耐熱性切割帶或片的製作方法

2023-06-01 18:35:26

專利名稱：：耐熱性切割帶或片的製作方法
技術領域：
：本發明涉及用於半導體晶圓切割的耐熱性壓敏粘著帶或片，和採用其獲得的半導體零件。
背景技術：
：半導體器件包括矽基片或化合物基片，在所述基片上的一側上形成的活性層，和在所述基片的另一側上形成的電極或用於改進熱輻射特性的金屬膜，所述半導體器件包括多種類型的器件，例如分立器件，例如IGBT，高頻放大器，和垂直電極半導體，例如LED。因為常規基片具有大的厚度，到目前為止已經可能採用如下技術，所述技術包括將保護性膠帶(背側磨削膠帶)粘附於所述活性側，隨後進行背側磨削，剝離所述保護性膠帶，並然後通過濺射等在高溫下進行背側金屬沉積。然而，伴隨著最近在半導體器件方面高性能化傾向，矽基片、化合物基片和其它基片變得越來越薄，並且此前使用的技術變得越來越難以應付。g卩，例如當在背側磨削後將所述保護膠帶剝離後進行背側沉積時，所述晶圓在運輸過程中破碎的問題變得顯著。在這樣的情況下，有人提出如下技術，其中使處於由臺基晶圓(pedestalwafer)支撐狀態中的半導體晶圓經歷厚度降低和背側沉積以從而克服關於運輸的問題。在這些技術中，已經有人提出了採用可熱剝離型壓敏粘著片的臺基技術(pedestaltechnique)作為獲得令人滿意的自剝離性質的臺基技術。然而，可熱剝離型壓敏粘著片的使用具有如下問題。當將晶圓切割帶粘附於具有粘附於其的臺基晶圓的薄半導體晶圓的半導體晶圓偵U，並且之後用加熱分離所述臺基晶圓時，則熱量還轉移至所述晶圓切割帶上。由於這個原因，在採用PVC、聚烯烴等作為基材的常規晶圓切割帶的情況下，粘著力顯著增加或者所述基材發生熔融。另外，隨著厚度降低，即使不是雙面電極型的半導體晶圓，在一些情況下也經歷利用熱量在晶圓切割帶上的探頭檢測(probetest)。具體而言，對於具有耐熱性的晶圓切割帶存在增多的需要。另外，如專利文獻1所示，必須在將半導體晶圓背側磨削後立刻將晶圓切割帶施加到所述半導體晶圓上，並然後在一些情況下根據工藝將所述背側磨削帶從所述半導體晶圓上剝離。在這種情況下考慮到效率，希望在將所述晶圓粘附於所述晶圓切割帶的條件下在所述晶圓上進行電測(傳導測試)。專利文獻l:JP-A-2005-l16610
發明內容本發明的目的是提供耐熱性切割帶或片，其具有優異的耐熱性，即使在施加到被粘物後經過約200'C的加熱步驟，仍既不熔融變形也不會顯著增加粘著力，並且可在完成粘著的目的後易於剝離而不會汙染所述被粘物。本發明的另一個目的是提供製備半導體晶片的方法，其包括如下步驟，其中將本發明的耐熱性切割帶或片用於引導切割。本發明的又一個目的為提供可通過所述方法獲得的半導體晶片。本發明的發明人為了克服上述問題進行了深入的研究。結果，本發明的發明人發現具有優異耐熱性和即使在加熱步驟後仍可以令人滿意地被除去的晶圓切割帶或片可通過採用用於構成所述晶圓切割帶或片的基材和壓敏粘著劑層的特定材料而獲得。由此完成了本發明。發明詳述艮卩，本發明涉及如下1至7條。1.耐熱性切割帶或片，其包括玻璃化轉變溫度為7(TC或更高的基材；和在所述基材的至少一面上布置的至少一層壓敏粘著劑層，當將所述壓敏粘著劑層以2'C/min的升溫速度從室溫加熱至20(TC時，所述壓敏粘著劑層的熱失重率為小於2%，其中當將所述耐熱性切割帶或片施加到矽鏡面晶圓(siliconmirrorwafer)上、隨後在200°C下加熱30秒、並然後冷卻至23。C時，所述壓敏粘著劑層具有的粘著力(剝離速度300mm/min;剝離角度180°)為0.5N/20mm或更低。2.根據第l條的耐熱性切割帶或片，其導致在將耐熱性切割帶或片施加到矽鏡面晶圓上、隨後在200'C下加熱30秒、之後冷卻至23°C、並然後從矽鏡面晶圓上剝離之後，所述矽鏡面晶圓的表面碳元素比例增加量AC為10%或更低。3.根據第1或2條的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物，和其中所述的丙烯酸類聚合物包含以所有單體組分計5重量％或更高的量的具有垸氧基基團的單體作為單體組分。4.根據第1至3條中任一條的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物，和其中所述的丙烯酸類聚合物包含以所有單體組分計3重量％或更高的量的具有含氮原子基團的單體作為單體組分。5.根據第1至4條中任一條的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層在25。C下的損失正切tanS為0.5或更低和在5(TC下的損失正切tan5為0.15或更低。6.根據第1至5條中任一條的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含具有側鏈的基礎聚合物，並且其中所有側鏈的1%或更多具有碳碳雙鍵。7.根據第l至6條中任一條的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含重均分子量為500,000或更高的基礎聚合物。在本發明的耐熱性切割帶或片中，優選當將所述耐熱性切割帶或片施加到矽鏡面晶圓上、隨後在20(TC下加熱30秒、並然後冷卻至23°C、並然後從所述矽鏡面晶圓剝離時，所述矽鏡面晶圓具有表面碳元素比例增加量AC為10%或更低。本發明的耐熱性切割帶或片的壓敏粘著劑層可由作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物組成。在這種情況下，所述丙烯酸類聚合物優選包含具有以所有單體組分計5重量％或更高的量的具有垸氧基基團的單體作為單體組分。還優選所述丙烯酸類聚合物包括含有以所有單體組分計3重量％或更高的量的具有含氮原子基團的單體作為單體組分。本發明的耐熱性切割帶或片的壓敏粘著劑層優選具有在25'C下的損失正切tan5為0.5或更低和在5(TC下的損失正切tan5為0.15或更低。組成所述壓敏粘著劑層的基礎聚合物優選為具有側鏈和其中所有側鏈的1%或更多具有碳碳雙鍵的聚合物。所述基礎聚合物優選具有重均分子量為500,000或更高。另外，本發明涉及如下第8條。8.製備半導體晶片的方法，其包括-(1)將半導體晶圓粘附於可熱剝離型帶或片上，磨削所述半導體晶圓，並然後將第1至7條中任一條的耐熱性切割帶或片粘附於所形成的薄化的半導體晶圓的與粘附有可熱剝離型帶或片的面相對側的面上；(2)通過加熱剝離所述可熱剝離型帶或片；和(3)切割所述半導體晶圓製備所述半導體晶圓的晶片。另外，本發明涉及如下第9條。9.通過如下步驟獲得的半導體晶片(1)將半導體晶圓粘附於可熱剝離型帶或片上，磨削所述半導體晶圓，並然後將第1至7條中任一條的耐熱性切割帶或片粘附於所形成的薄化的半導體晶圓的與粘附有可熱剝離型帶或片的面相對側的面上；(2)通過加熱剝離所述可熱剝離型帶或片；和(3)切割所述半導體晶圓製備所述半導體晶圓的晶片。本發明的耐熱性切割帶或片具有優異的耐熱性。由於這一點，當加熱時所述晶圓切割帶或片較不易於變形，並且所述壓敏粘著劑在內聚力或粘著力方面較不易於變化。因此，即使當將其施加到被粘物上，例如半導體晶圓上，並然後加熱至20(TC時，所述晶圓切割帶或片仍較不易於引起如下麻煩，例如，所述晶圓切割帶變形而破壞所述被粘物，所述壓敏粘著劑內聚力降低，和所述壓敏粘著劑粘著力顯著增加並因此變得難以從所述被粘物上去除。因此，本發明的晶圓切割帶或片當從被粘物表面上除去時不會汙染所述被粘物表面，並可被容易地和令人滿意地剝離。根據本發明的製備半導體晶片的方法，可顯著改進半導體晶片的生產率和收率，因為其高度抑制了由晶圓切割帶的壓敏粘著劑對半導體晶片的汙染和由晶圓切割帶的變形導致的半導體晶片的破壞。本發明的半導體晶片顯著降低了由所述晶圓切割帶的壓敏粘著劑帶來的汙染。耐熱性切割帶或片本發明的耐熱性切割帶或片具有的結構為其包括基材和在所述基材的至少一個面上疊置的壓敏粘著劑層。可將適當的隔離物根據需要布置在所述壓敏粘著劑層(壓敏粘著劑側)的表面上。所述耐熱性切割帶或片根據其應用可具有適當的形狀，例如片狀或輥狀。例如，在用於晶圓切割的情況下，優選已經被切割成給定形狀的帶或片。基材作為在本發明中的基材，可使用具有玻璃化轉變溫度為7(TC或更高的基材以避免熱熔融。具有玻璃化轉變溫度為7(TC或更高的基材可適當選自常規的或普通的基材。儘管所述基材沒有特別限制，但從在加工例如半導體晶圓中的切割步驟，例如刀片切割或預切割的步驟中的可加工性的觀點出發，優選使用由有機材料，例如樹脂膜製成的基材。組成所述基材的材料的例子包括聚酯，例如聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)，聚(萘二甲酸乙二酯)(PEN)，和聚(對苯二甲酸丁二酯)(PBT);聚醯亞胺(PI);聚醚亞胺(PEI);聚(硫酸苯酯)；醯胺樹脂，例如聚醯胺和全芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺)；聚(氯乙烯)(PVC);聚(苯硫醚)(PPS);聚醚醚酮(PEEK);聚碳酸酯(PC);聚乙烯(PE);聚丙烯(PP);包含源於一個或多個a-烯烴的單體單元的烯烴樹脂，例如乙烯/丙烯共聚物和乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(EVA);氟樹脂；和有機矽樹脂。這些材料可單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。在本發明中，玻璃化轉變溫度(Tg)是通過根據利用TMA(THASS/150C，由SeikoInstrumentsInc.生產)在升溫速度為2°C/min的條件下測量的TMA(熱力學分析儀)拐點確定的。所述基材可具有單層構造或多層構造。在其中將可紫外固化型壓敏粘著劑用作組成所述壓敏粘著劑層的壓敏粘著劑的情況下，優選使用不阻止紫外光穿過其的基材。所述基材的厚度沒有特別限制。然而，從在所述切割步驟中，通過切割刀片切割等的可加工性的觀點出發，其厚度可選擇在例如5至300拜，優選25至200itrni，更優選35至200/mi的範圍。為改進對所述壓敏粘著劑層的粘著性的目的，所述基材的表面可已經經歷普通表面處理，例如化學或物理氧化處理，例如鉻酸處理，暴露於臭氧，暴露於火焰，暴露於高電壓電擊，或用電離輻射處理。另外，所述基材的表面可已經用底漆或錨定塗層，例如異氰酸酯錨定劑進行塗層處理。壓敏粘著劑層本發明的耐熱性切割帶或片的壓敏粘著劑層，當將其以2°C/min的升溫速度下從室溫(例如，約23°C)加熱至20(TC時，其具有的熱失重率為小於2%，優選小於1%，和更優選小於0.5。/。。用於加工半導體晶片等的晶圓切割帶等需要具有耐熱性，使得即使當將所述晶圓切割帶等在加工步驟中加熱至高溫時，所述壓敏粘著劑性能仍不會由熱劣化導致顯著地增加或降低，或者所述內聚力不會降低。只要所述壓敏粘著劑層的熱失重率處於上述範圍內，該耐熱性切割帶或片可被判斷為具有使得所述帶或片適用於應用目的的耐熱性。所述壓敏粘著劑層的粘著力如下所述。將所述晶圓切割帶或片施加到矽鏡面晶圓上，並將帶有所述帶或片的該晶圓加熱至20(TC，並然後使其冷卻。之後，將所述晶圓切割帶或片在23土3T下和在300mm/min的剝離速度下，以將所述壓敏粘著劑層的表面和所述矽鏡面晶圓的表面成180°的角度的方式剝離。在該剝離中，所述粘著力為0.5N/20mm或更低，優選0.3N/20mm或更低。當其粘著力為0.5N/20mm或更低時，所述晶圓切割帶或片可具有優異的可剝離性並且可減少粘著劑殘留的發生。所述壓敏粘著劑層的粘著力的程度可根據使用目的等在上述範圍內增加或降低。關於這一點，用矽鏡面晶圓的表面確定所述壓敏粘著劑層的粘著力的原因為關於矽鏡面晶圓的表面的粗糙度的狀態為一定程度的平整度，並且所述矽鏡面晶圓由與待被切割和拾取的半導體晶圓等相同的材料製成。另外，在23土3'C的溫度下測量所述粘著力的原因為通常在室溫下(約23'C)進行拾取。優選構成所述壓敏粘著劑層以使得當將其施加於矽鏡面晶圓上，隨後在20(TC下加熱30秒，冷卻至室溫，並然後剝離時，在所述矽鏡面晶圓表面上導致的表面碳元素比例增加量AC為10%或更低，優選9%或更低，和更優選5%或更低。所述表面碳元素比例增加量(％)通過如下方式獲得使用例如ESCA設備(X射線光電子能譜)，以確定在其上己經施加了晶圓切割帶等的矽晶圓表面上的表面碳元素比例C2(%)和在將所述晶圓切割帶施加於其上並從其上除去所述帶後在所述矽晶圓表面上的表面碳元素比例Q(%);並利用方程式AC二d-C2計算在這些測定值之間的差。通過調節例如所述基礎聚合物的分子量分布、其中的碳碳雙鍵官能團的數量、使用的交聯劑的量等，可調節所述表面碳元素比例增加量AC(%)的值為10%或更低。當所述表面碳元素比例增加量AC(%)落在上述範圍內時，該晶圓切割帶或片可被認為滿足了用於加工電子零件例如半導體晶片的壓敏粘著片需要的較少汙染的性能。在其中所述壓敏粘著劑層由可能量射線固化型的壓敏粘著劑組成的情況下，表面碳元素比例增加量AC的值為在能量射線輻射和隨後剝離後確定的值。所述壓敏粘著劑層沒有特別限制，只要其滿足上述性質。例如，它可以由包含作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物的壓敏粘著劑組成。所述丙烯酸類聚合物優選包含作為主要單體的例如具有包含1至20個碳原子(優選2至16個，更優選2至12個碳原子)的烷基的(甲基)丙烯酸垸基酯。其特定的例子包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酉旨、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酉旨、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二院基酯、(甲基)丙烯酸十三垸基酯、(甲基)丙烯酸十四垸基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六垸基酯、(甲基)丙烯酸十七垸基酯、(甲基)丙烯酸十八垸基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、和(甲基)丙烯酸二十烷基酯。所述(甲基)丙烯酸烷基酯包括具有脂環族的烴基團的(甲基)丙烯酸酯，例如(甲基)丙烯酸環己酯和(甲基)丙烯酸異冰片酯。這樣的(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。(甲基)丙烯酸烷基酯的含量通常為以所有組成所述丙烯酸類聚合物的單體組分計60重量％或更高。所述丙烯酸類聚合物可包含可與(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它單體(可共聚單體)。通過使用包括特定結構的單體作為可共聚單體，可向所述壓敏粘著劑賦予需要的性質，例如耐熱性或非汙染性。例如，當將具有垸氧基基團的單體，例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯或(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯用作可共聚單體時，可獲得具有烷氧基基團作為側鏈的丙烯酸類聚合物。使用這樣的聚合物作為所述壓敏粘著劑的基礎聚合物具有如下優點。即使當將所述晶圓切割帶或片施加於在其上存在活性原子的被粘物表面上時，組成所述壓敏粘著劑層的丙烯酸類聚合物也會被抑制與這原子形成化學鍵。結果，抑制了所述晶圓切割帶或片與在施加於所述被粘物後的粘著力隨時間的增加，並且即使在施加長時間後仍可平穩進行例如拾取的操作。待使用的具有垸氧基基團單體的量可選擇為以所有單體組分計5重量％或更高(例如5至35重量％)，優選10重量％或更高，更優選25重量％或更高。當將具有包含氮原子的基團的單體用作可共聚單體時，可獲得具有包含氮原子的基團作為側鏈的丙烯酸類聚合物。在組成壓敏粘著劑中使用這樣的聚合物具有如下效果，例如，因此獲得的壓敏粘著劑即使在例如約20(TC的高溫下仍具有優異的耐熱性，並且被抑制在彈性模量方面經歷突然降低。具有包含氮原子的基團的可共聚單體的明確的例子包括(N-取代的)醯胺單體，例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-羥基甲基(甲基)丙烯醯胺、2-(甲基)丙烯醯基氨基-2-甲基丙磺酸、和(甲基)丙烯醯基氨基丙磺酸；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯單體，例如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、禾口(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯；具有含氮原子環的單體，例如，N-乙烯基吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-甲基乙烯基吡咯垸酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、和(甲基)丙烯醯基嗎啉；馬來醯亞胺單體，例如N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、和N-苯基馬來醯亞胺；衣康醯亞胺單體，例如N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、和N-月桂基衣康醯亞胺；和琥珀醯亞胺單體，例如N-(甲基)丙烯醯基氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六甲基琥珀醯亞胺、和N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺。理想的是，具有包含氮原子的基團的單體的含量為以所有單體組分計3重量％或更高，優選10重量％或更高，更優選20重量％或更高。所述可共聚單體的其它例子包括含羧基的單體，例如丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、和巴豆酸；包含酸酐基團的單體，例如，馬來酸酐和衣康酸酐；含有羥基的單體，例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、，(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、和(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯；含有磺基的單體，例如苯乙烯磺酸、芳基磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、禾口(甲基)丙烯醯基氧基萘磺酸；和含磷酸酯基團的單體，例如丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯。另外，多官能團單體，例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯，環氧化物(甲基)丙烯酸酯，聚酯(甲基)丙烯酸酯，或聚氨酯(甲基)丙烯酸酯可用於交聯的目的。除了使用它們調節內聚力、耐熱性等以外，這些可共聚單體還用於其中所述壓敏粘著劑為如下所述的可能量射線聚合型的情況。可選擇和使用一種或多種可共聚單體。待使用的可共聚單體的量優選為以所有單體組分計40重量％或更低。所述丙烯酸類聚合物可通過將上述單體聚合而獲得。所述聚合可通過常規技術，例如溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、或懸浮聚合進行，並且對待使用的技術沒有特別限制。從防止所述壓敏粘著劑汙染所述被粘物，例如半導體晶圓的角度出發，待用作所述壓敏粘著劑的基礎聚合物的丙烯酸類聚合物優選為其中低分子量聚合物的含量低的聚合物。因此，所述丙烯酸類聚合物的重均分子量通常為450,000或更高，優選500,000或更高，(例如500,000至3，000，000)，更優選600,000或更高，(例如600,000至3，000，000)，尤其優選800,000或更高，(例如800,000至3,000,000)。為了將所述丙烯酸類聚合物的重均分子量調節在上述範圍內，對所述單體的種類及其量，在聚合中的溫度和其它條件進行適當調節。還可能通過使用外部的交聯劑增加其重均分子量。作為所述外部交聯劑，可以使用任何常規的交聯劑。其例子包括具有多個反應性官能團的化合物，例如聚異氰酸酯化合物，環氧化合物，氮丙啶化合物，三聚氰胺樹脂、脲醛樹脂、包括酸酐的酸酐化合物，和聚胺化合物。在使用外部交聯劑的情況下，可適當選擇和確定待使用的交聯劑的量以產生其分子量、壓敏粘著劑性質和其它性質落入希望範圍的聚合物，同時考慮該外部交聯劑和待被交聯的聚合物之間的平衡。例如，其量可選擇在關於100重量份的基礎聚合物的0.01至5重量份。優選組成所述壓敏粘著劑層的壓敏粘著劑由其粘著力可在適當的時間點降低的壓敏粘著劑組成，例如由可熱剝離型壓敏粘著劑或可能量射線固化型壓敏粘著劑組成。這是因為採用這樣的壓敏粘著劑層的晶圓切割帶或片在例如背側磨削的加工過程中可牢固地固定在所述被粘物(例如半導體晶圓)上，並在完成所述加工過程後，其可容易地剝離而不會使所述被粘物破壞或在所述被粘物上留下粘著劑殘餘物。所述能量射線的例子包括紫外光和電子束。所述可能量射線固化型壓敏粘著劑可通過例如使用具有可能量射線聚合的碳碳雙鍵的可能量射線聚合的基礎聚合物作為基礎聚合物而製備。所述碳碳雙鍵可存在於所述聚合物的側鏈中，或可以存在於其主鏈中或在其主鏈末端，並且所述碳碳雙鍵的位置沒有特別限制。在其側鏈中具有碳碳雙鍵的基礎聚合物是優選的，因為這些聚合物從分子設計的觀點出發是有利的。例如，在其中要獲得具有在其側鏈中具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物情況下，可用的方法的例子包括如下方法，該方法包括在用於丙烯酸類聚合物生產的聚合中，將具有反應性官能團的可共聚單體，例如含羥基的單體或含羧基的單體進行共聚，以從而預先製備具有起到用於反應的基礎點的作用的官能團的丙烯酸類聚合物；和使這些聚合物經歷與具有可能量聚合的碳碳雙鍵和能夠與在所述丙烯酸類聚合物中的官能團反應的基團的化合物進行的縮合或加成反應，同時保持所述碳碳雙鍵的可能量射線固化性。待被引入到所述基礎聚合物中的反應性官能團和能夠與該官能團反應的基團的組合的例子包括羧基和環氧基團的組合，羧基和氮丙啶基(aziridyl)的組合，和羥基和異氰酸酯的組合。在這些組合中，從容易進行所述反應的觀點出發優選羥基和異氰酸酯的組合。明確地，可例如通過將具有羥基的丙烯酸類聚合物與具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物反應獲得在其側鏈中具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物。具有羥基的丙烯酸類聚合物的例子包括含有如上列舉的含羥基單體和醚化合物，例如2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚，和二甘醇單乙烯基醚作為單體組分的丙烯酸類聚合物。具有可能量射線聚合的碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的明確的例子包括甲基丙烯醯基異氰酸酯，2-甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯，和間-異丙烯基-o;，Q;-二甲基苄基異氰酸酯。在其中將在其側鏈中具有可能量射線聚合的碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物用作基礎聚合物的情況下，優選所有側鏈的1%或更多(例如1至90%)各自具有碳碳雙鍵。更優選地，所有側鏈的10%或更多(例如10至85%)各自具有碳碳雙鍵。尤其優選地，所有側鏈的25%或更多(例如25至75%)各自具有碳碳雙鍵。為了將碳碳雙鍵以上述範圍的量引入到側鏈中，可使用其中對使其與基礎聚合物經歷加成或縮合反應的具有碳碳雙鍵的化合物的量進行適當調節的方法。順便提及，所述丙烯酸類聚合物可在其側鏈和主鏈中都具有碳碳雙鍵。除了通過其中將碳碳雙鍵引入到基礎聚合物中的上述方法進行製備外，可能量射線固化型壓敏粘著劑還可通過將可能量射線固化的化合物(單體或低聚物)併入到基礎聚合物中而製備。作為可能量固化的化合物，可使用當用能量射線進行輻射以形成交聯結構時與所述基礎聚合物反應的任何化合物。然而，優選使用例如在每個分子中具有兩個或更多個碳碳雙鍵的化合物(單體或低聚物)。其例子包括具有多元醇的(甲基)丙烯酸的酯，例如，三羥甲基丙垸三(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯，四甘醇二(甲基)丙烯酸酯，1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯，新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯，和二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；丙烯酸酯的低聚物；和氰尿酸酯化合物，例如2-丙烯基-3-丁烯基氰尿酸酯。這些中尤其優選的為具有每個分子具有6個或更多個碳碳雙鍵的化合物，例如二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。這樣的可能量射線固化的化合物的粘性等沒有特別限制。可選擇和使用一種或多種可能量射線固化的化合物。在使用可能量射線固化的化合物的情況下，待被併入的的化合物的量沒有特別限制。其量可適當選擇以使得所述壓敏粘著劑層具有在拾取過程中的從半導體晶圓上剝離中足夠降低的粘著力(在所述壓敏粘著劑固化後)。例如，所述量可選擇在以整個壓敏粘著劑重量計40至75%，優選50至70%的範圍內。或者，可將所述化合物的量選擇在關於100重量份的基礎聚合物的10至300重量份，優選30至150重量份範圍內。所述可能量射線固化的化合物可以與如上所述的可能量射線聚合的基礎聚合物一起使用。當將可能量射線聚合的基礎聚合物用於製備可能量射線固化型壓敏粘著劑時，不需要使用作為低分子量組分的可能量射線固化的化合物，或者即使使用它，該待使用的化合物的量也可顯著降低。因此，可形成具有穩定層結構的壓敏粘著劑層，其沒有低分子量組分隨時間遷移穿過所述壓敏粘著劑層的問題。因此，同樣從對被粘物較少汙染的性能的觀點出發，優選使用可能量射線聚合的基礎聚合物。通常將光聚合引發劑併入到可能量射線固化型壓敏粘著劑中，特別是當用紫外光輻射時經歷聚合/固化反應的可紫外固化型壓敏粘著劑中。所述光聚合引發劑的例子包括苯偶姻烷基醚，例如苯偶姻甲基醚，苯偶姻異丙基醚，和苯偶姻異丁基醚；芳香族酮，例如苯偶醯、苯偶姻、二苯甲酮，和O!-羥基環己基苯基酮；芳族縮酮，例如，苄基二甲基縮酮；和噻噸酮化合物，例如聚乙烯基二苯甲酮、氯代噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮，和二乙基噻噸酮。待使用的所述光聚合引發劑的量可選擇在例如關於100重量份的組成所述壓敏粘著劑的基礎聚合物的約O.l至IO重量份，優選0.5至5重量份的範圍內。組成所述壓敏粘著劑層的壓敏粘著劑，除了上述組分外，根據需要可還包含常規的或普通的添加劑，例如增稠劑、抗氧化劑、填充劑等。在製備本發明的耐熱性切割帶或片中，用於在基材上形成壓敏粘著劑層的方法沒有特別限制，並且可釆用常規的方法。其例子包括將壓敏粘著劑直接施加到基材表面的方法，和包括在已經經歷適當防粘處理的片材上施加壓敏粘著劑，任選乾燥所述塗層以形成壓敏粘著劑層，並然後將所述壓敏粘著劑層轉移到基材上的方法。所述壓敏粘著劑層的厚度沒有特別限制。然而，其優選在1至50Mm,更優選3至20/mi的範圍內。存在其中已經粘著於晶圓切割帶的半導體晶圓當被切割時震動的情況。在這種情況下，當該震動的幅度大的時候，所述半導體晶圓的切割晶片可能碎裂。然而，通過將所述壓敏粘著劑層的厚度調節至本發明的50/mi或更小，可阻止在半導體晶圓切割中出現的震動的幅度變得過大。結果，減少了碎裂的情況。通過將所述壓敏粘著劑層的厚度調節至l]um或更大，在切割過程中所述半導體晶圓可被固定而不會失敗，從而防止所述晶圓容易從所述壓敏粘著劑層上分離。因此，可防止切割失敗的發生。優選所述壓敏粘著劑層具有在25'C下和1Hz的頻率下測量的損失正切tanS為0.5或更低(例如，0.01至0.50，尤其是0.01至0.40)，和在50'C下和1Hz的頻率下測量的損失正切tanS為0.15或更低(例如，0.001至0.15，尤其是0.01至0.12)。當其在25。C下測量的損失正切tanS為0.5或更低，並且其在5(TC下測量的損失正切tan5為0.15或更低時，所述晶圓切割帶或片即使在長時間粘著後仍可保持令人滿意的可剝離性。另一方面，當在25'C下和1Hz的頻率下測量的所述壓敏粘著劑層的損失正切tanS為0.01或更高，並且在5(TC下和1Hz的頻率下測量的其損失正切tanS為0.001或更高時，則該壓敏粘著劑層可令人滿意地保持潤溼半導體晶圓的性質，並且可減少空隙的產生。順便提及，損失正切tanS被定義為tanS二G"/G，，其中G，為所述壓敏粘著劑層的儲能模量，和G"為其損耗模量。本發明的晶圓切割帶或片可根據需要具有隔離物。所述隔離物具有保護所述壓敏粘著劑層、進行標記、和使所述壓敏粘著劑層的表面平滑的功能。組成所述隔離物的材料沒有特別限制。其例子包括紙和由聚乙烯、聚丙烯、聚(對苯二甲酸乙二酯)，等製成的合成樹脂膜。所述隔離物的表面可經歷適當的防粘處理，例如矽氧烷處理、用長鏈烷基型防粘劑處理、或含氟化合物處理，以增強所述壓敏粘著劑層的防粘性。另外，在其中所述壓敏粘著劑層由可紫外固化型壓敏粘著劑等組成的情況下，所述隔離物可經歷紫外防護處理以防止所述壓敏粘著劑通過環境紫外光的作用而反應。所述隔離物的厚度沒有特別限制。然而，其為例如約10至200gm，優選約25至100/rni。可將由此獲得的本發明的耐熱性切割帶或片用於廣泛的應用中，包括用於電子零件加工的壓敏粘著帶，並且這些應用沒有特別限制。具體而言，所述晶圓切割帶或片可有利地用於伴隨產生熱或包括加熱的操作中，以利用其優異的耐熱性。尤其適當的用途為將在下文中詳細描述的在本發明的半導體晶片生產的過程中作為晶圓切割帶或片。製備半導體晶片的方法
技術領域：
：本發明的晶圓切割帶或片在通過切割將半導體晶圓切割成晶片的過程中可有利地用作晶圓切割帶。具體而言，由於本發明的晶圓切割帶或片當加熱時較不易於變形/改變，其可有利地用於包括熱處理步驟和伴隨熱產生的操作步驟的生產步驟中，尤其用於半導體晶片生產步驟中。可採用本發明的晶圓切割帶或片實踐的半導體晶片生產過程的例子包括如下系列步驟(1)該步驟包括將半導體晶圓粘著於可熱剝離型帶或片、磨削所述半導體晶圓、並然後將本發明的耐熱性切割帶或片粘附於所形成的薄化的半導體晶圓那側，該側為將所述可熱剝離型帶或片粘附於其上的那側的對側；(2)通過加熱剝離所述可熱剝離型帶或片的步驟；和(3)切割所述半導體晶圓製備所述半導體晶圓的晶片的步驟。步驟(1)為其中將本發明的耐熱性切割帶或片粘附於被粘物的步驟。作為被粘物的薄化的半導體晶圓為通過將結合於適當可熱剝離型帶或片(可熱剝離型背側磨削帶或片)的半導體晶圓進行磨削以具有需要的厚度而獲得的半導體晶圓。在將本發明的耐熱性切割帶或片施加的過程中，所述薄化的半導體晶圓保持粘附於所述可熱剝離型帶等之上，並且將所述晶圓切割帶或片施加到該半導體晶圓的那側，該側為將所述可熱剝離型帶或片粘附於其上的那側的對側。通過該步驟，所述薄化的半導體晶圓覆蓋在具有可熱剝離型帶等的一側上，並且覆蓋在具有本發明的耐熱性切割帶或片的另一側上，從而成為以如下順序層壓的由所述可熱剝離型帶或片、薄化的半導體晶圓、和本發明的耐熱性切割帶或片組成的多層狀態。步驟(2)為其中通過加熱將在薄化所述半導體晶圓步驟中使用的可熱剝離型帶或片剝離的步驟。儘管在該步驟中的加熱溫度和時間可根據所用的可熱剝離型帶或片而適當選擇，但其優選選擇不超過200'C的溫度和不超過30秒的時間，同時考慮本發明的耐熱性切割帶和片的耐熱性。由於本發明的耐熱性切割帶或片通過加熱幾乎不變形，因此顯著抑制了所述半導體晶圓被所述晶圓切割帶或片的變形導致的損壞。由於所述壓敏粘著劑層較不易於被加熱改變，其在從所述加熱步驟之前到所述加熱步驟之後的整個期間內均保持適當的粘著力和內聚力。因此，所述壓敏粘著劑層在隨後的步驟(3)中牢固地固定所述半導體晶圓，在步驟(3)中通過切割將所述半導體晶圓切割成晶片，並且較不易於引起例如晶片散射的麻煩。當將通過切割形成的半導體晶片從所述耐熱性切割帶和片上分離時，所述半導體晶片可被分離而不會被所述壓敏粘著劑汙染。尤其當所述壓敏粘著劑包含能夠易於降低粘著力的壓敏粘著劑時，例如可能量射線固化型壓敏粘著劑時，則所述壓敏粘著劑的粘著力可在任何需要的時間降低並且所述半導體晶片可被易於分離。因此，所生產的半導體晶片幾乎不被在該處理步驟中使用的晶圓切割帶等汙染。上述的步驟(1)、(2)和(3)可連續進行或可分為儲存、轉移或其它步驟(例如，背側金屬沉積步驟)。可在(1)至(3)的步驟之前或之後進行一個或多個其它步驟。除了用於半導體晶片外，本發明的用於製備半導體晶片的方法還應用於切割半導體封裝、玻璃、陶實施例下面通過參照實施例將更詳細地說明本發明，但本發明不應被解釋為由如下實施例限制。實施例1作為基材膜，使用具有厚度為50/mi的由聚(對苯二甲酸乙二酯)製成的膜(玻璃化轉變溫度，78°C(通過TMA測量))。將該膜的一面經歷電暈處理。將75重量份的丙烯酸甲酯、10重量份的丙烯酸甲氧基乙酯、10重量份的N-乙烯基吡咯烷酮、和5重量份的丙烯酸2-羥基乙酯在乙酸乙酯中以常規方式進行共聚。使2-甲基丙烯醯基氧基亞乙基異氰酸酯(2-methacryloyloxyethyleneisocyanate)的NCO基團經歷與在獲得的共聚物中源自丙烯酸2-羥基乙酯的卯％的側鏈末端OH基團進行加成反應。從而獲得包含具有在側鏈引入的碳碳雙鍵和具有重均分子量為500,000的丙烯酸類共聚物的溶液。向包含所述丙烯酸類共聚物的溶液中加入130重量份的通過將季戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應獲得的可紫外固化的低聚物(在25°C下的粘度為10Pa'秒)，3重量份的光聚合引發劑(商品名"Irgacure651";由CibaSpecialtyChemicalsCo.生產)，和2重量份的聚異氰酸酉旨化合物(商品名"CoronateL";由NipponPolyurethaneCo.，Ltd.生產)。因此，獲得可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液A。將可紫外固化型的該丙烯酸類壓敏粘著劑溶液A施加到所述基材膜的經電暈處理的一側並在8(TC下加熱/交聯10分鐘。從而形成具有厚度為5/mi的可紫外固化型壓敏粘著劑層。隨後，將隔離物結合於該可輻射固化型的壓敏粘著劑層的表面上以生成可紫外固化型的晶圓切割帶。實施例2將75重量份的丙烯酸甲酯、IO重量份的丙烯酸甲氧基乙酯、5重量份的N-乙烯基吡咯烷酮、和10重量份的丙烯酸2-羥基乙酯在乙酸乙酯中以常規方式進行共聚。使2-甲基丙烯醯基氧基亞乙基異氰酸酯的NCO基團經歷與在獲得的丙烯酸類共聚物中源自丙烯酸2-羥基乙酯的90%的側鏈末端OH基團進行加成反應。從而獲得包含具有在側鏈引入的碳碳雙鍵和具有重均分子量為600,000的丙烯酸類共聚物的溶液。向包含所述丙烯酸類共聚物的溶液中加入130重量份的通過將季戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應獲得的可紫外固化的低聚物(在25。C下的粘度為10Pa'秒)，3重量份的光聚合引發劑(商品名"Irgacure651";由CibaSpecialtyChemicalsCo.生產)，和2重量份的聚異氰酸酯化合物(商品名"CoronateL";由NipponPolyurethaneCo.,Ltd.生產)。因此，獲得可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液B。通過進行如實施例1中相同的步驟製備可紫外固化型晶圓切割帶，除了用可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液B代替可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液A。對比例1將95重量份的丙烯酸甲酯和5重量份的丙烯酸在乙酸乙酯中以常規方式進行共聚。從而獲得了包含具有重均分子量為800,000的丙烯酸類共聚物的溶液。向該包含所述丙烯酸類共聚物的溶液中加入130重量份的通過將季戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應獲得的可紫外固化型低聚物(在25'C下的粘度為lOPa*秒)，3重量份的光聚合引發齊U(商品名"Irgacure651";由CibaSpecialtyChemicalsCo.生產)，和2重量份的多異氰酸酯化合物(商品名"CoronateL";由Ni卯onPolyurethaneCo.，Ltd.生產)。因此，獲得可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液C。通過進行如實施例1中相同的步驟製備可紫外固化型晶圓切割帶，除了用可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液C代替可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液A。對比例2通過進行如實施例1中相同的步驟製備可紫外固化型晶圓切割帶，除了將聚(氯乙烯)(玻璃化轉變溫度，55°C)用作基材。測試評價將在實施例和對比例中獲得的晶圓切割帶經歷如下測試評價。加熱後的粘著力將在每個實施例和對比例中獲得的晶圓切割帶切割成具有帶寬度為20mm的條狀。將該晶圓切割帶施加到矽晶圓(商品名"CZN2.5-3.5(4inches)"，由Shin國EtsuHandotaiCo.，Ltd.生產)的鏡面上，並然後在熱板上在200'C下加熱30秒。在將該帶有帶的矽晶圓冷卻至室溫(23°C)後，將該晶圓切割帶從所述晶圓切割帶的背側(基材側)用紫外光輻射(輻射時間，20秒；輻射強度，500mJ/cm2)。之後，在剝離角度為180°，和剝離速度為300mm/min的條件下將所述晶圓切割帶剝離以測量所述晶圓切割帶的粘著力(剝離力)。具有粘著力為0.5N/20mm或更低的晶圓切割帶被判斷為良好，而具有粘著力高於0.5N/20mm的那些被判斷為差。所獲得的結果示於表1中。熱失重率的測定通過TG/TGA對在每個實施例和對比例中獲得的壓敏粘著劑進行分析以確定熱失重率。在該檢測中，將樣品在2X:/min的升溫速度下，在空氣氣氛中加熱至2CKTC。具有重量損失小於2%的壓敏粘著劑被判斷為良好，而具有損失程度為2%或更高的那些被判斷為差。所獲得的結果示於表1中。儀器TG/TGA200(SIINanotechnology)在鏡面矽晶圓上表面碳元素比例增加量AC的評價將在每個實施例和對比例中獲得的晶圓切割帶施加到所述鏡面矽晶圓上並在20(TC的熱板上加熱30秒。然後將該帶有帶的矽晶圓冷卻至室溫(23°C)。之後，將所述晶圓切割帶以與在粘著力測量測試中相同的方式剝離。用ESCA儀器檢測所述帶已經從其上剝離的矽晶圓表面的表面碳元素比例d(%)。用ESCA儀器檢測原始的鏡面矽晶圓表面的表面碳元素比例C2(。/。)。檢測條件如下所述。隨後，從所述d(%)和C2(%)的值利用如下方程式計算表面碳元素比例增加量AC。基於計算的結果，其中AC為10%或更低的晶圓切割帶被判斷為良好，而其中AC為大於10%的晶圓切割帶被判斷為差。△C(%)=(表面碳元素比例Q(%))—(表面碳元素比例C2(%))<在ESCA表面分析中的檢測條件〉儀器Quantum2000，由ULVAC-PHICo.生產X射線設定具有(j)為200/mi的點分析[30W(15kV)]X射線源單色的AlKa光電子拾取角度45°壓敏粘著劑層的損失正切tanS將在實施例和對比例中製備的可紫外固化型丙烯酸類壓敏粘著劑溶液A至C各自施加到隔離物上並然後在100'C下乾燥3分鐘以形成具有基於幹基的厚度為50Mm的壓敏粘著劑層。使用2kg的手壓滾筒均勻地壓所述整個表面，使得所述隔離物和所述壓敏粘著劑層的總厚度為3mm。隨後，將該樣品用高壓釜在溫度為5(TC和壓力為5kg/cm2的條件下處理該樣品以使所述樣品變形。因此，製備了用於檢驗各自壓敏粘著劑層的樣品。用由RheometricsInc.生產的"ARES"(商品名)，在"=1Hz，板直徑)為7.9mm，和應變為1%(25°C)的條件下在溫度為-5"C至75'C的範圍中進行粘彈性檢測。從在25'C和5(TC下的儲能模量G'和損耗模量G"的測定值，利用方程式tan5二G"/G'計算損失正切tan5。綜合評價在綜合評價中，對於所有評價次數，即熱失重率、損失正切tanS、粘著力、和表面碳元素比例增加量AC被判斷為良好，這樣的晶圓切割帶是"良好"的，而在至少一個評價項目中被判斷為差，這樣的晶圓切割帶是"差"的。如從下表1中可見，確定的是在實施例1和2的晶圓切割帶的情況下，所有的半導體晶圓能夠被令人滿意地分離，即使在安裝後6小時和1星期後，並且這些晶圓切割帶具有優異的用於拾取的的適應性。另外確定的是，表面碳元素比例增加量AC的值是小的並且這些晶圓切割帶在減少粘著劑殘留方面是有效的並具有優異的非汙染性。相反，對比例1和2中的晶圓切割帶均不滿足可剝離性和非汙染性。表1tableseeoriginaldocumentpage26儘管本發明已經詳細地並參照其特定實施例被說明，但對於本領域技術人員而言將理解的是可在其中進行多種改變和修正而不背離本發明的範圍。本申請基於2006粘7月18日提交的日本專利申請2006-195429，其全部內容通過引用併入本文中。另外，本文中所有引用的參考文獻以其全部內容併入。權利要求1.耐熱性切割帶或片，其包括玻璃化轉變溫度為70℃或更高的基材；和在所述基材的至少一面上布置的至少一層壓敏粘著劑層，當將所述壓敏粘著劑層以2℃/min的升溫速度從室溫加熱至200℃時，所述壓敏粘著劑層的熱失重率小於2％，其中當將所述耐熱性切割帶或片施加到矽鏡面晶圓上、隨後在200℃下加熱30秒、並然後冷卻至23℃時，所述壓敏粘著劑層具有的粘著力(剝離速度300mm/min；剝離角度180°)為0.5N/20mm或更低。2.權利要求1的耐熱性切割帶或片，其導致在將耐熱性切割帶或片施加到矽鏡面晶圓上、隨後在200。C下加熱30秒、之後冷卻至23°C、並然後從矽鏡面晶圓上剝離之後，所述矽鏡面晶圓的表面碳元素比例增加量AC為10%或更低。3.權利要求1的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物，禾口其中所述的丙烯酸類聚合物包含以所有單體組分計5重量％或更高的量的具有烷氧基基團的單體作為單體組分。4.權利要求1的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物，和其中所述的丙烯酸類聚合物包含以所有單體組分計3重量％或更高的量的具有含氮原子基團的單體作為單體組分。5.權利要求1的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層在25'C下的損失正切tanS為0.5或更低和在5(TC下的損失正切tanS為0.15或更低。6.權利要求1的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含具有側鏈的基礎聚合物，和其中所有側鏈的1%或更多具有碳碳雙鍵。7.權利要求1的耐熱性切割帶或片，其中所述的壓敏粘著劑層包含重均分子量為500,000或更高的基礎聚合物。8.製備半導體晶片的方法，其包括(1)將半導體晶圓粘附於可熱剝離型帶或片上，磨削所述半導體晶圓，然後將權利要求1的耐熱性切割帶或片粘附於所形成的薄化的半導體晶圓的與粘附有可熱剝離型帶或片的面相對側的面上；(2)通過加熱剝離所述可熱剝離型帶或片；和(3)切割所述半導體晶圓製備所述半導體晶圓的晶片。9.通過如下步驟可獲得的半導體晶片-(1)將半導體晶圓粘附於可熱剝離型帶或片上，磨削所述半導體晶圓，然後將權利要求1的耐熱性切割帶或片粘附於所形成的薄化的半導體晶圓的與粘附有可熱剝離型帶或片的面相對側的面上；(2)通過加熱剝離所述可熱剝離型帶或片；和(3)切割所述半導體晶圓製備所述半導體晶圓的晶片。全文摘要本發明涉及耐熱性切割帶(dicingtape)或片，其包括玻璃化轉變溫度為70℃或更高的基材；和在所述基材的至少一面上布置的至少一層壓敏粘著劑層，當將所述壓敏粘著劑層以2℃/min的升溫速度從室溫加熱至200℃時，所述壓敏粘著劑層的熱失重率為小於2％，其中當將所述耐熱性切割帶或片施加到矽鏡面晶圓(siliconmirrorwafer)上、隨後在200℃下加熱30秒、並然後冷卻至23℃時，所述壓敏粘著劑層具有的粘著力(剝離速度300mm/min；剝離角度180°)為0.5N/20mm或更低。文檔編號B26D7/00GK101108953SQ20071013664公開日2008年1月23日申請日期2007年7月18日優先權日2006年7月18日發明者木內一之,高橋智一申請人:日東電工株式會社