超薄型全平面式感測裝置及其製造方法
2023-06-01 16:37:06
超薄型全平面式感測裝置及其製造方法
【專利摘要】本發明提供一種超薄型全平面式感測裝置及其製造方法，所述超薄型全平面式感測裝置包括封裝基板、中介結構、垂直電連接結構及感測晶片。中介結構位於封裝基板上並包括連接墊以及電連接至連接墊及封裝基板的第一焊墊的第二焊墊。垂直電連接結構位於中介結構上並包括電連接至連接墊的垂直導體。感測晶片位於垂直電連接結構上並包括晶片基板，以及形成於晶片基板上的感測元、感測電路元以及垂直貫通電極。感測元感測生物體的特徵而獲得感測信號，其被感測電路元處理而獲得生物特徵信號。生物特徵信號通過垂直貫通電極、垂直導體及第二焊墊傳輸至第一焊墊。利用本發明,可以使感測裝置及裝設有此感測裝置的電子設備薄型化。
【專利說明】超薄型全平面式感測裝置及其製造方法
【技術領域】
[0001]本發明是涉及一種超薄型全平面式感測裝置，且特別是涉及一種使用具有垂直貫通電極的感測晶片的超薄型全平面式感測裝置及其製造方法。
【背景技術】
[0002]近年來，譬如行動電話、平板電腦或智能手錶等行動裝置的發展日益精進，行動裝置的厚度也越來越薄，連帶對於其所使用的集成電路(IC)的封裝也要求越來越薄。使用者對於行動裝置的外觀越來越重視，所以若要在行動裝置上裝設傳感器(譬如是指紋傳感器)，必須採取不破壞行動裝置的外觀的設計。如此一來，傳感器就必須具有全平面的設計，且必須具有相當薄的厚度，才能隱藏於譬如行動裝置的前後面板或者按鍵之內。
[0003]於一種傳統的電容/電場指紋傳感器中，感測電路與感測元都是形成於矽基板上，矽基板上也形成有輸出/入焊墊，利用打線的方式將矽基板上的焊墊電連接至封裝基板上的封裝焊墊，然後再進行封膠的程序，以生產出指紋傳感器裝置。然而，受限於現有的打線技術，連接線必然會具有一個從感測焊墊往上彎曲的弧形段，這個弧形段不利於全平面傳感器的製作，而且所述弧度再加上保護封膠至少也要將近100微米的高度，也不利於超薄的設計，而且所述100微米的封膠高度，也會大幅降低感測的電容值，進而影響感測的靈敏度，使得感測裝置不適合隱藏式的設置於行動裝置的前後面板或者按鍵之內。
[0004]於另一種指紋傳感器中，使用球柵陣列(BGA)的錫球來將晶片的矽基板焊接在封裝基板上，但是錫球的球徑高度一般介於300至400微米(um)之間，加上晶片及封裝基板的厚度，整個指紋傳感器的厚度勢必大於700um甚至lOOOum，這不利於薄型化產品的需求。
【發明內容】
[0005]本發明解決的技術問題是:提供一種超薄型全平面式感測裝置，利用具有垂直貫通電極的感測晶片及相關的連接結構來達成超薄型全平面式感測裝置。
[0006]本發明的技術解決方案為:提供一種超薄型全平面式感測裝置，至少包括一封裝基板、一中介結構、一垂直電連接結構以及一感測晶片。封裝基板包括多個第一焊墊。中介結構位於封裝基板上，並包括多個連接墊以及電連接至此等第一焊墊及此等連接墊的多個第二焊墊。垂直電連接結構位於中介結構上，並包括電連接至此等連接墊的多個垂直導體。感測晶片位於垂直電連接結構上，並包括一晶片基板，以及形成於晶片基板上的多個感測元、多個感測電路元以及多個垂直貫通電極。多個感測元構成一感測元陣列，並感測一生物體的特徵而獲得多個感測信號。多個感測電路元構成一感測電路元陣列電連接至此等感測元，並處理此等感測信號而獲得多個生物特徵信號。多個垂直貫通電極直接或間接電連接至此等感測電路元及此等垂直導體，使此等生物特徵信號分別通過此等垂直貫通電極、此等垂直導體及此等第二焊墊傳輸至此等第一焊墊。
[0007]本發明還提供一種感測裝置的製造方法，至少包括以下步驟:形成多個感測晶片，各感測晶片具有一晶片基板以及形成於晶片基板中的多個感測元、多個感測電路元以及多個垂直貫通電極，此等感測電路元電連接至此等垂直貫通電極及此等感測元；形成一重新分布層於此等垂直貫通電極上，並形成多個垂直導體於重新分布層上；形成一中介晶片，其具有多個連接墊及電連接至此等連接墊的多個第二焊墊；將此等感測晶片置於中介晶片上，並使此等垂直導體與此等連接墊對準；接合此等垂直導體與此等連接墊；形成一絕緣填料層於此等感測晶片與中介晶片之間；執行切割以形成多個傳感器；將傳感器置放於一封裝基板上，封裝基板包括多個第一焊墊；以及對傳感器進行打線及封膠程序，以將此等第一焊墊電連接至此等第二焊墊而形成感測裝置。
[0008]通過本發明的上述實施樣態，可以有效減少感測裝置的厚度，如此可以使感測裝置及裝設有此感測裝置的電子設備薄型化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1顯示依據本發明第一實施例的感測裝置的局部示意圖。
[0010]圖2A至2M顯示圖1的感測裝置的較佳實施例的製造方法的一些步驟的局部示意圖。
[0011]圖3A至3M顯示圖1的感測裝置的製造方法的另一些步驟的局部示意圖。
[0012]圖4A與4B顯示依據本發明另一實施例的感測裝置的製造方法的部分步驟的示意圖。
[0013]圖5顯示依據本發明的又另一實施例的感測裝置的示意圖。
[0014]圖6A顯示裝設有感測裝置的電子設備的俯視圖。
[0015]圖6B與6C顯示感測裝置的裝設位置的兩個例子。
[0016]符號說明:
[0017]CT:切割線43C:金屬層間介電層
[0018]F:手指43D:絕緣層
[0019]S1:感測信號44:晶片基板
[0020]S2:生物特徵信號45:重新分布層
[0021]1、1』:感測裝置45A:導體
[0022]10:封裝基板45B:導體
[0023]15:第一焊墊45C:光刻膠層
[0024]20:中介結構45D:導體
[0025]20W:中介晶片45W:窗孔
[0026]21:連接墊46A:層間介電層
[0027]22:導體層46B:貫通孔
[0028]23:導體層47A:第一絕緣層
[0029]25:第二焊墊47B:第一銅種子層
[0030]25』:輸出墊47C:第一銅層
[0031]30:垂直電連接結構47D:第二銅層
[0032]32:絕緣填料層47E:錫料
[0033]34:垂直導體47G:錫層
[0034]34A:導體柱47H:保護層
[0035]34B:微凸塊471:載體
[0036]35:啞導電結構47J:第二絕緣層
[0037]35A:導體柱47K:第二銅種子層
[0038]35B:微凸塊47L:第三絕緣層
[0039]40:感測晶片47W:窗口
[0040]40U:傳感器50:連接線
[0041]41:感測元60:封膠層
[0042]42:感測電路元70:感測晶片複合結構
[0043]43:垂直貫通電極200:電子設備
[0044]43A:導體210:面板
[0045]43B:導體212:凹槽
【具體實施方式】
[0046]圖1顯示依據本發明第一實施例的感測裝置I的局部示意圖。如圖1所示，本實施例的超薄型全平面式感測裝置I至少包括一封裝基板10、一中介結構20、一垂直電連接結構30以及一感測晶片40。於一例示但非限制例子中，感測裝置I的厚度(沿著圖面之垂直方向)小於或等於500微米。
[0047]封裝基板10包括多個第一焊墊15。於一例子中，封裝基板10最佳實施例為一軟性電路板，但也可以為印刷電路板，具有一層或多層金屬層。
[0048]中介結構20位於封裝基板10上,並包括多個連接墊21以及電連接至此等第一焊墊15及此等連接墊21的多個第二焊墊25。於此例子中，一部分的連接墊21是通過其下方的導體層22而電連接至第二焊墊25，而另一部分的連接墊21電連接至其下方的導體層23。導體層22與23可以是由同一道金屬製造工藝所形成。
[0049]在本實施例中，中介結構為矽中介結構，當然也可以是玻璃、陶瓷材料或者其他材料所形成的中介結構，而利用矽中介結構最大優點在於其可以完全利用半導體製造工藝的先進發展，用於完成本發明所需要的精細微凸塊製造工藝，也是本發明的重要特徵，以下將會有更詳細說明。
[0050]垂直電連接結構30位於中介結構20上，並包括一絕緣填料層32及埋設於絕緣填料層32且電連接至此等連接墊21的多個垂直導體34。於本實施例中，垂直導體34主要是由導體柱34A與微凸塊34B所構成。於一例示但非限制例子中，垂直導體34是由銅、鎳、銀、金、鈀與錫的單一或兩種以上所形成。
[0051]感測晶片40位於垂直電連接結構30上，並包括一晶片基板44以及形成於晶片基板44上的多個感測元41、多個感測電路元42以及多個垂直貫通電極43。晶片基板44與絕緣填料層32之間形成有一第二絕緣層47J。
[0052]多個感測元41構成一感測元陣列，並感測一生物體的特徵而獲得多個感測信號SI。此實施例中，是以此等感測元41感測一手指F的指紋而產生多個感測信號作為例子來說明。但是，應理解到，除了感測手指F的指紋以外，本發明的感測裝置亦可以感測與生物體接觸的電信號，例如當作觸控開關使用或感測皮膚的乾濕度、溫度、皮膚底下的血液成分、皮膚底下的血管分布圖案等。也就是說，本發明的感測元41可以感測生物體的生物特徵。此生物特徵最好是個人所獨特擁有的(相較之下，單手指或多手指觸控並非是個人所獨特擁有的)，但並不受限於此。最佳實施例中，所述感測元感測電容/電場的變化，但是並不以此為限。
[0053]多個感測電路元42構成一感測電路元陣列，電連接至此等感測元41，並處理此等感測信號SI而獲得多個生物特徵信號S2。當然除了此等感測電路元之外，熟悉所述領域者當知道，一感測晶片可以包括更多的模擬及數字電路以及其與外部電連接的電源及信號傳輸接口。
[0054]多個垂直貫通電極43直接或間接電連接至此等感測電路元42及此等垂直導體34，以使此等生物特徵信號S2分別通過此等垂直貫通電極43、此等垂直導體34及此等第二焊墊25傳輸至此等第一焊墊15。因此，此等垂直貫通電極43、此等垂直導體34及此等第二焊墊25可以被稱為是一種電源及信號傳輸接口。於此例子中，垂直貫通電極43是通過導體43A與導體43B而直接或間接電連接至感測電路元42，且可以利用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via,TSV)的技術來實施。層間介電層46A位於晶片基板44上,第一絕緣層47A位於垂直貫通電極43的周圍及層間介電層46A上，絕緣層43D形成於第一絕緣層47A上並位於導體43A的周圍。導體43B形成於導體43A上，金屬層間介電層43C形成於絕緣層43D與導體43B上。感測元41形成於金屬層間介電層43C上，而保護層47H覆蓋於感測兀41與金屬層間介電層43C上。
[0055]此外，上述的感測裝置I可以還包括多條連接線50以及一封膠層60。多條連接線50分別將此等第一焊墊15電連接至此等第二焊墊25。封膠層60覆蓋此等第一焊墊15、此等第二焊墊25及此等連接線50。由於本發明提供一全平面接觸面的設計，因此所述連接線及所述封膠層的最外圍高度小於所述保護層47H的高度。
[0056]此外，感測晶片40可以還包括一重新分布層45，此等垂直貫通電極43是通過重新分布層45的導體45A及導體4?而電連接至此等垂直導體34。於此情況下，垂直電連接結構30還包括多個啞(dummy)導電結構35。啞導電結構35具有與垂直導體34類似的結構，同樣是由導體柱35A與微凸塊35B所構成。啞導電結構35電連接至重新分布層45的導體45B。啞導電結構35沒有傳輸任何信號,但能穩固感測晶片40與中介結構20之間的連接關係。
[0057]圖2A至2M顯示圖1的感測裝置的較佳實施例的製造方法的一些步驟的局部示意圖。本實施例的感測裝置的製造方法至少包括以下步驟。當然，較佳實施例的製造方法只是為說明本發明裝置可以據以實施，而非加以限定。
[0058]首先，如圖2A至2K所示，形成多個感測晶片40，各感測晶片40具有一晶片基板44以及形成於晶片基板44中的多個感測元41、多個感測電路元42以及多個垂直貫通電極43，此等感測電路元42電連接至此等垂直貫通電極43及此等感測元41。
[0059]有關形成多個感測晶片40的一個例子的細節說明如下。
[0060]首先，如圖2A所示，於晶片基板44上形成感測電路元42。然後，如圖2B所示，於晶片基板44及此等感測電路元42上形成一層間介電層46A。接著，如圖2C所示，形成多個貫通孔46B貫通層間介電層46A並延伸至晶片基板44達一預定深度。然後，如圖2D所示，形成一第一絕緣層47A於層間介電層46A及各貫通孔46B的內壁。接著，如圖2E所示，形成一第一銅種子層47B於第一絕緣層47A上。然後，如圖2F所示，利用第一銅種子層47B電鍍形成一第一銅層47C。
[0061]接著，如圖2G所示，研磨移除部分的第一銅層47C直到第一絕緣層47A露出為止而形成此等垂直貫通電極43。然後，如圖2H所示，於此等垂直貫通電極43與第一絕緣層47A上形成此等感測元41，並使此等感測元41電連接至此等垂直貫通電極43，此等感測元41由保護層47H覆蓋。舉例而言，可以先於垂直貫通電極43上形成絕緣層43D，開槽以供導體43A的形成，然後於導體43A與絕緣層43D上形成金屬層，再對此金屬層圖案化以形成導體43B。接著，於金屬層間介電層43C上形成圖案化的感測元41，再覆蓋保護層47H。感測元41於本實施例中是感測電極元，其通常以製造工藝中的最頂層金屬製作而成。
[0062]然後,如圖21所示,粘貼一載體471於保護層47H上。接著,如圖2J所示,研磨晶片基板44直到露出此等垂直貫通電極43為止。然後，如圖2K所示，移除載體471並於晶片基板44與此等垂直貫通電極43上形成第二絕緣層47J。
[0063]接著，如圖2L至2M以及3A至3G所示，形成一重新分布層45於此等垂直貫通電極43上，並形成多個垂直導體34於重新分布層45上。首先，如圖2L所示，於第二絕緣層47J上定義出圖案而開出窗孔45W使此等垂直貫通電極43露出。然後，如圖2M所示，於窗孔45W中形成導體45D，接著於第二絕緣層47J上形成重新分布層45，其電連接至此等垂直貫通電極43。重新分布層45包括導體45A與導體45B，因此於導體4?及第二絕緣層47J上形成導體45A，同時於第二絕緣層47J上形成導體45B。
[0064]然後，如圖3A所示，於重新分布層45及第二絕緣層47J上形成一第二銅種子層47K。接著，如圖3B與3C所示，利用第二銅種子層47K進行電鍍來形成一第二銅層47D。於此例子中，是於第二銅種子層47K上形成一光刻膠層45C，對光刻膠層45C圖案化以形成窗孔45W，如此才能定義出電鍍材料的成長範圍，以形成第二銅層47D，第二銅層47D並未填滿整個窗孔45W。
[0065]然後，如圖3D至3G所示，於第二銅層47D上形成一錫層47G並移除部分的第二銅層47D。於此例子中，於窗孔45W中的第二銅層47D上填入錫料47E，如圖3D所示。然後移除光刻膠層45C，如圖3E所示。再對錫料47E進行回焊(reflow)，以形成錫層47G，如圖3F所示，最後再將多餘的第二銅種子層47K移除，以形成導體柱34A與錫層47G，如圖3G所示。錫層47G當作焊帽(solder cap),也是一種微凸塊(microbump或ubump),用來與連接墊21對準並接合，如下所述。值得注意的是，圖3G的結構可以稱為一個感測晶片複合結構70，類似於圖1的感測晶片40與垂直電連接結構30的結構。微凸塊可以是焊錫凸塊、銅凸塊或其他金屬凸塊，譬如金、銀、鎳、鎢、鋁及其合金所組成的凸塊。當作下連接部的凸塊與當作上連接部的凸塊的接合可以是焊錫接合或直接金屬-金屬(譬如銅-銅)擴散接合。
[0066]然後就是要形成一中介晶片20W,其為一種啞晶片(dummy wafer),並具有多個連接墊21及電連接至此等連接墊21的多個第二焊墊25，如圖3H所示。於本實施例中，是要準備多個感測晶片複合結構70，以陣列的型式排列於中介晶片20W上進行接合及封裝後，施以切割過程以形成多個感測裝置1，通過將晶片堆疊於晶片上(Chip On Wafer, COW)的技術來進行大量生產。同時這種通過矽中介晶片的生產方式，並不限於8英寸及12英寸晶片。
[0067]接著，將多個感測晶片複合結構70置於中介晶片20W上，也就是將此等感測晶片40置於中介晶片20W上，並使此等垂直導體34的導體柱34A及錫層47G與此等連接墊21對準，並接合此等垂直導體34與此等連接墊21，如圖31所示。
[0068]然後，如圖3J所示，形成一絕緣填料層32於此等感測晶片40與中介晶片20W之間，並使絕緣填料層32硬化。絕緣填料層32亦可被稱為是底膠(underfill)。
[0069]接著，如圖3K所示，沿著切割線CT執行切割以形成多個傳感器40U，如圖3L所示。
[0070]然後，如圖3M所示，將傳感器40U置放於一封裝基板10上，封裝基板10包括多個第一焊墊15，接著，對傳感器40U進行打線及封膠程序，以將此等第一焊墊15電連接至此等第二焊墊25而形成感測裝置I。於打線及封膠程序中，首先提供多條連接線50以分別將此等第一焊墊15電連接至此等第二焊墊25，然後提供封膠層60覆蓋此等第一焊墊15、此等第二焊墊25及此等連接線50。
[0071]圖4A與4B顯示依據本發明另一實施例的感測裝置的製造方法的部分步驟的示意圖。值得注意的是，圖4A與4B是用來置換圖2M的結構及製造方法，且圖4B可以延續圖3A以後的製造工藝。
[0072]因此，於本實施例中，如圖4A所示，於重新分布層45及第二絕緣層47J上形成一第三絕緣層47L。然後，如圖4B所示，於第三絕緣層47L開出多個窗口 47W而使重新分布層45露出。接著，對應地參考圖31，於重新分布層45及第三絕緣層47L上形成一第二銅種子層47K，利用第二銅種子層47K進行電鍍來形成一第二銅層47D，於第二銅層47D上形成一錫層47G並移除部分的第二銅層47D，使錫層47G當作焊帽，用來與此等連接墊21對準並接八口 ο
[0073]圖5顯示依據本發明的又另一實施例的感測裝置I』的示意圖。如圖5所示，本實施例是類似於圖1，不同之處在於圖1的中介結構20是利用半導體基板形成，而本實施例的中介結構20』是利用聚醯亞胺(Polyimide)所形成的軟性電路板，其中具有至少一金屬層來達成信號連接的目的，用於將信號輸出至輸出墊25』。如此，不需要打線封膠，且可以使得感測裝置I』的厚度更加薄型化。
[0074]圖6A顯示裝設有感測裝置的電子設備200的俯視圖。圖6B與6C顯示感測裝置的裝設位置的兩個例子。如圖6A所示，上述實施例的感測裝置I可以裝設在譬如行動電話的面板下方。因為使用者很重視行動電話的外觀，所以將感測裝置隱藏在面板210下方是本發明設計的重點。因此，感測裝置一定要有全平面的設計，通過本發明的感測裝置，可以實施為面積型或滑動式指紋感測，將其安置在面板210的下表面(圖6B)或面板210的凹槽212中(圖6C)，使面板210同時具有觸控、顯示及指紋感測的功能。
[0075]傳統的傳感器使用的球閘陣列(BGA)的球徑高度大約在300至400微米，本發明實施例的微凸塊的高度約10微米(um)，中介晶片的高度約50?lOOum，因此，可以減少大約200至300微米的高度，使感測裝置的厚度可以小於或等於500um，如此可以使感測裝置及裝設有此感測裝置的電子設備薄型化。
[0076]在較佳實施例的詳細說明中所提出的具體實施例僅方便說明本發明的技術內容，而非將本發明狹義地限制於上述實施例，在不超出本發明的精神及權利要求的情況，所做的種種變化實施，皆屬於本發明的範圍。
【權利要求】
1.一種超薄型全平面式感測裝置，其特徵在於，所述超薄型全平面式感測裝置至少包括: 一封裝基板，包括多個第一焊墊； 一中介結構，位於所述封裝基板上，包括多個連接墊以及電連接至所述的多個第一焊墊及所述的多個連接墊的多個第二焊墊； 一垂直電連接結構，位於中介結構上，包括電連接至所述的多個連接墊的多個垂直導體；以及 一感測晶片，位於所述垂直電連接結構上，包括一晶片基板，以及形成於所述晶片基板上的: 多個感測元，構成一感測元陣列，並感測一生物體的特徵而獲得多個感測信號； 多個感測電路元，構成一感測電路元陣列，電連接至所述的多個感測元，並處理所述的多個感測信號而獲得多個生物特徵信號；以及 多個垂直貫通電極，直接或間接電連接至所述的多個感測電路元及所述的多個垂直導體，以使所述的多個生物特徵信號分別通過所述的多個垂直貫通電極、所述的多個垂直導體及所述的多個第二焊墊傳輸至所述的多個第一焊墊。
2.根據權利要求1所述的感測裝置，其特徵在於，所述感測裝置還包括: 多條連接線，分別將所述的多個第一焊墊電連接至所述的多個第二焊墊；以及 一封膠層，覆蓋所述的多個第一焊墊、所述的多個第二焊墊及所述的多個連接線，其中所述垂直電連接結構還包括一絕緣填料層，所述的多個垂直導體是埋設於所述絕緣填料層。
3.根據權利要求1所述的感測裝置，其特徵在於，所述感測裝置的厚度小於或等於500微米。
4.根據權利要求1所述的感測裝置，其特徵在於，所述垂直導體是由銅、鎳、銀與錫所形成。
5.根據權利要求1所述的感測裝置，其特徵在於，所述感測晶片還包括一重新分布層，所述的多個垂直貫通電極是通過所述重新分布層電連接至所述的多個垂直導體；且 所述垂直電連接結構還包括多個啞導電結構，其電連接至所述重新分布層，所述啞導電結構沒有傳輸任何信號。
6.一種感測裝置的製造方法，其特徵在於，所述感測裝置的製造方法至少包括以下步驟: (a)形成多個感測晶片，各所述感測晶片具有一晶片基板以及形成於所述晶片基板中的多個感測元、多個感測電路元以及多個垂直貫通電極，所述的多個感測電路元電連接至所述的多個垂直貫通電極及所述的多個感測元； (b)形成一重新分布層於所述的多個垂直貫通電極上，並形成多個垂直導體於所述重新分布層上； (C)形成一中介晶片，其具有多個連接墊及電連接至所述的多個連接墊的多個第二焊墊； (d)將所述的多個感測晶片置於所述中介晶片上，並使所述的多個垂直導體與所述的多個連接墊對準； (e)接合所述的多個垂直導體與所述的多個連接墊； (f)形成一絕緣填料層於所述的多個感測晶片與所述中介晶片之間； (g)執行切割，以形成多個傳感器； (h)將所述傳感器置放於一封裝基板上，所述封裝基板包括多個第一焊墊；以及 (i)對所述傳感器進行打線及封膠程序，以將所述的多個第一焊墊電連接至所述的多個第二焊墊而形成所述感測裝置。
7.根據權利要求6所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟(a)包括: (al)於所述晶片基板上形成所述的多個感測電路元； (a2)於所述晶片基板及所述的多個感測電路元上形成一層間介電層； (a3)形成多個貫通孔貫通所述層間介電層並延伸至所述晶片基板達一預定深度； (a4)形成一第一絕緣層於所述層間介電層及各所述貫通孔的內壁； (a5)形成一第一銅種子層於所述第一絕緣層上； (a6)利用所述第一銅種子層進行電鍍來形成一第一銅層； (a7)研磨移除部分的所述第一銅層直到所述第一絕緣層露出為止而形成所述的多個垂直貫通電極； (a8)於所述的多個垂直貫通電極與所述第一絕緣層上形成所述的多個感測元，並使所述的多個感測元電連接至所述的多個垂直貫通電極，所述的多個感測元由一保護層覆蓋；(a9)粘貼一載體於所述保護層上，研磨所述晶片基板直到露出所述的多個垂直貫通電極為止；以及 (alO)移除所述載體並於所述晶片基板上與所述的多個垂直貫通電極形成一第二絕緣層，並使所述的多個垂直貫通電極露出； 所述步驟(b)中，是於所述第二絕緣層上形成所述重新分布層，其電連接至所述的多個垂直貫通電極。
8.根據權利要求7所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟(b)包括: (bl)於所述重新分布層及所述第二絕緣層上形成一第二銅種子層； (b2)利用所述第二銅種子層進行電鍍來形成一第二銅層；以及 (b3)於所述第二銅層上形成一錫層並移除部分的第二銅層，使所述錫層當作焊帽，用來與所述的多個連接墊對準並接合。
9.根據權利要求7所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟(b)包括: (bl)於所述重新分布層及所述第二絕緣層上形成一第三絕緣層； (b2)於所述第三絕緣層開出多個窗口而使所述重新分布層露出； (b3)於所述重新分布層及所述第三絕緣層上形成一第二銅種子層； (b4)利用所述第二銅種子層進行電鍍來形成一第二銅層；以及 (b5)於所述第二銅層上形成一錫層並移除部分的第二銅層，使所述錫層當作焊帽，用來與所述的多個連接墊對準並接合。
10.根據權利要求6所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟(i)包括: 提供多條連接線以分別將所述的多個第一焊墊電連接至所述的多個第二焊墊；以及 提供一封膠層覆蓋所述的多個第一焊墊、所述的多個第二焊墊及所述的多個連接線。
【文檔編號】H01L23/488GK104241213SQ201310251597
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月21日 優先權日:2013年6月21日
【發明者】邱立國 申請人:李美燕