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一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法與流程

2023-06-03 07:07:31

本發明屬於生物繁殖技術領域,具體涉及一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法。



背景技術:

毛葉山桐子(idesiapolycarpamaxim.var.vestitadiels)是大風子科山桐子屬的落葉喬木,具有極高的經濟價值和觀賞價值。它木材鬆軟,可供建築、家具、器具等的用材;為山地營造速生混交林和經濟林的優良樹種;花多芳香,有蜜腺,為養蜂業的蜜源資源植物;樹形優美,果實長序,結果纍纍,果色朱紅,形似珍珠,風吹嫋嫋,為山地、園林的觀賞樹種;毛葉山桐子的果實含油率為20%-30%,種子含油率為20%-26%,是優質食用油和高級護膚皂、保健品的上佳原料。

毛葉山桐子是陽性速生樹種,對氣候條件要求不嚴,生長適應性強:耐旱、耐貧瘠、耐高溫低寒(-14℃-40℃)、喜溫暖氣候和肥沃土壤,適宜的土壤ph值為6.15-7.15,在弱酸性、中性和弱鹼性沙質土壤裡均能正常生長,在地勢向陽、土質疏鬆、排水良好的地方,生長較快,年降雨量在800毫米-2000毫米,通常分布於海拔900-2000米,海拔900米以下難見到。

現有技術中毛葉山桐子的繁育方法有扦插法和壓條法,存在繁殖速度慢,對母本材料要求高,受季節約束,勞動強度大,生產成本高的問題。

因此提供一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,繁殖速度快,對對母本材料要求不高,受季節約束小,勞動強度不大,生產成本低,成為了本領域技術人員亟待解決的問題。



技術實現要素:

本發明要解決的技術問題是:提供一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,解決現有技術中毛葉山桐子的繁育方法繁殖速度慢,對母本材料要求高,受季節約束,勞動強度大,生產成本高的問題。

為實現上述目的,本發明採用的技術方案如下:

本發明所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,該方法包括以下步驟:

1)外植體的選擇和處理:在春季,選取1年生半木質化枝條,將所述枝條消毒後,將其修剪成至少帶1個腋芽、長度為1-2cm的外植體;

2)初代培養:將步驟1所得的外植體放置於誘導培養基中進行初代培養,直接誘導培養產生叢芽;

3)繼代培養:步驟2產生的叢芽生長至1.8-2.4cm時,將其放置於繼代增殖培養基中進行增殖培養;

4)生根培養:步驟3所述的增殖培養30-40天後,切割叢芽放置於生根培養基進行生根培養;

5)練苗:將步驟4生根培養後的組培苗從培養室取出,將培養瓶移到室外遮陰蓬或溫室中進行練苗;

6)移栽:經練苗後的生根芽苗移栽至育苗盤中。

進一步地,本發明所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,所述步驟2中誘導培養基為ms固體培養基添加1.0-1.5mg/l的6-ba、0.3-0.8mg/l的naa和0.8-1.2mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸;培養條件為:溫度26-29℃,相對溼度80-90%,光照時間8-10小時/天,光照強度3500-5500lx。

進一步地,本發明所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,所述繼代增殖培養基為ms固體培養基添加0.2-0.4mg/l的6-ba、0.2-0.4mg/l的naa,所述繼代增殖培養基中kno3、nh4no3、cacl2的含量分別為正常ms的1.2-1.6倍、1.3-1.5倍、0.8-0.9倍;培養條件為:溫度26-29℃,相對溼度80-90%,光照時間8-10小時/天,光照強度3500-5500lx。

進一步地,本發明所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,所述生根培養基為ms固體培養基添加0.2-0.3mg/l的6-ba、0.1-0.2mg/l的naa,0.4-0.6mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸、10-25g/l的果糖;培養條件為溫度26-29℃,相對溼度80-90%,光照時間8-10小時/天,光照強度3500-5500lx。

進一步地,本發明所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,所述步驟5中的練苗為強光閉瓶練苗15-20天左右,遮陰度宜為60%-80%,然後打開瓶口,再放置5-8天。

與現有技術相比,本發明具有以下有益效果:

(1)採用本發明方法進行毛葉山桐子樹苗的繁育,方法簡單,操作簡便,繁殖速度快,對母本材料要求不高,受季節約束小,勞動強度不大,生產成本低,有利於毛葉山桐子樹無性系產業化、規模化生產。

(2)通過本發明方法培育出的毛葉山桐子樹苗生長較均一,克服了現有技術中繁殖出的樹苗各項生長指標分化較大,不易成活的問題,提高了毛葉山桐子樹苗的質量,有利於節約成本,產業化生產。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發明作進一步說明,本發明的方式包括但不僅限於以下實施例。

實施例1

一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,該方法包括以下步驟:

1)外植體的選擇和處理:在春季,選取1年生半木質化枝條,將所述枝條消毒後,將其修剪成帶1個腋芽、長度為1cm的外植體;

2)初代培養:將步驟1所得的外植體放置於誘導培養基中進行初代培養,直接誘導培養產生叢芽;誘導培養基為ms固體培養基添加1.0mg/l的6-ba、0.3mg/l的naa和1.2mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸;培養條件為:溫度26℃,相對溼度80%,光照時間10小時/天,光照強度5500lx;

3)繼代培養:步驟2產生的叢芽生長至1.8cm時,將其放置於繼代增殖培養基中進行增殖培養;所述繼代增殖培養基為ms固體培養基添加0.4mg/l的6-ba、0.2mg/l的naa,所述繼代增殖培養基中kno3、nh4no3、cacl2的含量分別為正常ms的1.6倍、1.5倍、0.8倍;培養條件為:溫度29℃,相對溼度90%,光照時間10小時/天,光照強度5500lx;

4)生根培養:步驟3所述的增殖培養30天後,切割叢芽放置於生根培養基進行生根培養;所述生根培養基為ms固體培養基添加0.3mg/l的6-ba、0.1mg/l的naa,0.6mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸、25g/l的果糖;培養條件為溫度26℃,相對溼度80%,光照時間10小時/天,光照強度3500lx;

5)練苗:將步驟4生根培養後的組培苗從培養室取出,將培養瓶移到室外遮陰蓬或溫室中進行練苗,強光閉瓶練苗150天左右,遮陰度宜為80%,然後打開瓶口,再放置8天。

6)移栽:經練苗後的生根芽苗移栽至育苗盤中。

實施例2

一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,該方法包括以下步驟:

1)外植體的選擇和處理:在春季,選取1年生半木質化枝條,將所述枝條消毒後,將其修剪成帶2個腋芽、長度為2cm的外植體;

2)初代培養:將步驟1所得的外植體放置於誘導培養基中進行初代培養,直接誘導培養產生叢芽;誘導培養基為ms固體培養基添加1.5mg/l的6-ba、0.8mg/l的naa和0.8mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸;培養條件為:溫度29℃,相對溼度90%,光照時間8小時/天,光照強度3500lx;

3)繼代培養:步驟2產生的叢芽生長至1.8-2.4cm時,將其放置於繼代增殖培養基中進行增殖培養;所述繼代增殖培養基為ms固體培養基添加0.24mg/l的6-ba、0.2mg/l的naa,所述繼代增殖培養基中kno3、nh4no3、cacl2的含量分別為正常ms的1.2倍、1.3倍、0.9倍;培養條件為:溫度26℃,相對溼度80%,光照時間8小時/天,光照強度3500lx;

4)生根培養:步驟3所述的增殖培養40天後,切割叢芽放置於生根培養基進行生根培養;所述生根培養基為ms固體培養基添加0.2mg/l的6-ba、00.2mg/l的naa,0.4mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸、10g/l的果糖;培養條件為溫度29℃,相對溼度90%,光照時間8小時/天,光照強度5500lx;

5)練苗:將步驟4生根培養後的組培苗從培養室取出,將培養瓶移到室外遮陰蓬或溫室中進行練苗,強光閉瓶練苗20天左右,遮陰度宜為60%%,然後打開瓶口,再放置5天。

6)移栽:經練苗後的生根芽苗移栽至育苗盤中。

實施例3

一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法,該方法包括以下步驟:

1)外植體的選擇和處理:在春季,選取1年生半木質化枝條,將所述枝條消毒後,將其修剪成帶2個腋芽、長度為2cm的外植體;

2)初代培養:將步驟1所得的外植體放置於誘導培養基中進行初代培養,直接誘導培養產生叢芽;誘導培養基為ms固體培養基添加1.2mg/l的6-ba、0.6mg/l的naa和1.0mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸;培養條件為:溫度27℃,相對溼度85%,光照時間9小時/天,光照強度4000lx;

3)繼代培養:步驟2產生的叢芽生長至2.0cm時,將其放置於繼代增殖培養基中進行增殖培養;所述繼代增殖培養基為ms固體培養基添加0.3mg/l的6-ba、0.3mg/l的naa,所述繼代增殖培養基中kno3、nh4no3、cacl2的含量分別為正常ms的1.4倍、1.4倍、0.8倍;培養條件為:溫度27℃,相對溼度85%,光照時間8小時/天,光照強度4000lx;

4)生根培養:步驟3所述的增殖培養40天後,切割叢芽放置於生根培養基進行生根培養;所述生根培養基為ms固體培養基添加0.2mg/l的6-ba、0.1mg/l的naa,0.5mg/l的2,4-二氯苯氧乙酸、18g/l的果糖;培養條件為溫度28℃,相對溼度85%,光照時間9小時/天,光照強度4000lx;

5)練苗:將步驟4生根培養後的組培苗從培養室取出,將培養瓶移到室外遮陰蓬或溫室中進行練苗,強光閉瓶練苗18天左右,遮陰度宜為70%,然後打開瓶口,再放置7天。

6)移栽:經練苗後的生根芽苗移栽至育苗盤中。

上述實施例僅為本發明的優選實施方式之一,不應當用於限制本發明的保護範圍,但凡在本發明的主體設計思想和精神上作出的毫無實質意義的改動或潤色,其所解決的技術問題仍然與本發明一致的,均應當包含在本發明的保護範圍之內。

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