一種寄生參數提取方法與流程

2023-06-06 07:59:06 1

本發明是申請號碼為201510015221.0，申請日為2015年1月13日，申請類型為發明，申請名稱為一種基於馬爾科夫轉移矩陣庫的寄生電容提取方法的分案申請。

本發明涉及寄生參數提取領域，尤其是涉及一種寄生參數提取方法。

背景技術：

互聯線寄生參數提取是當今集成電路設計中非常重要的一個環節。集成電路設計者通過寄生參數提取工具軟體得到集成電路中互聯線上的電阻、電容等寄生參數，再以此來得到該集成電路的時延和功耗，來判斷其設計是否在功能、頻率和功耗方面達到要求，是否需要對原設計進行改動和優化。事實上，當今的集成電路設計需要多次的設計或設計優化，其寄生參數提取和時延功耗分析才能達到最初的標準，開始進行流片即晶片生產。

22納米甚至更先進的晶片工藝流程給互聯線寄生參數提取帶來了巨大的挑戰，使集成電路設計者更難設計出更快速，更低功耗的晶片。這個挑戰的根源在於寄生參數提取的eda軟體：22納米工藝流程中的矽片上的各種效應，更高的時鐘頻率，更大的電路版圖和三維集成電路使寄生參數提取軟體在精確度、可靠度和運行時間上都有巨大的麻煩。集成電路設計者不得不通過增加其設計的冗餘度來應對以上的問題，以保證其設計的可靠性，但這樣就降低了設計出的晶片的時鐘頻率，增加了晶片的功耗。

寄生參數提取的技術可大致分為兩類：

1、基於場解氣的技術：前者從麥克斯韋方程的某種變體形式出發來求解電路中的電磁場，直接從中得到電路的寄生參數(電阻、電容等)，其理論清晰，從而精確可靠，但因求解實際集成電路版圖上的麥克斯韋方程需要的計算量巨大，使其無法運用到真實的集成電路設計上；

2、基於模型匹配的技術：對預先定義的一些電路模型建立寄生參數庫，然後通過對實際的電路與模型的匹配來取得寄生參數，在實際版圖的提取中有較高的效率，從而在今工業界得到廣泛的應用，但是因不可能預先定義電路版圖中所有可能出現的模型，故在新的工藝下基於模型匹配的寄生參數提取精確度與可靠性不足。國內外佔寄生參數提取市場主導地位的是synopsys的starrc，cadence的qrc和mentor的calibrexrc，它們都是基於模型匹配提取技術的，共佔有整個寄生參數提取市場份額的95％。這些軟體工具基本能夠滿足以前的集成電路工藝製程下寄生參數提取的要求，但是由於22納米或更新的工藝製程的新的特點，其精確度、可靠性和運行效率在新的工藝製程下都不夠理想。

審查員在母案的第一次審查意見通知書中指出：由作者孫澤武在《中國優秀碩士學位論文全文資料庫信息科技輯》(20131231)發表的論文《考慮懸浮啞元的互連電路寄生電容提取算法研究》公開了一種考慮懸浮啞元的互連電路寄生電容提取算法研究，具體公開了一種基於概率轉移的隨機行走寄生電容提取算法。算法通過對標準啞元區域進行離散並計算馬爾科夫轉移矩陣，建立標準啞元區域的宏模型。利用mtm算法可以依據概率來實現區域邊界元到其他面元、區域邊界面元到內部觀元的轉移，利用標準啞元區域的mtm提取寄生電容，有效地提高了計算結果復用率，同時提高寄生電容的提取速度。但是該論文不僅沒有具體公開如何利用馬爾科夫轉移矩陣提取集成電路設計中的寄生電容的內容，也沒有公開計算導體間的寄生電容的具體內容。該論文的計算寄生電容的方法主體是普通的隨機行走法，並未用到預先建立的馬爾可夫轉移矩陣。因此，該論文不能解決如何提取集成電路中的寄生電容的技術問題。針對以上現有技術所存在的缺陷，本發明提供一種基於馬爾可夫轉移矩陣庫的寄生參數提取方法。

技術實現要素：

針對現有技術之不足，本發明提出一種基於馬爾可夫轉移矩陣庫的寄生電容提取方法，以提高新工藝製程下的精確度和可靠性，滿足目前集成電路設計所面臨的更高要求。

本發明的基於馬爾可夫轉移矩陣庫的寄生電容提取方法，該方法包括以下步驟：

由模型模板和工藝參數文件構造電路模型；

由電路模型生成馬爾可夫轉移矩陣；

存儲同一工藝製程下的各個模型的馬爾可夫轉移矩陣至馬爾可夫轉移矩陣庫中；和

利用馬爾可夫轉移矩陣庫提取該工藝製程下的集成電路設計中的寄生電容。

其中，電路模型生成馬爾可夫轉移矩陣的步驟包括：

將指定的電路模型的邊界劃分為若干邊界元，並將所有邊界元離散化；

將每一個邊界元都可被看作一個單獨的導體，計算出由所述邊界元的總電容和該邊界元與其他邊界元之間的耦合電容組成的邊界電容矩陣；和

轉換所述邊界電容矩陣為馬爾可夫轉移矩陣。其中，邊界元包括介質邊界元和導體邊界元。

其中，轉換邊界電容矩陣為馬爾可夫轉移矩陣的步驟包括：

利用公式轉換邊界電容矩陣為馬爾可夫轉移矩陣，其中m是馬爾可夫轉移矩陣，是邊界電容矩陣，i是與邊界電容矩陣同維的單位矩陣，是對矩陣取對角運算，是對邊界電容矩陣取對角運算後求逆。

其中，馬爾可夫轉移矩陣滿足的充分必要條件為：所有元素都是非負的，並且每行元素之和為1，對角元為0。

其中，利用馬爾可夫轉移矩陣庫提取該工藝製程下的集成電路設計中的寄生電容的步驟包括：

讀入相應工藝製程的馬爾可夫轉移矩陣庫；

讀入及翻譯集成電路版圖並將其劃分為若干個子區域；

讀入相應工藝製程下每個子區域的電路模型的馬爾可夫轉移矩陣；和

由每個子區域的電路模型的馬爾可夫轉移矩陣計算出導體間的寄生電容。

其中，讀入相應工藝製程下每個子區域的電路模型的馬爾可夫轉移矩陣的步驟包括：

讀入每個子區域的電路模型的寄生參數映射表；

讀入與每個子區域的電路模型在同一工藝製程下相對應的模型介質區域的馬爾可夫轉移矩陣m0電路；和

利用模型介質區域的馬爾可夫轉移矩陣的微分方程，計算同一工藝製程下任一子區域的電路模型的馬爾可夫轉移矩陣，

其中，m1為任一子區域的電路模型在相應工藝製程下的馬爾可夫轉移矩陣，m0為與每個子區域在同一工藝製程下相對應的模型介質區域的馬爾可夫轉移矩陣，x、y為相應工藝製程的寄生參數，δx、δy為任一子區域的電路模型在相應工藝製程下的寄生參數變化量。

其中，由每個子區域的電路模型的馬爾可夫轉移矩陣計算出導體間的寄生電容的步驟包括：

設定任意一個導體i的電位為1v，設定導體j及其它導體的電位為0v，其中j≠i；與導體j相鄰的多個邊界元中的一個邊界元為始發邊界元；

由導體所在子區域的電路模型對應的馬爾科夫轉移矩陣得到始發邊界元直接或間接跳轉至相鄰邊界元或導體的轉移概率；

以足夠多的次數由始發邊界元出發並按照隨機漫步法跳轉至已知電位的邊界元或導體；

對最終跳轉至導體的電位以跳轉至該導體的轉移概率為權重進行加權平均從而得到始發邊界元的電位；

重複上述步驟得到所有與導體j相鄰的邊界元的電位；

根據的原理，按照等式得到導體j的總電荷；

當導體電位為1v時，該導體的總電荷在數值上等於該導體的總電容，或該導體電位為0v時，該導體的總電荷在數值上等於與電位設為1v的導體之間的耦合電容。

其中，讀入及翻譯集成電路版圖的步驟中包括：轉化集成電路版圖為內部按空間區域索引的數據格式。

其中，讀入及翻譯集成電路版圖並將其劃分為若干個子區域的步驟包括：由集成電路設計版圖和對應工藝製程下的工藝參數文件共同得到實際矽片上的電路板圖。

其中，集成電路板圖為標準格式的集成電路版圖。

本發明的技術效果

本發明中建立馬爾可夫轉移矩陣庫和運用隨機漫步法進行寄生參數提取的方法都是嚴格基於麥克斯韋方程的變體形式，可以完全控制計算過程中的誤差，保證了精度與可靠性。本發明中一個工藝流程只建立一次馬爾可夫轉移矩陣庫，絕大部分的計算過程在建庫時進行，而不是在使用隨機漫步法計算並提取寄生參數時進行，故能達到非常高的效率。本發明的馬爾可夫轉移矩陣庫與模型匹配法裡面的寄生參數庫不同，本發明的模型為基本的導體、介質或二者邊界，能夠覆蓋電路中所有可能出現的情況；而模型匹配法必須要考慮多個導體之間的耦合關係，模型的組合複雜，無法以可實際接受的數量的模型來覆蓋所有可能出現的電路版圖情況。

附圖說明

圖1是基於馬爾可夫轉移矩陣庫的寄生電容提取方法的流程圖；

圖2是二維相鄰子區域交界線上的邊界元的示意圖；和

圖3是三維相鄰子區域交界面上的邊界元的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖進行詳細說明。

結合圖1所示的基於馬爾可夫轉移矩陣庫的寄生電容提取方法的流程圖，本發明的基本原理是：

1、建庫：將模型模板和工藝參數文件讀入或輸入計算機中構造成包含若干層電介質、若干個導體的電路模型並劃分指定的模型邊界為若干邊界元。將所有邊界元離散化，將每一個邊界元視作一個單獨的導體，並根據介質區域的電磁場的線性與狄裡赫利邊界條件，計算出由所述邊界元的總電容和該邊界元與其他邊界元之間的耦合電容組成的邊界電容矩陣；在得到邊界電容矩陣後，按照公式轉化邊界電容矩陣為馬爾可夫轉移矩陣，其中m是馬爾可夫轉移矩陣，是邊界電容矩陣，i是與邊界電容矩陣同維的單位矩陣，是對矩陣取對角運算，是對邊界電容矩陣取對角運算後求逆，並且馬爾可夫轉移矩陣滿足的充分必要條件為：所有元素都是非負的，並且每行元素之和為1，對角元為0；將計算所得同一工藝製程下的各個電路模型的馬爾可夫轉移矩陣存儲至對應該工藝製程下的馬爾可夫轉移矩陣庫之中，並且每一個不同的集成電路工藝只需建立一次馬爾可夫轉移矩陣庫。

2、提取電容：讀入某一工藝製程下的馬爾可夫轉移矩陣庫，並翻譯集成電路版圖為內部數據格式，並將對應的集成電路版圖劃分為若干個子區域，通過讀入的每個子區域的電路模型的寄生參數映射表，根據馬爾可夫矩陣的微分方程，計算出與模型介質區域相對應的子區域的馬爾克夫矩陣；設定任意一個導體i的電位為1v，設定導體j及其它導體的電位為0v，其中j≠i；與導體j相鄰的多個邊界元中的一個邊界元為始發邊界元；由導體所在子區域的電路模型對應的馬爾科夫轉移矩陣得到始發邊界元直接或間接跳轉至相鄰邊界元或導體的轉移概率；以足夠多的次數由始發邊界元出發並按照隨機漫步法跳轉至已知電位的邊界元或導體；對最終跳轉至導體的電位以跳轉至該導體的轉移概率為權重進行加權平均從而得到始發邊界元的電位；重複上述步驟得到所有與導體j相鄰的邊界元的電位；根據的原理，按照等式得到導體j的總電荷；當導體電位為1v時，該導體的總電荷在數值上等於該導體的總電容，或該導體電位為0v時，該導體的總電荷在數值上等於與電位設為1v的導體之間的耦合電容。

下面，詳細敘述本發明的基於馬爾可夫轉移矩陣庫的寄生電容提取方法。

由模型模板和工藝參數文件構造電路模型

將集成電路版圖的模型模板和工藝參數文件的工藝特徵尺寸的數據讀入或輸入計算機，然後構造成包含若干層電介質，若干個導體的電路模型。

在本發明中，工藝參數文件一般由集成電路生產商提供，其是描述某個集成電路工藝製程下導體、介質的幾何與物理特徵等相關參數的文件。每一個集成電路工藝製程對應一個工藝參數文件。集成電路工藝製程是指集成電路的精細度。精度越高，生產工藝越先進，例如28納米工藝製程、22納米工藝製程。工藝製程的納米是指ic內電路與電路之間的距離，密度愈高的ic電路設計，意味著在同樣大小面積的ic中，可以擁有密度更高、功能更複雜的電路設計。電路模型是集成電路中的一小部分，若干電路模型可以組成整個集成電路板圖。一個電路板圖包含若干層電介質和若干個導體，導體的數量一般較少。

由電路模型生成馬爾可夫轉移矩陣

將某個均勻或非均勻的介質區域的邊界離散化，得到一組邊界元。邊界元包括介質邊界元和導體邊界元。介質邊界元分布在介質區域外圍，導體邊界元即狄裡赫利邊界分布在區域內部或邊界上。

本發明與其它寄生參數提取方法中使用的電路模型的不同之處在於，本發明中電路模型的全部或部分邊界被劃分成若干邊界元，作為後來在電容提取中的轉移節點。

標記介質邊界元和導體邊界元上的平均電勢和激化電荷電量或電場強度在邊界元上的積分分別為ud，qd和um，qm。由於電磁場的線性，無論是在均勻介質還是非均勻介質中，[udum]和[qdqm]都存在線性關係，即

根據狄裡赫利邊界條件，每個導體為等勢體，導體邊界元的平均電勢ud和(激化電荷)電量qd可由其對應導體的電勢ud與總電量qd替代，用高斯消元法或類似的方法可以減小方程係數矩陣維度，得到

方程(2)的係數矩陣可被稱為「邊界電容矩陣」(boundarycapacitancematrix,bcm)，並被簡記為：

邊界電容矩陣就是反映導體與區域介質邊界元之間相互作用的電容矩陣，其中矩陣的對角元為總電容，矩陣的非對角元為耦合電容取相反數。對角元cii等於導體i的總電容，非對角元cij和cji等於導體i和導體j的耦合電容取相反數，本發明中導體可被看做導體的邊界元。例如，假設模型中有兩個導體，導體1的總電容為ct1，導體2的總電容為ct2，二者的耦合電容為cc。則此模型的邊界電容矩陣從而得到由總電容和/或耦合電容組成的邊界電容矩陣。

在物理上，每一個邊界元都可被看作一個單獨的導體。若邊界電容矩陣中採用常數邊界元，邊界電容矩陣與普通的電容矩陣在數學上具有相同的形式，普通的電容矩陣僅表示真正導體之間電容的矩陣。先用獨立的導體替換每一個區域介質邊界元，用傳統的電容矩陣計算方法得到對應導體系統中的(普通)電容矩陣c，從而得到該區域的邊界電容矩陣

利用等式轉換所得到的邊界電容矩陣為馬爾可夫轉移矩陣，其中m是馬爾可夫轉移矩陣，是邊界電容矩陣，i是與邊界電容矩陣同維的單位矩陣，是對矩陣取對角運算，是對邊界電容矩陣取對角運算後求逆。馬爾可夫轉移矩陣m中的元素mij代表從節點i跳到節點j的概率。

一般情況下，馬爾科夫轉移矩陣需要滿足的充分必要條件條件為：矩陣所有元素都是非負的，並且各行元素之和等於1，各元素用概率表示，在一定條件下是互相轉移的。而在本發明中，馬爾可夫轉移矩陣還必須滿足的充分必要條件為:矩陣的對角元為0。由電荷守恆可知，的每一行元素之和為0即空間中的總電荷為0，且的對角元為正。在確定無窮遠為參考0電位的情況下，激化電荷的符號與其電位的符號相同，的非對角元為負數或0。因此，根據等式得到的馬爾可夫轉移矩陣m滿足本發明的三個充分必要條件。

利用馬爾可夫轉移矩陣及其微分計算同一工藝製程下不同寄生參數的電路模型生的馬爾可夫轉移矩陣

對於均勻的介質區域，存在邊界積分方程

將介質區域的邊界劃分成邊界元，方程(14)可離散化為

hu＝gq(5)

對邊界元上的電勢u取0或1，其對應的邊界元電量q就是該區域電容矩陣的一列。選取適當的邊界元電勢矩陣u代入方程(15)中，通過計算對應的邊界元電勢q得到該區域的邊界電容矩陣即

hu＝gq(6)

對方程(16)兩邊都取變量x的偏微分，變量x是介質區域的某個參數，例如介質的介電常數，區域內導體的長度、寬度或高度，區域本身的長度、寬度或高度,得到

在方程(17)中，和都可以通過對每一個元素求微分得到，於是也就可以計算出來。在此基礎上，通過馬爾可夫轉移矩陣計算模型中邊界元各自的總電容和/或耦合電容，將總電容和耦合電容組成的邊界電容矩陣的類似過程，得到邊界電容矩陣的微分和馬爾可夫轉移矩陣的微分具體詳細過程在此不在贅述。

利用模型介質區域之間的馬爾可夫轉移矩陣的微分方程計算同一工藝製程下的其他介質區域的馬爾可夫轉移矩陣。具體計算方法為：

若一介質區域n0有參數x＝x0，y＝y0，其對應的馬爾可夫轉移矩陣是m0；另一介質區域n1與n0相同，除其參數x＝x0+δx，y＝y0+δy與n0的參數x0，y0略有差別外。則區域n1對應的馬爾可夫轉移矩陣m1可近似為

於是，本發明僅預先計算少數的介質區域模型的馬爾可夫轉移矩陣及其微分，而在實際電容提取時通過公式(10)和模型介質區域n0的馬爾可夫轉移矩陣及其微分來得到實際的介質區域n1的馬爾可夫轉移矩陣。

當介質區域交界面上邊界元吻合時，利用馬爾可夫轉移矩陣提取總電容和/或耦合電容的計算方法

假定在一個介質區域n1中，uj為其中導體的電勢或區域邊界元的電勢。假設導體i上電勢為0，即ui＝0，且導體i的邊界元編號為i。那麼導體i上的電量可表示為

利用等式(4)，把通過區域邊界元電勢uj為在ui＝0時的導體i上的電量qi估值看作馬爾可夫隨機過程中的一步。在ui＝0時,運用隨機漫步法計算導體i上的電量qi，從而得到導體i到j的耦合電容，即

其中n為從導體i開始的總行走次數，而nj為終止於導體j的次數。

使ui＝1，uj＝0(j≠i)，從方程(3)可以推出

即qi可通過上述隨機過程來計算。由於其他導體電勢均為0，只有跳回導體i的行走對計算qi有貢獻，即

其中ni為起始於導體i且終止於導體i的隨機行走次數。由此得到導體i的總電容cii。

當介質區域交界面上邊界元不吻合時，利用馬爾可夫轉移矩陣提取二維相鄰子區域的總電容和/或耦合電容的計算方法

如圖2的二維相鄰子區域交界線上的邊界元的示意圖，其中介質區域n1與n2的交界面上的邊界元不吻合。根據靜電場持續性方程得到，

但此時並不直接出現於n2的邊界積分方程當中，需要由與n1中的邊界元i在n2中對應的邊界元k和l的電量和來估算使用常數邊界元，得到

根據邊界元i，k和l對應的方程

得到

其中，

當介質區域交界面上邊界元不吻合時，利用馬爾可夫轉移矩陣計算三維相鄰子區域的總電容和/或耦合電容的計算方法

如圖3的三維相鄰子區域交界線上的邊界元的示意圖，其中介質區域n1與n2的交界面上的邊界元不吻合，兩個相鄰介質子區域為n1和n2，sk,sl,sm,sn是圖中n2的4個邊界元的面積；sik,sil,sim,sin是n2的四個邊界元與n1的右上角的邊界元i所重合部分的面積。

使用常數邊界元，易得

再由邊界元i，k，l，m和n對應的方程

得到方程

然後根據電容矩陣的定義cu＝q，設定u為單位矩陣或某種特殊矩陣，即假定一系列導體上的電勢為0或1，計算各導體上相應的電量q，最終得到各導體的總電容和各導體之間的耦合電容。其具體過程類似於在介質區域交界面上邊界元吻合時，利用馬爾可夫轉移矩陣提取總電容和/或耦合電容的計算過程，在此不在贅述。

本發明計算模型中的電容能夠採用傳統提取寄生電容的方法提取，而真正集成電路的電容不能實現採用傳統提取寄生電容的方法提取。原因在於本發明定義的模型規模很小，能夠在有效的時間內運用傳統的提取寄生電容的方法得到寄生電容，而真實的集成電路規模太大，採用傳統的電容提取方法無法得到結果。同時本發明對一個工藝製程只需要建立一次馬爾可夫轉移矩陣庫，絕大部分的計算過程在建庫時進行，在提取寄生電容時縮短了提取時間，能達到非常高的效率。

由馬爾可夫轉移矩陣計算導體間的寄生電容的詳細過程

首先，讀入相應工藝製程下的馬爾可夫轉移矩陣庫。然後，將標準格式例如lef/def格式、gdsii格式等的集成電路版圖讀入或輸入計算機，翻譯並轉化該集成電路版圖為內部按空間區域索引的數據結構格式以便更有效的提取寄生參數。但在45納米工藝製程或更新的集成電路工藝製程下，由於受到眾多矽片生產時的物理效應影響，最終矽片上的版圖與設計者設計的版圖會有不同，例如導線的寬度、厚度及形狀都會有變化。因此，為了保證最終矽片上的版圖與設計的集成電路版圖一致，在讀入設計者的電路版圖後，需要根據工藝參數文件的工藝特徵考慮矽片上的效應，由集成電路設計版圖和對應工藝製程下的工藝參數文件共同得到實際矽片上的電路板圖。

在獲得實際矽片上的電路板圖後，將一個大的數據結構形式的集成電路版圖劃分成多個子版圖，讓多個計算機內核或多臺計算機並行對各個子版圖的電路模型提取對應工藝製程下的馬爾可夫轉移矩陣，以便減少提取寄生電容的總時間。所有集成電路版圖的子區域都是直接或間接通過其邊界相連的，因此其對應的馬爾可夫轉移矩陣都可以連結在一起。任一子區域上的邊界元轉移到其餘邊界元或導體的概率都可以通過相應的馬爾可夫轉移矩陣計算出來。

設定任意一個導體i的電位為1v，設定導體j及其它導體的電位為0v，其中j≠i。與導體j相鄰的多個邊界元中的一個邊界元為始發邊界元；與所有邊界元相鄰的邊界元或導體標記為s。

當導體電位為1v時，該導體的總電荷在數值上等於該導體的總電容，或該導體電位為0v時，該導體的總電荷在數值上等於與電位設為1v的導體之間的耦合電容。

此時的邊界電容矩陣已知，由得到導體j上的總電荷qj為因此，若要求導體i與導體j之間的耦合電容cij，需要首先得到所有與導體j相鄰的邊界元的電位。

由導體所在子區域的電路模型對應的馬爾科夫轉移矩陣得到，始發邊界元轉移到其相鄰邊界元或導體r的轉移概率為由於始發邊界元本身是在電介質中而非導體上，故始發邊界元上的總電量為0。

可由與其相鄰的邊界電容和電位差表示，即

將此等式變換，得到

又進一步得到

用文字來描述此等式的原理為：一邊界元的電位等於其所有相鄰邊界元或導體的電位的加權平均，相應權重等於此邊界元到相鄰邊界元或導體的馬爾可夫矩陣中的轉移概率

具體地，由導體所在子區域的電路模型對應的馬爾科夫轉移矩陣得到始發邊界元直接或間接跳轉至相鄰邊界元或導體的轉移概率。

以始發邊界元為起點，按照馬爾可夫轉移矩陣中的轉移概率以隨機漫步法的方式跳轉到其相鄰的邊界元或導體。本發明中隨機漫步法指由起點開始以一定的概率跳轉至臨近邊界元，一直持續跳轉直至跳轉至某一個電位已知的導體結束的方法。由始發邊界元跳轉到導體r，由於此時導體的電位已知，這一次隨機跳轉結束；若跳轉到邊界元則繼續跳轉，直到跳轉至某一個電位已知的導體結束。

當以始發邊界元為起點的出發次數足夠多時，始發邊界元上的電位就無限接近於最終跳轉到的每一個導體上的電位的加權平均，此權重就是最終跳轉到該導體的概率。由於設定導體i上的電位為1v，其它所有導體的電位為0v，則始發邊界元上的電位就是最終跳轉到導體i上的概率。

重複上述步驟，得到所有與導體j相鄰的邊界元的電位。根據的原理，按照等式得到導體j的總電荷；

當導體電位為1v時，該導體的總電荷在數值上等於該導體的總電容，或該導體電位為0v時，該導體的總電荷在數值上等於與電位設為1v的導體之間的耦合電容。

計算出的導體的總電容和/或耦合電容即為集成電路版圖的子區域對應的寄生電容，寄生電容包括總電容和/或耦合電容。用戶或集成電路設計者可指定總電容和耦合電容中的兩者或任意一項進行提取。本發明對一個集成電路版圖設計的寄生電容提取只需要做一次，節省了提取時間，提高了提取效率。

需要注意的是，上述具體實施例是示例性的，本領域技術人員可以在本發明公開內容的啟發下想出各種解決方案，而這些解決方案也都屬於本發明的公開範圍並落入本發明的保護範圍之內。本領域技術人員應該明白，本發明說明書及其附圖均為說明性而並非構成對權利要求的限制。本發明的保護範圍由權利要求及其等同物限定。