定方法

2023-06-18 04:45:11

專利名稱：雷射氣體分析系統的標定方法
技術領域：
本發明涉及氣體分析系統的標定方法，特別涉及基於可調諧雷射吸收光譜技術的氣體分析系統的標定方法。
背景技術：
可調諧雷射吸收光譜(TLAS)氣體分析系統(下面簡稱雷射氣體分析系統)具有系統簡單、可靠性高、測量響應速度快、分析精度高等優點，在現代工業、科研和環保等領域得到了越來越廣泛的應用。
雷射氣體分析系統測量的準確性是通過使用被測氣體的標氣(已知濃度的被測氣體)對系統進行標定來實現的。光源和電子元器件等的老化會導致分析系統參數的緩慢漂移，降低測量的準確性，因此需定期使用被測氣體的標氣對分析系統進行標定來保證系統測量的準確性；當系統出現故障時，維修過程中及維修後都需要用被測氣體的標氣對系統進行標定以確保維修後的系統仍然能夠準確測量。因此，標定是雷射氣體分析系統生產和應用過程中非常重要且必不可少的一個環節。
現有的雷射氣體分析系統普遍使用被測氣體的標氣進行標定。如果被測氣體是有毒的、或易凝結的、或性能不穩定的、或帶吸附性的等氣體，現有的標定方法主要存在以下不足(1)不安全有些被測氣體是有毒的甚至是劇毒，如氟化氫和硫化氫都有劇毒，吸入少量就會致命。(2)代價高對有毒氣體的調試必須配備完善的安全防護設施如通風櫃、正壓室、報警器，這些設施造價高，在標定現場也難以做到。(3)不方便即使有安全防護措施，操作人員也需要佩戴防毒面具等用具，操作很不方便。(4)樣品處理困難如氣體樣品是有劇毒的或有汙染的，使用後的樣品還必須依照各項法律法規和行業標準的要求進行妥善處理。(5)標定結果不可靠直接用強吸附性的氣體樣品作標定時，標氣本身會由於其吸附性而導致其濃度被改變，從而導致標定結果不可靠。(6)標氣獲得難有些氣體如氟化氫和水蒸氣的標氣較難獲得，或者沒有生產廠家，或者運輸較難，因此較難使用常規標定方式進行標定。

發明內容為了克服雷射氣體分析系統在標定有毒、或易凝結、或性能不穩定、或強吸附性等氣體時現有標定方法存在安全性差、操作不便、代價高、樣品處理難、測試結果不可靠、標氣獲得難等不足；本發明提供了一種安全、經濟、方便的雷射氣體分析系統的標定方法。
本發明採用的技術方案是一種雷射氣體分析系統的標定方法，該分析系統包括雷射器、光電傳感器、信號分析單元，該方法採用調製吸收光譜技術，並包含下述步驟a、根據氣體的吸收光譜資料，在測量用光譜譜線I兩側選擇光譜譜線II，光譜譜線II是替代氣體的光譜譜線，光譜譜線I和光譜譜線II在雷射器的輸出頻率調諧範圍內；
b、根據所用雷射器的工作特性確定標定情況下雷射器的工作參數；c、在標定用雷射器的工作參數下，得到替代氣體在譜線II處的單位濃度單位光程的輸出信號強度F與壓力P、溫度T、吸收譜線線形函數φ的函數關係f2(P，T，φ)，並存儲到信號分析單元；d、確定在譜線I處被測氣體濃度測量產生漂移K1和在譜線II處替代氣體濃度測量產生漂移K2的因素Y1，Y2，...Yn，n為整數，然後確定漂移K1和漂移K2之間的函數關係K1＝f(K2，Y1，Y2，...Ym)，m為整數，其中m＜n；設計標定時測量Y1，Y2，...Ym的方法；e、把雷射器的工作參數調節為標定用工作參數，用分析系統測量濃度為X的替代氣體標氣，利用替代氣體的壓力P、溫度T、光程L、測得的信號強度F、以及獲得的線形函數φ，通過關係式K2=FXLf2(P,T,)]]>得到K2；測量引起分析系統漂移的因素Y1，Y2，...Ym；然後利用函數關係K1＝f(K2，Y1，Y2，...Ym)獲得在譜線I處被測氣體濃度測量的漂移K1，並存儲到信號分析單元。
作為優選，所述步驟a中測量用光譜譜線I、替代氣體及其光譜譜線II的選擇準則為a、被測氣體的吸收譜線I滿足譜線強度達到分析系統應用需要的檢測靈敏度、不受測量環境中背景氣體吸收譜線的幹擾；b、替代氣體滿足無毒或毒性比被測氣體小、或無吸附性、或性能穩定；c、替代氣體的吸收譜線II和被測氣體的吸收譜線I都在雷射器的輸出頻率調諧範圍內。
作為優選，所述步驟d中，分析系統在譜線I處被測氣體濃度測量產生漂移K1和在譜線II處替代氣體濃度測量產生漂移K2的因素包括雷射器、雷射器工作電流、光電傳感器、信號處理電路。
作為優選，在所述的步驟d中，當確定漂移K1和漂移K2之間的函數關係為K1＝K2時，所述步驟e為把雷射器的工作參數調節為標定用工作參數，用分析系統測量濃度為X的替代氣體標氣，利用替代氣體的壓力P、溫度T、光程L、測得的信號強度F、以及通過測量或計算獲得的線形函數φ，通過關係式K1=FXLf2(P,T,)]]>得到K1，並存儲到信號分析單元。
作為優選，所述的步驟c中把雷射器的工作參數調整到標定用工作參數，用濃度為X的替代氣體進行調試，測得不同壓力P、不同溫度T下的信號強度F，並利用光程L通過關係式f(P,T,)=FXL]]>得到f2(P，T，φ)。
作為優選，所述的雷射器是半導體雷射器。
在標定過程中，需要調諧雷射器使輸出光頻率掃描過光譜譜線I或II，優選以下幾種方案(1)當光譜譜線I和II距離較近，保持雷射器的工作溫度不變，通過調節輸入到雷射器掃描工作電流(如三角波電流)的偏置電流使雷射器的輸出頻率分別掃描過光譜譜線I或II。
(2)當光譜譜線I和II距離相對較遠，無法只通過調節工作電流來掃描過光譜譜線I和II，可通過調節雷射器的工作溫度使雷射器的輸出頻率分別掃描過光譜譜線I或II。
(3)同時調節雷射器的溫度和輸入到雷射器的偏置電流使雷射器的輸出頻率掃描過光譜譜線I或II。
與現有的標定方法相比，由於使用了無毒或毒性比被測氣體小的，性能穩定的，無吸附性的，易獲得標氣的等使用特性的替代氣體，因此本發明的有益效果主要表現在(1)操作者不必接觸毒性大的氣體樣品，安全有保障。(2)節約成本，操作現場不必配備造價高的安全防護設施和樣品處理設施，降低了成本。(3)操作方便，操作人員不必佩戴笨重的安全防護用具，工作效率高。(4)氣體樣品的排放和處理簡單，不必增加專門設施，對環境無汙染或汙染很小。(5)替代氣體性能穩定，標定結果可靠性高，樣品容器及配件材料普通、成本低。(6)易於獲得標定用氣體。


圖1是一種雷射氣體分析系統的標定裝置結構示意圖；圖2是一種雷射氣體分析系統的原理圖；圖3是半導體雷射器的輸入電流的波形圖；圖4是光譜譜線對應的二次諧波信號；圖5是是硫化氫和一氧化碳的吸收光譜譜線示意圖；圖6是測量硫化氫的半導體雷射器輸出雷射波長隨溫度、電流變化曲線；圖7是水蒸氣和二氧化碳的吸收光譜譜線示意8是測量水蒸氣的半導體雷射器輸出雷射波長隨溫度、電流變化曲線。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例，對本發明作進一步詳盡的描述。
實施例1圖1是一種雷射氣體分析系統的標定裝置結構示意圖。光發射單元8發出的雷射穿過標定氣室5中的氣體樣品後被光接收單元3接收，接收信號通過電纜2在光發射單元8處轉接，後通過電纜9送到信號分析單元1。氣源7通過閥門10與標定氣室5的進氣口6連接，氣體樣品由排氣口4排出。
圖2是一種雷射氣體分析系統的原理圖。半導體致冷器(TEC)21、熱敏電阻22和驅動電路23組成的比例—積分—微分(PID)溫度控制系統，精確地控制半導體雷射器24的溫度為設定值。電流源25輸出電流(由低頻三角波電流和高頻正弦波電流組成)，驅動半導體雷射器24發射雷射。雷射通過被測氣體或者氣體樣品後，被傳感器27接收，接收信號通過前置放大器30輸入鎖相放大器28。前置放大器內有自動增益控制(AGC)電路和濾波整形電路。高頻正弦波電流經過倍頻電路29倍頻後作為參考信號輸入鎖相放大器28。鎖相放大器28輸出信號(圖4所示A為最高點，B、C為最低點)。
雷射氣體分析系統的工作原理為基於可調諧雷射吸收光譜(TLAS)技術，通過定量分析雷射能量被被測氣體選擇吸收而產生的能量衰減來獲得氣體的濃度等參量。雷射穿過被測氣體的強度衰減滿足Beer-Lambert關係I＝I0Tr(v)＝I0exp[-α(v)L]＝I0exp[-XPS(T)φ(v，P，T，Xi)L] (1)
≈I0[1-XPS(T)φ(v，P，T，Xi)L] (2)式中I0和I分別表示頻率為v的雷射的入射光強和穿過壓力P、溫度T、濃度X和光程L的被測氣體後的透射光強，Tr(v)為氣體的透過率，α(v)為吸收係數。φ(v，P，T，Xi)是吸收譜線線形函數，Xi是被測氣體環境中各組成成分的濃度，其中i＝1～n，n為被測氣體環境中氣體種類數；S(T)是譜線強度，詳細描述可參見J.Wang等的論文(「Insitu combustion measurements of CO with diode-laser absorption near2.3um」Applied Optics，Vol.39，No.30，pp.5579-5589)。
TLAS技術通過(1)式來定量分析被測氣體的濃度X；通常情況下氣體的吸收較小，用(2)式來近似表達氣體的吸收。
在TLAS技術中通常使用DFB、DBR、VCSEL類型的半導體雷射器，可通過改變其工作溫度或工作電流來調諧輸出光頻率；通常採用低頻三角波電流驅動使雷射頻率掃描經過整條吸收譜線；在採用調製吸收光譜技術時再疊加上高頻正弦波電流去調製雷射器電流(圖3所示)，則雷射器的輸出頻率為v(t)＝v(t)+αcos(2πft)v(t)是三角波電流導致的雷射頻率的改變，α是正弦波電流導致雷射頻率改變的幅度，f是正弦波調製頻率。
如果忽略雷射的光強度調製(考慮到光強度調製，下面的表達式會較複雜)，得到吸收光譜譜線對應的二次諧波信號(圖4所示)V(v)=CIPS(T)XL-+(v+acosu,P,T,Xi)cos2udu]]>Γ是與系統增益相關的比例係數，取決於雷射氣體分析系統所採用的光電傳感器、信號處理電路等。I是傳感器接收到的光強，被測氣體中含有粉塵、焦油和液態水滴等雜質時，光強I會發生變化。μ為光電轉換係數。C為自動增益控制(AGC)電路的增益，AGC電路會隨著接收光強I的變化而自動調整增益。
下面列舉一種常用的AGC電路傳感器輸出信號通過一高通電路，濾除低頻的三角波信號。剩下的高頻正弦波信號再通過檢波和整形電路，提取正弦波信號的幅值來反饋控制AGC電路的增益。AGC電路的時間常數遠小於三角波的周期，但略大於正弦波周期。這種電路反應速度快，所以輸出信號μCI在A、B、C三點分別穩定為相應的常數μACAIA、μBCBIB、μCCCIC。濃度X的計算公式為X=(VA-12VB-12VC)/{S(T)LP[ACAIA-+(vA+acosu,P,T,Xi)cos2udu]]>-12BCBIB-+(vB+acosu,P,T,Xi)cos2udu]]>-12CCCIC-+(vC+acosu,P,T,Xi)cos2udu]}]]>=FKLf(P,T,(P,T,Xi))---(3)]]>其中F=(VA-12VB-12VC),]]>K＝1f(P,T,)=S(T)P[ACAIA-+(vA+acosu,P,T,Xi)cos2udu]]>-12BCBIB-+(vB+acosu,P,T,Xi)cos2udu]]>-12CCCIC-+(vC+acosu,P,T,Xi)cos2udu]]]>一般地，濃度X的計算總滿足下面的比例關係X=FKLf(P,T,(P,T,Xi))---(4)]]>其中F為測量獲得的信號；f(P，T，φ)為單位濃度單位光程的測量獲得的信號F與溫度、壓力、吸收譜線線形函數的函數關係，此關係既可以通過公式(3)或與其它特定信號處理方式對應的濃度計算公式計算出，也可以通過實驗方法測得。f(P，T，φ)中包含了雷射氣體分析系統所採用的雷射器、光電傳感器、信號處理電路、濃度計算方式和選用的吸收譜線的影響。K是標定係數，分析系統出廠前K的值初始化為1。隨著時間的推移，雷射器、傳感器和信號處理電路中的電子器件會逐漸老化，元器件的光電、電學參數會發生漂移，導致系統實際的f(P，T，φ)與出廠前記錄的f(P，T，φ)不同，當這種漂移超出分析系統的測量精度要求後，就需要重新標定K的值來修正f(P，T，φ)的漂移。
實施例2參照圖1、圖2，本實施例涉及一測量氮氣中硫化氫氣體濃度(量程為0-200ppm)的雷射氣體分析系統，該分析系統使用中心波數為6290.25cm-1的硫化氫的特徵吸收光譜譜線31來測量硫化氫；標定時的溫度範圍和壓力範圍均分別為273K-313K和0.8atm-1.2atm，本例具體介紹使用低毒的、性能穩定的、無吸附性的一氧化碳去替代有劇毒、性能不穩定、吸附性強的硫化氫進行標定的方法a、根據分子光譜資料庫(HITRAN)中氣體的光譜數據，在測量用光譜譜線31附近，並在半導體雷射器輸出頻率調諧範圍內，選定一氧化碳的特徵吸收光譜譜線32，其中心波數為6292.32cm-1；b、根據雷射器輸出頻率和輸入電流、工作溫度的關係，選擇雷射器在標定時的工作參數雷射器的工作溫度為31℃，輸入雷射器的電流與測量時相同，使雷射器的輸出頻率掃描過光譜譜線32；雷射器在測量時的工作參數如下雷射器工作溫度為35℃，三角波電流為2.84-3.13mA，頻率為7Hz，正弦波電流幅值為0.061mA，頻率為20kHz；c、把雷射器的工作參數調節到標定用參數，把濃度為2000ppm的一氧化碳通到光程為L＝50cm的標定氣室5中，根據公式f(P,T,)=FXL]]>得到一氧化碳在不同溫度、壓力下的f2(P，T，φ)(表1)，把f2(P，T，φ)的值存儲到信號分析單元1；d、系統中的傳感器和信號處理電路、雷射器及其驅動電流部分的漂移會對f1(P，T，φ)和f2(P，T，φ)產生影響，確定導致分析系統產生測量和標定漂移的因素為傳感器、雷射器以及電路器件的老化；由於採用的傳感器和信號處理電路不變，雷射器在測量和標定時的工作參數差異較小，可以認為f1(P，T，φ)和f2(P，T，φ)的漂移相同，即K1＝K2；e、雷射氣體分析系統在應用現場使用一段時間後，傳感器、雷射器以及電路器件的老化影響了測量的準確性，需要對系統進行重新標定把雷射器工作參數調節到標定用參數，把濃度為2000ppm的一氧化碳通到L＝50cm的標定氣室5中(氣室內溫度為298K，壓力為1.02atm)，測量獲得信號F，利用存儲在分析系統中的f2(P，T，φ)的值通過插值法獲得溫度298K、壓力1.02atm時f2(P，T，φ)的值，通過公式K1=K2=FXLf2(P,T,)]]>得到系統的標定係數K1＝1.003並存儲進信號分析單元1，該計算和存儲過程是在信號分析單元1內部完成。
在系統出廠後的使用過程中，需要周期性地重複步驟e，重新標定係數K1，防止器件老化導致測量誤差。顯然，在此步驟中工作人員不需要接觸劇毒的H2S氣體。
表1 一氧化碳在不同溫度、壓力下的f2(P，T，φ) 實施例3參照圖1、圖2，本實施例涉及一測量空氣中水蒸氣濃度(量程為0-200ppm)的雷射氣體分析系統，該分析系統使用中心波數為6963.17cm-1的水蒸氣的特徵吸收光譜譜線33來測量水蒸氣濃度；標定時的溫度範圍和壓力範圍均分別為273K-313K和0.8atm-1.2atm，本例具體介紹使用無毒、性能穩定的二氧化碳替代易吸附、易凝結、難以標定的水蒸氣進行標定的方法。
a、根據分子光譜資料庫(HITRAN)中氣體的光譜數據，在測量用光譜譜線33的附近，並在半導體雷射器輸出頻率調諧範圍內，選定二氧化碳的吸收光譜譜線34，其中心波數為6963.94cm-1；b、根據雷射器輸出頻率和輸入電流、工作溫度的關係，選擇雷射器在標定時的工作參數雷射器的工作溫度為29.2℃，輸入雷射器的電流與測量時相同，使雷射器的輸出頻率掃描過光譜譜線34；雷射器在測量時的工作參數如下雷射器的工作溫度為30℃，三角波電流為2.67-2.90mA，頻率為7Hz，正弦波電流幅值為0.048mA，頻率為20kHz，使雷射器的輸出頻率掃描過光譜譜線33；c、把雷射器的工作參數調節到標定用參數，把濃度為0.5％的二氧化碳通到光程L＝50cm的標定氣室5中(氣室內溫度303K，壓力1atm)，根據公式f(P,T,)=FXL]]>得到二氧化碳在不同溫度、壓力下的f2(P，T，φ)(表2)，把f2(P，T，φ)的值存儲進信號分析單元；d、系統中的傳感器和信號處理電路、雷射器及其驅動電流部分的漂移會對f1(P，T，φ)和f2(P，T，φ)產生影響，確定導致分析系統產生測量和標定漂移的因素為傳感器、雷射器以及電路器件的老化；測量和標定用直流放大電路不同，其對應的放大倍數A1和A2產生的漂移不同，其餘器件老化產生的測量和標定漂移均相同；由於雷射器在測量和標定時的工作參數差異較小，可以忽略其產生的測量和標定漂移的差異；因此，漂移K1和K2之間的關係為K1＝K2A1/A2；在測量和標定用直流放大電路前放置一個二選一模擬開關，一路連接前級檢測和放大電路，一路連接一電壓基準，可以通過把模擬開關選通該電壓基準並分別模數轉換測量和標定用直流放大電路放大後的電信號，然後在後續微處理器中計算獲得放大倍數A1和A2的比；e、雷射氣體分析系統在現場使用一段時間後，傳感器、雷射器以及電路器件的老化影響了測量的準確性，需要對系統進行重新標定把雷射器的工作參數調節到標定用參數，把濃度為0.5％的二氧化碳通到光程L＝50cm的標定氣室5中(氣室內溫度303K，壓力1atm)，測量獲得信號F，利用存儲在分析系統中的f2(P，T，φ)的值，通過公式K2=FXLf2(P,T,)]]>得到K2＝1.01，然後根據步驟d中所述方法獲得A1和A2的比為1.1，通過公式K1=K2A1A2]]>獲得分析系統的標定係數K1為1.11，並存儲進信號分析單元1，該計算和存儲過程是在信號分析單元1內部完成。
表2 二氧化碳在不同溫度和壓力下的f2(P，T，φ)
權利要求
1.一種雷射氣體分析系統的標定方法，該分析系統採用雷射吸收光譜技術，包括雷射器、光電傳感器、信號分析單元，其特徵在於所述方法包含下述步驟a、根據氣體的吸收光譜資料，在測量用光譜譜線I兩側選擇光譜譜線II，光譜譜線II是替代氣體的光譜譜線，光譜譜線I和光譜譜線II在雷射器的輸出頻率調諧範圍內；b、根據所用雷射器的工作特性確定標定情況下雷射器的工作參數；c、在標定用雷射器的工作參數下，得到替代氣體在譜線II處的單位濃度單位光程的輸出信號強度F與壓力P、溫度T、吸收譜線線形函數φ的函數關係第f2(P，T，φ)，並存儲到信號分析單元；d、確定在譜線I處被測氣體濃度測量產生漂移K1和在譜線II處替代氣體濃度測量產生漂移K2的因素Y1，Y2，…Yn，n為自然數，然後確定漂移K1和漂移K2之間的函數關係K1＝f(K2，Y1，Y2，…Ym)，m為自然數，其中m＜n；設計標定時測量Y1，Y2，…Ym的方法；e、把雷射器的工作參數調節為標定用工作參數，用分析系統測量濃度為X的替代氣體標氣，利用替代氣體的壓力P、溫度T、光程L、測得的信號強度F、以及獲得的線形函數φ，通過關係式K2=FXLf2(P,T,)]]>得到K2；測量引起分析系統漂移的因素Y1，Y2，…Ym；然後利用函數關係K1＝f(K2，Y1，Y2，…Ym)獲得在譜線I處被測氣體濃度測量的漂移K1，並存儲到信號分析單元。
2.根據權利要求1所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於所述步驟a中測量用光譜譜線I、替代氣體及其光譜譜線II的選擇準則為a、被測氣體的吸收譜線I滿足譜線強度達到分析系統應用需要的檢測靈敏度、不受測量環境中背景氣體吸收譜線的幹擾；b、替代氣體滿足無毒或毒性比被測氣體小、或無吸附性、或性能穩定；c、替代氣體的吸收譜線II和被測氣體的吸收譜線I都在雷射器的輸出頻率調諧範圍內。
3.根據權利要求1所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於在所述的步驟d中，當確定漂移K1和漂移K2之間的函數關係為K1＝K2時，所述步驟e為把雷射器的工作參數調節為標定用工作參數，用分析系統測量濃度為X的替代氣體標氣，利用替代氣體的壓力P、溫度T、光程L、測得的信號強度F、以及通過測量或計算獲得的線形函數φ，通過關係式K1=FXLf2(P,T,)]]>得到K1，並存儲到信號分析單元。
4.根據權利要求2所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於在所述的步驟d中，當確定漂移K1和漂移K2之間的函數關係為K1＝K2時，所述步驟e為把雷射器的工作參數調節為標定用工作參數，用分析系統測量濃度為X的替代氣體標氣，利用替代氣體的壓力P、溫度T、光程L、測得的信號強度F、以及通過測量或計算獲得的線形函數φ，通過關係式K1=FXLf2(P,T,)]]>得到K1，並存儲到信號分析單元。
5.根據權利要求1-4之一所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於所述步驟d中，分析系統在譜線I處被測氣體濃度測量產生漂移K1和在譜線II處替代氣體濃度測量產生漂移K2的因素包括雷射器、雷射器工作電流、光電傳感器、信號處理電路。
6.根據權利要求1-4之一所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於所述的步驟c中把雷射器的工作參數調整到標定用工作參數，用濃度為X的替代氣體進行調試，測得不同壓力P、不同溫度T下的信號強度F，並利用光程L通過關係式f(P,T,)=FXL]]>得到f2(P，T，φ)。
7.根據權利要求6所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於所述的雷射器為半導體雷射器。
8.根據權利要求7所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於通過調節輸入雷射器的掃描工作電流的偏置電流使雷射器的輸出頻率掃描過光譜譜線II。
9.根據權利要求7所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於通過調節雷射器的工作溫度使雷射器的輸出頻率掃描過光譜線II。
10.根據權利要求7所述的雷射氣體分析系統的標定方法，其特徵在於通過調節雷射器的工作溫度和輸入掃描工作電流的偏置電流使雷射器的輸出頻率掃描過光譜譜線II。
全文摘要
本發明公開了一種雷射氣體分析系統的標定方法，該方法採用調製吸收光譜技術，並包含下述步驟a.在雷射器的輸出頻率範圍內選擇替代氣體的光譜譜線II；b.選定雷射器在標定時的工作參數；c.得到替代氣體的單位濃度單位光程的輸出信號強度與壓力、溫度、吸收譜線線形函數的函數關係f
文檔編號G06F17/15GK1804585SQ200610049158
公開日2006年7月19日 申請日期2006年1月18日 優先權日2006年1月18日
發明者顧海濤, 王健, 李鷹 申請人:聚光科技(杭州)有限公司