具有自動清洗功能的蝕刻腔室及其清洗組件、清洗方法與流程

2023-06-06 04:56:51 3

本發明涉及顯示終端製造技術領域，具體涉及一種具有自動清洗功能的蝕刻腔室及其清洗組件、清洗方法。

背景技術：

在lcd(liquidcrystaldisplay,液晶顯示器)的製程中，蝕刻工藝是非常重要的一環。蝕刻工藝是利用化學藥品對基板表面的金屬進行腐蝕，從而達到去除部分金屬以形成預定圖案的目的。當前，蝕刻工藝一般採用容易揮發的草酸溶液，在蝕刻設備閒置過久時揮發的草酸溶液容易在蝕刻腔室內結晶，所產生的結晶體不僅會劃傷損傷待蝕刻元件，影響lcd的顯示品質，而且可能會被操作人員吸入，對人體造成傷害。然而，當前僅能在蝕刻設備保養時清洗蝕刻腔室內的結晶體，這種定時清洗無法有效的減少結晶體以及降低由結晶體導致的危害。

技術實現要素：

有鑑於此，本發明提供一種具有自動清洗功能的蝕刻腔室及其清洗組件、清洗方法，能夠對蝕刻腔室內進行隨時清洗，減少蝕刻液揮發產生的結晶體，降低由結晶體導致的危害。

本發明一實施例的蝕刻腔室內的清洗組件，蝕刻腔室內設置有第一噴淋機構，用於噴淋蝕刻液，以對所述蝕刻腔室內的待蝕刻元件進行蝕刻，所述清洗組件包括第二噴淋機構，所述第二噴淋機構設置於所述第一噴淋機構的上方，用於在所述第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，以對所述第一噴淋機構進行清洗。

本發明一實施例的具有自動清洗功能的蝕刻腔室，其清洗組件包括第一噴淋機構和第二噴淋機構，第一噴淋機構用於噴淋蝕刻液，以對蝕刻腔室內的待蝕刻元件進行蝕刻，第二噴淋機構設置於第一噴淋機構的上方，第二噴淋機構用於在第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，以對第一噴淋機構進行清洗。

本發明一實施例的蝕刻腔室的清洗方法，包括：

將第二噴淋機構設置於第一噴淋機構的上方，所述第一噴淋機構用於噴淋蝕刻液以對蝕刻腔室內的待蝕刻元件進行蝕刻；

在第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時，第二噴淋機構噴淋清洗液，對第一噴淋機構進行清洗。

有益效果：本發明在蝕刻噴淋機構上方設置清洗噴淋機構，能夠在蝕刻噴淋機構停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，實現隨時對蝕刻腔室內進行清洗，而不必僅在蝕刻腔室進行保養時才進行清洗，從而減少蝕刻液揮發產生的結晶體，降低由結晶體導致的危害。

附圖說明

圖1是本發明一實施例的具有清洗組件的蝕刻腔室的結構俯視圖；

圖2是圖1所示具有清洗組件的蝕刻腔室的結構側視圖；

圖3是圖1所示一個噴淋管上的多個噴淋嘴的分布示意圖；

圖4是本發明一實施例的蝕刻腔室的清洗方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明所提供的各個示例性的實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。在不衝突的情況下，下述各個實施例及其技術特徵可以相互組合。

請參閱圖1和圖2，分別為本發明一實施例的具有清洗組件的蝕刻腔室的結構俯視圖和結構側視圖。所述蝕刻腔室10內設置有第一噴淋機構11和滾輪組件12。第一噴淋機構11相當於當前的蝕刻噴淋機構，可以包括管體111以及設置於管體111上的噴淋嘴，管體111用於通入蝕刻液，噴淋嘴用於在與管體111導通時噴淋蝕刻液，例如草酸溶液，以對蝕刻腔室10內的待蝕刻元件進行蝕刻。滾輪組件12可以包括滾輪121和傳動軸122，滾輪121用於承載待蝕刻元件，例如lcd的設置有ito(indiumtinoxide,氧化銦錫)的玻璃基板，傳動軸122可以在電機等驅動機構的驅動下以傳動軸122的中線為軸線進行繞軸旋轉，從而帶動固定於其上的滾輪121轉動，以此傳動設置有ito的玻璃基板按照預定蝕刻方向進行移動。

所述蝕刻腔室10的清洗組件包括位於第一噴淋機構11上方的第二噴淋機構13，該第二噴淋機構13用於在第一噴淋機構11停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，以對第一噴淋機構11進行清洗。所述該第二噴淋機構13相當於蝕刻腔室10內增加的一清洗噴淋機構，該第二噴淋機構13可以位於蝕刻腔室10的封蓋(cover)的下方，只要在第一噴淋機構11停止噴淋蝕刻液時，該清洗噴淋機構都可以隨時對蝕刻腔室10內進行清洗，而不必僅在蝕刻腔室10進行保養時才進行清洗。

其中，本實施例可以根據蝕刻液選擇對應的清洗液，例如清洗液可以為去離子水，通過去離子水溶解草酸溶液揮發產生的結晶體。

相比較於現有技術，本實施例的清洗組件在蝕刻腔室10進行保養之外，有更多時機對蝕刻腔室內部進行清洗，減少在第一噴淋機構11的管體111接頭及其上方、以及蝕刻腔室10的封蓋等位置的結晶體，從而降低由結晶體導致的危害，例如避免結晶體避免損傷滾輪組件12以及設置有ito的玻璃基板，以確保lcd的顯示品質。另外，在對蝕刻設備進行保養而打開蝕刻腔室時，本實施例能夠減少結晶體被操作人員吸入的機率，從而降低對人體造成傷害的風險。

在實際應用場景中，第二噴淋機構13可以包括電機、噴淋管131以及設置於噴淋管131上的多個噴淋嘴(nozzle)132。噴淋管131內部中空並用於通入清洗液。電機與噴淋管131連接並用於驅動噴淋管131以噴淋管131的中線為軸線進行繞軸旋轉，從而帶動多個噴淋嘴132旋轉。在旋轉過程中，如圖2箭頭方向所示，噴淋嘴132可以繞軸以360°角度噴淋清洗液，從而在上下左右四個方向對蝕刻腔室10內部進行清洗，提高清洗效果，進一步減少蝕刻液揮發產生的結晶體。

其中，噴淋管131可以採用耐酸鹼材質製得，其材質包括但不限於pvc(polyvinylchloride,聚氟乙烯)、pe(polyethylene,聚乙烯)、pp(polypropylene,聚丙烯)、pfa(polytetrafluoroethylene,聚四氟乙烯)。並且，本發明一實施例可以由plc(programmablelogiccontroller,可編程邏輯控制器)控制噴淋管131和噴淋嘴132的旋轉方向極易轉速，還可以控制噴淋嘴132的噴淋量。

另外，各個噴淋嘴132噴淋清洗液的形狀可以呈圓錐狀，以較大的噴淋面積提高單個噴淋嘴132的清洗面積。

結合圖1和圖3所示，在本發明一實施例中，多個噴淋嘴132可以呈螺旋狀分布於噴淋管131的表面，能夠確保在噴淋管131旋轉過程的任意時刻內各個方向上均有噴淋管131噴淋清洗液，從而實現以較少數量的噴淋管131實現良好的清洗效果。

請參閱圖4，為本發明一實施例的蝕刻腔室的清洗方法。所述蝕刻腔室的清洗方法可以包括以下步驟s41和s42。

s41：將第二噴淋機構設置於第一噴淋機構的上方，所述第一噴淋機構用於噴淋蝕刻液以對所述蝕刻腔室內的待蝕刻元件進行蝕刻。

s42：在第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時，第二噴淋機構噴淋清洗液，對第一噴淋機構進行清洗。

本實施例的清洗方法可以基於上述實施例的清洗組件，基於此，在步驟s42中，可以向第二噴淋機構的內部中空的噴淋管通入清洗液，由電機驅動噴淋管繞軸旋轉，並帶動噴淋管上的噴淋嘴旋轉，通過噴淋嘴噴淋清洗液，從而對蝕刻腔室內部進行清洗。其中，多個噴淋嘴可以呈螺旋狀分布於噴淋管的表面。

由於本實施例的清洗方法採用上述清洗組件，因此具有與其相同的有益效果。

以上所述僅為本發明的實施例，並非因此限制本發明的專利範圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，例如各實施例之間技術特徵的相互結合，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。