感光結構的製造方法

2023-06-01 22:59:26 1

專利名稱：感光結構的製造方法
技術領域：
本發明是有關於一種感光電路的製造方法，且特別是有關於一種感光結構的製造方法。
背景技術：
半導體工藝在電子裝置應用愈來愈廣的情形下，將各種不同的組件予以整合於同一晶片上，已經是主流趨勢。諸如光感測組件、主動組件電路、微結構等等，均可在分開進行光感測主動組件工藝與微結構工藝後，整合於同一基材上。如此的製造方法又稱為系統級封裝(System-in-Package ；SIP)。另一種已知工藝是在形成光感測組件及主動組件電路後，再進行微結構的工藝， 再進行主動組件電路的金屬化工藝而完成晶片層級(wafer level)的系統，並在將晶片切割為晶片後，進行封裝完成晶片的製造。在微結構製造過程中，通常採用反應性離子蝕刻 (RIE)的等離子蝕刻方式形成微結構中，可移動的構件或部分。但是，上述方式所形成的微結構的輪廓(profile)並不理想。並且，反應性離子蝕刻所需設備昂貴。此外，微結構形成後，在進行晶片封裝之前，環境中的微粒或汙染物可能掉落至微結構中，使其無法運作。因此，如何設計一個新的感光結構的製造方法，以克服上述的缺失，乃為此一業界亟待解決的問題。

發明內容
因此，本發明的目的在於提供一種感光結構的製造方法，克服現有技術的缺陷。本發明的一實施方式是在提供一種感光結構的製造方法，包含下列步驟(a)形成電路層於第一基板的上表面，其中第一基板包含至少一光感測組件，電路層包含至少一組件結構及至少一釋放特徵結構，且釋放特徵結構由金屬材料形成，並形成於部分的光感測組件及組件結構上；(b)覆蓋第一濾光層於電路層的部分區域上；以及(c)通過溼蝕刻工藝移除釋放特徵結構。依據本發明一實施例，其中形成電路層的步驟包含形成互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件。其中形成互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件時包含形成釋放特徵結構。依據本發明另一實施例，在步驟(a)還包含形成保護層於電路層上，其中保護層不覆蓋釋放特徵結構。在步驟(c)前還包含形成抗蝕刻層於第一濾光層上保護層上。在步驟(c)後還包含配置第二基板於電路層上方以及第一濾光層上。其中第二基板為玻璃基板或矽基材，且具有為約50 μ m至約500 μ m的厚度。第二基板包含第二濾光層，以置於電路層及第一濾光層的部分區域上。依據本發明又一實施例，其中釋放特徵結構形成於組件結構上並圍繞組件結構的周圍部分，以貫穿電路層，在通過溼蝕刻工藝移除釋放特徵結構後，還包含曝露出第一基板的上表面於曝露出第一基板的上表面後還包含一步驟非等向性蝕刻第一基板的上表面
4CN 102420234 A
說明書
2/7頁
的部分。在步驟(C)後還包含下列步驟(d)形成孔洞於第一基板的下表面，以曝露出對應於連接墊下方的電路層；(e)填充高分子材料於孔洞中；以及(f)移除第一基板對應於微機電結構下的部分，以釋放微機電結構。在步驟(e)後及步驟(d)前還包含一步驟研磨第一基板的下表面，以減少第一基板的厚度。依據本發明再一實施例，其中釋放特徵結構形成於組件結構或光感測組件上並穿透電路層的一深度，在通過溼蝕刻工藝移除釋放特徵結構後，還包含曝露電路層對應深度的部分。依據本發明更具有的一實施例，其中組件結構實質上為微光機電結構。依據本發明再具有的一實施例，其中形成保護層的步驟包含形成氧化物層。溼蝕刻工藝使用包含硫酸及過氧化氫的蝕刻劑。依據本發明一實施例，非等向性蝕刻包含深式反應離子蝕刻步驟。非等向性蝕刻第一基板的上表面的部分的步驟，包含形成凹陷部於第一基板，且凹陷部的深度為約5μπι 至約60 μ m。依據本發明一實施例，其中非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟。依據本發明另一實施例，其中非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟以及一深式反應離子蝕刻步驟。依據本發明又一實施例，在步驟(f)後還包含下列步驟(g)形成第三基板於第一基板下；(h)形成連接孔，以貫穿第三基板、高分子材料以及電路層，以通過連接孔曝露出連接墊；(i)形成導電層於連接孔的側壁上，以與連接墊相連接；以及(j)形成連接導體凸塊於導電層上。其中連接墊電性連接於組件結構，以使組件結構通過連接墊、導電層以及連接導體凸塊與外部電路連接。連接墊亦可電性連接於互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件，以使互補式金屬氧化物半導體組件及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件通過連接墊、導電層以及連接導體凸塊與外部電路連接。應用本發明的優點在於通過整合式的感光結構的製造方法，可以在同一工藝內完成感光結構中不同類型的組件，而輕易地達到上述的目的。


明如下

為讓本發明的上述和其它目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說
圖IA及圖IB為本發明一實施例中，感光結構的製造方法的流程圖； 圖2A至圖2J為圖IA及圖IB中的製造方法中，各工藝階段的剖面示意圖； 圖觀為本發明另一實施例中，形成有懸浮結構的感光結構的示意圖； 圖3為本發明另一實施例中，感光結構的製造方法的流程圖；以及圖4A至圖4C為圖3的製造方法中，各工藝階段的剖面示意圖。主要組件符號說明
101-109:步驟200:電路層
201 金屬層202 組件結構
203 連接墊204 釋放特徵結構
20 :接點205:介電材料
5
206:介電材料層207:第一濾光層208 互補式金屬氧化物半導體組件 209 下表面210:第一基板212 上表面214a-214d 光感測組件216 下表面230 保護層232 保護層M0:凹陷部250:第二基板252 粘著層2M 第二濾光層260 孔洞262 側壁264 高分子材料301-304 步驟400 第三基板402 連接孔404:導電層406 下表面408 連接導體凸塊
具體實施例方式請同時參照圖IA以及圖2A至圖2J。圖IA為本發明一實施例中，感光結構的製造 方法的流程圖。圖2A至圖2J為本發明一實施例中，各工藝階段的剖面示意圖。感光結構 的製造方法包括下列步驟(應了解到，在本實施方式中所提及的步驟，除特別敘明其順序 者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同時或部分同時執行。)進行步驟101，形成電路層200於第一基板210的上表面。請參照圖2A，電路層 200形成於第一基板210的上表面212。在一實施例中，第一基板210可為矽晶片，並包含 光感測組件2Ma、214b、2Mc及214d。電路層200包含組件結構202、釋放特徵結構204以 及介電材料層206。釋放特徵結構204由金屬材料所製成。實質上，金屬材料內亦會包含介 電層材料，同時在後續的溼蝕刻時會將此介電層材料移除。釋放特徵結構204可形成於部 分的光感測組件及組件結構202上。在本實施例中，釋放特徵結構204形成於光感測組件2Ma、214d上，並圍繞組件結 構202的周邊的一部分，以貫穿電路層200。其中，形成於光感測組件21 上的釋放特徵結 構204貫穿電路層200較深的深度，以形成於光感測組件21 —較短距離的上方。而形成 於光感測組件214d上的釋放特徵結構204則僅貫穿電路層200 —較淺的深度，與光感測組 件214d間具有較長的距離，而此距離內的電路層200還包含有形狀的金屬層201。在一實施例中，形成電路層200的步驟包含形成一互補式金屬氧化物半導體 (CMOS)組件208。在已知的互補式金屬氧化物半導體組件208的標準工藝中，可包括4道 的金屬化工藝以及2道的多晶矽化工藝QP4M工藝)，亦可包括5道的金屬化工藝以及1道 的多晶矽化工藝(1P5M工藝)。因此，在一實施例中，在形成互補式金屬氧化物半導體組件 208的過程中，通過適當設計的光罩，同時形成釋放特徵結構204。以上僅以互補式金屬氧 化物半導體等組件為舉例說明，並非用以限制本發明，其它例如雙載子互補式金屬氧化物 半導體(BiCMOS)等組件，或是其它類型的工藝與結構亦可適用於本發明，不限於互補式金 屬氧化物半導體或是雙載子互補式金屬氧化物半導體的工藝與結構。此外，本發明亦不限 於2P4M工藝或1P5M工藝，其它的工藝方式亦可適用於本發明。例如，在形成互補式金屬氧 化物半導體組件208的通孔時，可同時移除介電層中預設為釋放特徵結構204位置的介電材料。然後，在形成互補式金屬氧化物半導體組件208的金屬層時，可同時填充金屬材料至上述預設位置。因此，可以在形成互補式金屬氧化物半導體組件208時，逐步形成釋放特徵結構204。在另一實施例中，形成互補式金屬氧化物半導體組件208的金屬層為鋁，而填充在互補式金屬氧化物半導體組件208中通孔的金屬為鎢。因此，可形成由鋁及鎢所構成的釋放特徵結構204。在又一實施例中，在電路層200包括連接墊203。連接墊203為金屬所製成，且電性連接互補式金屬氧化物半導體組件208。在一實施例中，在形成互補式金屬氧化物半導體組件208的過程中，同時形成組件結構202。在本實施例中，組件結構202位於光感測組件2Hc上。在其它實施例中，組件結構202可不需形成於光感測組件上方，而可獨立形成於電路層200中。組件結構202的部分結構可在形成互補式金屬氧化物半導體組件208的過程中同時形成，其它諸如微結構中的電性金屬接線也可以在形成互補式金屬氧化物半導體組件208的過程中形成。因此， 組件結構202的部分結構可包括與互補式金屬氧化物半導體組件208相同的金屬層(例如鋁及/或鎢)。並且，部分結構間的金屬層可互相電性連接後，再連接至電路層200半導體電路中。在本實施例中，可由圖2A得知，電路層200包含M1、M2、M3及M4四個金屬層以及接點(contact)、VI、V2、V3三個通孔(via)。其中，有形狀的金屬層201、組件結構202、連接墊203、釋放特徵結構204以及互補式金屬氧化物半導體組件208各具有部分結構對應至上述M1-M4的金屬層及V1-V3的通孔。舉例來說，互補式金屬氧化物半導體組件208對應至M1-M3的金屬層以及V1-V2的通孔。組件結構202周圍的釋放特徵結構204則具有接點 204a與第一基板210相接。在另一實施例中，如圖2A所示，組件結構202包括與互補式金屬氧化物半導體組件208相同的介電材料205 (例如氧化矽及/或氮化矽)，且介電材料205位在組件結構202 的外側表面。介電材料205的厚度可為約0. 1微米至約3微米，例如為約1微米、2微米或 3微米。在一實施例中，形成電路層200的步驟還包含同時形成保護層230於電路層200 上。如圖2A所示，保護層230形成於電路層200上方。在一實施例中，保護層230可覆蓋連接墊203。但保護層230並不覆蓋釋放特徵結構204。換言之，釋放特徵結構204是暴露於外在環境，以便進行後續步驟。在一實施例中，保護層230可為例如氧化矽層或氮化矽層，或保護層230可為包含氧化矽及氮化矽的多層結構。保護層230可利用習知的化學氣相沉積技術或其它的技術形成。在步驟102中，覆蓋第一濾光層207於電路層200的部分區域上。如圖2B所示， 在本實施例中，第一濾光層207形成並覆蓋於對應光感測組件214b的電路層200上的保護層230上，以及形成並覆蓋於對應組件結構202(包含光感測組件2Hc)的電路層200上。 第一濾光層207可提供一濾光的功能，使光線在經過第一濾光層207時，僅有部分波段的光可以通過，以使其所覆蓋的光感測組件214b、組件結構202及光感測組件2Hc可以針對這些波段的光執行特定的功能。需注意的是，在不同的區域中，可因應其下方所對應的組件所具有不同的需求，形成具有不同的濾光特性的第一濾光層207。舉例來說，形成於光感測組件214b上的第一濾光層207可用以進行濾光以僅允許綠光通過，而形成於組件結構202上的第一濾光層207可用以進行濾光以僅允許紅光通過。 在一實施例中，形成第一濾光層207時，可同時形成抗蝕刻層232，除可提供電路層200的頂部更進一步的保護與抗蝕外，亦可在第一濾光層207的材質不具抗蝕性時，提供第一濾光層207保護的作用。抗蝕刻層232實質上可與保護層230為相同的材質，如氧化層(oxide)。而在另一實施例中，當第一濾光層207的材質本身即具抗蝕性時，可不需在其上形成抗蝕刻層232。在步驟103中，通過溼蝕刻工藝移除釋放特徵結構204，以露出第一基板210。如圖2C所示，通過溼蝕刻工藝將圖2B中的釋放特徵結構204移除。在本實施例中，光感測組件21 及光感測組件214d上方的釋放特徵結構204形成於光感測組件21 及光感測組件 214d上並穿透電路層200的一對應的深度，因此在通過溼蝕刻工藝移除釋放特徵結構204 後，曝露出電路層200對應此深度的部分。而在組件結構202周邊的釋放特徵結構204，則在移除後露出第一基板210。移除釋放特徵結構204後，組件結構202本身以及組件結構202與電路層200的其它部分間形成一間隙d。在一實施例中，間隙d的寬度為約1微米至約4微米，例如可為2微米或3微米。在步驟104中，所採用的蝕刻劑對於金屬材料與氧化物材料(或氮化物)具有高的蝕刻選擇比，例如高於15 1或高於20 1，例如可為約30 1或更高。因此，在移除釋放特徵結構204時，可以得到較佳的側壁輪廓。在一實施例中，釋放特徵結構204為鋁及鎢所構成，保護層230為氧化矽層。溼蝕刻工藝使用一包含硫酸以及過氧化氫的蝕刻劑。在一特定實施例中，硫酸與過氧化氫的重量比為約2 1，在蝕刻釋放特徵結構204的金屬材料時，可以得到滿意的側壁輪廓。在已知的技術中，通常採用反應性離子蝕刻(reactive ion etching ;RIE)移除電路層中的介電材料(諸如氧化矽或氮化矽)。但是使用反應性離子蝕刻，所形成的蝕刻側壁輪廓並不理想。而且，反應性離子蝕刻所需得設備昂貴。因此，根據本發明一實施例，是在所欲移除的區域中預先填入金屬材料，形成釋放特徵結構204。然後再利用溼蝕刻將釋放特徵結構204移除。通過使用具有高蝕刻選擇比的蝕刻劑，可以達到更佳的蝕刻側壁輪廓 (相較於反應離子蝕刻)。再者，釋放特徵結構204可在形成電路層200的同時形成，無須額外工藝。所以，本發明具有低工藝成本的優點，且能達到更佳的蝕刻輪廓。在步驟104中，非等向性蝕刻露出的第一基板210的一部分。如圖2E所示(圖2D 的部分於後敘述)，通過非等向性蝕刻移除在步驟103中露出的第一基板210的一部分。在一實施例中，非等向性蝕刻包括一深式反應離子蝕刻(De印Ion reactive Etching ；DRIE) 步驟。在另一實施例中，非等向性蝕刻第一基板210的步驟包括形成一凹陷部240於第一基板210中，且凹陷部MO的深度為約10微米至約60微米，例如為約20微米、30微米、40 微米或50微米。在非等向性蝕刻過程中，保護層230(例如氧化矽或氮化矽等)可保護其下的金屬層(例如連接墊203及電路層200中的金屬層)或是第一濾光層207，避免在非等向性蝕刻過程中破壞金屬層應有的電性或是第一濾光層207的功能。在步驟103的移除釋放特徵結構204後，在某些情況下，所露出的第一基板210的上表面(即間隙d的位置)可能形成氧化物，例如氧化矽。因此，於一實施例中，在進行步驟104之前，可非必要性地進行一 RIE工藝，以先形成圖2D的結構，再進行前述的深式反應離子蝕刻形成圖2E的結構。通過RIE工藝，間隙d中的第一基板210表面上的氧化物可被移除，而部分由於移除釋放特徵結構204而露出的凹槽，將較圖2C中，進一步為RIE工藝蝕刻地更深。接著請參照圖1B。圖IB為接續圖IA的感光結構的製造方法的步驟104所連接的 A點之後的流程圖。在步驟104後的步驟105中，配置一第二基板250於電路層200上方。如圖2F所示，在電路層200上方配置第二基板250。第二基板250可覆蓋在組件結構202的上方，以保護組件結構202，並避免微粒掉落至凹陷部M0。在一實施例中，第二基板250可例如為玻璃基板或一矽基材，玻璃基板或矽基材的厚度為約50微米至約500微米，例如為100微米、200、300微米或400微米。在另一實施例中，第二基板250與保護層230之間配置粘著層252，用以固定第二基板250。實質上，粘著層252圍繞著第二基板250及電路層200的周圍，由於圖2F為部分的側剖視圖，因此僅繪示出一側的粘著層252。在另一實施例中，第二基板250實質上還包含第二濾光層254。如圖2F所示，在本實施例中，第二濾光層2M形成於對應光感測組件214a、214b及214d的上方。第二濾光層 2M可形成於第二基板250的任一側，並且可重疊設置。如同第一濾光層207，第二濾光層 254亦可提供濾光的功能，使光線在經過第二濾光層2M時，僅有部分波段的光可以通過。 在已經覆蓋有第一濾光層207之處，如光感測組件214b亦可再對應的上面形成第二濾光層 254，以加強濾光的功效，或是額外再濾除其它波段的光。如同第一濾光層207，對應不同區域中所形成的第二濾光層254，可因應不同的需求而具有不同的濾光特性。在步驟105之後，可非必要性地進行步驟106。在步驟106中，研磨第一基板210 的下表面216，以減少第一基板210的厚度，如圖2G所示。例如第一基板210研磨後的厚度可為約50微米至微米300微米。在步驟107中，形成一孔洞沈0於第一基板210的下表面，以露出位於連接墊203 下方的電路層200，如圖2H所示。在第一基板210形成孔洞260的方法可為幹蝕刻法、溼蝕刻法、機械鑽孔或雷射鑽孔。在一實施例中，孔洞260具有一傾斜的側壁沈2。側壁262與電路層200的下表面209形成一大於90度的夾角θ，例如可為約100度、110度、120度、 140度或150度。在步驟108中，填充一高分子材料於孔洞中，如圖21所示。高分子材料264填充於孔洞沈0中。在一實施例中，高分子材料264可為環氧樹脂(印oxy)。在另一實施例中， 所填充的高分子材料264表面與第一基板210的下表面216大致齊平。在步驟109中，移除第一基板210的一下表面216的一部分，以釋放組件結構202。 在本實施例中，組件結構202可通過光感測組件2Hc的輔助而成為一微光機電結構。而在另一實施例中，組件結構202的下方可不設置光感測組件214c，而僅為一微機電結構。「釋放組件結構」是指使上述的微機電結構或微光機電結構產生具有可相對移動的構造或部件。在一實施例中，利用非等向性蝕刻移除第一基板210的下表面216的一部分，以「釋放微機電結構」，如圖2J所示。在另一實施例中，通過DRIE工藝移除位於凹陷部240及組件結構202下方的第一基板210的一部分，使組件結構202能相對於第一基板210或第二基板250產生位移。在另一實施例中，組件結構202可通過如彈性支撐件(未繪示)的結構而連接於電路層200的其它部分。因此，當組件結構202受外力時，可產生微小的相對位移。需注意的是，在一實施例中，在形成電路層200時，亦可形成僅為一懸浮結構的光感測組件結構202，且與光感測組件結構上方無金屬層遮蔽，如圖I所示。上述的感光結構的製造方法，可在同一工藝內形成感光結構中不同的組件，並可通過釋放特徵結構，使感光結構中的組件具有較佳的側壁輪廓。更進一步地，通過包含第二濾光層的第二基板的設置，不但可以達到防止組件被微粒汙染的功效，更可加強電路層上的第一濾光層外，更佳的濾光效果。在其它實施方式中，在完成步驟101至步驟109後，可接續進行步驟301至步驟 304。請參見圖3，其繪示在完成步驟101至步驟109之後的製造流程圖。圖4A至圖4C是繪示上述步驟301至步驟304中各工藝階段的剖面示意圖。在步驟301中，配置一第三基板400於第一基板210下方，如圖4A所示。在一實施例中，第三基板400可與第二基板250為相同材料，例如矽基材或玻璃基板。第二基板250 及第三基板400形成一包圍組件結構202的封閉空間。因此，第二基板250及第三基板400 可保護組件結構202免於受損及防止微粒進入，而確保組件結構202正常運作。在步驟302中，由第三基板400的一側形成連接孔402，如圖4B所示。連接孔402 大致位於填充高分子材料264之處，且貫穿第三基板400、高分子材料沈4以及電路層200 而露出連接墊203。形成連接孔402的方法可為機械鑽孔或雷射鑽孔等。在一實施例中，連接墊203電性連接互補式金屬氧化物半導體組件208。在另一實施例中，連接墊203電性連接組件結構202。步驟303中，形成導電層404於連接孔402中，如圖4C所示。導電層404與連接墊203相連接，用以輸入或輸出電子信號進入電路層200中的電路系統。可利用一般已知的濺鍍工藝形成導電層404，導電層404的材料可例如為銅、鋁、銀或鎢。在一實施例中，導電層404由連接孔402延伸至第三基板400的下表面406。步驟304中，形成連接導體凸塊408於導電層404上。請再參見圖4C，在一實施例中，連接導體凸塊408形成在位於第三基板400上的導電層404，因此電子信號可經由連接導體凸塊408輸入或輸出組件結構202。在一實施例中，電子信號亦可經由連接導體凸塊408輸入或輸出電路層200中的其它組件，如互補式金屬氧化物半導體組件208及/或雙載子互補式金屬氧化物半導體組件等。可使用任何已知的方法形成連接導體凸塊408，例如網印工藝或布植錫球方式等。組件結構202可經由連接導體凸塊408連接至其它外部電路(未繪示)。完成步驟304，即完成晶片層級的微機電結構封裝。在本實施例中，感光結構的製造方法更進一步地在同一工藝內通過第三基板的設置達到防止感光結構內的組件被微粒汙染的功效，並可使組件通過晶片層級的微機電結構封裝，可與外部電路進行電性連接及溝通。雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視所附的權利要求書所界定的範圍為準。
權利要求
1.一種感光結構的製造方法，其特徵在於，包含下列步驟(a)形成一電路層於一第一基板的一上表面，其中該第一基板包含至少一光感測組件， 該電路層包含至少一組件結構，及至少一釋放特徵結構，且該釋放特徵結構由一金屬材料形成，並形成於部分的該光感測組件及該組件結構上；(b)覆蓋一第一濾光層於該電路層的部分區域上；以及(c)通過一溼蝕刻工藝移除該釋放特徵結構。
2.根據權利要求1所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，形成該電路層的步驟包含形成一互補式金屬氧化物半導體組件及/或一雙載子互補式金屬氧化物半導體組件，且形成該互補式金屬氧化物半導體組件及/或該雙載子互補式金屬氧化物半導體組件時包含形成該釋放特徵結構。
3.根據權利要求1所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，在步驟(a)還包含形成一保護層於該電路層上，其中該保護層不覆蓋該釋放特徵結構，且在步驟(c)前還包含形成一抗蝕刻層於該第一濾光層上及該保護層上。
4.根據權利要求1所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，在步驟(c)後還包含配置一第二基板於該電路層上方以及該第一濾光層上，其中該第二基板為一玻璃基板或一矽基材，且具有為50 μ m至500 μ m的一厚度。
5.根據權利要求4所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該第二基板包含一第二濾光層，以置於該電路層及該第一濾光層的部分區域上。
6.根據權利要求1所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該釋放特徵結構形成於該組件結構上並圍繞該組件結構的一周圍部分，以貫穿該電路層，在通過該溼蝕刻工藝移除該釋放特徵結構後，還包含曝露出該第一基板的該上表面；以及非等向性蝕刻該第一基板的該上表面的一部分。
7.根據權利要求6所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該電路層還包含一連接墊，該組件結構為一微機電結構，在步驟(c)後還包含下列步驟(d)形成一孔洞於該第一基板的該下表面，以曝露出對應於該連接墊下方的該電路層；(e)填充一高分子材料於該孔洞中；以及(f)移除該第一基板對應於該微機電結構下的一部分，以釋放該微機電結構。
8.根據權利要求7所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，在步驟(d)前還包含一步驟研磨該第一基板的該下表面，以減少該第一基板的厚度。
9.根據權利要求1所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該釋放特徵結構形成於該組件結構或該光感測組件上並穿透該電路層的一深度，在通過該溼蝕刻工藝移除該釋放特徵結構後，還包含曝露該電路層對應該深度的部分。
10.根據權利要求7所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該組件結構為一微光機電結構。
11.根據權利要求6所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該非等向性蝕刻包含一深式反應離子蝕刻步驟及/或一深式反應離子蝕刻步驟。
12.根據權利要求6所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該非等向性蝕刻該第一基板的該上表面的該部分的步驟，包含形成一凹陷部於該第一基板，且該凹陷部的深度為 5 μ m M 60 μ m。
13.根據權利要求7所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，在步驟(f)後還包含下列步驟(g)形成一第三基板於該第一基板下；(h)形成一連接孔，以貫穿該第三基板、該高分子材料以及該電路層，以通過該連接孔曝露出該連接墊；(i)形成一導電層於該連接孔的一側壁上，以與該連接墊相連接；以及(j)形成一連接導體凸塊於該導電層上。
14.根據權利要求13所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，該連接墊電性連接於該組件結構，以使該組件結構通過該連接墊、該導電層以及該連接導體凸塊與一外部電路連接。
15.根據權利要求13所述的感光結構的製造方法，其特徵在於，形成該電路層的步驟包含形成一互補式金屬氧化物半導體組件及/或一雙載子互補式金屬氧化物半導體組件， 該連接墊電性連接於該互補式金屬氧化物半導體組件及/或該雙載子互補式金屬氧化物半導體組件，以使該互補式金屬氧化物半導體組件及/或該雙載子互補式金屬氧化物半導體組件通過該連接墊、該導電層以及該連接導體凸塊與一外部電路連接。
全文摘要
本發明揭露一種感光結構的製造方法，包含下列步驟(a)形成電路層於第一基板的上表面，其中第一基板包含至少一光感測組件，電路層包含至少一組件結構及至少一釋放特徵結構，且釋放特徵結構由金屬材料形成，並形成於部分的光感測組件及組件結構上；(b)覆蓋第一濾光層於電路層的部分區域上；以及(c)通過溼蝕刻工藝移除釋放特徵結構。
文檔編號H01L27/146GK102420234SQ20101029987
公開日2012年4月18日 申請日期2010年9月28日 優先權日2010年9月28日
發明者邱奕翔, 陳仁傑, 陳曉翔 申請人:漢積科技股份有限公司