一種高壓驅動的led發光器件及其製造方法
2023-06-01 23:23:56 2
專利名稱：一種高壓驅動的led發光器件及其製造方法
技術領域：
本發明屬於LED技術領域，具體涉及一種倒裝結構的高壓驅動的LED發光器件及其製造方法。
背景技術：
隨著發光二極體(LED)發光效率的不斷提高，LED無疑成為近幾年來最受重視的光源之一。進一步隨著LED工藝的發展，直接採用高壓驅動的LED已經實現，高壓LED的效率優於一般傳統低壓發光二極體，主要可歸因小電流、多單元的設計能均勻地將電流擴散開來，進而提升光萃取效率，另外，高壓LED可以實現直接高壓驅動，從而節省了 LED驅動的成本。現有技術的高壓LED的實現方式主要通過在同一塊LED晶片上製作出多個LED子單元，通過LED子單元的串聯，使驅動的電壓升高。所述LED子單元的實質就是一顆完整獨立的LED，它包含有襯底、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層、P歐姆接觸層、以及N歐姆接觸層等，各個LED子單元公用一個襯底構成所述LED晶片。目前，傳統高壓LED都是正裝產品，正裝產品需要透過下面的藍寶石襯底來進行散熱、以及需要進行打線工藝解決散熱問題，其散熱效果及結構一般都不及倒裝產品。所謂的倒裝高壓LED，是將LED晶片倒裝在一基板上，使得LED晶片的各個LED子單元的P歐姆接觸層和N歐姆接觸層與基板上的金屬布線層電連接，通過在基板上的布線將各個LED子單元串聯在一起。然而，在基板上布線實現各個LED子單元的串聯，會導致基板與LED的接觸散熱面積減小。另外，每個分立的LED子單元的尺寸較小，則基板布線在設計同時要求晶片及基板都要有較高精度，其設計一般比較複雜。如公開號為US20080087902美國專利，它就是採用的前述結構，其多個LED子單元通過基板布線使各個LED子單元實現串聯，再通過兩個金屬焊球與外界進行電連接，從而形成一種高壓驅動的LED結構。然而，該案中的連接電極需要基板對應的位置做上連接金屬層才能進行可靠的連接，由於該LED採用的是高壓驅動，相應的連接電極直接接觸到基板。一方面，LED晶片與基板接觸面積會因連接電極、兩個金屬焊球的設計而受到限制， 影響散熱效果；另一方面，連接電極直接對基板布線工藝精度提出了更高的要求，使設計覆雜，提高製造成本。
發明內容
為了解決上述問題，本發明的目的在於提供一種散熱效果更好的高壓驅動的LED 發光器件及其製造方法。為了實現本發明第一目的，所採取的技術方案如下一種高壓驅動的LED發光器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的LED晶片，所述LED晶片包括多個分立的LED子單元，在所述LED晶片上設置有電路連接層以將各個LED子單元串聯在一起，在所述LED晶片上還設置有一熱傳導層，在所述基板上也設置有與所述熱傳導層位置相對應熱傳導焊盤。所述高壓驅動的LED發光器件中，其LED子單元包括生長於襯底上的N型氮化鎵、 生長於N型氮化鎵上的發光層、生長於發光層上的P型氮化鎵、與所述P型氮化鎵電連接的 P型歐姆接觸層、以及與所述N型氮化鎵電連接的N型歐姆接觸層，在各個LED子單元之間設置有隔離層，在位於串聯線路兩端的兩LED子單元上還分別設置有一 P電極鍵合層和一 N電極鍵合層，以作為LED晶片的P電極和N電極，在所述LED晶片上設置有電路連接層以將各個LED子單元串聯在一起，具體是在相鄰兩LED子單元的N型歐姆接觸層和P型歐姆接觸層之間設置有電路連接層實現兩個LED子單元之間的串聯。所述高壓驅動的LED發光器件中，在所述LED晶片上還設置有一熱傳導層，具體是在除LED晶片的P電極鍵合層和N電極鍵合層之外的區域上沉積一熱傳導層；所述基板包括基板本體、以及設置所述基板本體上表面的熱傳導焊盤和金屬層；所述熱傳導焊盤的位置和大小與倒轉在其上的LED晶片的熱傳導層對應一致；所述金屬層包括P電極鍵合區、 與所述P電極鍵合區連接的P電極引出區、N電極鍵合區、以及與所述N電極鍵合區連接的 N電極引出區，所述P電極鍵合區與倒轉在其上的LED晶片的P電極鍵合層的位置相對應， 所述N電極鍵合區與倒轉在其上的LED晶片的N電極鍵合層的位置相對應，所述P電極引出區和N電極引出區位於所述基板本體的兩邊緣。進一步的，所述金屬層由以下任一種金屬或者它們的合金製成金、銀、鎳、銅、以及錫。進一步的，所述P型歐姆接觸層為高反射金屬材料層，所述高反射金屬材料層由以下任一種金屬或者它們的合金製成鈦、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。進一步的，所述隔離層為類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁膜、或者納米氮化矽膜進一步的，所述熱傳導層由單種材料形成或多種材料層疊形成；所述熱傳導層由單種材料形成時，其選用的材料為絕緣材料；所述熱傳導層由多種材料層疊形成時，其選用的材料為絕緣材料和金屬材料，所述絕緣材料形成一絕緣層與LED晶片接觸，所述金屬材料層疊在所述絕緣材料上；所述絕緣材料包括類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁、或者納米氮化矽；所述金屬材料為以下任一種金屬或者它們的合金鈦、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。進一步的，所述熱傳導焊盤由以下任一種材料或者多種材料堆疊形成類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁、納米氮化矽、或者金屬材料；所述金屬材料為以下任一種金屬或者它們的合金鈦、銅、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。為了實現本發明的第二發明目的，所採取的技術方案如下一種高壓驅動的LED發光器件的製造方法，包括LED晶片製作步驟、基板製作步驟、以及LED晶片與基板鍵合步驟其中，LED晶片製作步驟，具體如下在一生長襯底上生長外延層，所述外延層包括依次生長的一層N型氮化鎵、一發光層、以及一層P型氮化鎵；刻蝕所述外延層直至露出生長襯底，從而將外延層分成多個獨立的子單元，並在刻蝕區域通過沉積或鍍膜形成一隔離層；光刻各個子單元直至露出N型氮化鎵，並在光刻區域的側壁上沉積一絕緣層；
5
在N型氮化鎵上製作N型歐姆接觸層，並在P型氮化鎵上製作P型歐姆接觸層；在N型歐姆接觸層和P型歐姆接觸層上生長一導電層，並通過刻蝕工藝去除除實現相鄰兩子單元的N型氮化鎵和P型氮化鎵串聯的導電區域外的其餘導電區域，形成電路連接層；在除位於串聯線路一端的子單元的N型歐姆接觸層和位於串聯線路另一端的子單元的P型歐姆接觸層外的區域覆蓋一熱傳導層；在位於串聯線路一端的子單元的N型歐姆接觸層上製作一 N電極鍵合層，在位於串聯線路另一端的子單元的P型歐姆接觸層上製作一 P電極鍵合層；其中，基板製作步驟，具體如下在基板本體上製作一金屬層，並通過刻蝕製作出P電極鍵合區、與所述P電極鍵合區連接的P電極引出區、N電極鍵合區、以及與所述N電極鍵合區連接的N電極引出區，所述P電極鍵合區與倒轉在其上的LED晶片的P電極鍵合層的位置相對應，所述N電極鍵合區與倒轉在其上的LED晶片的N電極鍵合層的位置相對應，所述P電極引出區和N電極引出區位於所述基板本體的兩邊緣；在基板本體上製作一熱傳導焊盤，所述熱傳導焊盤的位置和大小與倒轉在其上的 LED晶片的熱傳導層對應一致；其中，LED晶片與基板鍵合步驟，具體如下將LED晶片的N電極鍵合層和P電極鍵合層分別與基板上的N電極鍵合區和P電極鍵合區電連接。進一步的，所述熱傳導層選用類金剛石膜(DLC)時，具體是首先採用等離子體化學沉澱(RIE)的方法將類金剛石膜(DLC)沉澱在LED晶片上，然後通過幹法或者溼法腐蝕形成；所述熱傳導層選用納米氮化鋁或者納米氮化矽時，具體是首先將納米氮化鋁或者納米氮化矽與光敏聚醯亞胺光刻膠均勻混合，然後採用旋轉塗布以及及光刻形成。本發明是一種倒轉結構的高壓驅動的LED發光器件，LED晶片的各子單元之間的串聯在LED晶片上實現，可使導熱層和導熱焊盤的面積做得更大，進一步提高散熱效果。本發明採用的倒裝焊的熱電分離結構，能夠快速傳導LED的熱量，降低LED結溫，提高LED壽命。同時，金屬連接層做在晶片上，使基板的布線更加簡易，提高LED可靠性與產品生產良率。
為了能更清晰的理解本發明，以下將結合
闡述本發明的具體實施方式
。圖1是本發明實施例1的LED晶片的剖視圖；圖2是本發明實施例1的LED晶片的仰視圖；圖3是本發明實施例1的基板的俯視圖；圖4是圖3A-A向的剖視圖；圖5是本發明實施例1的發光器件的LED與基板結合部分的剖視圖；圖6是本發明實施例1的生產過程中的結構示意圖之一；圖7是本發明實施例1的生產過程中的結構示意圖之二 ；圖8是本發明實施例1的生產過程中的結構示意圖之三。
圖中100-襯底、101-N型氮化鎵、102-發光層、103-P型氮化鎵、104-N型歐姆接觸層、 105-P型歐姆接觸層、106-隔離層、107-電路連接層、108-熱傳導層、109-N電極鍵合層、 110-P電極鍵合層、11-絕緣層；200-基板本體、201-熱傳導焊盤、202-P電極鍵合區、203-P電極引出區、204-N電極鍵合區、205-N電極引出區。
具體實施例方式實施例1 本實施例公開了一種高壓驅動的LED發光器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的LED晶片。如圖1和2所示，該LED晶片包括多個分立的LED子單元，LED子單元包括生長於襯底100上的N型氮化鎵101、生長於N型氮化鎵101上的發光層102、生長於發光層102上的P型氮化鎵103、與所述P型氮化鎵103電連接的P型歐姆接觸層105、以及與所述N型氮化鎵101電連接的N型歐姆接觸層104 ；其中，在各個LED子單元之間設置有隔離層106 ； 其中，在位於串聯線路兩端的兩LED子單元上還分別設置有一 P電極鍵合層110和一 N電極鍵合層109以作為LED晶片的P電極和N電極；其中，為了在LED晶片上實現各個LED子單元之間的串聯，在相鄰兩LED子單元的N型歐姆接觸層104和P型歐姆接觸層105之間設置有電路連接層107 ；為了便於將LED晶片上的熱量傳導至基板上，在除LED晶片的P電極鍵合層110和N電極鍵合層109之外的區域上沉積一熱傳導層108。如圖3和4所示，基板包括基板本體200、以及設置所述基板本體200上表面的熱傳導焊盤201和金屬層。其中，熱傳導焊盤201的位置和大小與倒轉在其上的LED晶片的熱傳導層108對應一致；其中，金屬層包括P電極鍵合區202、與所述P電極鍵合區202連接的P電極引出區203、N電極鍵合區204、以及與所述N電極鍵合區204連接的N電極引出區205。如圖5所示，P電極鍵合區202與倒轉在其上的LED晶片的P電極鍵合層110的位置相對應，N電極鍵合區204與倒轉在其上的LED晶片的N電極鍵合層109的位置相對應。如圖3所示，P電極引出區和N電極引出區位於所述基板本體的兩邊緣。其中，P型歐姆接觸層105為高反射金屬材料層，所述高反射金屬材料層由以下任一種金屬或者它們的合金製成鈦、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。其中，熱傳導層108由單種材料形成時，其選用的材料為絕緣材料，所述絕緣材料包括類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁、或者納米氮化矽。其中，熱傳導層108由多種材料層疊形成時，其選用的材料為絕緣材料和金屬材料，所述絕緣材料形成一絕緣層與LED晶片接觸，所述金屬材料層疊在所述絕緣材料上；所述絕緣材料包括類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁、或者納米氮化矽；所述金屬材料為以下任一種金屬或者它們的合金鈦、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。其中，熱傳導焊盤201由以下任一種材料或者多種材料堆疊形成類金剛石膜 (DLC)、納米氮化鋁、納米氮化矽、或者金屬材料；所述金屬材料為以下任一種金屬或者它們的合金鈦、銅、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。其中，隔離層106為類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁膜、納米氮化矽膜、或是由其他絕緣材料及金屬組成的薄膜。其中，基板上金屬層的材料採用金、銀、鎳、銅、錫等高擴散係數的金屬或者由這些金屬組成的合金材料。其中，基板主體200材料採用氮化鋁陶瓷、氧化鋁陶瓷、矽、鋁、銅，其中的金屬基板與半導體基板需要在其表面做上絕緣層，並且該絕緣層為DLC薄膜材料。前述高壓驅動的LED發光器件的製造方法，包括LED晶片製作步驟、基板製作步驟、以及LED晶片與基板鍵合步驟其中，LED晶片製作步驟，具體如下如圖6所示，首先，在一生長襯底100上生長外延層，所述外延層包括依次生長的一層N型氮化鎵101、一發光層102、以及一層P型氮化鎵103 ；然後，刻蝕所述外延層直至露出生長襯底100，從而將外延層分成多個獨立的子單元，並在刻蝕區域通過沉積或鍍膜形成一隔離層106 ；如圖7所示，首先，光刻各個子單元直至露出N型氮化鎵101，並在光刻區域的側壁上沉積一層絕緣層111 ；然後，在N型氮化鎵101上製作N型歐姆接觸層104，並在P型氮化鎵103上製作P型歐姆接觸層105 ；如圖8所示，在N型歐姆接觸層104和P型歐姆接觸層105上生長一導電層，並通過刻蝕工藝去除除實現相鄰兩子單元的N型氮化鎵10和P型氮化鎵串聯的導電區域外的其餘導電區域，形成電路連接層107 ；在除位於串聯線路一端的子單元的N型歐姆接觸層和位於串聯線路另一端的子單元的P型歐姆接觸層外的區域覆蓋一熱傳導層108 ；其中，熱傳導層108選用類金剛石膜(DLC)時，具體是首先採用等離子體化學沉澱(RIE)的方法將類金剛石膜(DLC)沉澱在LED晶片上，然後通過幹法或者溼法腐蝕形成；其中，熱傳導層108 選用納米氮化鋁或者納米氮化矽時，具體是首先將納米氮化鋁或者納米氮化矽與光敏聚醯亞胺光刻膠均勻混合，然後採用旋轉塗布以及及光刻形成；如圖1所示，在位於串聯線路一端的子單元的N型歐姆接觸層104上製作一 N電極鍵合層109，在位於串聯線路另一端的子單元的P型歐姆接觸層105上製作一 P電極鍵合層 110。其中，基板製作步驟，具體如下如圖3和4所示，在基板本體200上製作一金屬層，並通過刻蝕製作出P電極鍵合區202、與所述P電極鍵合區202連接的P電極引出區203、N電極鍵合區204、以及與所述 N電極鍵合區204連接的N電極引出區205，所述P電極鍵合區202與倒轉在其上的LED晶片的P電極鍵合層110的位置相對應，所述N電極鍵合區204與倒轉在其上的LED晶片的N 電極鍵合層109的位置相對應，所述P電極引出區203和N電極引出區205位於所述基板本體200的兩邊緣；如圖3和4所示，在基板本體200上製作一熱傳導焊盤201，熱傳導焊盤201的位置和大小與倒轉在其上的LED晶片的熱傳導層108對應一致。其中，LED晶片與基板鍵合步驟，具體如下如圖5所示，將LED晶片的N電極鍵合層109和P電極鍵合層110分別與基板上的N電極鍵合區204和P電極鍵合區202電連接，形成一種使用倒裝晶片的高壓驅動發光器件。
本發明將倒裝類的LED發光器件中的LED晶片子單元的串聯線路巧妙製作在了 LED晶片上，不僅可使得基板的布線更加簡易，進一步提高LED可靠性與產品生產良率。並且，在LED晶片上增加了大面積的熱傳導層，將LED晶片上的熱量快速傳導至基板上的熱傳導焊盤，進一步提高其散熱效果。以上詳細描述了本發明的較佳具體實施例，應當理解，本領域的普通技術人員無需創造性勞動就可以根據本發明的構思作出諸多修改和變化。因此，凡本技術領域中技術人員依本發明構思在現有技術基礎上通過邏輯分析、推理或者根據有限的實驗可以得到的技術方案，均應該在由本權利要求書所確定的保護範圍之中。
權利要求
1.一種高壓驅動的LED發光器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的LED晶片，所述 LED晶片包括多個分立的LED子單元，其特徵在於在所述LED晶片上設置有電路連接層以將各個LED子單元串聯在一起； 在所述LED晶片上還設置有一熱傳導層，在所述基板上也設置有與所述熱傳導層位置相對應熱傳導焊盤。
2.根據權利要求1所述的高壓驅動的LED發光器件，其特徵在於所述LED子單元包括生長於襯底上的N型氮化鎵、生長於N型氮化鎵上的發光層、生長於發光層上的P型氮化鎵、與所述P型氮化鎵電連接的P型歐姆接觸層、以及與所述N型氮化鎵電連接的N型歐姆接觸層；在各個LED子單元之間設置有隔離層；在位於串聯線路兩端的兩LED子單元上還分別設置有一 P電極鍵合層和一 N電極鍵合層，以作為LED晶片的P電極和N電極；在所述LED晶片上設置有電路連接層以將各個LED子單元串聯在一起，具體是 在相鄰兩LED子單元的N型歐姆接觸層和P型歐姆接觸層之間設置電路連接層實現兩個LED子單元之間的串聯。
3.根據權利要求2所述的高壓驅動的LED發光器件，其特徵在於在所述LED晶片上還設置有一熱傳導層，具體是在除LED晶片的P電極鍵合層和N電極鍵合層之外的區域上沉積一熱傳導層；所述基板包括基板本體、以及設置所述基板本體上表面的熱傳導焊盤和金屬層； 所述熱傳導焊盤的位置和大小與倒轉在其上的LED晶片的熱傳導層對應一致； 所述金屬層包括P電極鍵合區、與所述P電極鍵合區連接的P電極引出區、N電極鍵合區、以及與所述N電極鍵合區連接的N電極引出區，所述P電極鍵合區與倒轉在其上的LED 晶片的P電極鍵合層的位置相對應，所述N電極鍵合區與倒轉在其上的LED晶片的N電極鍵合層的位置相對應，所述P電極引出區和N電極引出區位於所述基板本體的兩邊緣。
4.根據權利要求3所述的高壓驅動的LED發光器件，其特徵在於所述金屬層由以下任一種金屬或者它們的合金製成金、銀、鎳、銅、以及錫。
5.根據權利要求2所述的高壓驅動的LED發光器件，其特徵在於所述P型歐姆接觸層為高反射金屬材料層，所述高反射金屬材料層由以下任一種金屬或者它們的合金製成鈦、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。
6.根據權利要求2所述的高壓驅動的LED發光器件，其特徵在於 所述隔離層為類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁膜、或者納米氮化矽膜
7.根據權利要求1所述的高壓驅動的LED發光器件，其特徵在於 所述熱傳導層由單種材料形成或多種材料層疊形成；所述熱傳導層由單種材料形成時，其選用的材料為絕緣材料； 所述熱傳導層由多種材料層疊形成時，其選用的材料為絕緣材料和金屬材料，所述絕緣材料形成一絕緣層與LED晶片接觸，所述金屬材料層疊在所述絕緣材料上； 所述絕緣材料包括類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁、或者納米氮化矽； 所述金屬材料為以下任一種金屬或者它們的合金鈦、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。
8.根據權利要求1所述的高壓驅動的LED發光器件，其特徵在於所述熱傳導焊盤由以下任一種材料或者多種材料堆疊形成類金剛石膜(DLC)、納米氮化鋁、納米氮化矽、或者金屬材料；所述金屬材料為以下任一種金屬或者它們的合金鈦、銅、鋁、金、鎳、銀、鉬、以及鈀。
9.一種高壓驅動的LED發光器件的製造方法，其特徵在於包括 LED晶片製作步驟，具體如下在一生長襯底上生長外延層，所述外延層包括依次生長的一層N型氮化鎵、一發光層、 以及一層P型氮化鎵；刻蝕所述外延層直至露出生長襯底，從而將外延層分成多個獨立的子單元，並在刻蝕區域通過沉積或鍍膜形成一隔離層；光刻各個子單元直至露出N型氮化鎵，並在光刻區域的側壁上沉積一絕緣層； 在N型氮化鎵上製作N型歐姆接觸層，並在P型氮化鎵上製作P型歐姆接觸層； 在N型歐姆接觸層和P型歐姆接觸層上生長一導電層，並通過刻蝕工藝去除除實現相鄰兩子單元的N型氮化鎵和P型氮化鎵串聯的導電區域外的其餘導電區域，形成電路連接層；在除位於串聯線路一端的子單元的N型歐姆接觸層和位於串聯線路另一端的子單元的P型歐姆接觸層外的區域覆蓋一熱傳導層；在位於串聯線路一端的子單元的N型歐姆接觸層上製作一N電極鍵合層，在位於串聯線路另一端的子單元的P型歐姆接觸層上製作一 P電極鍵合層； 基板製作步驟，具體如下在基板本體上製作一金屬層，並通過刻蝕製作出P電極鍵合區、與所述P電極鍵合區連接的P電極引出區、N電極鍵合區、以及與所述N電極鍵合區連接的N電極引出區，所述P電極鍵合區與倒轉在其上的LED晶片的P電極鍵合層的位置相對應，所述N電極鍵合區與倒轉在其上的LED晶片的N電極鍵合層的位置相對應，所述P電極引出區和N電極引出區位於所述基板本體的兩邊緣；在基板本體上製作一熱傳導焊盤，所述熱傳導焊盤的位置和大小與倒轉在其上的LED 晶片的熱傳導層對應一致；以及LED晶片與基板鍵合步驟，具體如下將LED晶片的N電極鍵合層和P電極鍵合層分別與基板上的N電極鍵合區和P電極鍵合區電連接。
10.根據權利要求9所述的高壓驅動的LED發光器件的製造方法，其特徵在於所述熱傳導層選用類金剛石膜(DLC)時，具體是首先採用等離子體化學沉澱(RIE)的方法將類金剛石膜(DLC)沉澱在LED晶片上，然後通過幹法或者溼法腐蝕形成；所述熱傳導層選用納米氮化鋁或者納米氮化矽時，具體是首先將納米氮化鋁或者納米氮化矽與光敏聚醯亞胺光刻膠均勻混合，然後採用旋轉塗布以及及光刻形成。
全文摘要
本發明屬於LED技術領域，具體公開了一種倒裝結構的高壓驅動的LED發光器件及其製造方法。該高壓驅動的LED發光器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的LED晶片，所述LED晶片包括多個分立的LED子單元，在所述LED晶片上設置有電路連接層以將各個LED子單元串聯在一起，在所述LED晶片上還設置有一熱傳導層，在所述基板上也設置有與所述熱傳導層位置相對應熱傳導焊盤。本發明LED晶片的各子單元之間的串聯在LED晶片上實現，可使導熱層和導熱焊盤的面積做得更大，進一步提高散熱效果。本發明採用的倒裝焊的熱電分離結構，能夠快速傳導LED的熱量，降低LED結溫，提高LED壽命。同時，金屬連接層做在晶片上，使基板的布線更加簡易，提高LED可靠性與產品生產良率。
文檔編號H01L33/64GK102386178SQ20111040658
公開日2012年3月21日 申請日期2011年12月8日 優先權日2011年12月8日
發明者周玉剛, 姜志榮, 曹健興, 曾照明, 肖國偉, 許朝軍, 賴燃興, 陳海英, 黃智聰 申請人:晶科電子(廣州)有限公司