用於形成鎢圖案的漿料組合物以及使用其製造半導體器件的方法

2023-06-12 18:52:51

專利名稱：：用於形成鎢圖案的漿料組合物以及使用其製造半導體器件的方法用於形成鎢圖案的漿料組合物以及使用其製造半導體器件的方法相關申請的交叉引用本申請要求分別於2006年9月27日和2007年9月20日提交的韓國專利申請No.10-2006-0094347和10-2007-0096133的優先權，其全文以引用的方式併入本文。
背景技術：
：本發明涉及用於形成鎢圖案的槳料組合物，以及使用該漿料組合物製造半導體器件的方法。隨著半導體器件越來越微型化以及金屬線的數量越來越大，每一層的不規則性都會被轉移到下一層，因此從襯底數起的最高一層最不規則。這種不規則性會影響下面的步驟，從而使得難以獲得所需的形狀。為了提高半導體器件的產量，必須在不規則的表面上實施平坦化工藝，以便將半導體製造過程中的線路電阻偏差降到最小程度。平坦化工藝包括沉積具有高沉積均勻性的旋塗玻璃(SOG)材料的工藝；沉積硼-磷矽酸鹽玻璃(BPSG)膜、並實施回流工藝的工藝；或者在形成膜後進行回蝕或化學機械拋光(CMP)的工藝。CMP法已被廣泛地應用，這是因為CMP法會提供全局性的平坦化工藝，而回流或回蝕工藝則難以進行大面積的平坦化。CMP法是用施加到拋光墊與襯底直接接觸處的拋光漿料實施的。換言之，襯底的表面是通過塗有漿料的拋光墊進行機械和化學平坦化的。漿料的組成隨諸如拋光速度、拋光表面的缺陷、凹陷和侵蝕等拋光特性的不同而有差別。CMP方法已被用於使諸如氧化矽膜和氮化矽膜等介電材料以及諸如鴇(W)、鋁(Al)、銅(Cu)等金屬膜平坦化。作為用於拋光金屬膜(其包括鎢)的組合物，韓國專利申請No.2002-7009918(WO2001/57150)公開這樣一種選擇性鴇拋光漿料，該選擇性鎢拋光漿料含有造成組合物擴散程度低的氧化鋁磨料。為了避免這種低擴散程度，人們提供一種含有甲矽烷醇的拋光組合物。韓國專利申請No.2004-7011428(WO2003/62337)公開這樣一種鴇拋光漿料，該鎢拋光槳料含有第一氧化劑，其包含過氧化氫、氰亞鐵酸鹽和重鉻酸鹽；和第二氧化劑，其包含溴酸鹽、氯酸鹽和碘酸鹽，以便減小靜態蝕刻速度。當使用碘酸鹽時，需要用氧化鋁(磨料)顆粒來去除造成劃痕的氧化鎢。韓國專利申請No.1998-0702220(WO1998/04646)公開這樣一種化學機械拋光漿料，該化學機械拋光漿料含有佔100重量份漿料的0.5重量份~20重量份的選擇性氧化和還原的化合物，以便在去除金屬和介電材料時產生區別。然而，用於拋光鎢的漿料在鎢圖案分布密集的區域會造成侵蝕。換言之，諸如氮化物膜3和氧化物膜5等絕緣膜被沉積在半導體襯底的底層1上。用於形成金屬線的圖案(圖中未示出)形成在絕緣膜上。依次形成Ti擴散阻隔膜和鎢膜7。當用對鎢具有高拋光速度的漿料對半導體襯底進行拋光時，由於漿料對鎢膜和絕緣膜的拋光速度的差別而在襯底上產生凹陷9和侵蝕(參見圖1)。凹陷表示圖案的內部被過度拋光而造成其內陷(即，凹入)的現象。侵蝕表示金屬線圖案區域和不具有金屬線圖案的絕緣膜之間產生階梯差異。發明概述本發明的多個實施方案涉及用於形成鎢圖案的漿料組合物以及包括使用該漿料組合物的兩步拋光工藝的半導體器件製造方法，其中，所述漿料組合物用以防止在形成鎢圖案的鑲嵌工藝中對絕緣膜上的鎢膜進行拋光時產生凹陷和侵蝕。本發明的多個實施方案還涉及用於形成鎢圖案的漿料組合物，該漿料組合物在絕緣膜和鎢膜之間具有高拋光選擇性比率，並具有優異的擴散性能，從而減少劃痕並防止產生凹陷和侵蝕。根據本發明的實施方案，漿料組合物包含二氧化矽磨料；以及選自胺基酸型絡合劑和醇類有機化合物中的至少一種，作為添加齊U。漿料的拋光選擇性比率為絕緣膜:鉤=3~500:1。本發明的多個實施方案涉及提供一種半導體器件的製造方法，該方法包括第一拋光步驟，該拋光步驟使用對鴿膜具有高拋光速度的漿料；和第二拋光步驟，該拋光步驟使用對絕緣膜的拋光速度高的、具有相反選擇性的漿料。根據本發明的實施方案，半導體器件的製造方法包括在形成於襯底上的絕緣膜中形成溝槽；將鎢膜沉積在具有溝槽的絕緣膜上；首先，使用用於拋光金屬的第一拋光漿料對鎢膜進行拋光，以使絕緣膜暴露，所述第一漿料對鎢/絕緣膜的拋光選擇性比率為30到100;其次，使用第二漿料對暴露的絕緣膜和鎢膜進行拋光，以使其平坦化，所述第二漿料對絕緣膜/鎢的拋光選擇性比率為3到500。鎢圖案包含鎢插塞和鎢配線。由於使用對絕緣膜具有低拋光速度而對鎢膜具有高拋光速度的漿料進行第一道拋光工藝，因此，當絕緣膜暴露時可以立即停止該道拋光工藝。然而，在鎢圖案上會產生凹陷和侵蝕。隨後使用對絕緣膜的拋光速度高的、具有相反選擇性的漿料進行第二道拋光工藝，以去除第一道拋光工藝中產生的凹陷和侵蝕，從而使襯底平坦化。附圖簡要說明圖1為示出使用常規方法形成的鎢圖案的橫截面圖。圖2a到2c為示出根據本發明實施方案的兩步拋光法的圖。圖3為根據本發明的實施方案的鎢圖案的透射電子顯微鏡(TEM)照片。圖4為示出在根據本發明實施方案的兩步拋光法中凹陷減少的圖。圖5a為示出鎢圖案頂部的侵蝕隨兩步拋光的時間而減少的圖。圖5b為示出鉤插塞圖案頂部的侵蝕隨兩步拋光的時間而減少的圖。附圖中的各部分的符號1、21:底層3:氮化物膜5:氧化物膜7、27:鎢膜9:凹陷23:第一絕緣膜25:第二絕緣膜具體實施方案詳述參照附圖對本發明進行詳細描述。本發明提供一種在用於形成鎢圖案的工藝中使用的漿料組合物，該漿料組合物包含二氧化矽磨料，以及替代氧化劑或催化劑的胺基酸型絡合劑和醇類有機化合物中的至少一種添加劑。所述漿料還可以包含殘餘的蒸餾水或超純水。二氧化矽磨料包括蒸氣沉積二氧化矽和膠態二氧化矽。蒸氣沉積二氧化矽的比表面積為50mV克到400mV克(如，70mV克到200m2/克)。漿料中的蒸氣沉積二氧化矽的平均二次粒徑為70nm到250nm(例如，100nm到170nm)。當二氧化矽的粒徑超過250nm時可以產生劃痕，而當二氧化矽的粒徑小於70nm時則拋光速度下降。膠態二氧化矽的一次粒徑為1Onm至(j200nm(如，30nm到120nm)。當二氧化矽的粒徑超過200nm時可產生劃痕，而當二氧化矽的粒徑小於10nm時則拋光速度下降。蒸氣沉積二氧化矽磨料的含量佔100重量份漿料的1重量份到20重量份(如，2重量份到12重量份)。膠態二氧化矽磨料的含量佔IOO重量份漿料的1重量份到20重量份(如，5重量份到15重量份)。當磨料的含量低於1重量份時，拋光速度降低，而當磨料的含量大於20重量份時，可以產生劃痕。絡合劑穩定WOx(氧化鎢)型陰離子，以防止其再附著到襯底上。胺基酸型絡合劑選自甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、天門冬氨酸、穀氨酸以及它們的組合。絡合劑的含量佔100重量份漿料的0.001重量份到1.0重量份(如，0.005重量份到0.2重量份)。當絡合劑的含量低於0.001重量份時，難以防止WOx型陰離子再附著，而當絡合劑的含量大於1.0重量份時，則漿料的分散性降低。醇類有機化合物抑制拋光顆粒附著在拋光表面上以及產生劃痕，並有利於蒸氣沉積二氧化矽潤溼而提高漿料的分散性。作為醇類有機化合物，可以使用在碳直鏈或碳支鏈中具有一個或多個羥基(OH)的化合物。醇類有機化合物選自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、丙三醇、蘇糖醇、木糖醇、山梨糖醇以及它們的組合。醇類有機化合物的含量佔100重量份漿料的0.005重量份到3.0重量份(如，0.01重量份到0.5重量份)。當醇類有機化合物的含量低於0.005重量份時，難以控制由漿料產生的劃痕，而當醇類有機化合物的含量大於3.0重量份時，漿料的分散性降低。控制漿料的pH值以獲得取決於磨料的分散穩定性以及適當的拋光速度。在漿料包含蒸氣沉積二氧化矽磨料的情況下，漿料具有為8到12(如，9到12)的鹼性pH值。在漿料包含膠態二氧化矽磨料的情況下，槳料可以是pH值為1到12(例如，1至U4或9到12)的鹼性漿料或酸性漿料。可以使用諸如無機酸或有機酸、金屬氫氧化物和胺類鹼等pH控制劑(例如，HN03或K0H)來控制漿料的pH值。漿料對絕緣膜與鎢的拋光選擇性比率為3~500:1(如，3~100:1或370:1或320:1)。漿料在絕緣膜上的拋光速度為100A/分鐘至5,000A/分鐘(如，300A/分鐘至3,000A/分鐘)。當漿料對絕緣膜的拋光選擇性比率小於3時，則難以去除襯底上形成的侵蝕並且難以獲得經均勻拋光的襯底，這是因為取決於圖案密度的拋光速度差別增大。然而，當漿料對絕緣膜的拋光選擇性比率大於500時，則難以控制拋光時間。雖然滿足拋光速度條件，但在槳料對絕緣膜的拋光速度小於100A/分鐘時，工藝時間會無效地延長，從而增加成本，而在漿料對絕緣膜的拋光速度大於5000A/分鐘時，則難以選擇適當的拋光終點，以至於絕緣膜被過度拋光。由於漿料具有優異的分散性來減少在拋光工藝中劃痕的產生，因此其含有少量的大顆粒，從而提高產率。根據本發明的實施方案，半導體器件的製造方法包括在形成於襯底上的絕緣膜上形成用於形成金屬線的溝槽；將鎢膜沉積於具有溝槽的絕緣膜上；用其對鎢/絕緣膜的拋光選擇性比率大於30的第一漿料對鎢膜進行拋光，以使絕緣膜暴露；並且使用用於形成鎢圖案的本發明公開的漿料對暴露的絕緣膜和鎢膜進行拋光，其中，所述本發明公開的漿料對絕緣膜/鎢的拋光選擇性比率大於3。鴇圖案包括鎢插塞和鎢配線。圖2a到2c示出根據本發明實施方案的包括兩步拋光工藝的半導體器件的製造方法。參照圖2a，將第一絕緣膜23和第二絕緣膜25依次沉積在襯底(圖中未示出)的底層21上。對第一絕緣膜、第二絕緣膜和底層進行蝕刻，從而形成用以形成鎢圖案的溝槽(圖中未示出)。將鎢膜27沉積在具有上述溝槽的氧化物膜上。作為例子，第一絕緣膜包括氮化物膜，第二絕緣膜包括氧化矽膜。氧化矽膜是通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)法和高密度等離子體化學氣相沉積(HDPCVD)法形成的。在沉積鉤膜27之前，還可以在第二絕緣膜25上形成擴散阻隔膜(圖中未示出)，該擴散阻隔膜包括Ti膜或Ti/TiN膜。圖2b示出通過首先對鎢膜27進行拋光直到使第二絕緣膜25暴露為止所得的結構。在第一道拋光工藝中使用的第一漿料已被廣泛使用。常規的第一漿料對鎢與絕緣膜的拋光選擇性比率為30~100:1。第一漿料對鎢的拋光速度為2,000A/分鐘到10，000A/分鐘。只有當第一漿料對鎢與絕緣膜的拋光選擇性比率大於30時，才能停止使絕緣膜暴露的第一道拋光工藝。當漿料對鎢的拋光速度小於2,000A/分鐘時，工藝時間會無效地延長，從而增加製造時間和製造成本。當槳料對鎢的拋光速度大於10,000A/分鐘時，在襯底上通常發生侵蝕，並且難以進行穩定的拋光工藝。可以通過終點檢測(EPD)系統(其包括電動機電流EPD系統)來檢測第一拋光步驟的終點。由於第一漿料具有高的鎢拋光速度，因此pH值為2的酸性漿料(由Cabot公司製造，型號No.SSW-2000)包含蒸氣沉積二氧化矽磨料、過氧化氫氧化劑以及硝酸鐵催化劑。該漿料對鎢的拋光速度約為4,000A/分鐘，並且其對鎢與絕緣膜的拋光選擇性比率為70:1。圖2c示出通過使用本發明公開的漿料對暴露的第二絕緣膜25和鴇膜27進行拋光(第二拋光步驟)來除去第一拋光步驟中產生的凹陷和侵蝕而獲得的結構。本發明公開的漿料是對鎢具有相反選擇性的漿料，其對絕緣膜與鎢的拋光選擇性比率為3~500:1。將本發明公開的漿料用作第二漿料。本發明公開的漿料的pH值為9.5到11.5，並且其包含212重量份的粒徑為100nm到170nm的蒸氣沉積二氧化矽磨料、0.01重量份~0.5重量份的醇類有機化合物以及0.005重量份~0.2重量份的絡合劑。另外，本發明公開的漿料的pH值為1到4或者9到12，並且其包含5重量份~15重量份的粒徑為30nm到120nm的膠態二氧化矽磨料、0.01重量份0.5重量份的醇類有機化合物以及0.005重量份~0.2重量份的絡合劑。結果，可以形成具有極平坦表面的鎢圖案(參見圖3)。使用對鎢具有高拋光速度、而對絕緣膜具有低拋光速度的漿料進行第一道拋光工藝。結果，在絕緣膜被暴露時就停止第一道拋光工藝。通過使用用以形成鎢圖案的本發明公開的漿料的第二道拋光工藝可以有效地去除局部的階差(如在鎢圖案表面和暴露的絕緣膜上產生的凹陷(或侵蝕))，從而提高襯底的均勻性(參見圖4)。換言之，為使襯底平坦化，用本實施方案的漿料實施的第二次拋光法會去除凹陷和侵蝕，而並不產生劃痕。而且，第二次拋光法會減小鎢圖案的厚度差別，從而減小鎢圖案之間的電阻差別。結果，提供給後續工藝的餘地增加，從而提高半導體器件的生產率。用於觀測本實施方案的拋光特性的晶片是由海力士半導體有限公司製造的無圖案晶片(blanketwafer)，其包括化學氣相沉積鎢膜、等離子體-增強化學氣相沉積氧化矽膜(PETEOS)和高密度等離子體(HDP)氧化矽膜。用於觀測凹陷和侵蝕改善的晶片是由海力士半導體有限公司製造的5-4圖案晶片，在該晶片中，通過在PETEOS膜上進行蝕刻工藝形成布線圖案，然後以3000A的厚度沉積上Ti擴散阻隔膜和鎢膜。使用得自KLA-Tencor公司的Alpha-stepEquipment測定凹陷和侵蝕程度。將得自DOOSANDND公司的Unipla211和得自G&PTechnology公司的Poli500CE用作拋光設備。當使用DOOSANDND設備時，將得自Rohm&Haas公司的IC1000墊用作拋光墊。在以下的條件下進行用以使晶片平坦化的拋光工藝漿料供給速度為200mL/分鐘，襯底壓力為3psi，固定環壓力為6psi，軸轉數為60rpm。當使用G&PTechnology設備時，將得自Rohm&Haas公司的IC1400墊用作拋光墊。而且，在以下的條件下進行圖案晶片的拋光工藝漿料供給速度為200ml/分鐘，拋光壓力為200g/平方釐米，臺/頭速度為80/80rpm。通過ChangminTech.公司製造的具有四點探針的表面電阻測量裝置將表面電阻換算成厚度而得到鎢膜的厚度。使用得自Kmac公司的SpectraThick4000測定PETEOS和HDP膜的厚度。將得自Cabot公司的漿料(SSW-2000)用作第一道拋光工藝中的第一漿料，該漿料包含蒸氣沉積二氧化矽磨料、過氧化氫和硝酸鐵催化劑，並且其對鎢與絕緣膜的拋光選擇性比率為70:1，對鎢的拋光速度為4000A/分鐘。本發明公開的漿料選擇性地包含膠態二氧化矽或蒸氣沉積二氧化矽磨料、丙三醇和甘氨酸。通過將ACEHITECH公司的產品(初級粒徑45nm和80nm)進行稀釋的方式來使用膠態二氧化矽，並且通過將DEGUSA公司的產品(初級粒徑20nm)進行分散的方式來使用蒸氣沉積二氧化矽。實施例1.準備漿料組合物根據表1，將蒸氣沉積二氧化矽磨料(初級粒徑20nm)加入到超純水中並攪拌，然後改變漿料的pH值而獲得本實施方案的漿料。漿料中的蒸氣沉積二氧化矽的平均二次粒徑為140nm。用該漿料對平坦化晶片(由海力士半導體有限公司製造)進行拋光，從而得到如表1所示的絕緣膜(PETEOS)與鎢的拋光選擇性比率。拋光選擇性比率是用得自DOOSANDND公司生產的Unipla211評估的。[表1]tableseeoriginaldocumentpage14二氧化矽含量是基於ioo重量份的漿料給出的。參照表1，拋光選擇性比率(PETEOS/W)顯示大於3，並且蒸氣沉積二氧化矽在鹼性漿料中比在酸性漿料中具有更高的拋光選擇性差別。因此，可將包含蒸氣沉積二氧化矽的鹼性漿料用作形成鎢圖案的本發明公開的漿料。在使用pH值為10.9、且蒸氣沉積二氧化矽含量為5.7重量份的漿料對平坦化晶片進行拋光後，不存在可在TEM分析結果(參見圖3)中觀察到的諸如凹陷和侵蝕等缺陷。實施例2.製備漿料組合物及其拋光選擇性比率根據表2的比例，將膠態二氧化矽磨料和作為醇類有機化合物的甲醇(佔100重量份漿料的0.05重量份)加到超純水中並攪拌，然後改變漿料的pH值而獲得本實施方案的漿料。用該漿料對平坦化晶片(由海力士半導體有限公司製造)進行拋光，從而得到如表2所示的絕緣膜(PETEOS)與鎢的拋光選擇性比率。拋光選擇性比率是使用由G&PTechnology公司生產的Poli500CE評估的。[表2]tableseeoriginaldocumentpage15二氧化矽含量是基於ioo重量份的漿料給出的。表2表明，包含膠態二氧化矽的漿料在酸性和鹼性條件下都表現出大於3的拋光選擇性比率。實施例3.製備漿料組合物及其拋光選擇性比率根據表3的比例，將蒸氣沉積二氧化矽磨料(初級粒徑20nm)和作為絡合劑的甘氨酸(佔100重量份漿料的0.04重量份)加到超純水中並攪拌，然後改變漿料的pH值而獲得本實施方案的漿料。所得漿料中的蒸氣沉積二氧化矽的平均二次粒徑為140nm。用該漿料對平坦化晶片(由海力士半導體有限公司製造)進行拋光，從而得到如表3所示的絕緣膜(PETEOS)與鎢的拋光選擇性比率。拋光選擇性比率是使用由DOOSANDND公司製造的Unipla211評估的。[表3]tableseeoriginaldocumentpage15二氧化矽含量是基於100重量份的漿料給出的。實施例4.製備漿料組合物及其拋光選擇性比率根據表4的比例，將蒸氣沉積二氧化矽磨料(初級粒徑20nm)、作為絡合劑的甘氨酸和醇類化合物加入超純水中並攪拌，從而得到本實施方案的漿料。所得漿料中的蒸氣沉積二氧化矽的平均二次粒徑為140nm。用該漿料對平坦化晶片(由海力士半導體有限公司製造)進行拋光，從而獲得如表4所示的絕緣膜(PETEOS)與鎢的拋光選擇性比率。拋光選擇性比率是使用G&PTechnology公司製造的Poli500CE評估的。[表4]tableseeoriginaldocumentpage16實施例5.製備漿料組合物及其拋光選擇性比率根據表5的比例，將初級粒徑為20nm的蒸氣沉積二氧化矽磨料和作為絡合劑的甘氨酸(佔100重量份漿料的0.02重量份)加入超純水中並攪拌，從而獲得pH值為10.9的本實施方案的漿料。所得漿料中的蒸氣沉積二氧化矽的平均二次粒徑為140nm。用該漿料對平坦化晶片(由海力士半導體有限公司製造)進行拋光，從而得到如表5所示的絕緣膜(PETEOS)與鴇的拋光選擇性比率。[表5]tableseeoriginaldocumentpage17*NU:不均勻度[(拋光速度的標準偏差)/(平均拋光速度)x100]二氧化矽磨料含量是基於ioo重量份的漿料給出的。表5表明可以通過改變漿料中蒸氣沉積二氧化矽的含量來控制對氧化矽膜的拋光速度和拋光選擇性比率。對氧化矽膜的拋光速度為400A/分鐘到1600A/分鐘。實施例6.本發明公開的漿料用於改善凹陷和侵蝕的試驗首先使用對鎢具有高拋光速度的第一漿料(Cabot公司製造，型號No.SSW-2000)對5-4圖案晶片(由海力士半導體有限公司製造)進行拋光，並且過度拋光30%。然後使用包含5.0重量份的蒸氣沉積二氧化矽+0.06重量份的丙三醇+0.02重量份的甘氨酸的實施例4的漿料對所得結構進行拋光(第二拋光步驟)。使用G&PTechnology公司生產的Poli500CE對在鴇圖案上產生的凹陷和侵蝕與拋光工藝時間的相關性進行測試，並且測試結果如圖5a和5b所示。圖5a示出鎢圖案的測試結果。鎢和氧化物膜的圖案寬度是200nm、220nm、250nm和300nm。拋光時間"0"是指在第一道拋光工序結束後第二道拋光工序開始之前的時刻。結果，顯示侵蝕值隨著第二次拋光的時間的增加而降低。在約70秒時，侵蝕顯示出最低值。圖5b示出插塞圖案的測試結果。鴇和氧化物膜的圖案寬度為250nm、300nm、350nm和500nm。拋光時間"0"是指在第一道拋光工序結束後第二道拋光工序開始之前的時刻。結果顯示侵蝕值隨著第二次拋光的時間的增加而降低。在約70秒時，侵蝕顯示出最低值。在以上兩種圖案中，顯示出侵蝕隨著第二次拋光的時間增加而減少。由於漿料對氧化矽膜的拋光速度比對鎢膜要快，因此，會迅速除去氧化物膜並減少侵蝕。結果，如果選擇適當的拋光時間，就可以將第一道拋光工藝中產生的侵蝕減少到最低程度。在本測試中，適當的拋光時間為約70秒，但是該拋光時間隨圖案的種類的不同而有差別。如上所述，根據本發明的實施方案，用以形成鎢圖案的漿料由於具有優異的分散性而在拋光過程中減少劃痕的產生。兩步拋光法會防止產生凹陷和侵蝕，從而以優異的平坦化效果有利於CMP工藝。兩步拋光法降低鎢圖案的厚度差別和電阻差別以增加提供給其它工藝的餘地，從而提高半導體器件的產率。本發明的上述實施方案是示例性的而非限制性的。本發明可以具有各種各樣的替換形式或等同形式。本發明並不限於本文所描述的平版印刷術步驟。本發明也不限於半導體器件的任何特定類型。例如，可以在動態隨機存取存儲(DRAM)器或非易失存儲器中實施本發明。另外，根據本發明公開進行其它添加、刪減和修改都是顯而易見的，並且這些也應涵蓋在所附權利要求的範圍內。權利要求1.一種漿料組合物，其用於利用化學機械拋光工藝在襯底上形成鎢圖案，所述組合物包含二氧化矽磨料；和選自絡合劑和醇類有機化合物中的至少一種，作為添加劑。2.根據權利要求1所述的漿料組合物，其中所述的二氧化矽磨料包含蒸氣沉積二氧化矽磨料或膠態二氧化矽磨料。3.根據權利要求2所述的漿料組合物，其中所述蒸氣沉積二氧化矽磨料的平均二次粒徑為70nm到250nm。4.根據權利要求2所述的漿料組合物，其中所述的膠態二氧化矽磨料的一次粒徑為10nm到200nm。5.根據權利要求1所述的漿料組合物，其中所述磨料的含量佔100重量份所述漿料組合物的1重量份到20重量份。6.根據權利要求1所述的漿料組合物，其中所述絡合劑選自甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、天門冬氨酸、穀氨酸以及它們的組合，其中所述絡合劑用於穩定氧化鎢型陰離子，以防止被所述化學機械拋光工藝去除的鴇再附著。7.根據權利要求1所述的漿料組合物，其中所述絡合劑的含量佔100重量份所述漿料組合物的0.001重量份到至多1重量份。8.根據權利要求1所述的漿料組合物，其中所述醇類有機化合物選自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、丙三醇、蘇糖醇、木糖醇、山梨糖醇以及它們的組合，其中所述醇類有機化合物的含量足以控制由所述漿料在所述鎢圖案上產生的劃痕，且該含量不超過防止所述漿料組合物的分散性降低的給定量。9.根據權利要求1所述的漿料組合物，其中所述的醇類有機化合物的含量佔100重量份所述漿料組合物的0.005重量份到至多3重10.根據權利要求2所述的漿料組合物，其中包含所述的蒸氣沉積二氧化矽磨料的所述漿料的pH值為8到12。11.根據權利要求2所述的漿料組合物，其中包含所述膠態二氧化矽磨料的所述漿料的pH值為1到12。12.根據權利要求11所述的漿料組合物，其中所述漿料的pH值為1到4或9到12。13.根據權利要求1所述的漿料組合物，其中所述漿料還包含pH控制劑。14.根據權利要求13所述的漿料組合物，其中所述pH控制劑包括無機化合物、有機化合物、金屬氫氧化物以及胺類鹼。15.根據權利要求13所述的漿料組合物，其中所述pH值控制劑包括HN03和KOH。16.根據權利要求l所述的漿料組合物，其中所述漿料對絕緣膜:鎢的拋光選擇性比率=3~500:1。17.根據權利要求16所述的漿料組合物，其中所述漿料對絕緣膜:鎢的拋光選擇性比率=3100:1。18.根據權利要求17所述的槳料組合物，其中所述漿料對絕緣膜:鎢的拋光選擇性比率=3~70:1。19.根據權利要求18所述的漿料組合物，其中所述漿料對絕緣膜:鎢的拋光選擇性比率=320:1。20.根據權利要求16所述的漿料組合物，其中所述漿料對所述絕緣膜的拋光速度為300A/分鐘到3000A/分鐘。21.—種半導體器件的製造方法，該方法包括在形成於襯底上的絕緣膜中形成用於形成鎢圖案的溝槽；將鴇膜沉積在具有所述溝槽的所述絕緣膜上，所述溝槽被所述鎢膜填充；使用用於拋光金屬的漿料對鎢膜進行拋光，以使所述絕緣膜暴露，所述用於拋光金屬的漿料對鎢/絕緣膜的拋光選擇性比率為30到100;並且使用權利要求1的漿料對所述暴露的絕緣膜和所述鎢膜進行拋光以使其平坦化。22.根據權利要求21所述的方法，該方法還包括在沉積鎢膜之前在所述絕緣膜上形成擴散阻隔膜。23.根據權利要求21所述的方法，其中所述第一漿料對鎢的拋光速度為2,000A/分鐘到10,000A/分鐘。24.根據權利要求21所述的方法，其中所述第一漿料包含蒸氣沉積二氧化矽磨料、過氧化氫以及硝酸鐵催化劑。25.—種半導體器件的製造方法，該方法包括在形成於襯底上的絕緣膜中形成溝槽；將鎢膜沉積在具有所述溝槽的所述絕緣膜上，所述鎢膜填充所述溝槽；使用第一漿料對所述鎢膜進行拋光，以使所述絕緣膜暴露，所述第一漿料對鎢/絕緣膜的拋光選擇性比率為30到100;並且使用第二漿料對所述暴露的絕緣膜和所述鎢膜進行拋光以使其平坦化，所述第二漿料對絕緣膜/鎢的拋光選擇性比率為3到500。全文摘要一種使用用於形成鎢圖案的漿料組合物製造半導體器件的方法。該方法包括在形成於襯底上的絕緣膜中形成溝槽；將鎢膜沉積在具有所述溝槽的絕緣膜上；首先，使用用於拋光金屬的第一漿料對鎢膜進行拋光，以使所述絕緣膜暴露，所述第一漿料對鎢/絕緣膜的拋光選擇性比率為30到100；其次，使用第二漿料對所述絕緣膜和所述鎢膜進行拋光，所述第二漿料對絕緣膜/鎢的拋光選擇性比率為3到500。該方法會降低鎢圖案的厚度差別，從而提高半導體器件的產率。文檔編號C09G1/00GK101161748SQ20071015254公開日2008年4月16日申請日期2007年9月27日優先權日2006年9月27日發明者晉圭安,樸烋範,梁基洪,金錫主申請人:海力士半導體有限公司;技術半化學有限公司