一種改進的鹽鹼地植物種植系統的製作方法
2023-07-03 16:49:26 1
一種改進的鹽鹼地植物種植系統的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種改進的鹽鹼地植物種植系統，包括設置在鹽鹼地中的種植溝，其特徵在於，所述種植溝的內部由下向上填充有透氣防滲層、透氣防滲保護層、儲水層、透氣防滲防護層和種植土層，所述種植溝的側壁為防水側壁。所述透氣防滲防護層可以阻止種植土層中植物的根系向下延伸而破壞透氣防滲層，從而避免了透氣防滲層被植物的根系破壞進而失去防滲效果，透氣防滲保護層用於保護下部透氣防滲層在大量降雨時被由上層滲入的雨水衝擊變形或在鋪設透氣防滲層上直接鋪設其它層時，對透氣防滲層表面造成破壞；所述儲水層，其作用之一是儲存水份，同時還起到找平的作用，為鋪設上層做準備。
【專利說明】一種改進的鹽鹼地植物種植系統
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種植物種植系統，具體地說，涉及一種適於鹽鹼地中植物生長的種植系統。
【背景技術】
[0002]鹽鹼地是指土壤含有過量可溶性鹽類的土地，土地鹽鹼化的原因是由於土壤和地下水含鹽過高，在強烈的地表蒸發作用下，地下淺層水經毛細管輸送到地表被蒸發掉，毛細管向地表輸水的過程中，也把水中的鹽分帶到地表，水被蒸發後，土壤鹽分通過毛細管作用上升並積聚於土壤表層，鹽分就留在了地表及地面淺層土壤中，這樣積累的鹽分多了，又沒有足夠的淡水稀釋並將其排走，就造成了土壤的鹽鹼化。鹽鹼度在0.3%以上、0.8%以下的鹽鹼地因為含鹽量大、要麼閒置，要麼被勉強利用，就是被勉強利用的，其產量也很低，經濟效益不好。
[0003]目前，國內外對鹽鹼地的處理方法一般包括排鹽法和壓鹽法，但它們都存在著許多不足之處，排鹽法是靠使用大量的淡水對鹽鹼地進行長期衝洗而使鹽鹼地表面的含鹽量降低，壓鹽法是利用自然降水或人工大水灌溉，促使部分鹽鹼沿著土壤的孔隙、裂縫等向下滲透，將表層土壤的鹽分隨水帶至底層。上述方法雖然能夠使鹽鹼地表層的含鹽量降低，但不能夠保持長久，而且需要大量的水源。
[0004]為此，中國專利文獻CN102232328A公開了一種改良鹽鹼地的方法及鹽鹼地的種植方法，該方法將鹽鹼表層土去除掉，在去除了表層土的鹽鹼地上設置透氣性防滲骨料層，在所述透氣性防滲骨料層上設置種植土層，然後於種填土層上種植植物。該方法在植物種植初期有效地防止了表層種填土層被鹽潰化，但是隨著植物的生長狀大，根系會越來越深入地向地下生長，一定時間後，根系會穿透種植土層向透氣性防滲骨料層深入，從而破壞了透水防滲骨料層的結構，使地下鹽鹼水上竄，進而破壞植物的生長，造成植物死亡，導致前期工作功虧一簣。
實用新型內容
[0005]為解決現有技術中，透氣性防滲骨料層易於被植物根系破壞使地下鹽鹼水上竄的問題，進而提供一種適於鹽鹼地植物長期生長的植物種植系統。
[0006]為此，本實用新型採取的技術方案為:
[0007]一種改進的鹽鹼地植物種植系統，包括設置在鹽鹼地中的種植溝，其特徵在於，所述種植溝的內部由下向上填充有透氣防滲層、透氣防滲保護層、儲水層、透氣防滲防護層和種植土層，所述種植溝的側壁為防水側壁。
[0008]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，所述種植溝平行設置。
[0009]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，其特徵在於，所述透氣防滲防護層為透水磚層。
[0010]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，所述透水磚上設置有第一凸部和第二凸部，所述第一凸部與第二凸部形成插接結構。
[0011]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，所述透氣防滲保護層為無紡布層。
[0012]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，所述儲水層為細土和/或沙子層。
[0013]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，所述透氣防滲層為透氣防滲沙層。
[0014]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，所述種植土層為客土層或鹽鹼土層。
[0015]上述改進的鹽鹼地植物種植系統中，透氣防滲層、透氣防滲保護層、儲水層、透氣防滲防護層和種植土層的總厚度不小於所述種植溝的深度。
[0016]與現有技術相比，本實用新型具有如下優點:
[0017](I)本實用新型的鹽鹼地植物種植系統還包括有透氣防滲防護層，所述透氣防滲防護層可以阻止種植土層中植物的根系向下延伸而破壞透氣防滲層，從而避免了透氣防滲層被植物的根系破壞進而失去防滲效果。
[0018](2)本實用新型的鹽鹼地植物種植系統中，所述透水磚層堅硬的質地不僅可以阻止種植土層中植物的根系向下延伸而破壞透氣防滲層，還可以在透水磚中涵養一部分由上層種植土層下滲的水，在外部氣候乾旱時，透水磚的水用於補給植物根系，滿足植物生長所需的水分。
[0019](3)本實用新型的鹽鹼地植物種植系統中，透水磚上設置有相適配的凸部和凹部，在鋪設透水磚層時，透水磚的凸部和凹部相互搭接，進而使透水磚間的接縫呈彎曲形狀，進一步防止植物根系的向下延伸。
[0020](4)本實用新型的鹽鹼地植物種植系統還設置有透氣防滲保護層和儲水層，透氣防滲保護層用於保護下部透氣防滲層在大量降雨時被由上層滲入的雨水衝擊變形或在鋪設透氣防滲層上直接鋪設其它層時，對透氣防滲層表面造成破壞；所述儲水層為細土層、沙子層或由細土和沙子的混合物形成的層，其作用之一是儲存水份，在外部氣候乾旱時，儲水層中的水向上蒸發補給植物根系，滿足植物生長所需的水分，同時還起到找平的作用，為鋪設上層做準備。
[0021](5)本實用新型的鹽鹼地植物種植系統中種植土層根據實際情況可以鋪設客土層，也可以鋪設為鹽鹼土層，由於透氣防滲層有效阻止了地下鹽鹼水的上竄，當種植土層為鹽鹼土層時，其上種植吸鹽植物，從而實現對鹽鹼土的改良，減少客土帶來的費用，成本得到降低，減少土壤資源的浪費；然而直接鋪設客土層，當年就可以看到種植效果，如花卉生長良好，經濟作物得到產量。
[0022](6)本種植系統長寬可以根據實際情況定，沒有太多本身因素的限制，操作簡單靈活；鋪設的透氣防滲層不被破壞，可以長期阻隔鹽鹼。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]為了使本實用新型的內容更容易被清楚的理解，下面根據本實用新型的具體實施例並結合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中
[0024]圖1為本實用新型一種所述鹽鹼地植物種植系統的俯視圖；
[0025]圖2為圖1所述種植溝的剖面示意圖；
[0026]圖3為本實用新型所述透水磚的俯視圖；
[0027]圖4為本實用新型所述透水磚的主視圖。[0028]其中，附圖標記表示為:
[0029]1-透氣防滲層，2-透氣防滲保護層，3-儲水層，4-透氣防滲防護層，5種植土層，6-種植溝，7-側壁，8-透水磚，81-第一凸部，82-第二凸部。
【具體實施方式】
[0030]圖1為本實用新型一種鹽鹼地植物種植系統的俯視圖，如圖1所示，所述鹽鹼地植物種植系統為在待種植植物的鹽鹼地上間隔0.5m,平行挖掘6條寬3m深0.8m的種植溝6，如圖2為所述種植溝的垂直於長度方向上的剖面示意圖，如圖2所示所述種植溝6的內部由下向上填充有Icm厚的透氣防滲層l、6cm厚的透氣防滲防護層4和80cm厚的種植土層5，所述種植溝的側壁7為防水側壁，所述種植土層的上表面略高於所述鹽鹼地的地表面，在本實用新型中，所述防水側壁是在挖掘好種植溝6後在其側壁上貼附塑料布形成，以防止種植溝6外部的鹽鹼水由其側壁7滲入種植溝6 ;且所述透氣防滲防護層4是由透水磚鋪設形成的透水磚層，透水磚與透水磚之間縫隙小且所述透水磚層質地堅硬可有阻止植物根系向下延伸；所述透氣防滲層I是由透氣防滲沙鋪設形成的透氣防滲沙層，用以阻止地下鹽鹼水的上竄和上層儲存的水份的外滲。
[0031]作為優選的實施方式，為進一步防止植物根系由透水磚磚縫向下延伸，如圖3和圖4所示，所述透水磚上設置有第一凸部81和第二凸部82，相鄰透水磚間所述第一凸部81和所述第二凸部82相互插接疊放設置，進而使透水磚間在豎直方向上的接縫不會相互貫通，有效防止植物根系由透水磚磚縫向下延伸。
[0032]進一步優選地，所述透氣防滲層I和所述透氣防滲防護層4之間還設置有透氣防滲保護層2，所述透氣防滲保護層2為2mm厚的無紡布層，以防止透氣防滲層表面被破壞，另外，所述透氣防滲防護層4和所述透氣防滲保護層2之間還設置有5cm厚的儲水層3，所述儲水層3為沙子層，用於找平，為鋪設透水磚層作準備，還可以儲存由透水磚層滲入的水份，在外部氣候乾燥時，儲水`層中的水份向上蒸發，補充植物生長所需的水份。在其它實施例中，所述儲水層3可以是由細土鋪成的細土層，或由細土和沙子的混合物鋪設形成的混
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[0033]需要說明的是，所述種植土層依據當地的具體情況可以為客土層，也可以是鹽鹼土層，當種植土層為鹽鹼土層時，其上種植吸鹽植物，當種植土層為客土層時，其上可以種植各種植物。
[0034]在其它實施方式中，所述種植溝可以設置為5條、8條等任意條，其數量依據鹽鹼地的大小而定，所述種植溝的寬度、深度及其間距，以及種植溝中各層的厚度，也可以根據實際情況進行調整，最好是種植土層的上表面略高於鹽鹼地的地面。本實用新型中所附附圖僅僅是示意圖，並不代表實際的尺寸，也不代表相應的比例關係。
[0035]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本發明創造的保護範圍之中。
【權利要求】
1.一種改進的鹽鹼地植物種植系統，包括設置在鹽鹼地中的種植溝(6)，其特徵在於，所述種植溝(6)的內部由下向上填充有透氣防滲層(I)、透氣防滲保護層(2)、儲水層(3)、透氣防滲防護層(4)和種植土層(5)，所述種植溝的側壁(7)為防水側壁。
2.根據權利要求1所述的改進的鹽鹼地植物種植系統，其特徵在於，所述種植溝平行設置。
3.根據權利要求1或2所述的改進的鹽鹼地植物種植系統，其特徵在於，所述透氣防滲防護層(4)為透水磚層。
4.根據權利要求3所述的改進的鹽鹼地植物種植系統，其特徵在於，所述透水磚(8)上設置有第一凸部(81)和第二凸部(82)，所述第一凸部與第二凸部形成插接結構。
5.根據權利要求4所述的改進的鹽鹼地植物種植系統，其特徵在於，所述儲水層(3)為細土層或沙子層。
6.根據權利要求4或5所述的改進的鹽鹼地植物種植系統，其特徵在於，所述透氣防滲層(I)為透氣防滲沙層。
7.根據權利要求6所述的改進的鹽鹼地植物種植系統，其特徵在於，所述種植土層(5)為客土層或鹽鹼土層。
8.根據權利要求7所述的改進的鹽鹼地植物種植系統，其特徵在於，透氣防滲層(I)、透氣防滲保護層(2)、儲水層(3)、透氣防滲防護層(4)和種植土層(5)的總厚度不小於所述種植溝(6)的深度。
【文檔編號】A01B79/00GK203467287SQ201320386759
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年7月1日 優先權日:2013年7月1日
【發明者】秦升益, 劉春雨, 呂國良, 李焱 申請人:北京仁創科技集團有限公司