一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法及裝置製造方法
2023-06-06 13:40:06 2
一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法及裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供了一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法及裝置，方法包括：獲取雙側向測井資料、陣列感應測井資料及輔助測井曲線資料；根據雙側向測井資料與輔助測井曲線資料對儲層段進行分層；根據雙側向測井曲線、陣列感應曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率、侵入半徑值；生成對應層的雙側向模擬響應曲線以及陣列感應模擬響應曲線；分別判斷對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的雙側向實測曲線及陣列感應模擬響應曲線與對應層的陣列感應原始響應曲線是否一致，一致，將原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值作為儲層段的反演結果輸出；否則修改初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值。
【專利說明】一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法及裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種石油測井領域，尤其涉及一種利用測井資料進行地層參數反演的技術，具體的講是一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法及裝置。
【背景技術】
[0002]在儲層段，由於受到泥漿侵入、井眼、圍巖等的影響，使得測得的雙側向、陣列感應電阻率偏離真實電阻率，從而使得通過電阻率曲線進行油水層識別的能力降低，計算的含油飽和度誤差較大。因此，需要利用反演方法還原真實地層面目。
[0003]傳統的反演方法一直以來難以實用化，其原因在於它們都是純數學方法，只要滿足模擬出的測井曲線與實測曲線誤差小於給定的ε即可，而不管在巖石物理、地質環境及工程條件等方面是否合理，因此，利用傳統反演方法得到的結果不夠合理。
[0004]此外，對於中低礦化度地層水儲層，當儲層為油氣層時，其電阻率一般較高。由於感應測井對水層類低阻儲層反應明顯，對油氣類高阻儲層反應不太明顯，這時單純利用陣列感應測井資料進行儲層參數的反演效果有限。
【發明內容】
[0005]為最大限度地恢復地層真實面目，改善油水層的識別能力和含油飽和度評價的精度。
[0006]本發明實施例提供了 一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，方法包括:
[0007]步驟1，獲取雙側向測井資料、陣列感應測井資料及輔助測井曲線資料，所述雙側向測井資料包括雙側向測井曲線，所述陣列感應測井資料包括從不同陣列單元測量的陣列感應原始響應曲線和由所述陣列感應原始響應曲線進行合成聚焦處理後的陣列感應測井曲線；
[0008]步驟2，根據所述雙側向測井資料與輔助測井曲線資料對儲層段進行分層；
[0009]步驟3，根據所述的雙側向測井曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率；
[0010]步驟4，根據所述的陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值；
[0011]步驟5，根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過對模擬算法進行加速生成對應層的雙側向模擬響應曲線；
[0012]步驟6，根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線；
[0013]步驟7，分別判斷所述對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的雙側向實測曲線以及所述陣列感應模擬響應曲線與對應層的陣列感應原始響應曲線是否一致，如果一致，轉到步驟8，如果不一致，轉到步驟9 ;
[0014]步驟8，將所述原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值作為儲層段的反演結果輸出；[0015]步驟9，根據所述雙側向實測曲線和陣列感應原始響應曲線，結合對應層的地質特徵、油藏特徵，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，重複步驟5-9，輸出最終的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值。
[0016]此外，本發明還提供了 一種中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，裝置包括:
[0017]資料獲取裝置，用於獲取雙側向測井資料、陣列感應測井資料及輔助測井曲線資料，所述雙側向測井資料包括雙側向測井曲線，所述陣列感應測井資料包括從不同陣列單元測量的陣列感應原始響應曲線和由所述陣列感應原始響應曲線進行合成聚焦處理後的陣列感應測井曲線；
[0018]分層裝置，用於根據所述雙側向測井資料與輔助測井曲線資料對儲層段進行分層；
[0019]電阻率確定裝置，用於根據所述的雙側向測井曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率；
[0020]半徑值確定裝置，用於根據所述的陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值；
[0021]雙側向模擬響應曲線生成裝置，用於根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過對模擬算法進行加速生成對應層的雙側向模擬響應曲線；
[0022]陣列感應模擬響應曲線生成裝置，用於根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線.[0023]判斷裝置，用於分別判斷所述對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的雙側向實測曲線以及所述陣列感應模擬響應曲線與對應層的陣列感應原始響應曲線是否一致；
[0024]參數修改裝置，用於根據所述雙側向實測曲線和陣列感應原始響應曲線，結合對應層的地質特徵、油藏特徵，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值；
[0025]結果輸出裝置，用於將所述判斷裝置判斷結果為一致時的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值作為儲層段的反演結果輸出。
[0026]側向測井對油氣類高阻儲層反應明顯，因此，聯合應用雙側向測井資料、陣列感應測井資料進行中低礦化度地層水儲層參數的反演會提高參數反演的精度，從而可大大改善對儲層流體性質的識別能力。
[0027]利用雙側向測井資料、陣列感應測井資料進行中低礦化度地層水儲層參數反演的方法及裝置充分考慮了地質背景、油藏條件、工程環境等因素，主動修改地層模型，以模擬出的測井曲線與實測曲線是否吻合作約束，從而使得反演結果更為合理。因此，利用本發明的參數反演方法及裝置可以最大限度地恢復地層真實面目，大大提高油水層的識別能力和含油飽和度評價的精度。
[0028]為讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為本發明公開的一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法流程圖；
[0031]圖2為本發明公開的一種中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置的框圖；
[0032]圖3為利用本發明的實施例進行地層參數反演生成的雙側向測井、陣列感應測井交互式反演成果圖。
【具體實施方式】
[0033]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0034]如圖1所示，本發明公開了一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，包括:
[0035]步驟S101，獲取雙側向測井資料、陣列感應測井資料及輔助測井曲線資料，所述雙偵_測井資料包括雙側向測井曲線，所述陣列感應測井資料包括從不同陣列單元測量的陣列感應原始響應曲線和由所述陣列感應原始響應曲線進行合成聚焦處理後的陣列感應測井曲線；
[0036]步驟S102，根據所述雙側向測井資料與輔助測井曲線資料對儲層段進行分層；
[0037]步驟S103，根據所述的雙側向測井曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率；
[0038]步驟S104，根據所述的陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值；
[0039]步驟S105，根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過對模擬算法進行加速生成對應層的雙側向模擬響應曲線；
[0040]步驟S106，根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線；
[0041 ] 步驟S107，分別判斷所述對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的雙側向實測曲線以及所述陣列感應模擬響應曲線與對應層的陣列感應原始響應曲線是否一致，如果一致，轉到步驟8，如果不一致，轉到步驟9 ;
[0042]步驟S108，將所述原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值作為儲層段的反演結果輸出；
[0043]步驟S109，根據所述雙側向實測曲線和陣列感應原始響應曲線，結合對應層的地質特徵、油藏特徵，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，重複步驟S105-S109，輸出最終的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值。
[0044]優選的，本發明的輔助測井曲線資料包括:自然伽馬測井曲線、井徑測井曲線、密度測井曲線以及自然電位測井曲線。
[0045]優選的，本發明的實施例中根據所述雙側向測井資料與輔助測井曲線資料對儲層段進行分層，包括:
[0046]根據所述雙側向測井曲線特徵依據電阻率曲線的斜率變化趨勢確定層界面；依據碎屑巖地層沉積規律，以3層介質為例，其電阻率曲線的變化規律可分為六種，分別為大小大、小大小、大大大、小小小、大大小、小小大,對於像大小大和小大小有高低起伏變化的地層分層可通過對電阻率求一階導數來解決，如大小大、小大小地層，其電阻率對深度的一階導數的符號分別是_、+和+、_，對一階導數的符號有變化的點稱之為拐點，記錄下儲層所有拐點的位置，每每取兩拐點中點位置即地層層界面位置。對於大大大、小小小這類單向變化的地層由於其一階導數符號沒有變化則不能通過此類方法解決，本發明是通過設定電阻率變化幅度，如電阻率每增加10%或每減少10%即可分為一個層，然後結合輔助測井曲線資料再進行細分。而對於大大小、小小大這類地層則是上述兩種方法的結合。
[0047]根據所述輔助測井曲線資料和確定層界面，分別將所述雙側向測井曲線特徵不明顯的泥巖夾層、緻密層、垮塌層分出來。
[0048]優選的，本發明的實施例中根據雙側向測井曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率包括:
[0049]對分層後的每一層，將雙側向測井曲線中的淺側向在層中的均值作為對應層初始的侵入帶電阻率；
[0050]將深側向在層中的均值作為對應層初始的原狀地層電阻率。
[0051]優選的，本發明的實施例中根據陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值包括:
[0052]通過幾何因子法對分層後的每一層計算出初步的侵入半徑值:
【權利要求】
1.一種中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述方法包括: 步驟1，獲取雙側向測井資料、陣列感應測井資料及輔助測井曲線資料，所述雙側向測井資料包括雙側向測井曲線，所述陣列感應測井資料包括從不同陣列單元測量的陣列感應原始響應曲線和由所述陣列感應原始響應曲線進行合成聚焦處理後的陣列感應測井曲線.步驟2，根據所述雙側向測井資料與輔助測井曲線資料對儲層段進行分層； 步驟3，根據所述的雙側向測井曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率； 步驟4，根據所述的陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值； 步驟5，根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過對模擬算法進行加速生成對應層的雙側向模擬響應曲線； 步驟6，根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線； 步驟7，分別判斷所述對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的雙側向實測曲線以及所述陣列感應模擬響應曲線與對應層的陣列感應原始響應曲線是否一致，如果一致，轉到步驟8，如果不一致，轉到步驟9 ； 步驟8，將所述原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值作為儲層段的反演結果輸出； 步驟9，根據所述雙側向實測曲線和陣列感應原始響應曲線，結合對應層的地質特徵、油藏特徵，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，重複步驟5-9，輸出最終的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值。
2.根據權利要求1所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述輔助測井曲線資料包括:自然伽馬測井曲線、井徑測井曲線、密度測井曲線以及自然電位測井曲線。
3.根據權利要求1所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述根據所述雙側向測井資料與輔助測井曲線資料對儲層段進行分層，包括: 根據所述雙側向測井曲線特徵依據電阻率曲線的斜率變化趨勢確定層界面； 根據所述輔助測井曲線資料和確定層界面，分別將所述雙側向測井曲線特徵不明顯的泥巖夾層、緻密層、垮塌層分出來。
4.根據權利要求1所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述根據雙側向測井曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率包括: 對分層後的每一層，將雙側向測井曲線中的淺側向在層中的均值作為對應層初始的侵入帶電阻率； 將深側向在層中的均值作為對應層初始的原狀地層電阻率。
5.根據權利要求2所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述的根據陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值包括: 通過幾何因子法對分層後的每一層計算出初步的侵入半徑值:
Ci = G':'Cm + G?C:0 + (1- Gr — GDC； i = \~N.式中Ci 一陣列感應測井0.6m解析度系列電導率值(電阻率倒數)，S/m ； (j -井眼泥漿對陣列感應測井響應的貢獻； Cm 一泥漿電導率值，S/m ； G 一侵入帶對陣列感應測井響應的貢獻，與侵入半徑值有關； C』 x。一由雙側向測井給出的侵入帶初始電導率值，S/m ； Ct』 一由雙側向測井給出的原狀地層初始電導率值，S/m ； N 一陣列感應測井0.6m解析度系列曲線條數，且N=5或6 ; 通過陣列感應測井測得的每一層0.6m解析度系列的N個值由上式可列出N個方程，通過最優化方法計算出每一層初步的侵入半徑值； 其中，Cm根據所述陣列感應測井曲線計算得到G根據所述井徑測井曲線計算得到。
6.根據權利要求1所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述根據對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過對模擬算法進行加速生成對應層的雙側向模擬響應曲線包括: 根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，結合雙側向測井儀器的儀器模型參數，通過有限元素法生成對應層的雙側向模擬響應曲線；其中，所述雙側向測井儀器的儀器模型參數包括:儀器長度、儀器半徑、雙側向各電極相對距離、各電極長度；其中，所述的對模擬算法進行加速包括: 縮短儀器模型中屏蔽電極尺寸、降低有限元素法中計算網格長度、對計算中各電極分場進行等效處理。
7.根據權利要求1所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述根據對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線包括: 根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，結合陣列感應測井儀器的儀器模型參數，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線;其中， 所述陣列感應測井儀器的儀器模型參數包括:儀器長度、儀器半徑、各陣列單元線圈距、線圈匝數、工作頻率。
8.根據權利要求1所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述判斷所述對應層的雙側向模 擬響應曲線與對應層的所述雙側向測井曲線以及陣列感應模擬響應曲線與對應層的所述陣列感應原始響應曲線是否一致，包括: 設定對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的所述雙側向測井曲線以及陣列感應模擬響應曲線與對應層的所述陣列感應原始響應曲線間的相關係數均為S:
9.根據權利要求1所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演方法，其特徵在於，所述根據雙側向測井曲線和陣列感應原始響應曲線，結合對應層的地質特徵、油藏特徵，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，包括: 根據所述對應層所在井的鄰井資料以及本井的錄井資料、氣測資料、取心資料判斷所述對應層的流體性質以及所述流體性質下的地層電阻率範圍； 根據所述對應層的泥漿性質以及地層屬性判斷侵入帶電阻率範圍； 根據地層浸泡時間長短及地層物性好壞判斷侵入半徑值範圍； 根據所述對應層的雙側向模擬響應曲線與對應的雙側向實測曲線間以及陣列感應模擬響應曲線與對應的陣列感應原始響應曲線間的相關程度，並結合所述地層電阻率範圍、侵入帶電阻率範圍以及侵入半徑值範圍，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值。
10.一種中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述裝置包括: 資料獲取裝置，用於獲取雙側 向測井資料、陣列感應測井資料及輔助測井曲線資料，所述雙側向測井資料包括雙側向測井曲線，所述陣列感應測井資料包括從不同陣列單元測量的陣列感應原始響應曲線和由所述陣列感應原始響應曲線進行合成聚焦處理後的陣列感應測井曲線； 分層裝置，用於根據所述雙側向測井資料、輔助測井曲線資料對儲層段進行分層； 電阻率確定裝置，用於根據所述的雙側向測井曲線生成對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率； 半徑值確定裝置，用於根據所述的陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值；雙側向模擬響應曲線生成裝置，用於根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過對模擬算法進行加速生成對應層的雙側向模擬響應曲線；陣列感應模擬響應曲線生成裝置，用於根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線；判斷裝置，用於分別判斷所述對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的雙側向實測曲線以及所述陣列感應模擬響應曲線與對應層的陣列感應原始響應曲線是否一致； 參數修改裝置，用於根據所述雙側向實測曲線和陣列感應原始響應曲線，結合對應層的地質特徵、油藏特徵，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值；結果輸出裝置，用於將所述判斷裝置判斷結果為一致時的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值作為儲層段的反演結果輸出。
11.根據權利要求10所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述輔助測井曲線資料包括:自然伽馬測井曲線、井徑測井曲線、密度測井曲線以及自然電位測井曲線。
12.根據權利要求10所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述分層裝置包括: 確定層界面模塊，用於根據所述雙側向測井曲線特徵依據電阻率曲線的斜率變化趨勢確定層界面； 分層模塊，用於根據所述輔助測井曲線資料和確定層界面，分別將所述雙側向測井曲線特徵不明顯的泥巖夾層、緻密層、垮塌層分出來。
13.根據權利要求10所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述電阻率確定裝置包括: 侵入帶電阻率確定模塊，用於對分層後的每一層，將雙側向測井曲線中的淺側向在層中的均值作為對應層初始的侵入帶電阻率； 原狀地層電阻率確定模塊，用於將深側向在層中的均值作為對應層初始的原狀地層電阻率。
14.根據權利要求11所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述的半徑值確定裝置根據陣列感應曲線生成對應層的侵入半徑值包括: 通過幾何因子法對分層後的每一層計算出初步的侵入半徑值:
15.根據權利要求10所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述的雙側向模擬響應曲線生成裝置根據對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過對模擬算法進行加速生成對應層的雙側向模擬響應曲線包括: 根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，結合雙側向測井儀器的儀器模型參數，通過有限元素法生成對應層的雙側向模擬響應曲線；其中，所述雙側向測井儀器的儀器模型參數包括:儀器長度、儀器半徑、雙側向各電極相對距離、各電極長度；其中，所述的對模擬算法進行加速包括: 縮短儀器模型中屏蔽電極尺寸、降低有限元素法中計算網格長度、對計算中各電極分場進行等效處理。
16.根據權利要求10所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述的陣列感應模擬響應曲線生成裝置根據對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線包括: 根據所述的對應層的初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，結合陣列感應測井儀器的儀器模型參數，通過數值模式匹配法生成對應層的陣列感應模擬響應曲線;其中， 所述陣列感應測井儀器的儀器模型參數包括:儀器長度、儀器半徑、各陣列單元線圈距、線圈匝數、工作頻率。
17.根據權利要求10所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述判斷裝置判斷對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的所述雙側向測井曲線以及陣列感應模擬響應曲線與對應層的所述陣列感應原始響應曲線是否一致，包括: 設定對應層的雙側向模擬響應曲線與對應層的所述雙側向測井曲線以及陣列感應模擬響應曲線與對應層的所述陣列感應原始響應曲線間的相關係數均為S:
18.根據權利要求10所述的中低礦化度地層水儲層的參數反演裝置，其特徵在於，所述參數修改裝置根據雙側向測井曲線和陣列感應原始響應曲線，結合對應層的地質特徵、油藏特徵，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值，包括: 根據所述對應層所在井的鄰井資料以及本井的錄井資料、氣測資料、取心資料判斷所述對應層的流體性質以及所述流體性質下的地層電阻率範圍； 根據所述對應層的泥漿性質以及地層屬性判斷侵入帶電阻率範圍； 根據地層浸泡時間長短及地層物性好壞判斷侵入半徑值範圍； 根據所述對應層的雙側向模擬響應曲線與對應的雙側向實測曲線間以及陣列感應模擬響應曲線與對應的陣列感應原始響應曲線間的相關程度，並結合所述地層電阻率範圍、侵入帶電阻率範圍以及侵入半徑值範圍，修改所述初始的原狀地層電阻率、侵入帶電阻率和侵入半徑值。
【文檔編號】E21B47/00GK103883318SQ201410079155
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年3月5日 優先權日:2014年3月5日
【發明者】王昌學, 王環, 曹文杰, 李長喜, 胡法龍, 李霞 申請人:中國石油天然氣股份有限公司