真空多功能連續鍍膜裝置的製作方法

2023-06-01 22:01:01 2

專利名稱：真空多功能連續鍍膜裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型屬於電子機械技術領域，尤其涉及一種高真空多功能離子東濺 射與電子東蒸發連續鍍膜裝置。
背景技術：
柔性高分子和炭質材料帶狀物、金屬薄帶等基體帶上鍍制的複合膜產品，
在現代工業和高技術領域用途廣泛。例如電子通訊、網絡器件、電磁幹擾防 治(MEI)領域中應用廣泛的磁性複合膜，要求於高真空環境下，在金屬薄帶 (10pm 25)am)上緻密鍍制2 ~ 8層的Fe、 Ni、 Zr、 Cr、 Co、 Hf、 Mo、 Td、
Si、 B等及其化合物薄膜，單層薄膜的成分及厚度偏差<5%;再如氫能源利 用中普遍釆用的載體催化劑，通常是在高真空環境下，在炭質材料帶狀物上鍍 制稀貴金屬合金催化劑複合膜，薄膜的成分及厚度偏差< 5 % 。
首先，加工這些多層膜或複合膜產品， 一般需要在高真空環境下，釆用離 子東濺射、磁控濺射、電子東蒸發鍍膜等多種技術，目前多釆用多種鍍膜裝置 分別鍍制或多真空室連接的裝置來依序完成鍍膜，存在以下缺陷1、對於多種 鍍膜裝置分別鍍制的方式，在變換裝置時，中間產品頻繁暴露於大氣環境，破 壞了中間膜層質量，同時頻繁的泵抽及升降溫度過程，加長了工藝流程，降低 了加工效率；2、對於多真空室連接裝置的方式，由於設置了多個真空室，勢必 需在多個真空室中設置泵抽、氣路、檢測、加熱烘烤、電控等單元，製造成本 較高，也降低真空室容積利用率。
其次，這些多層膜或複合膜產品的載體需要特定的基體帶，如高分子材料、 石墨纖維布及金屬薄帶材等。由於不同張力基體帶在不同卷繞速度的連續鍍膜 過程中，需保證達到無斜拉伸、平整度以及與膜層接觸面無損傷的要求，而目 前公開的有採用磁粉離合器以及增設光電或無線電檢測的張力傳感軸等實現自 動張力控制，均難以實現寬幅(幅寬300mm以上)寬張力範圍基體帶、寬卷繞 速度範圍鍍膜時的控制精度需要以及保證膜層質量。
再者，鍍制這些多層膜或複合膜產品所釆用的離子束濺射技術，可在低溫 (<200°C)下準確可控的離子/原子到達比，易獲得多種不同組分和結構的合成 膜，對所有襯底有好的結合力，有效地控制超微粒子的大小和分布。但由於離 子束聚焦束斑能量密度較大，難以準確控制鑲嵌型靶材的離子/原子到達比進而 影響複合膜的組分和結構控制；離子東聚焦束斑對靶材固定部分的濺射，將縮 短靶材的使用壽命，降低靶材的利用率，特別對於貴重金屬靶材以及難加工類靶材而言，將大幅增加多層膜或複合膜產品的生產成本。而目前公開的如專利
號為99243973.6的"濺射靶"，釆用的濺射靶材橫截面形狀為曲線形，可提高40 ~ 80%的靶材利用率，但隨著靶材成分的變化，靶材實際消耗曲線也會顯著變化， 使得曲線形濺射靶材加工工藝趨於複雜並增大加工難度及成本。
發明內容
本實用新型的目的是提供一種高真空多功能離子東濺射與電子東蒸發連續 鍍膜裝置，它能在不破壞高真空條件下，在單真空室內具有多種鍍膜及連續鍍 膜功能，從而可實現對基體或基體帶進行單一或多種、間斷或連續鍍膜，尤其 對同一個基體或基體帶連續完成離子東濺射鍍膜或電子東蒸發鍍膜中的一個或 多個鍍膜過程，並且可實現鍍膜過程中間斷或全時的離子東輔助增強沉積；它 能將濺射靶材特別是貴重金屬靶材和難加工類靶材利用率提高60% ~ 100%，還 可通過鑲嵌型靶獲得特殊功能的包覆型複合膜產品。
為實現上述目的，本實用新型釆取以下設計方案
真空鍍膜室為單室結構，離子東濺射源和電子東蒸鍍源的發生器設置在真 空鍍膜室外，二者通入鍍膜室的入口對應設置有離子東濺源射擋板和電子束蒸 鍍源擋板；恆張力可逆卷繞單元的收/放捲軸及隨動過渡軸固定於鍍膜室內的連 接支撐裝置上，對應的傳感、驅動、控制設置在鍍膜室外。真空鍍膜室可釆用 臥式、簡形(亦可為其它形狀)、前開門、雙層水冷、全不鏽鋼結構。
恆張力可逆卷繞單元的收/放捲軸通過力矩傳感限制器與伺服電機傳動連 接，恆張力可逆卷繞單元的隨動過渡軸連接有調速編碼器，力矩傳感、伺服電 機和調速編碼器都與PLC可編程控制器電控連接，可分別設定張力、速度，並 實現寬幅、寬張力範圍內恆定控制張力、速度；離子東濺鍍單元的靶位與由步 進電機驅動的雙向轉動組件連接，該雙向轉動組件又與由另一步進電機驅動的 軸嚮往復擺動組件連接，兩組步進電機也與PLC可編程控制器電控連接，提高 貴重金屬靶材以及難加工類靶材的利用率，大幅降低多層膜或複合膜產品的生 產成本。
泵抽單元位於機架臺後部並與真空鍍膜室後部金屬密封連接；循環冷卻水 流報警單元置於機架臺內後部，與各個所需循環冷卻水的單元電連接，提供其 它單元所需循環冷卻水並監控流量。
在本裝置的真空鍍膜室內安置有真空測量器及烘烤加熱器。 真空鍍膜室設有離子東輔助增強/清洗源，室內對應設置離子東輔助沉積/ 清洗源擋板；鍍膜室設有旋擺/移動濺鍍靶臺，室內對應設置旋擺/移動濺鍍靶臺 擋板；鍍膜室設有水冷/加熱轉臺，室內對應設置水冷/加熱轉臺擋板。通過使用 各擋板，可在單室結構的鍍膜室內完成不同的搡作。離子東濺射源發射端正對旋擺/移動濺鍍靶臺上的靶材，發射高能離子轟擊 旋擺/移動濺鍍靶臺上的靶材，使濺射出的靶材物質沉積到可逆雙向卷繞單元上
的基體帶以及水冷/加熱轉臺上的基體表面而成膜；離子束輔助增強/清洗源發射
端正對恆張力可逆卷繞單元上的基體帶以及水冷/加熱轉臺上的基體，實現基體 的鍍膜前清洗功能，並實現基體鍍膜的輔助增強功能，提高成膜質量。 所述的旋擺/移動濺鍍靶臺可實現靶位的軸向擺動和雙向轉動，並可滿足單
項或多項鍍膜的需要；在進行離子東濺射源鍍膜時，旋擺/移動濺鍍靶臺可自動 移入到真空鍍膜室的中軸處(軸向初始位置)，電子東蒸發源擋板可關閉，防 止汙染蒸發坩鍋內膜料；在進行電子東蒸發源鍍膜時，旋擺/移動濺鍍靶臺可自 動移出至真空鍍膜室的左側室壁附近，並可關閉旋擺/移動濺鍍靶臺擋板，既避 免影響電子東蒸發源鍍膜，又可防止旋擺/移動濺鍍靶臺上的靶材受到汙染，保 證成膜質量。
水冷/加熱轉臺為互換結構的，實現鍍膜基體寬溫度控制範圍。在真空鍍膜 室內水冷/加熱轉臺擋板處設有膜厚監控單元，可手動或自動控制水冷/加熱轉臺 擋板，實現設定膜厚的實時監控。
氣路單元分別釆用單氣路接通離子東濺射源及離子東輔助沉積/清洗源供 氣；釆用單氣路或兩條以上氣路或經混氣罐通入真空鍍膜室內的勻氣裝置。真 空鍍膜室上還帶有與其它設備連接的接口。
本實用新型的優點和效果
1、 與單一功能的真空鍍膜裝置相比較增加了功能，保證了中間膜層質量，縮短 了工藝流程，提高了加工效率。
2、 與多真空室多功能的真空鍍膜裝置相比較，減少了真空室個數，降低了製造 成本，提高了真空室容積利用率。
3、 有利於連續鍍膜工藝，有助於實現寬幅(幅寬300mm以上)寬張力範圍基 體帶、寬卷繞速度範圍鍍膜時的控制精度需要以及保證膜層質量。
4、 有助於獲得多種不同組分和結構的合成膜，對所有襯底具有良好結合力，有 效地控制超微粒子的大小和分布。
5、 實現貴重金屬靶材以及難加工類靶材的利用率提高60%~100%,有利於通 過鑲嵌型靶獲得包覆型複合膜產品，大幅度降低鍍膜產品的生產成本。
6、 實現鍍膜基體寬溫度控制範圍(l(TC ~ 800°C )。
7、 實現設定膜厚的實時監控。
8、 真空鍍膜室預留的接口配合旋擺/移動濺鍍靶臺，還可用於後續的準分子雷射 濺射(PLD)鍍膜。


5本實用新型的實施例結合附圖加以說明，其中
圖l是本實用新型的正視結構示意圖2是本實用新型的俯視結構示意圖3是本實用新型的旋擺/移動濺鍍靶臺單元結構示意圖4是本實用新型的恆張力可逆卷繞單元結構示意圖5是本實用新型的氣路單元示意圖。
圖中機架臺l;真空鍍膜室2;泵抽3;真空測量器4;旋擺/移動濺鍍靶 臺5，旋擺/移動濺鍍靶臺擋板5'， PLC可編程控制器5-1，連接支撐裝置5-2, 步進電機5-3、 5-3'，傳動減速裝置5-4、 5-4'，靶位軸嚮往復擺動組件5-5,靶 位雙向轉動組件5-6,乾軸組件5-7,靶位5-8,法蘭5-9，輸出電脈衝5-10、 5-10', 真空鍍膜室壁5-11，絲杆5-12,導軌5-13;氣路單元6，離子東濺射源氣路6-l， 離子束輔助沉積/清洗源氣路6-2，反應供氣路6-3、 6-4,質量流量計6-5、 6-6、
6- 7、 6-8，混氣罐6-9;恆張力可逆卷繞單元7,直流伺服電機7-2、 7-2'，力矩 傳感限制器7-3、 7-3'，傳動減速裝置7-4、 7-4',調速編碼器7-5、 7-5',連接支 撐裝置7-6,隨動過渡軸7-7、 7-7',收/放捲軸7-8、 7-8'，鍍膜基臺7-9,輸出電 脈衝7-10、 7-10'，力矩限制信號7-11、 7-ll',基體帶實際運動速度信號7-12、
7- 12',真空鍍膜室壁7-13;離子東濺射源8，離子東濺射源擋板8';離子束輔 助增強/清洗源9，離子東輔助增強/清洗源擋板9，；電子束蒸鍍源IO,電子東蒸 鍍源擋板10';烘烤加熱器ll;水冷/加熱轉臺12,水冷/加熱轉臺擋板12';膜 厚監控器13;循環冷卻水流報警單元14;法蘭接口 15;盲板16;引線法蘭17。
具體實施方式
如圖1及圖2所示，本實用新型真空多功能連續鍍膜裝置，由機架臺1、真 空鍍膜室2、泵抽3、真空測量4、旋擺/移動濺鍍靶臺5、旋擺/移動濺鍍靶臺擋 板5'、氣路6、恆張力可逆卷繞7、離子束濺射源8、離子東濺射源擋板8'、離 子束輔助增強/清洗源9、離子東輔助增強/清洗源擋板9，、電子東蒸鍍源IO、電 子東蒸鍍源擋板10'、烘烤ll、水冷/加熱轉臺12、水冷/加熱轉臺擋板12'以及 控制上述各單元電源開關的電控(可釆用分體控制櫃分別控制，亦可由現有技 術將所有電控部分集中於整體控制櫃)組成，並配有膜厚監控13、循環冷卻水 流報警14、法蘭接口 15、盲板16、引線法蘭17等單元。
本實用新型真空多功能連續鍍膜裝置設有臥式、簡形(亦可為其它形狀)、 前開門、雙層水冷、全不鏽鋼結構、獨立單室的真空鍍膜室2，固定在機架臺1 上，泵抽單元3位於機架臺1後部，循環冷卻水流報警14置於機架臺1內後部； 真空鍍膜室2內安置有恆張力可逆卷繞7、真空測量4及烘烤11,以及離子東 濺射源8、離子東濺射源擋板8'、離子東輔助增強/清洗源9、離子東輔助增強/清洗源擋板9'、電子束蒸發源IO、電子東蒸發源擋板10'、旋擺/移動濺鍍靶臺 5、旋擺/移動濺鍍靶臺擋板5'、水冷/加熱轉臺12、水冷/加熱轉臺擋板12';氣 路單元6置於機架臺1內部，從真空鍍膜室2側下部接入；法蘭接口 15、盲板 16、引線法蘭17置於真空鍍膜室2的側部。
所述的恆張力可逆卷繞7、電子東蒸發源IO、電子東蒸發源擋板10'、旋擺 /移動濺鍍靶臺5、旋擺/移動濺鍍靶臺擋板5'、離子東濺射源8、離子東濺射源 擋板8'、離子束輔助沉積/清洗源9、離子東輔助增強/清洗源擋板9'、水冷/加熱 轉臺12、水冷/加熱轉臺擋板12，均設有電源控制開關，既可手動控制，也可利 用計算機技術實現自動控制，如前所述，可釆用分體控制櫃獨立控制，也可開 發研製一體機控制。
所述的真空鍍膜室2的上側面帶有引線法蘭17,還留有易拆卸的法蘭接口 15並配以相應的盲板16,用於與其它設備連接。
所述的離子東濺射源8、離子東濺射源擋板8'置於真空鍍膜室2後下部， 發射高能離子轟擊旋擺/移動濺鍍靶臺5上的靶材，使濺射出的靶材物質沉積到 恆張力可逆卷繞7上的基體帶以及水冷/加熱轉臺12上的基體表面而成膜。
所述的離子東輔助增強/清洗源9、離子東輔助增強/清洗源擋板9，置於真 空鍍膜室2側部，發射高能離子轟擊恆張力可逆卷繞7上的基體帶以及水冷/加 熱轉臺12上的基體，實現基體的鍍膜前清洗功能，並實現基體鍍膜的輔助增強 功能，提高成膜質量。
所述的水冷/加熱轉臺12通過手動方式互換，可將轉臺上的基體加熱到高達 800°C,實現鍍膜基體寬溫度範圍的控制。
所述的真空鍍膜室2內設有膜厚監控單元，既可手動控制，也可自動控制 水冷/加熱轉臺擋板12',實現設定膜厚的實時監控。
所述的真空鍍膜室2內設有真空測量4單元及烘烤11單元，烘烤11可對 恆張力可逆卷繞7上的基體帶加熱到高達500°C。
本實用新型可滿足單項或多項鍍膜的需要。在進行離子東濺射源8鍍膜時， 旋擺/移動濺鍍靶臺5可自動移入到真空鍍膜室2的中軸處(軸向初始位置)， 電子束蒸發源擋板10，可關閉，防止汙染蒸發坩鍋內膜料；在進行電子束蒸發源 IO鍍膜時，旋擺/移動濺鍍靶臺5可自動移出至真空鍍膜室2的左側室壁附近， 並可關閉旋擺/移動濺鍍靶臺擋板5，，既避免影響電子束蒸發源10鍍膜，又可 防止旋擺/移動濺鍍靶臺5上的靶材受到汙染。
如圖3所示，本實用新型所述的旋擺/移動濺鍍靶臺5置於真空鍍膜室2外 部，由PLC可編程控制器5-1、連接支撐裝置5-2、步進電機5-3、 5-3'、傳動減 速裝置5-4、 5-4'、靶位軸向擺動組件5-5、靶位雙向轉動組件5-6、靶軸組件5-7、 靶位5-8、法蘭5-9、輸出電脈衝5-10、 5-10'組成。可實現靶位的軸向擺動和雙向轉動，提高貴重金屬靶材以及難加工類靶材的利用率60%~100%,有利於通
過鑲嵌型靶獲得包覆型複合膜產品，大幅度降低鍍膜產品的生產成本。
所述的步進電機5-3與傳動減速裝置5-4驅動連接，傳動減速裝置5-4通過 絲杆連接控制靶位軸向擺動組件5-5,均固定於連接支撐裝置5-2上。步進電機 5-3'、傳動減速裝置5-4'、靶位雙向轉動組件5-6固定於靶位軸向擺動組件5-5 上，步進電機5-3'與傳動減速裝置5-4'驅動連接，傳動減速裝置5-4'通過直聯控 制靶位雙向轉動組件5-6後，並進而控制靶軸組件5-7及靶位5-8。
所述的PLC可編程控制器5-1根據寫入的工藝參數(含靶位5-8雙向轉 動的角度c^和a逆以及頻率/)輸出電脈衝5-10',控制步進電機5-3',通過傳動 減速裝置5-4'以及靶位雙向轉動組件5-6驅動靶軸組件5-7,實現靶位5-8在設 定轉動角度a及頻率/情況下的雙向轉動，當關閉靶位雙向轉動組件5-6後，通 過相同控制步驟，實現靶位5-8表面與聚焦離子東中心線之間的夾角迅速恢復 到原始設計角度(即復位於轉向初始位置)。
同樣，所述的PLC可編程控制器5-1還根據寫入的工藝參數(含靶位5-8 軸向擺動的擺動距離丄正和丄^以及速度v)輸出電脈衝5-10,控制步進電機5-3， 通過傳動減速裝置5-4驅動連接支撐裝置5-2上的靶位軸向擺動組件5-5後，進 而控制靶位軸向擺動組件5-5上的靶軸組件5-7，同時實現靶位5-8在設定擺動 距離丄及速度v情況下的軸向擺動，當關閉靶位軸向擺動組件5-5後，通過相 同控制步驟，實現靶位5-8中心與離子束聚焦東斑中心迅速重合(即復位於軸 向初始位置)。
此外，可將旋擺/移動濺鍍靶臺5及旋擺/移動濺鍍靶臺擋板5，設計為在進 行離子東濺射源8鍍膜時，旋擺/移動濺鍍靶臺5可自動移入到真空鍍膜室2的 中軸處(軸向初始位置)，電子東蒸發源擋板10，可關閉，防止汙染蒸發坩鍋內 膜料；在進行電子東蒸發源IO鍍膜時，旋擺/移動濺鍍靶臺5可自動移出至真空 鍍膜室2的左側室壁附近，並可關閉旋擺/移動濺鍍靶臺擋板5'，既避免影響電 子東蒸發源IO鍍膜，又可防止旋擺/移動濺鍍靶臺5上的靶材受到汙染，保證成 膜質量。
如圖4所示，本實用新型所述的恆張力可逆卷繞7單元對稱置於真空鍍膜 室2上部，由PLC可編程控制器5-1、直流伺服電機7-2、 7-2'、力矩傳感限制 器7-3、 7-3'、傳動減速裝置7-4、 7-4'、調速編碼器7-5、 7陽5'、連接支撐裝置7-6、 隨動過渡軸7-7、 7-7'、收放捲軸7-8、 7-8'、鍍膜基臺7-9、輸出電脈衝7-10、 7-10'、力矩限制信號7-11、 7-ll'、基體帶實際運動速度信號7-12、 7-12'組成。 可同時實現基體帶卷繞過程中設定張力下對設定速度的可逆雙向恆定控制以及 設定速度下對設定張力的恆定控制。
所述的收放捲軸7-8、 7-8'及隨動過渡軸7-7、 7-7'固定於連接支撐裝置7-6上，收放捲軸7-8、 7-8'位於鍍膜基臺7-9兩側，兩個隨動過渡軸7-7、 7-7'分別 位於收放捲軸7-8、 7-8'與鍍膜基臺7-9之間，其上設置調速編碼器7-5、 7-5'。 由PLC可編程控制器5-1控制的直流伺服電機7-2、 7-2'與傳動減速裝置7-4、 7-4'驅動連接，並置於真空鍍膜室2後部，傳動減速裝置7-4、 7-4'驅動連接支撐 裝置7-6上的收放捲軸7-8、 7-8'實現同步可逆雙向轉動，帶動基體帶同步可逆 雙向運動。PLC可編程控制器5-l獲得隨動過渡軸7-7、 7-7'上調速編碼器7-5、 7-5'輸出的基體帶實際運動速度信號7-12、 7-12'與設定運動速度值的差異，同時 也獲得力矩傳感器信號，根據已寫入程序，實時輸出電脈衝7-10、 7-10'以及力 矩限制信號7-11、 7-ll'分別控制直流伺服電機7-2、 7-2'和力矩限制器7-3、 7國3', 通過傳動減速裝置7-4、 7-4'驅動連接支撐裝置7-6上的收放捲軸7-8、 7-8'。達 到分別設定張力、速度，並恆定控制張力、速度的目的。
如圖5所示，本實用新型所述的氣路6單元釆用單氣路6-l、 6-2及質量流 量計6-5、 6-6分別對離子東濺射源8及離子東輔助沉積/清洗源9供氣，並釆用 單氣路6-3、 6-4及質量流量計6-7、 6-8或兩條以上氣路或經混氣罐6-9通入真 空鍍膜室2內。
本實用新型可用於在長基體帶上鍍制合成膜、包覆型複合膜和多層膜，同 樣也可在短小基體或靜止基體上鍍制合成膜、包覆型複合膜和多層膜。其工作 過程為將擬鍍膜的基體帶纏放於恆張力可逆卷繞7單元上(或將擬鍍膜的基 體固定於水冷/加熱轉臺12上)，抽真空，啟動恆張力可逆卷繞7單元走帶(或 開啟水冷/加熱轉臺12自轉)，打開控制離子東濺射源8和旋擺/移動濺鍍靶臺 5的電源控制開關(按預先設定的方案排定順序)，或電子東蒸發源IO的電源控 制開關(按預先設定的方案排定順序)，以便進行相關膜系的鍍膜。離子東濺射 或電子東蒸發時在基體帶行走狀態或基體勻速轉動狀態下，膜厚偏差小於5%。
本實用新型真空多功能連續鍍膜裝置，主要用於開發納米粒徑的複合薄膜 及化合物功能薄膜且同時可以進行連續製備，提高加工效率。
適用於本實用新型具體實施方式
的基體帶，包括高分子柔性材料、石墨纖 維布及金屬薄帶材等，具有一定可卷繞度並且還具備一定的抗拉強度。
本裝置還可用於其它功能薄膜——如金屬及合金薄膜、氧化物薄膜、半 導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、鐵磁薄膜、磁性薄膜及光學薄膜等的研製開 發。
權利要求1、一種真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於真空鍍膜室為單室結構，離子束濺射源和電子束蒸鍍源的發生器設置在真空鍍膜室外，二者通入鍍膜室的入口對應設置有離子束濺射源擋板和電子束蒸鍍源擋板；恆張力可逆卷繞單元的收/放捲軸及隨動過渡軸固定於鍍膜室內的連接支撐裝置上，對應的傳感、驅動、控制設置在鍍膜室外。
2、 根據權利要求l所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於恆張力 可逆卷繞單元的收/放捲軸通過力矩傳感限制器與伺服電機傳動連接，恆張力可 逆卷繞單元的隨動過渡軸連接有調速編碼器，力矩傳感、伺服電機和調速編碼 器都與PLC可編程控制器電控連接；離子東濺鍍單元的靶位與由步進電機驅動 的雙向轉動組件連接，該雙向轉動組件又與由另一步進電機驅動的軸嚮往復擺 動組件連接，兩組步進電機也與PLC可編程控制器電控連接。
3、 根據權利要求2所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於泵抽單 元位於機架臺後部並與真空鍍膜室後部金屬密封連接；循環冷卻水流報警單元 置於機架臺內後部，與各個所需循環冷卻水的單元電連接。
4、 根據權利要求2所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於所述的 真空鍍膜室內安置有真空測量器及烘烤加熱器。
5、 根據權利要求2所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於真空鍍 膜室設有離子東輔助增強/清洗源，室內對應設置離子束輔助沉積/清洗源擋板； 鍍膜室設有旋擺/移動濺鍍靶臺，室內對應設置旋擺/移動濺鍍靶臺擋板；鍍膜 室設有水冷/加熱轉臺，室內對應設置水冷/加熱轉臺擋板。
6、 根據權利要求2所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於離子東 濺射源發射端正對旋擺/移動濺鍍靶臺上的靶材；離子東輔助增強/清洗源發射 端正對恆張力可逆卷繞單元上的基體帶以及水冷/加熱轉臺上的基體。
7、 根據權利要求2所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於水冷/加熱轉臺為互換結構的，在真空鍍膜室內水冷/加熱轉臺擋板處設有膜厚監控單 元。
8、 根據權利要求l所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於氣路單 元分別釆用單氣路接通離子束濺射源及離子東輔助沉積/清洗源供氣；釆用單氣 路或兩條以上氣路或經混氣罐通入真空鍍膜室內的勾氣裝置。
9、 根據權利要求2所述的真空多功能連續鍍膜裝置，其特徵在於真空鍍 膜室上還帶有與其它設備連接的接口。
專利摘要本實用新型屬於電子機械技術領域，涉及一種高真空多功能離子束濺射與電子束蒸發連續鍍膜裝置。本裝置的真空鍍膜室為單室結構，離子束濺射源和電子束蒸鍍源的發生器設置在真空鍍膜室外，二者通入鍍膜室的入口對應設置有離子束濺源射擋板和電子束蒸鍍源擋板；恆張力可逆卷繞單元的收/放捲軸及隨動過渡軸固定於鍍膜室內的連接支撐裝置上，對應的傳感、驅動、控制設置在鍍膜室外。本實用新型結構緊湊，在單真空室內具有多種鍍膜及連續鍍膜功能，並可實現鍍膜過程中間斷或全時的離子束輔助增強沉積，能將濺射靶材特別是貴重金屬靶材和難加工類靶材利用率提高60％～100％，還可通過鑲嵌型靶獲得特殊功能的包覆型複合膜產品。
文檔編號C23C14/56GK201317807SQ200820200000
公開日2009年9月30日 申請日期2008年11月18日 優先權日2008年11月18日
發明者濱 楊 申請人:昆明理工大學