集成部件和集成部件的製造方法

2023-06-12 03:34:26 2

專利名稱：集成部件和集成部件的製造方法
技術領域：
本發明涉及集成部件。此外，本發明涉及集成部件的製造方法。
背景技術：
微機電系統(MEMS)可以被表示由非常小尺寸技術製造的設備，並且在納米量級可以合併至納米機電系統(NEMS)。MEMS也被稱作微機器。具體地，MEMS可以由1至100微米大小的單元組成。MEMS設備可以包括諸如微處理器之類的處理數據的中央單元和諸如微傳感器之類的與外界交互的多個部件。為了保護MEMS部件(例如機械可移動部件)的目的，可以執行MEMS的加帽。US 2002/0001874公開了用於密封邏輯晶片的裝置，該裝置包括其上安裝有邏輯晶片的基板和放置在基板上並覆蓋邏輯晶片的模具帽層。該模具帽層包括至少一個具有足夠大小和形狀延伸，以給一部分基板提供結構支撐。JP 2007184815公開了用於減少能量損失的具有高Q值的MEMS諧振器，儘管提供了位於一個和相同的板子上的並且其固有頻率相互不同的MEMS結構。在MEMS諧振器中，作為兩端自由梁的振動節點的位置通過連接部分和MEMS結構在連接中是交叉連接的，其中， 作為兩端自由梁的振動節點的位置在連接中是交叉連接的。該MEMS結構是多層的並且環狀形成於板子的相同平面上，連接部分和MEMS結構的連接部分通過支撐梁連接，並且連接部分和板的底座部分通過支撐臂連接，MEMS結構相應地具有不同的固有頻率(諧振頻率)， 並且可以對任一 MEMS結構選擇性地進行驅動。US 4，132，570公開了對太陽能電池陣列的支撐，該支撐包括用於定位太陽能電池和限制電池的相對位移的裝置。除至少一個整體接線盒之外，還提供了整體加強杆。支撐還包括可以用於將具有支撐或安裝標準的模型的周長邊緣。然而，集成器件的機械強度仍然沒有足夠強。

發明內容
本發明的目的是提供一種具有足夠機械強度的集成部件。為了實現上述目的，提供了根據獨立權利要求的集成部件和集成部件的製造方法。根據本發明的示例性的實施例，提供了一種集成部件(例如單片集成部件)，包括基板(可以具有主表面)；形成於基板上(例如在主表面上)的帽層；由帽層和基板的表面(例如具有主表面的一部分)封閉的空腔；以及加固結構，從帽層的中心部分沿著帽層延伸(例如具有一個或多個向帽層周長部分延伸的臂)。根據本發明的另一個示例性實施例，提供了一種集成部件的製造方法，其中該方法包括在基板上形成帽層以與基板的表面一起封閉空腔；以及形成用於加固帽層並從帽層的中心部分沿著帽層延伸的加固結構。
術語「帽層的中心部分」可以具體表示加固結構並不排他地位於沿著帽層的邊界， 而是至少部分地與邊界間隔足夠的距離，因此尤其支撐布置在遠離邊界的帽層的部分。這樣的中心部分例如在針對諸如用環氧樹脂對帽層進行封裝的封裝期間可能會特別容易被機械損壞。在基板和帽層的俯視圖中，可以將加固結構的至少一個部分設置在帽層的重心。 在帽層的圓形形狀中，中心部分可以包括(或可以至少接近)圓心。術語「部件」可以具體表示實現任何機械、電、磁和/或電子功能的任何結構、部件或裝置。這意味著，在常規使用期間，電、磁和/或電磁信號可以應用於集成部件和/或由集成部件產生，或者部件的機械性能可以有助於它的功能。術語「集成」可以具體表示至少部分的、特別是完整的部件可以形成一個整體。術語「集成」可以具體表示部件是單片集成的，即部件構成於公共基板上和/或公共基板內， 例如使用諸如半導體技術之類的微技術。術語「帽層」可以具體表示覆蓋元件，可以將該覆蓋元件放置在例如基板的平坦 (或彎曲)表面部分，並且該覆蓋單元與被帽層覆蓋的基板的表面部分一起提供空或中空的空間。這個中空的空間可以部分地被例如帽層的彎曲的內表面部分所限制。術語「基板」可以用於總體上定義針對位於感興趣的層或部分之下和/或之上的層的元件。同時，基板可以是其上形成層的任何其他底座，例如諸如矽片或矽晶片之類的半導體晶片。其他材料的基板也是可能的，如塑料，玻璃，陶瓷等。術語「對角線」可以具體表示連接多邊形形狀(例如在俯視圖中)或多面體形的結構的兩個不連續的頂點或角的線。多邊形可以表示為由包括直線段的有限序列的閉合路徑所限定的幾何結構。這些線段可以被稱作為多邊形的邊緣或邊，兩個邊緣相交的點可以表示為多邊形的頂點或角。多邊形的示例是矩形(特定地是正方形)、五邊形、六邊形等。術語「MEMS」可以特定地表示微機電結構。例如，修改的電信號可以導致微機電結構(MEMS)的可移動部件的特定運動，反之亦然。根據本發明的示例性實施例，針對具有由帽層防護起來抵禦外部影響的空腔的元件，可以提供防止機械損壞的特別堅固的保護。在這種情況下，本發明人已經令人^(喜地認識到，提供在接近帽層的幾何或質量中心(例如在俯視圖中沿著或基本沿著的帽層多邊形形狀的對角線)布置的加固結構使帽層例如在形成封裝以覆蓋帽層的鑄模(moulding)過程期間堅固地防止機械損壞。在這樣的鑄模過程期間，高機械應力可以作用於帽層上。具有一個或多個從帽層的中心部分例如向著多邊形的頂點延伸的支柱或臂的加固結構可以以低成本來製造，並且對空腔的內部(可以提供不可移動的元件或類似的元件)不會有顯著影響。根據示例性實施例，可以提供一種增強被加帽的MEMS器件的可靠性和堅固性的系統。這樣的系統可以包括MEMS器件，該MEMS器件包括帽層；以及被提供且布置為支撐帽層的支撐結構，其中可以沿著帽層的對角線或直徑定向支撐結構。例如，支撐結構可以有十字形的底座。可以用合理的成本製造具有中心支撐的帽層，例如，通過使用各向異性刻蝕技術，例如通過執行加熱氫氧化鉀(KOH)刻蝕。有利地是，這樣的架構可以增強集成部件的可靠性和堅固性，例如該集成部件可以被配置為加帽的MEMS設備。在鑄模過程期間，MEMS帽層可以暴露於高壓力下。因此，示例性實施例提供了用於帽層的支撐結構。本發明的實施例提供了十字形設計的中心柱，中心柱的臂沿帽層的對角線延伸以提高支撐強度。可以使用KOH對這樣的結構進行刻蝕，KOH使得針對甚至更高的強度的類似於倒金字塔的結構的製造也成為可能。具有支撐臂的中心定位柱可以沿著六邊形的一個或多個對角線，沿著圓的一個或多個直徑，或沿著橢圓的一個或多個軸(例如長軸和/或短軸)延伸。實施例可以允許通過以倒金字塔形狀製造中心定位柱來節省空間。在實施例中，可以提供簡單的、對角對齊、十字形的柱，以例如使用對角線或直徑來增加支撐強度。接著，將說明集成部件的其他示例性實施例。然而，這些實施例也適用於製造集成部件的方法。在俯視圖(例如在主表面上)中，帽層在基板上可以以多邊形形狀來形成。加固結構可以部分地或全部地沿著帽層的多邊形形狀的對角線延伸。利用沿著對角線延伸加固梁以保護多邊形形狀的帽層的這種實施例，可以獲得特別堅固的配置以保護多邊形帽層， 該多邊形帽層沿著與對角線相對應方向在應力施加期間特別易受機械損壞的影響。在這樣的帽層上鑄模封裝時，可以將值為80巴和更大的壓力施加在例如矩形的對角線上。在另一實施例中，在俯視圖中帽層可以以圓形或橢圓形或卵形形狀來形成。在圓形形狀的情況下，加固結構可以部分地或全部地沿圓的直徑延伸並且可以特別地橫跨圓心。在橢圓形的配置中，沿著穿過橢圓形焦點和端點的線段的機械應力可以有最大值，該線段也可以被稱為長軸。長軸是連接橢圓上兩個點所獲得的最長線段。在實施例中，加固結構可以沿長軸延伸並且可以包括橢圓的重心。加固結構可以與帽層一體式形成。這樣的實施例可以在單個物體的基礎上形成， 這種加固結構和帽層由相同材料製造的實施例製造成本低並且提供了非常穩定的機械配置。備選地，加固結構和帽層可以被配置為可以彼此連接的兩個獨立的結構。在這樣的實施例中，可以特別針對帽層的用途對帽層進行優化，並且可以關於諸如機械堅固性之類的加固性能特別地對加固結構進行優化。此外，用於製造加固結構和帽層的製造過程可以是分離的。在空腔內部可以將加固結構布置在帽層的表面。在這樣的實施例中，帽層的外部環境保持完全地不受機械加固的影響，並且在帽層的外表面也不會出現由加固結構產生的外形。備選地，在空腔外部可以將加固結構布置在帽層的表面，該加固結構相對於帽層方向與空腔是相反的。在這樣的實施例中，帽層外的加固結構的布置使得製造簡單(使用簡單的沉積和/或刻蝕處理)並且，同時保持密封的帽層完全地不受影響，使得對於空腔內的可移動的元件而言不存在機械阻礙。加固結構可以是十字形的(例如，參照圖3)。本發明人令人驚喜地認識到這種在中心設置的十字結構提供了特別穩定的布置，該十字結構具有向著多邊形的中心延伸或指向或定向或者甚至達到多邊形的中心的臂。這樣的十字幾何形狀可以使用刻蝕處理來容易地製造，並且提供了堅固的保護以防止機械損壞。該優選的實施例涉及倒金字塔形的加固架構。換言之，加固結構的密封可以具有金字塔的幾何形狀。然而，刻蝕或其他適合的條件作用可以移走該金字塔的一部分以提供具有朝向多邊形帽層的頂角延伸的臂的支撐或網狀的布置。當從上面看時，加固結構的這種倒金字塔形狀可以具有十字形。可以將功能元件布置在空腔內部。這樣的功能元件可以在用於保護功能元件的帽層內部提供任何期望的電和/或機械的功能。可以將可移動元件布置在空腔的內部。例如，這樣的可移動單元可以是具有懸臂梁的機電開關，懸臂處具有導電墊，與懸臂上的導電墊相反的表面上具有導電墊。在兩個導電墊之間施加電壓時，該梁會被迫向表面彎曲，著可以允許選擇性閉合位於懸臂和相反表面上的兩個電極之間的電連接，從而可以實現機電開關功能。然而，其他可可移動元件也是可能的，例如可移動傳感器探針、微型發電機、研磨機、混合布置等。集成部件還可以包括布置在基板與帽層之間的密封元件，從而形成密封地密封空腔。這樣的空腔可以是氣密的，例如氣封的或液封的，例如防水的。因此，這樣的布置也可以用於使用空腔內諸如氣體和/或液體之類的流體或者要求空腔內確實不存在這樣的流體的系統。因此，在實施例中，空腔可以是被排空的。例如密封單元可以是沿著帽層周長布置的密封圈或環，以密封帽層與基板之間的邊界區域。這樣的密封也可以通過在基板與帽層之間使用的密封粘合劑來實現。集成部件可以包括覆蓋帽層的封裝結構。這樣的封裝結構可以通過鑄模來形成， 以封裝帽層周圍。由於存在指向多邊形帽層的頂角或更普遍地指向鄰近基板的帽層的邊界的加固結構的存在，通過鑄模等(可以引入高壓力並因此引入機械應力)封裝結構的形成將不會對帽層的內部有負面影響，並且保持集成部件的功能不受影響。基板可以是半導體基板。因此，集成部件可以用半導體技術來單片集成。例如，這樣的半導體基板可以是矽基板(例如SOI基板或純晶體矽基板)、鍺基板、III族-V族基板或砷化鎵基板。例如，集成部件可以是致動器、微機電機構、微結構、納米結構、控制器或開關(例如RF開關)。集成部件特別適合其中包括可移動元件的所有應用，因為空腔提供和防止空腔破損的保護可以確保正常運行和可移動元件在空腔內的移動。在採用集成部件作為微機電結構(MEMS)的實施例中，針對大量的用途，針對這樣的MEMS的示例是現代汽車中的加速度計，包括在碰撞中使用安全氣囊，在消費電子設備中的加速度計，例如遊戲控制器、個人多媒體播放器、手機或數字攝像機。應用的其他領域是在現代汽車中使用MEMS陀螺儀以及其他檢測偏航的應用(例如採用防滾架或觸發動力穩定控制)。此外，應用的其他領域是壓力傳感器(例如汽車胎壓傳感器和一次性血壓傳感器)。可以在其表面具有大量的微反射鏡的顯示器中採用這樣的MEMS。其他的實施例在光轉換技術中採用集成部件，該技術用於針對數據通信的轉換技術和校準。其他應用涉及在醫學和健康相關技術中的生物應用，例如晶片上實驗室、生物傳感器、化學傳感器。此外， MEMS可以用於消費電子產品中的幹涉調製顯示器(例如針對行動裝置的顯示器)以創造幹涉調製。MEMS的另一個示例是例如基於可移動薄膜或可移動懸臂梁的RF(射頻)開關。 針對所有這些應用，帽層加固可以允許改進堅固性。接下來，將介紹本方法的其他的示例性實施例。然而，這些實施例也適用於集成部件。該加固結構可以用各向異性刻蝕來形成。術語「各向異性刻蝕」可以具體表示包括在材料中沿著不同的方向的不同的刻蝕速率的刻蝕。各向異性刻蝕可以通過所刻蝕的材
7料(例如沿不同的晶狀軸的不同的刻蝕速率)的相應選擇和/或通過所選擇的刻蝕工藝來改進。例如，可以在帽層上施加層，並且該層可以由各向異性刻蝕工藝來形成圖案，從而形成對準加固結構。這可以允許限定所形成的結構的準確的幾何形狀。在帽層與加固結構是一體化形成的備選實施例中，該帽層可以具有更大的厚度並且可以被刻蝕以在其表面形成加固結構。已經證明特別有利的是，加固結構是由使用加熱氫氧化鉀作為刻蝕劑(Κ0Η刻蝕) 的各向異性刻蝕來形成的。在這個過程中，已經證明的是能夠製造像加固結構一樣的平坦的倒金字塔柱。針對任何方法步驟，可以實現從半導體技術已知的傳統工藝。形成層或部件可以包括如CVD (化學汽相沉積)、PECVD (等離子體增強化學汽相沉積)、ALD (原子層沉積)之類的沉積技術或濺射。移動層或部件可以包括如溼法刻蝕、蒸汽刻蝕等之類的刻蝕技術和如光學光刻、UV光刻、電子束光刻等之類的圖案化技術。本發明的實施例不限於特定材料，使得可以使用許多不同的材料。對於導電結構， 能夠使用金屬化結構、矽化物結構或多晶矽結構。對於半導體區域或部件，可以使用晶體矽。對於絕緣部分，可以使用氧化矽或氮化矽。該結構可以形成於純的晶體矽晶片上或SOI (絕緣矽)晶片上。可以實現任何處理技術，例如CMOS、BIPOLAR、BICMOS0根據下文中所描述的實施例示例，本發明的上述方面和其他方面是顯而易見的， 並且是參考發明的這些實施例來進行說明。


參考實施例的示例，在下文中將更詳細地描述本發明，但是本發明不局限於此。圖1和圖2示出了根據本發明示例性實施例的集成部件。圖3至圖7示出了根據本發明示例性實施例的向著基板的主表面具備加固結構的帽層的俯視圖。
具體實施例方式圖中的說明是示意性的。在不同的圖中，相似的或相同的元件具備相同的附圖標記。下面，涉及本發明人的一些基本認識，基於這些基本認識已經開發出了用於增強已經開發的加帽的MEMS設備的可靠性和堅固性的系統示例性實施例。示例性實施例涉及微機電系統(MEMQ或任何其他其中包括密封的腔的電子和/ 或機械裝置。本發明的一個方面是通過使用向著帽層邊界延伸或定向的位於中心的支撐 (例如空腔內的十字形支撐)來增強被加帽的MEMS設備的可靠性和堅固性。MEMS設備可以包括MEMS管芯、帽層和密封。針對MEMS設備，密封的空腔可以有利於允許移動部分在空腔內移動。為了保護設備免受機械和環境損壞，可以用環氧鑄模化合物對加帽的MEMS設備進行密封或封裝，或者有時需要將MEMS設備與其他部件或設備一起封裝，以形成系統級封裝(SiP)。然而，加帽的MEMS設備的封裝存在熱機械可靠性挑戰， 因為帶有空腔的MEMS設備易受封裝負載對象的損壞，特別地，在轉移鑄模處理期間的鑄模壓力。在鑄模壓力下，帽層的內表面遭受高張應力。這樣鑄模壓力可以引起可靠性問題，包括帽層和MEMS管芯的開裂，以及帽層過度偏移，這些問題可能對MEMS的電性能有不利的影響。為了減小帽層的應力等級和偏移，針對帽層使用局部的支撐(例如在帽層的中心)可以是有利的。這樣的支撐的設計應該考慮到，在鑄模壓力下，帽層處應力和變形的分配圖案是這樣的區域具有最高應力等級和最大變形的區域始終沿著帽層的對角線方向或沿著帽層的直徑。本發明的實施例提供了一種通過使用特定支撐結構增強MEMS設備的可靠性和堅固性的方法。有利地是，可以使用十字形支撐，該支撐沿著帽層對角線定向。在這種方法中， 該結構可以明顯地減少帽層的張應力和偏移。具有這樣的中心支撐的帽層可以使用各向異性刻蝕技術來製造，例如加熱氫氧化鉀(KOH)刻蝕。從機械的觀點，針對MEMS設備的堅固性，各向異性刻蝕的優勢是能夠針對特別合適的支撐來創建到金字塔狀的結構。圖1示出了根據本發明的示例性實施例的包括帽層104和密封112的加帽MEMS 設備100。圖1示出了 MEMS部件100的截面圖，該部件100在垂直於矽基板102的主表面 116的方向上，MEMS設備100的各個部件位於矽基板102上。圖1示出了矽基板102和帽層104，在俯視圖150(該圖是在基板102的主表面的上面的視圖)中，帽層104以矩形形成於或結合於矽基板102。由帽層104和基板102的表面分別密封形成了空腔或中空體106 ；即在這種情況下，空腔由矽基板102的主表面116的一部分和帽層104的內表面所限定。在帽層104上和空腔106的外表上提供了加固結構108，使得實現了帽層104的機械加固。如俯視圖150所示，用於加固帽層104的加固結構108以十字形從帽層104的中心部分沿著矩形帽層104的兩條對角線延伸。在圖1的實施例中，在帽層104的外表面上沉積加固結構108。將加固結構108布置在帽層104的外表面，即布置在空腔106的外部。如俯視圖150所示，加固結構108是十字形的，並且具有從帽層104的俯視圖的重心延伸至矩形帽層104的頂角的腿。在空腔106的內部，包括移動部分的MEMS電路110適合於在帽層104的中空空間 106內部的自由的移動。此外，布置密封環112以相對於周圍的環境密閉地密封關於空腔 106。接下來，參考圖2，將描述根據本發明的示例性實施例的具有空腔內部加固結構 108的加帽MEMS設備200。如圖2所示，使用附加基板206上的管芯附著204來固定MEMS管芯102或基板。 現在，將可以以圖1中所示的十字形實現的加固結構108布置在空腔106的內部。此外，提供環氧鑄模化合物202作為覆蓋帽層104的外表面的封裝結構。由於加固結構108的提供， 可以在環氧鑄模化合物202的處理(這涉及主要機械應力的施加)期間，對帽層104進行機械保護。圖3示出了根據本發明的另一個實施例的十字形支撐108的俯視圖，該十字形支撐108具有朝向但不達到矩形帽層104的頂角延伸的腿。
圖4示出了本發明的另一個實施例，其中加固結構108是從矩形帽層104的一個頂角延伸至矩形帽層104的另一個對頂角的單對角線梁。圖5示出了加固結構108的另一個實施例，該加固結構108包括指向但不達到矩形帽層104的頂角的四個腿，並且還包括向矩形帽層104的中線延伸的四個梁。圖6示出了具有星形的加固結構108的六邊形帽層104的俯視圖600，該加固結構108具有向六邊形帽層104的所有6個頂角延伸的腿。因此，該加固結構108被配置為具有形成星形結構108的六個腿的中心支柱或柱。圖7示出了具有梁和柱形狀的加固結構108的橢圓形帽層104的俯視圖700。該加固結構108包括中心柱部分702和梁部分704，後者沿著橢圓104的長軸706延伸。最後，應注意，上述實施例示出而非限制本發明，在不背離所附權利要求的範圍的前提下，本領域技術人員將能夠設計出許多備選實施例。在權利要求中，括號之間的任何附圖標記不應構成對權利要求的限制。動詞「包括」及其變型的使用並不排除權利要求所陳述的元件或步驟以外的其他元件或步驟的存在。元件單數形式不排除這種元件的複數形式， 反之亦然。在列舉了若干裝置的設備權利要求中，這些裝置中的若干裝置可以由同一項軟體或硬體來實現。在互不相同的從屬權利要求中闡述特定措施並不表示不能有利地使用這些措施的組合。
權利要求
1.一種集成部件(100)，所述集成部件(100)包括 基板(102)；布置在基板(102)上的帽層(104)；由帽層(104)和基板的表面(102)封閉的空腔(106)；從帽層(104)的中心部分沿著帽層(104)延伸的加固結構(108)。
2.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，在俯視圖中，帽層(104)在基板(102)上以多邊形形狀形成，並且加固結構(108) 沿著帽層(104)的多邊形形狀的一個或多個對角線延伸。
3.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，在俯視圖中，帽層(104)在基板(102)上以圓形或橢圓形形狀形成，並且加固結構(108)沿著帽層(104)的圓形形狀的直徑延伸，或者至少沿著帽層(104)的橢圓形形狀的長軸(706)延伸。
4.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，加固結構(108)與帽層(104)整體形成。
5.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，加固結構(108)和帽層(104)被配置為分離的結構。
6.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，加固結構(108)被布置在空腔(106)內帽層(104)的表面上。
7.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，加固結構(108)被布置在空腔(106)外帽層(104)的表面上。
8.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，加固結構(108)被布置為在空腔(106)內帽層(104)的表面與基板(102)之間的支撐或支柱。
9.根據權利要求1所述的集成部件(100)， 其中，加固結構(108)是十字形的。
10.根據權利要求1所述的集成部件(100)， 其中，將加固結構(108)定形為倒金字塔。
11.根據權利要求1所述的集成部件(100)，包括布置在空腔(106)內的功能元件(110)，具體是布置在空腔(106)內的可移動元件(110)，更具體的是布置在空腔(106)的中空空間內可自由移動的可移動元件(110)。
12.根據權利要求1所述的集成部件(100)，包括布置在基板(10 與帽層(104)之間的密封元件(11 從而形成密閉密封的空腔(106)
13.根據權利要求1所述的集成部件(200)，包括至少部分地覆蓋帽層(104)的封裝結構002)。
14.根據權利要求1所述的集成部件(100)，其中，基板(10 是半導體基板，具體是IV族半導體基板、矽基板、鍺基板、III族-V族基板和砷化鎵基板中的一個。
15.根據權利要求1所述的集成部件(100)，所述集成部件(100)適於作為致動器、諧振器、微機電結構、微結構、納米結構、控制器和開關中的一個。
16.一種製造集成部件(100)的方法，所述方法包括在基板(102)上形成帽層(104)，以與基板(102)的表面一起封閉空腔(106)； 形成用於加固帽層(104)並且從帽層(104)的中心部分沿著帽層(104)延伸的加固結構(108)。
17.根據權利要求16所述的方法，包括通過各向異性刻蝕來形成加固結構(108)。
18.根據權利要求16所述的方法，包括使用加熱氫氧化鉀作為刻蝕劑來通過各向異性刻蝕形成加固結構(108)。
全文摘要
一種集成部件(100)，包括基板(102)，形成於基板(102)上與基板(102)的表面一起封閉空腔(106)的帽層(104)，以及用於加固帽層(104)並從帽層(104)的中心部分沿著帽層(104)延伸的加固結構(108)。
文檔編號B81B7/00GK102196989SQ200980143139
公開日2011年9月21日 申請日期2009年10月15日 優先權日2008年10月29日
發明者威廉·德克·范·德雷爾, 楊道國, 杰倫·扎安爾 申請人:Nxp股份有限公司