溼蝕刻設備的製作方法
2023-06-06 07:54:01
專利名稱：溼蝕刻設備的製作方法
技術領域：
本發明是關於一種溼蝕刻設備。
背景技術：
溼蝕刻技術以其成本低、產率高、可靠，對光罩與基座材料選擇性好等優點，在薄膜電晶體液晶顯示器(Thin-Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)的前段半導體製程對玻璃基板的蝕刻過程中得到廣泛應用。然而，溼蝕刻設備因為其段點眾多，玻璃基板傳送流程複雜，一般在高壓下伴隨第一道清洗進行溼傳送玻璃基板過程中，會產生激烈震動，致使產品追片及破碎等異常現象發生，造成生產率降低。
請參閱圖1，是一種現有技術溼蝕刻設備的立體結構示意圖。該溼蝕刻設備10包括一基板承載室111、一緩衝室112、一第一蝕刻室113、一第二蝕刻室114、一第三蝕刻室115、一溼傳送區116、一漂洗室117、一乾燥室118、一幹傳送區119及居於中心的維修區110。該溼蝕刻設備10是水平排列，該基板承載室111分別與該緩衝室112及該幹傳送區119連接，該基板承載室111、該緩衝室112、該第一蝕刻室113、該第二蝕刻室114、該第三蝕刻室115、該溼傳送區116、該漂洗室117、該乾燥室118及該幹傳送區119順序首尾相連，環繞呈矩形狀，該維修區110位於該溼蝕刻設備10各部分環繞形成的中心矩形區域，分別與溼蝕刻設備10的其它各部分相鄰，該緩衝室112、該第一蝕刻室113、該第二蝕刻室114及該第三蝕刻室115與該漂洗室117、該乾燥室118及該幹傳送區119分別平行排列於該維修區110的兩側，該基板承載室111與溼傳送區116分別平行排列於該維修區110的另外兩側。
玻璃基板經前段製程處理完畢，進入該溼蝕刻設備10的基板承載室111，該緩衝室112是將待蝕刻的玻璃基板由該基板承載室111裝載於其上，使得玻璃基板順序進入與該緩衝室112直線排列的相連的該第一蝕刻室113、第二蝕刻室114與第三蝕刻室115，蝕刻完畢的玻璃基板進入該溼傳送區116內，由滾筒或夾具伴以去離子水在高壓下對玻璃基板進行清洗傳送過程，隨後依次進入該漂洗室117、該乾燥室118及該幹傳送區119，該幹傳送區119將處理完畢的玻璃基板卸載至該基板承載室111，再由該基板承載室111向後續製程傳送，如此，玻璃基板的傳送路徑形成。
該維修區110是封閉區域，其內設置有溼蝕刻製程所需要的化學管線及氣體管線，人員可進入其內進行維修。該緩衝室112下方是該維修區110的入口信道(未標示)，由此可進入該維修區110對各部分段點進行維修管護。
然而，該維修區110的維修通道入口橫截面為0.9m×0.9m，使得設備維護人員出入不便；該溼傳送區116是由滾筒或夾具伴以去離子水第一道清洗進行溼傳送，由於溼傳送過程是在高壓清洗中進行溼傳送，發生強烈震動，玻璃基板易在此過程中產生破碎、追片等異常現象，降低產品合格率；該第一蝕刻室113、該第二蝕刻室114及該第三蝕刻室115與該基板承載室111之間僅隔一緩衝室112，距離該基板承載室111近，偶爾有化學品洩漏對玻璃基板及周圍環境造成汙染，會降低產品合格率；該幹傳送區119作為連接該乾燥室118與該基板承載室111的部分，必須保持相應的長度，這不僅造成材料消耗，而且佔用不必要的場地。
請參閱圖2，是現有技術溼蝕刻設備的俯視圖。隨著液晶顯示器面板尺寸的大型化，溼蝕刻設備10也相應佔據較大空間。該溼蝕刻設備10的傳送系統是水平傳送，該溼蝕刻設備10除該基板承載室111之外的其餘各部分是水平呈矩形排列，該緩衝室112與該第一蝕刻室113、第二蝕刻室114與第三蝕刻室115及溼傳送區116構成的矩形的一邊寬度為10.08m，該維修區110寬度為0.9m，其兩側的各段點寬度均為2.3m，該溼傳送區116構成矩形的一邊，寬度為5.5m，因此，該溼蝕刻設備10除該基板承載室111之外的其餘各部分佔地面積達55.44m2。
請參閱圖3，是現有技術的兩溼蝕刻設備排列的示意圖。該現有技術的兩溼蝕刻設備10間隔為0.9m，除該基板承載室111之外其餘各部分佔地123.75m2。
發明內容為克服現有技術的溼蝕刻設備維護不方便、產品合格率低及佔地面積大的問題，本發明提供一種便於維護、產品合格率高及佔地面積小的溼蝕刻設備。
本發明還提供另一種可解決相同技術問題的溼蝕刻設備。
本發明解決技術問題所採用的技術方案是提供一種溼蝕刻設備，包括一基板承載室、一幹傳送區、一乾燥室、一漂洗室及一蝕刻區，該基板承載室、乾燥室、漂洗室及蝕刻區順序呈直線排列，該溼蝕刻設備還包括一升降室及一幹傳送帶，該幹傳送帶位於該乾燥室、漂洗室及蝕刻區的上方，且與基板承載室及升降室連接。
本發明解決技術問題所採用的另一個技術方案是提供一種溼蝕刻設備，用於溼蝕刻玻璃基板，玻璃基板在該溼蝕刻設備中經由水平傳送過程、垂直傳送過程及水平傳送過程完成玻璃基板的傳送。
相較於現有技術，由於本發明溼蝕刻設備的幹傳送帶位於乾燥室、漂洗室及蝕刻區的上方，這種雙層結構使得該溼蝕刻設備的維修操作可在相對互補擺放的兩溼蝕刻設備之間的敞開區域進行，維修人員出入方便，維護操作及日常點檢簡便；該溼蝕刻設備省去現有技術的複雜溼傳送區，改採用升降室進行玻璃基板傳送，避免因伴隨高壓清洗進行溼傳送過程中，產生強烈的震動，從而引起玻璃基板在此過程中產生破碎、追片等異常現象，提高產品合格率；該蝕刻區距離該基板承載室遠，可減少偶爾有的化學品洩漏對玻璃基板及周圍環境的汙染，並且提高產品合格率；該溼蝕刻設備充分利用空間，兩溼蝕刻設備相對互補擺放，可節省場地面積。
圖1是一種現有技術溼蝕刻設備的立體結構示意圖。
圖2是現有技術溼蝕刻設備的俯視圖。
圖3是現有技術的兩溼蝕刻設備排列的示意圖。
圖4是本發明的溼蝕刻設備的立體結構示意圖。
圖5是本發明的兩溼蝕刻設備相對排列的示意圖。
具體實施方式
請參閱圖4，是本發明的溼蝕刻設備的立體結構示意圖。該溼蝕刻設備20包括順序呈直線排列的一基板承載室211、一幹傳送區219、一乾燥室218、一漂洗室217、一第三蝕刻室216、一第二蝕刻室215、一第一蝕刻室214及一升降室213，還包括一幹傳送帶212，該幹傳送帶212位於該幹傳送區219、該乾燥室218、該漂洗室217、該第三蝕刻室216、該第二蝕刻室215及該第一蝕刻室214的上方，且與該基板承載室211及該升降室213連接。
該基板承載室211分別與該幹傳送帶212及該幹傳送區219連接；該幹傳送帶212將由該基板承載室211上裝載的玻璃基板幹水平傳送至該升降室213，玻璃基板經升降室213由上層垂直傳送至下層，然後順序進入第一蝕刻室214、第二蝕刻室215、第三蝕刻室216、漂洗室217、乾燥室218及幹傳送區219，該幹傳送區219將處理完畢的玻璃基板卸載至該基板承載室211完成玻璃基板的傳送，再由該基板承載室211向後續製程傳送。
請一併參閱圖5，是本發明的兩溼蝕刻設備相對排列的示意圖。兩溼蝕刻設備20相對擺放，中間形成維修區210，間隔寬度為0.9m。該幹傳送區219、該乾燥室218、該漂洗室217、該第三蝕刻室216、該第二蝕刻室215及該第一蝕刻室214順序排列，長度為12.5m，各部分寬度2.3m。
兩溼蝕刻設備20相對排列，除基板承載室211之外其餘部分佔地面積為73.7m2。而現有技術的兩溼蝕刻設備10，除該基板承載室111之外其餘各部分佔地123.75m2，本發明的兩溼蝕刻設備20可較現有技術的兩溼蝕刻設備10佔地面積節省50.05m2。
相較於現有技術，由於本發明溼蝕刻設備20的該幹傳送帶212位於該幹傳送區219、該乾燥室218、該漂洗室217、該第三蝕刻室216、該第二蝕刻室215及該第一蝕刻室214的上方，這種雙層結構使得該溼蝕刻設備20的維修操作可在兩溼蝕刻設備20之間的敞開區域進行，維修人員出入方便，維護操作及日常點檢簡便；該溼蝕刻設備20省去現有技術的複雜溼傳送區，改採用該幹傳送帶212及該升降室213進行玻璃基板傳送，避免因伴隨高壓清洗行溼傳送過程中，產生強烈的震動，從而引起玻璃基板在此過程中產生破碎、追片等異常現象，提高產品合格率；該第一蝕刻室214、第二蝕刻室215與第三蝕刻室216距離該基板承載室211遠減少偶爾有的化學品洩漏對該基板承載室211承載的玻璃基板及周圍環境的汙染，並且提高產品合格率；該幹傳送區219將玻璃基板卸載至該基板承載室211，作為連接該乾燥室218與該基板承載室211的部分，保持相應的長度即可，不需要做多餘的補償；該溼蝕刻設備20充分利用空間排列，兩溼蝕刻設備20相對互補擺放，可節省場地面積。
權利要求
1.一種溼蝕刻設備，包括一基板承載室、一幹傳送區、一乾燥室、一漂洗室及一蝕刻區，其特徵在於該基板承載室、乾燥室、漂洗室及蝕刻區順序呈直線排列，該溼蝕刻設備還包括一升降室及一幹傳送帶，該幹傳送帶位於該乾燥室、漂洗室及蝕刻區的上方，且與基板承載室及升降室連接。
2.如權利要求1所述的溼蝕刻設備，其特徵在於該幹傳送區連接該基板承載室與乾燥室，位於基板承載室與乾燥室之間。
3.如權利要求1所述的溼蝕刻設備，其特徵在於該蝕刻區包括一第一蝕刻室、一第二蝕刻室及一第三蝕刻室。
4.一種溼蝕刻設備，用於溼蝕刻玻璃基板，其特徵在於玻璃基板在該溼蝕刻設備中經由水平傳送過程、垂直傳送過程及水平傳送過程完成玻璃基板的傳送。
5.如權利要求4所述的溼蝕刻設備，其特徵在於玻璃基板在水平傳送過程中由一基板承載室經一幹傳送帶傳送至一升降室，在垂直傳送過程中由升降室到達一蝕刻區，再通過水平傳送依次經過一蝕刻區、一漂洗室及一乾燥室傳送至基板承載室。
全文摘要
本發明公開一種溼蝕刻設備，其包括一基板承載室、一幹傳送區、一乾燥室、一漂洗室及一蝕刻區，該基板承載室、乾燥室、漂洗室及蝕刻區順序呈直線排列，該溼蝕刻設備還包括一升降室及一幹傳送帶，該幹傳送帶位於該乾燥室、漂洗室及蝕刻區的上方，且與基板承載室及升降室連接。
文檔編號C23F1/08GK1696346SQ200410027229
公開日2005年11月16日 申請日期2004年5月12日 優先權日2004年5月12日
發明者高勝洲, 黃榮龍, 歐振憲, 黃昌桂, 陳青楓, 黃志鴻 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 群創光電股份有限公司