微諧振器色變換el元件和使用該元件的有機el顯示器的製作方法

2023-06-03 20:46:11

專利名稱：：微諧振器色變換el元件和使用該元件的有機el顯示器的製作方法
技術領域：
：本發明涉及多色發光場致發光元件。本發明的多色發光場致發光元件能夠用於個人計算機、文字處理機、電視機、傳真機、音響、錄像機、汽車導航儀、臺式計算機、電話機、可攜式末端機和產業用計
背景技術：
：隨著信息機器的多樣化、節省空間的需要，積極地進行著消耗電力低於CRT、空間佔有面積少的平板顯示器的開發。其中，對自發光型且能夠實現高精細化、使用場致發光(EL)元件的場致發光顯示器的期待高漲。關於EL元件，迄今為止以提高發光效率、提高能量轉換效率為焦點的研究增多。己知降低EL元件發光效率的原因之一是在發光層中產生的光的一半以上被封閉在元件或透明基板內(例如，參照非專利文獻l)。作為將封閉在元件或透明基板內的光取出、使發光效率得到提高的方法之一，大多已知使用微諧振器結構的方法(例如，參照非專利文獻2)。並且，提出了利用該原理的有機EL元件(例如，參照專利文獻1和2)。如果使用微諧振器結構，在發光層內產生的光子就會具有指向性地射出，並且，能夠得到光子的能量分布變窄，即發光光譜變窄、束強度達到數倍數十倍的效果，能夠得到發光層中得到的發光強度的增強效果、單色化的效果。專利文獻1:特開平6—283271號公報專利文獻2:國際公開第94/7344號小冊子專利文獻3:特開平3—152897號公報專利文獻4:專利第2838063號公報專利文獻5:特開2002—359076號公報專利文獻6:特開2004—115441號公報專利文獻7:特開2003—212875號公報專利文獻8:特開2003—238516號公報專利文獻9:特開2003—81924號公報專利文獻10:國際公開第2003/048268號小冊子非專利文獻1:AdvancedMaterials,vol.6.p.491(1994)非專利文獻2:AppliedPhysicsLetters,vol.64,p.2486(1994)非專利文獻3:MaxBom&EmilWolf著，{PrinciplesofOptics》(2ndedition、1964年、PergamonPress)非專利文獻4:O.S.Heavens著，《OpticalPropertiesofThinSolidFilms》(1991年、DoverPublishingInc.)
發明內容但是，如果要將該微諧振器EL元件用在彩色顯示器中，就必須對每個與紅、藍、綠各種顏色相對應的像素，調節構成共振器的一對反射鏡之間的光學距離，製造工序複雜。認為在將對應於紅、藍、綠色的發光層用於各種顏色的像素的情況下，通過改變該發光層的膜厚，能夠調節反射鏡之間的光學距離，但如果每種顏色的發光效率發生變化或劣化速度發生變化，則每個像素的驅動特性就會發生很大變化，難以製成顯示器。另一方面，作為與將對應於紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的發光層用於各種顏色的副像素的彩色化方法相比，製造工序更簡單的EL元件的多色化方法，提出了使用吸收從發光層放射的光並發出不同波長的光的色變換層的螢光變換法(參照專利文獻3)。另外，提出了組合該技術和微諧振器EL元件的技術(參照專利文獻4和5)。圖1表示現有技術的微諧振器有機EL元件的一個例子。圖1(a)的微諧振器有機EL元件的結構為，在透明基板510上疊層有色變換層540、平坦化層560、半透過性反射層552、透明電極522、包含發光層532的功能層530和反射電極521。在圖1(a)中，表示了由空穴注入-遷移層531、發光層532和電子注入-遷移層533構成的功能層530的例子。在此，由半透過性反射層552和也作為不透過性反射層551發揮功能的反射電極521形成微諧振器，其有效光路長600由半透過性反射層552和反射電極521(551)確定，相關於發光層532的發光波長被最優化。另外，色變換層540配置在微諧振器結構的外側。在使用微諧振器結構和螢光變換層，製作具有RGB副像素的彩色EL顯示器時，如圖l(b)所示，在藍色(B)副像素中，放射來自微諧振器EL元件的藍色發光，在綠色(G)副像素和紅色(R)副像素中，將從該微諧振器EL元件放射的光的波長分別在紅色變換層540R和綠色變換層540G中變換，放射得到的變換光。如上所述，從微諧振器EL元件放射的發光(即藍色輸出光)具有比較強的指向性。另一方面，從色變換層540R、540G放射的變換光(即紅色輸出光和綠色輸出光)的放射方向是各向同性的。因此，圖1(b)所示的彩色顯示器表現出大的色調視野角依存性(在從斜向看時帶黃色)，缺乏實用性。本發明是為了解決將這種微諧振器EL元件和螢光變換法用於彩色顯示器時產生的課題而完成的，能夠採用簡便的製造方法，實現使用高效率EL元件的高亮度的彩色顯示器。本發明第一實施方式的微諧振器色變換EL元件的特徵在於，具有至少一對電極、由上述一對電極夾持並包含發光層的功能層、吸收從發光層發出的光並發出不同波長的光的色變換層、和一對光反射層，上述發光層和上述色變換層配置在上述一對光反射層中間，上述一對光反射層由不透過性反射層和半透過性反射層構成，上述不透過性反射層與上述半透過性反射層之間的間隔設定為構成微諧振器的光學距離，上述微諧振器能夠增強從上述色變換層放射的光中特定波長的光的強度。在本實施方式中，由透明電極和光反射性電極構成上述一對電極，可以使上述光反射性電極作為上述不透過性反射層發揮功能。在此，光反射性電極可以由金屬形成，也可以是金屬與透明導電層的疊層體。具體而言，作為金屬，可以使用A1、Ag、Mg、Zn、Ta的單體或它們的合金。或者，還可以使用選自Al、Ag、Mg、Zn、Ta中的至少1種與選自Li、Na、K、Rb、Cs、Ca中的至少l種的合金，形成光反射性電極。另外，在本實施方式中，色變換層可以設置在發光層與半透過性反射層之間。這裡，希望色變換層是僅由1種或多種有機色素形成的層。並且，半透過性反射層還可以是金屬膜。具體而言，可以將由Ag、Au、Cu、Mg、Li或以它們為主要成分的合金形成的金屬膜用作半透過性反射層。在本實施方式中，在存在於一對光反射層之間的所有層邊界中，鄰接的兩層發光層在發光波長區域的折射率之差在0.35以內。本發明第二實施方式的有機EL顯示器的特徵在於，包括；第一實施方式記載的微諧振器色變換EL元件；和微諧振器EL元件，其具有至少一對電極、由上述一對電極夾持並包含發光層的功能層、和一對光反射層，上述發光層配置在上述一對光反射層之間，上述一對光反射層之間的距離設定為構成微諧振器的光學距離，上述微諧振器使從所述發光層放射的光中特定波長的光的強度增強。藍色、綠色和紅色副像素由上述微諧振器色變換EL元件或微諧振器EL元件中的任一個構成。例如，可以由微諧振器EL元件構成藍色副像素，由微諧振器色變換EL元件構成綠色副像素和紅色副像素。或者由微諧振器EL元件構成藍色副像素和紅色副像素，由微諧振器色變換EL元件構成綠色副像素。還可以由微諧振器EL元件構成藍色副像素和綠色副像素，由微諧振器色變換EL元件構成紅色副像素。在本實施方式中使用的微諧振器色變換EL元件中，可以採用上述一對電極中的一個是透明電極、上述色變換層配置在上述透明電極和上述半透過性反射層之間的結構。此外，在藍色、綠色和紅色副像素中，在微諧振器色變換EL元件或微諧振器EL元件的光射出一側，還可以包含與各副像素顏色相對應的濾色層。發明效果在採用以上結構的微諧振器色變換有機EL元件中，通過在構成微諧振器結構的一對反射層的中間設置色變換層，使微諧振器結構的光路長與從色變換層放射的特定波長的光的共振條件相適合，能夠使來自色變換層的變換光的強度增強。特別是通過僅用一種或多種有機色素形成色變換層，能夠使色變換層的折射率與構成EL元件的薄膜材料的折射率接近。結果，在色變換層中能夠吸收發光層發出的大部分光並進行螢光變換，所以，能夠進一步增強來自色變換層的變換光的強度。另外，通過組合微諧振器EL元件和本發明的微諧振器色變換EL元件製作彩色顯示器，能夠簡便地提供沒有色調視野角依存的高效率的EL顯示器。這是因為從微諧振器色變換EL元件放射的變換光，由於微諧振器結構的存在而被賦予指向性，其指向性與微諧振器EL元件發光的指向性幾乎是同等的。圖1是表示現有技術的微諧振器EL元件和使用該元件的顯示器的圖，(a)表示微諧振器EL元件，(b)表示顯示器。圖2是表示本發明第一實施方式的微諧振器色變換EL元件的一個例子的圖，(a)表示反射性電極是單層的情況，(b)表示反射性電極是金屬層和透明導電層的疊層結構的情況。圖3是表示本發明第一實施方式的微諧振器色變換EL元件的另一個例子的圖。圖4是表示本發明第一實施方式的微諧振器色變換EL元件的又一個例子的圖。圖5是表示本發明第二實施方式的有機EL顯示器的一個例子的圖。圖6是表示實施例1、2和比較例1的元件的發光光譜的曲線圖。圖7是表示實施例3的元件的發光光譜的曲線圖。圖8是表示實施例4的顯示器的各色副像素的發光光譜的曲線圖。符號說明10:支承基板；21:反射性電極；21a:金屬層；21b:透明導電層；22:透明電極；23:半透過性電極；30:功能層(有機EL層)；31:電子注入-遷移層；32:發光層；33:空穴注入-遷移層；34:載流子遷移性色變換層(carriertransportingcolorconversionlayer);40(R、G):色變換層；51:不透過性反射層；52:半透過性反射層；100:微諧振器的有效光路長。具體實施例方式本發明第一實施方式的微諧振器色變換EL元件的特徵在於，在由一對光反射層形成的微諧振器結構內收容發光層和色變換層，設定微諧振器的有效光路長，即一對光反射層之間的間隔，以增強從色變換層放射的光內的特定波長。進一步具體而言，微諧振器色變換EL元件具有至少一對電極、由該一對電極夾持並包含發光層的功能層、吸收從發光層發出的光並發出不同波長的光的色變換層、和一對光反射層。該一對光反射層由不透過性反射層和半透過性反射層構成，該發光層和該色變換層配置在該一對光反射層中間。在本實施方式中的"設定為使從色變換層放射的光內的特定波長增強"，指的是在從色變換層放射的波長人ccm的光對元件面垂直放射時，該光發生共振而被增強的條件，意指滿足式(1)的條件。0.9.ACCMS4;r》4/(2m;r_。S1.1ACCM(1)式中，S表示對位於一對光反射層之間的全部層取總和，nj和di表示位於一對光反射層之間的各層的折射率和膜厚，S表示在一對光反射層中發生光反射時的相位變化，m是整數。在此，由於光反射產生的相位變化S是在半透過性反射層中反射的相位變化和在不透過性反射層中反射的相位變化的總和，可以採用文獻已知的方法求出(例如，參照非專利文獻3和4)。另外，式(1)的條件假定微諧振器結構內(即位於一對光反射層之間)的全部層的折射率大體相等，在這些層的邊界處不會發生反射，只在半透過性反射層和不透過性反射層中發生光的反射。但是，在本發明中，選擇各層的材料，以使存在於微諧振器結構內的全部層邊界中，鄰接的兩層發光層在發光波長區域的折射率之差優選在0.35以內，更優選在0.25以內。因此，在微諧振器結構內的層間不發生反射的假定十分妥當，在本發明目的的微諧振器結構內各層膜厚的決定中，式(1)是十分妥當的條件。或者，在不能忽略微諧振器結構內的一個或多個界面處的反射的情況下，可以通過使用考慮到這些界面中的反射的各層的復折射率的順序計算，理論地求出波長、CM的光的共振條件，決定微諧振器結構內的各層的膜厚。另外，使用式(1)決定各層的膜厚，可以試著製作此時的總膜厚附近例如每10nm改變膜厚的元件，找出波長XccM得到增強的膜厚條件。圖2表示本實施方式的微諧振器色變換EL元件結構的1個例子。圖2(a)的元件具有在支承基板10上疊層有反射性電極21、功能層30、透明電極22、色變換層40和半透過性反射層52的結構。這裡，反射性電極21和透明電極22構成一對電極。並且，反射性電極21也作為不透過性反射層51發揮功能，與半透過性反射層52共同構成一對光反射層。並且，在圖2(a)中，表示功能層30由電子注入-遷移層31、發光層32和空穴注入-遷移層33構成的例子。在圖2(a)所示的元件中，由反射性電極21和半透過性反射層52構成微諧振器，劃定微諧振器的有效光路長100。關於該元件，構成功能層30的各層、透明電極22和色變換層40為式(1)條件的對象，決定這些層的材料和膜厚以滿足式(1)的條件。圖2(b)表示微諧振器色變換EL元件結構的變形例。圖2(b)的元件，除了反射性電極21是金屬層21a和透明導電層21b的疊層體外，與圖2(a)的元件相同。在該變形例中，金屬層21a作為不透過性反射層51發揮功能。因此，由金屬層21a和半透過性反射層52構成微諧振器，劃定微諧振器的有效光路長100。關於該元件，除了構成功能層30的各層、透明電極22和色變換層40以外，透明導電層21b也為式(1)條件的對象，決定這些層的材料和膜厚以滿足式(1)的條件。使反射性電極21為金屬層21a與透明導電層21b的疊層體的優點在於，能夠使用透明導電層21b調整微諧振器結構的光路長條件，並且，在以空穴注入-遷移層33與反射性電極21鄰接的方式將功能層30的順序逆轉時，能夠確保良好的空穴注入性。圖3表示本實施方式的微諧振器色變換EL元件結構的另一個例子。圖3的元件具有在支承基板10上疊層有反射性電極21、功能層30和半透過性電極23的結構。這裡，反射性電極21和半透過性電極23構成一對電極。並且，反射性電極21作為不透過性反射層51發揮功能，半透過性電極23作為半透過性反射層52發揮功能，反射性電極21和半透過性電極23構成一對光反射層。並且，圖3中表示功能層30由電子注入-遷移層31、發光層32、空穴注入-遷移層33和載流子遷移性色變換層34(40)構成的例子。在圖3中，表示載流子遷移性色變換層34(40)具有空穴遷移性、與半透過性電極23接觸的構成例，但也可以釆用載流子遷移性色變換層34(40)具有電子遷移性、使其與反射性電極21接觸的結構。在圖3所示的元件中，由反射性電極21和半透過性電極23構成微諧振器，劃定微諧振器的有效光路長100。關於該元件，構成功能層30的電子注入-遷移層31、發光層32、空穴注入-遷移層33和載流子遷移性色變換層34(40)為式(1)條件的對象，決定這些層的材料和膜厚以滿足式(1)條件。另外，在該例中，也可以由金屬層與透明導電層的疊層體構成反射性電極21，此時，與圖2(b)結構同樣地劃定微諧振器的有效光路長。圖4表示本實施方式的微諧振器色變換EL元件結構的又一個例子。圖4的元件具有在支承基板10上疊層有反射性電極21、功能層30、透明電極22和半透過性反射層52的結構。這裡，反射性電極21和透明電極22構成一對電極。並且，反射性電極21也作為不透過性反射層51發揮功能，反射性電極21和半透過性反射層52構成一對光反射層。並且，圖4中表示功能層30由電子注入-遷移層31、發光層32、空穴注入-遷移層33和載流子遷移性色變換層34(40)構成的例子。在圖4所示的元件中，由反射性電極21和半透過性反射層52構成微諧振器，劃定微諧振器的有效光路長100。關於該元件，構成功能層30的各層和透明電極22為式(1)條件的對象，決定這些層的材料和膜厚以滿足式(1)的條件。另外，在該例中，也可以由金屬層與透明導電層的疊層體構成反射性電極21，此時，與圖2(b)結構同樣地劃定微諧振器的有效光路長。在圖24所示的微諧振器色變換EL元件中，將光反射性電極21用作陰極，將透明電極22或半透過性電極23用作陽極。但是，在本實施方式中，也可以將光反射性電極21用作陽極，將透明電極22或半透過性電極23用作陰極。此時，功能層30構成為，從光反射性電極21—側開始，為空穴注入-遷移層33、發光層32、電子注入-遷移層31和有時存在的載流子遷移性色變換層34。並且，在構成圖24所示的微諧振器色變換EL元件的功能層30的層中，電子注入-遷移層31和空穴注入-遷移層33是可以任意選擇設置的層。電子注入-遷移層31和空穴注入-遷移層33可以各自為單一的層，也可以具有多層的疊層結構。例如，可以使電子注入-遷移層31為電子注入層和電子遷移層的兩層結構，也可以使空穴注入-遷移層33為空穴注入層和空穴遷移層的兩層結構。下面，依次詳細說明各構成要素。[支承基板10]本發明的支承基板10，可以使用通常用作平板顯示器的支承基板的材料形成。例如，可以使用玻璃(無鹼、鹼)、或聚碳酸酯那樣的塑料形成支承基板IO。另外，在圖24中例示的有機EL元件中，由於發光層32的發光不透過支承基板10而向外部發出，所以，支承基板IO不一定必須透明。因此，可以使用矽或陶瓷那樣的不透明材料形成支承基板IO。還可以使用形成有多個開關元件(TFT等)的矽基板作為支承基板10。[一對反射層](不透過性反射層51)本發明的不透過性反射層51可以使用高反射率的金屬、非晶質合金或微晶性合金形成。高反射率的金屬包括Al、Ag、Mg、Ta、Zn、Mo、W、Ni、Cr等。高反射率的非晶質合金包括NiP、NiB、CrP和CrB等。高反射率的微晶性合金包括NiAl、Ag合金等。不透過性反射層51的膜厚考慮片材電阻值、反射率、表面平坦性等設定，通常為50200nm。由於具有該範圍內的膜厚，能夠充分反射來自發光層32的發光和來自色變換層40的變換光，能夠得到微諧振器的效果。(半透過性反射層52)本發明的半透過性反射層52可以使用只透過特定波長區域的電介質多層膜那樣的一維光子晶體(One-dimensionalPhotonicCrystal)製作。但是，製作一維光子晶體，必須使用多個成膜工序和需要嚴格控制膜厚的複雜的工序。從簡化製作所必須的工序的觀點出發，在本發明中，優選使用金屬薄膜作為半透過性反射層52。用於形成半透過性反射層52的金屬材料，優選對可見光的光吸收小的材料。適合在本發明中使用的金屬材料包括Ag、Au、Cu、Li、Mg或以這些金屬為主要成分的合金。本發明中的"主要成分"意指以全部合金為基準含有50原子％以上的上述金屬。在使用金屬薄膜形成半透過性反射層52的情況下，半透過性反射層52的膜厚是決定本實施方式的微諧振器色變換EL元件的發光光譜和發光強度的重要因素。優選半透過性反射層52的膜厚依賴於使用的金屬材料以及所需要的發光光譜和發光強度，在5nm50nm之間調整。通過使用具有這樣範圍內膜厚的半透過性反射層52，能夠使對從色變換層發出的光具有充分的反射性、在色變換層40中得到大的變換光強度，和對從色變換層40發出的變換光具有充分的透過性、不使元件的發光強度顯著降低的相反的兩種要求性能並存。[一對電極](光反射性電極21)本發明的光反射性電極21，與不透過性反射層51同樣，可以使用高反射率的金屬、非晶質合金或微晶性合金形成。在使用上述材料形成光反射性電極21的情況下，為了得到充分的反射性，優選膜厚在50200nm的範圍內。或者，本發明的光反射性電極21也可以是由上述金屬或合金構成的金屬層21a與透明導電層21b的疊層體。在這種情況下，為了得到充分的反射性，優選金屬層21a具有50200nm範圍內的膜厚。透明導電層21b可以使用通常已知的ITO(銦一錫氧化物)、IZO(銦一鋅氧化物)、IWO(銦一鎢氧化物)、AZO(摻雜Al的鋅氧化物)等透明導電性氧化物材料形成。或者，也可以使用聚(3,4-亞乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT:PSS)等高導電性高分子材料，形成透明導電層21b。另外，在本發明中，可以將由金屬或合金形成的光反射性電極21、或金屬層/透明導電層結構中的金屬層21a用作上述不透過性反射層51。(透明電極22)本發明的透明電極22可以使用通常已知的ITO(銦_錫氧化物)、IZO(銦一鋅氧化物)、IWO(銦一鎢氧化物)、AZO(摻雜Al的鋅氧化物)等透明導電性氧化物材料形成。或者，也可以使用聚(3，4-亞乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT:PSS)等高導電性高分子材料，形成透明電極22。(半透過性電極23)本發明的半透過性電極23，與半透過性反射層52同樣，可以使用對可見光吸收少的金屬形成。可以使用的金屬材料包括Ag、Au、Cu、Li、Mg或以這些金屬為主要成分的合金。依賴於使用的金屬材料以及所需要的發光光譜和發光強度，半透過性電極23具有5nm50nm範圍內的膜厚。通過使用具有這樣範圍內膜厚的半透過性電極23，能夠使用於使從色變換層40發出的變換光發生共振的充分的反射性、和不使透過的變換光極度減弱的充分透過性的相反的兩種要求並存。[功能層30](電子注入-遷移層31)電子注入-遷移層31形成為使用來自陰極的電子注入性優異、電子遷移能力高的材料的單一層。但是，通常優選分為促進從陰極向有機層注入電子的電子注入層和向發光層32遷移電子的電子遷移層兩層形成。在使用兩層結構的電子注入-遷移層31的情況下，優選採用使電子注入層與陰極接觸、使電子遷移層與發光層32接觸的結構。具體而言，電子遷移層可以使用下述材料形成3-苯基-4-(l'-萘基)-5-苯基-l，2,4-三唑(TAZ)那樣的三唑衍生物，1,3-雙[(4-叔丁基苯基)-l，3,4-噁二唑]-苯(OXD-7)、2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1，3，5-三(4-叔丁基苯基-1,3，4-噁二唑基)苯(TPOB)那樣的噁二挫衍生物，5，5'-雙(二萊基氧硼基)-2,2'-聯噻吩(BMB-2T)、5,5'-雙(二萊基氧硼基)-2,2':5'2'-三噻吩(5,5'匿bis(dimesitylboryl)-2,2':5',2'-terthiophene)(BMB—3T)那樣的噻吩衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)那樣的鋁配合物，4,7-二苯基-1，10-菲繞啉(BPhen)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-l,10-菲繞啉(BCP)那樣的菲繞啉衍生物，2,5-二-(3-聯苯基)-l,l-二甲基-3,4-二苯基矽雜環戊二烯(2，5-di-(3-biphenyl>1，1-dimethyl-3,4-diphenylsilacyclopentadiene)(PPSPP)、1，2-雙(1-甲基-2,3,4,5-四苯基矽雜環戊二烯基)乙烷(2PSP)、2,5-雙(2，2-聯二吡啶-6-基)-l，l-二甲基-3，4-二苯基矽雜環戊二烯(PyPySPyPy)那樣的矽雜環戊二烯(silacyclopentadiene)衍生物等。電子注入層可以使用下述材料形成Li20、LiO、Na2S、Na2Se和NaO等鹼金屬硫族化合物，CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe等鹼土金屬硫族化合物，LiF、NaF、KF、CsF、LiCl、KC1和NaCl等鹼金屬滷化物，CaF2、BaF2、SrF2、MgFz和BeF2等鹼土金屬滷化物，Cs2C03等鹼金屬碳酸鹽等。在使用這些材料形成電子注入層時，優選使電子注入層的膜厚為0.51.0nm左右。或者，作為電子注入層，也可以使用Li、Na、K、Cs等鹼金屬，Ca、Ba、Sr、Mg等鹼土金屬的薄膜(膜厚1.05.0nm左右)。或者，還可以使用在上述電子遷移層的材料中摻雜有Li、Na、K、Cs等鹼金屬，LiF、NaF、KF、CsF等鹼金屬滷化物，Cs2C03等鹼金屬碳酸鹽的材料，形成促進從陰極注入電子的電子注入層。(發光層32)發光層32的材料可以根據所希望的色調進行選擇。為了使色變換層40有效地激發並發光，優選使用顯示藍色至藍綠色發光的材料形成發光層32。顯示藍色至藍綠色發光的材料，例如，包括苯並噻唑類、苯並咪唑類、苯並噁唑類等螢光增白劑，苯乙烯基苯類化合物，芳香族二次甲基類(aromaticdimethylidyne)化合物等。具體優選使用9，10隱二(2-萘基)蒽(ADN)、4,4'-雙(2，2'-二苯基乙烯基)聯苯(DPVBi)、2-甲基-9,10-二(2-萘基)蒽(MADN)、9，10-雙(9，9-二(正丙基)-苟-2-基)蒽(ADF)、9-(2-萘基)-10-(9,9-二(正丙基)-芴-2-基)蒽(ANF)等，形成發光層32。(空穴注入-遷移層33)空穴注入-遷移層33可以形成為使用來自陽極的空穴注入性優異、空穴遷移能力高的材料的單一層。但是，通常優選分為促進從陽極向有機層空穴注入的空穴注入層、和向發光層32進行空穴遷移的空穴遷移層兩層形成。在使用兩層結構的空穴注入-遷移層33的情況下，優選採用使空穴注入層與陽極接觸、空穴遷移層與發光層32接觸的結構。作為用於形成空穴注入-遷移層33的材料，可以使用具有三芳胺部分結構、咔唑部分結構、噁二唑部分結構的材料等通常有機EL元件中使用的空穴遷移材料。具體而言，例如可以使用N，N'-二苯基-N，N'-雙(3-甲基苯基)-i，i'-聯苯基-4,4'-二胺(TPD)、"^:^，:^'，:^-四(4-甲氧基苯基)-聯苯胺(MeO-TPD)、4,4'，4"-三{1-萘基(苯基)氨基}三苯基胺(l-TNATA)、4,4',4"-三{2-萘基(苯基)氨基}三苯基胺(2-TNATA)、4，4'，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、4,4'-雙(N-(l-萘基)-N-苯基氨基)聯苯(NPB)、2,2',7,7'-四(N，N-二苯基氨基)-9，9'-螺二荷(Spiro-TAD)、N,N'-二(聯苯基-4-基)-N,N'-二苯基-(l,l'-聯苯基)—4,4'-二胺(p-BPD)、三(鄰-三苯基-4-基)胺(o-TTA)、三(對-三苯基-4-基)胺(p-TTA)、1，3，5-三[4-(3-甲基苯基苯基氨基)苯基]苯(m-MTDAPB)、4,4',4"-三-9-咔唑基三苯基胺(TCTA)等，形成空穴注入-遷移層33。或者，也可以使用在上述空穴遷移材料中添加(p型摻雜)有電子接受性摻雜劑的材料，形成空穴注入層。可以使用的電子接受性摻雜劑，例如，包括四氰基苯醌二甲烷(tetracyano-quinodimethane)衍生物等的有機半導體。代表性的四氰基苯醌二甲烷衍生物是2，3，5，6-四氟-7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷(F4-TCNQ)。或者，可以使用氧化鉬(M003)、氧化鎢(W03)、氧化釩(V205)等無機半導體作為電子接受性摻雜劑。(載流子遷移性色變換層34)載流子遷移性色變換層34是具有電子注入/遷移性或空穴注入/遷移性、同時具有色變換功能的層。載流子遷移性色變換層34包含基質材料(hostmaterial)和一種或多種色變換色素。此時，優選基質材料具有載流子遷移性能，並且能夠吸收從發光層32發出的光，生成單態激發子。在使用具有電子注入/遷移性的載流子遷移性色變換層34的情況下，作為基質材料，可以使用Znsq2、Al屮等。色變換色素是(a)直接吸收發光層所發出的光(入射光)，進行波長分布變換，發出具有不同波長分布的光(變換光)的色素；或(b)接受吸收了發光層所發出的光的基質材料激發子的能量，發出具有與發光層發出的光不同波長分布的光的色素。作為本發明的色變換色素，可以使用吸收藍色藍綠色區域的光、發出紅色光或綠色光的色素。作為吸收藍色藍綠色區域的光、發出紅色光的色變換色素，可以利用4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-(對二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM-1、I)、DCM-2(11)、DCJTB(III)等雙花青類色素，1-乙基-2-(4-(對二甲基氨基苯基)-1，3-丁間二烯基)-吡啶姆-高氯酸鹽(l-ethyl-2-(4-(p-dimethylaminophenyl)-l,3-butadienyl)-pyridium-Perchlorate)(吡啶l)等吡啶類材料，若丹明類的咕噸類材料，噁嗪類材料，香豆素類色素，吖啶色素，其它縮合芳香環材料(二氧代吡咯[3，4-c]吡咯衍生物、噻二唑雜環的類似化合物發生縮環的苯並咪唑化合物、卟啉衍生物化合物、喹吖酮類化合物、雙(氨基苯乙烯基)萘化合物等)。另外，作為吸收藍色藍綠色區域的光、發出綠色光的色變換色素，可以含有例如3-(2'-苯並噻唑基)-7-二乙基氨基-香豆素(香豆素6)、3-(2'-苯並咪唑基)-7-二乙基氨基-香豆素(香豆素7)、3-(2'-N-甲基苯並咪唑基)-7-二乙基氨基-香豆素(香豆素30)、2，3,5,6-lH，4H-四氫-8-三氟甲基喹嗪(9,9a,l-gh)香豆素(香豆素153)等香豆素類色素，或作為香豆素色素類染料的鹼性黃51、以及溶劑黃-11(solventyellow11)、溶劑黃-116等萘二甲醯亞胺類色素等。另一方面，在使用具有空穴注入/遷移性的載流子遷移性色變換層34的情況下，作為基質材料，可以使用BAPP、BABP等低分子或CzPP、CzBP等高分子量二萘嵌苯類孔遷移材料(參照專利文獻6)。或者，作為基質材料，也可以使用作為具有孔遷移性的螢光材料的具有結合有芳基氨基的吖熒蒽骨架的氮雜芳香族化合物(參照專利文獻7)、具有與氨基結合的熒蒽骨架的縮合芳香族化合物(參照專利文獻8)、具有氨基的苯並菲芳香族化合物(參照專利文獻9)、或具有氨基的二萘嵌苯類芳香族化合物(參照專利文獻IO)。作為色變換色素，可以使用與上述具有電子注入/遷移性的載流子遷移性色變換層34同樣的材料。[色變換層40]本發明的色變換層40是通過採用蒸鍍法等乾式工序或噴墨、凹版印刷等印刷技術，使至少一種螢光色素附著而形成的層。本發明的色變換層40的膜厚為2000nm(2pm)以下，優選為1002000nm，更優選為1001000nm。在本發明中適合使用的螢光色素包括Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁配合物)等鋁配合物類色素、3-(2-苯並噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(香豆素6)、3-(2-苯並咪唑基)-7-二乙基氨基香豆素(香豆素7)、香豆素135等香豆素類色素，溶劑黃43、溶劑黃44那樣的萘二甲醯亞胺類色素等低分子有機螢光色素。另外，作為螢光色素，也可以使用以聚亞苯基類、聚芳撐類、聚芴類為代表的各種高分子發光材料。作為其他方法，可以使用在上述螢光色素中添加有第二螢光色素的兩種螢光色素的混合物，形成色變換層。在該結構中，上述螢光色素吸收向色變換層40的入射光，優選吸收有機EL元件發出的藍色藍綠色光，將吸收的能量轉移給第二螢光色素，第二螢光色素放射所希望波長的光。在本發明中，可以適合用作第二螢光色素的螢光色素包括二乙基喹吖酮(DEQ)等喹吖酮衍生物，DCM-1(I)、DCM-2(II)和DCJTB(III)等雙花青類色素，若丹明B、若丹明6G等口佔噸類色素，吡啶1等吡啶類色素，4,4-二氟-1,3,5,7-四苯基-4-硼-3￡1,4&二氮雜-s-苯並二茚(IV)(4，4-difluoro-l,3,5,7-tetmphenyl-4-bora-3a，4a-diaza-s-indacene(IV))，路瑪近F紅(LumogenFRed)，尼羅紅(V)等。formulaseeoriginaldocumentpage19在使用第二螢光色素的情況下，第二螢光色素不發生濃度消光是非常重要的。這是因為第二螢光色素是放射所希望光的材料，其濃度消光會造成色變換效率的下降。本發明的色變換層40中的第二螢光色素濃度的上限可以依賴於所使用的材料而變化。通常，以色變換層40的全部構成分子數為基準，本發明的色變換層40中的第二螢光色素的優選濃度為10摩爾％以下，優選在0.0110摩爾％的範圍內，更優選在0.15摩爾％的範圍內。通過以這樣範圍內的濃度使用第二螢光色素，能夠防止濃度消光，同時能夠得到充分的變換光強度。添加第二螢光色素的構成，能夠增大入射光吸收峰波長和色變換發光峰波長之差，所以，在從藍色向紅色變換時等波長移動幅度大時有效。並且由於功能被分離，還能夠擴大螢光色素的選擇範圍。本發明第二實施方式的有機EL顯示器包括；第一實施方式中記載的微諧振器色變換EL元件；和微諧振器EL元件，其具有至少一對電極、由該一對電極夾持並包含發光層的功能層、和一對光反射層，該發光層配置在該一對光反射層之間，該一對光反射層之間的距離設定為構成微諧振器的光學距離，該微諧振器能夠增強從上述發光層放射的光中特定波長的光的強度。藍色、綠色和紅色副像素由該微諧振器色變換EL元件或微諧振器EL元件中的任一個構成。本發明的微諧振器EL元件，除了不包括具有色變換功能的層(色變換層或載流子遷移性色變換層)、以及一對光反射層之間的距離設定為能夠增強從發光層放射的光中特定波長的光強度的光學距離之外，可以與第一實施方式中記載的微諧振器色變換元件具有同樣的結構。圖5表示本實施方式的有機EL顯示器的一個例子。圖5所示的有機EL顯示器由具有圖2所示結構的與紅色和綠色副像素相對應的微諧振器色變換有機EL元件、和與藍色副像素相對應的微諧振器有機EL元件構成。並且，通過適當設定紅色變換層40R、綠色變換層40G的膜厚，將符合各色副像素的反射層間距離100R和100G設定為，在色變換層40R和40G上以覆蓋顯示器整個表面的方式形成的半透過性反射層52和作為不透過性反射層51發揮功能的反射性電極21之間的距離。g卩，在藍色副像素中，在透明電極22上形成的半透過性反射層52與反射性電極21之間的距離100B設定為使發光層32發出的藍色光的強度增強的距離。另一方面，在綠色和紅色副像素中，在色變換層40(G、R)上形成的半透過性反射層52與反射性電極21之間的距離100(G、R)分別設定為使色變換層40(G、R)發出的綠色和紅色光的強度增強的光學距離。在本實施方式中，如圖5所示，微諧振器有機EL元件和微諧振器色變換有機EL元件間共有一對電極(21、22)和功能層30的結構非常方便。通過採用這樣的結構，能夠得到與通常的有機EL顯示器同樣的被動式矩陣驅動型或主動式矩陣驅動型的結構。另外，在本實施方式中，微諧振器色變換有機EL元件的色變換層40(R、G)形成於作為一對電極中一個的透明電極22和半透過性反射層52之間的結構非常方便。通過採用這樣的結構，容易製作與各色副像素相對應的色變換層40(R、G)，同時，通過適當設定色變換層40的膜厚，能夠將一對反射層之間的距離設定為所希望的光學距離。在本實施方式的有機EL顯示器中，可以在微諧振器色變換EL元件和微諧振器EL元件的光射出一側設置透過特定波長區域的光的濾色層，這是任意選擇的。例如，可以在構成藍色、綠色和紅色副像素的微諧振器色變換EL元件或微諧振器EL元件的射出一側(在圖5的結構中，半透過性反射層52—側)，設置藍色、綠色和紅色濾色層。通過設置濾色層，能夠提高各色副像素的射出光的顏色純度，能夠進行高品質的顯示。濾色層可以使用市售的平板顯示器用濾色材料製作。濾色層可以在半透過性反射層52上直接形成，或隔著鈍化層(使用SiOx、A10x、TiOx、TaOx、ZnOx等無機氧化物，SiNx等無機氮化物和SiN"y等無機氧氮化物等形成)形成。或者，也可以將在不同於支承基板10的透明支承體上設置有濾色層的濾色器貼合在上述有機EL顯示器的射出側，從而，使濾色層與規定種類的副像素相對配置。在圖5中，表示了藍色副像素由微諧振器有機EL元件形成、紅色和綠色副像素由微諧振器色變換有機EL元件形成的例子。但是，在本實施方式的有機EL顯示器中，也可以由微諧振器EL元件形成藍色副像素和紅色副像素、由微諧振器色變換EL元件形成綠色副像素。或者，也可以由微諧振器EL元件形成藍色副像素和綠色副像素、由微諧振器色變換EL元件形成紅色副像素。在由微諧振器有機EL元件形成多種副像素的情況下，在這些微諧振器有機EL元件內，可以設置用於調整一對反射層間的有效光路長的透明層(未圖示)。例如，在由微諧振器EL元件形成藍色副像素和紅色副像素的情況下，在藍色副像素的微諧振器有機EL元件或紅色副像素的微諧振器有機EL元件中的任意一個或兩個中設置透明層，能夠調整一對反射層間的光學距離。用於形成透明層的材料，包括SiOx、A10x、TiOx、TaOx、ZnC^等無機氧化物，SiNx等無機氮化物和SiNxOy等無機氧氮化物。透明層可以採用濺射法、CVD法、真空蒸鍍法等該技術中已知的任意方法形成。透明層例如可以設置在電極(優選透明電極)和半透過性反射層之間(圖5結構中的色變換層40的位置)。另外，也可以不設置透明層，使用例如對藍色和紅色兩種波長增強發光強度的多模微諧振器有機EL元件，形成多種副像素。在這種情況下，利用功能層30、透明電極22的膜厚調整微諧振器有機EL元件的有效光路長。如上述說明，通過在全部副像素中導入微諧振器結構，能夠得到色相不因為觀察角度而發生變化的視野角依存性小的有機EL顯示器。這是因為在圖1(b)所示的現有結構的顯示器中，從色變換層射出的光被各向同性地射出，相對於此，在圖5所示的本發明的顯示器中，在紅色副像素和綠色副像素中，從色變換層射出的光由於微諧振器而具有與藍色副像素同樣的指向性。實施例(實施例1)紅色發光的微諧振器色變換EL元件用鹼清洗液對長50mmX寬50mmX厚0.7mm的支承基板(ComingInc.生產，1737玻璃)進行清洗，再用純水充分清洗。接著，採用DC磁控濺射法將銀合金(FuruyaMetalCo.，Ltd.生產，APC-TR)附著在清洗後的支承基板上，形成膜厚100nm的銀合金膜。採用旋塗法，在銀合金膜上形成膜厚1.3pm的光致抗蝕劑(東京應化工業生產，TFR-1250)膜，在8(TC的潔淨烘箱中乾燥15分鐘。對光致抗蝕劑膜，通過2mm寬的條紋圖案的掩模，照射高壓汞燈產生的紫外光，用顯影液(東京應化工業生產，NMD-3)進行顯影，由此在銀合金薄膜上製作2mm寬的光致抗蝕劑圖案。接著，使用銀用蝕刻液(關東化學生產，SEA2)進行蝕刻，然後使用剝離液(東京應化生產，剝離液106)，剝離光致抗蝕劑圖案，製作由線寬2mm的條紋形狀部分構成的金屬層。在金屬層上，採用DC磁控濺射法，形成由銦鋅氧化物(IZO)構成的膜厚100nm的透明導電膜，與銀合金薄膜同樣採用光刻法進行圖案化，形成由與導電層圖案一致的條紋形狀部分構成的透明導電層，得到反射性電極。在IZO的蝕刻中，使用草酸。在室溫下，在具備低壓汞燈的UV/03清洗裝置中對形成有反射性電極的基板進行10分鐘處理。接著，將進行過清洗處理的基板安裝在電阻加熱真空蒸鍍裝置中，進行有機EL層的形成。在形成有機EL層時，將真空槽內壓減壓到lX10—4Pa。最初，共蒸鍍Alq3和金屬Li，使其摩爾比為1:1，形成膜厚20nm的電子注入層。接著，蒸鍍Alq3，形成膜厚10nm的電子遷移層。然後，共蒸鍍作為基質材料的ADN和作為發光摻雜劑的4,4'-雙(2-(4-(N，N-二苯基氨基)苯基)乙烯基)聯苯(DPAVBi)，形成膜厚30nm的發光層。在此，使ADN的蒸鍍速度為lA/s、DPAVBi的蒸鍍速度為0.03A/s。接著，蒸鍍NPB，形成膜厚20nm的空穴遷移層。最後，以使膜厚比2-TNATA:F4-TCNQ=100:2的蒸鍍速度共蒸鍍2-TNATA和F4-TCNQ，形成膜厚30nm的空穴注入層。不破壞真空地將形成有有機EL層的基板移動至相對的靶濺射裝置中，在空穴注入層上附著IZO，形成膜厚50nm的透明電極。此時，考慮在濺射時由於成膜粒子向橫向擴散而引起的圖案的模糊，使用具有lmm寬的條紋圖案的金屬掩模。得到的透明電極由在與反射性電極交叉的方向上延伸的、寬2mm的多個條紋形狀的部分電極構成。再次不破壞真空地將形成有透明電極的基板移動至電阻加熱真空蒸鍍裝置中，在透明電極上，以使膜厚比Alq3:DCM-2=100:3的蒸鍍速度共蒸鍍Alq3和DCM-2，形成膜厚320nm的色變換層。接著，在色變換層上蒸鍍Ag，形成膜厚10nm的半透過性反射層。接著，使用密閉搬送容器，將水分濃度和氧濃度維持在10ppm以下的環境，同時將形成有半透過性反射層的基板搬送到等離子體CVD裝置內。使用等離子體CVD法，使SiN附著在半透過性反射層上，形成膜厚lpm的保護膜。最後，在長41mmX寬41mmX厚l.lmm的密閉用玻璃基板(日本電氣硝子生產，OA-10)的整個表面塗布加熱固化型環氧粘合劑，將其貼合在保護膜上，密封有機EL發光部，得到紅色發光的微諧振器色變換EL元件。在本實施例的構成中，在微諧振器結構內，折射率差最大的界面是電子注入層(摻雜Li的Alq3、折射率1.73(610nm))和透明導電層(IZO、折射率2.01(610nm))的界面，其折射率差是0.28。(實施例2)紅色發光的微諧振器色變換EL元件除了使色變換層的膜厚為330nm、半透過性反射層的膜厚為20nm之外，重複實施例1的步驟，得到紅色發光的微諧振器色變換EL元件。(比較例l)紅色發光的色變換EL元件除了不形成半透過性反射層之外，重複實施例1的步驟，得到紅光發光的色變換EL元件。圖6表示實施例1、2和比較例1中製作的元件的發光光譜。另外，在表1中表示各元件的色度、電流效率(電流密度為10mA/cn^時)和亮度比(以比較例元件的亮度為1的相對值)的評價結果。由圖6可知，實施例1和2的發光光譜的峰強度比比較例1的強。結果，與比較例1的元件相比，具有微諧振器結構的實施例1和2的元件的發光效率提高到1.41.7倍。實施例1、2和比較例1的元件的評價tableseeoriginaldocumentpage24(實施例3)綠色發光的微諧振器色變換EL元件除了通過僅蒸鍍Akb形成色變換層，使色變換層的膜厚變為230nm之外，重複實施例1的步驟，得到綠色發光的微諧振器色變換EL元件。在圖7中表示得到的元件的發光光譜。在表2中表示得到的元件的色度和電流效率(電流密度為10mA/cr^時)的評價結果。由圖7和表2所示的結果可知，即使在使用具有寬的發光光譜的Alq3作為綠色變換色素的情況下，通過導入本發明的微諧振器結構，也能夠得到顏色純度優異的綠色光。在本實施例的構成中，在微諧振器結構內，折射率差最大的界面是電子注入層(摻雜Li的Alq3、折射率1.73(530nm))和透明導電層(IZO、折射率2.06(530nm))的界面，其折射率差是0.33。實施例3的元件的評價tableseeoriginaldocumentpage25(實施例4)有機EL顯示器本實施例提供具有圖5所示的大致截面的有機EL顯示器。作為支承基板10，準備在表面上配列有用於控制各副像素的多個開關元件(TFT元件，未圖示)的無鹼玻璃基板(縱50mmX橫50mmX厚0.7mm，CorningInc.生產，Eagle2000)。各TFT元件使用非晶矽製作。開關元件以縱向330pm、橫向110pm的間距，在縱向配列80個，在橫向配列240個。這相當於由RGB三種副像素構成的像素在橫向配列80個、在縱向配列80個。開關元件被用於將凹凸平坦化的膜厚約2(im的樹脂膜(未圖示)覆蓋，該樹脂膜具有用於使開關元件與光反射性電極連接的多個連接孔。與實施例1同樣操作，採用DC磁控濺射法，使膜厚100nm的銀合金(FuruyaMetalCo.，Ltd.生產，APC-TR)附著在樹脂膜上，與樹脂膜上的連接孔的位置符合地進行圖案化，在縱向330lam和橫向110|am的間距中，得到由長300pm和寬95)am的多個矩形部分構成的銀合金圖案(金屬層)。接著，採用DC磁控濺射法，附著膜厚100nm的IZO，與銀合金圖案符合地進行圖案化，在縱向330pm和橫向llOpm的間距中，得到由長310pm和寬10(Him的多個矩形部分構成的透明導電層圖案(透明導電層)。如上所述，得到由銀合金和透明導電層的疊層結構構成的被分割為多個部分電極的反射性電極21。該反射性電極21也作為不透過性反射層51發揮功能。另外，將構成反射性電極21的多個部分電極分別與開關元件1對1地連接。接著，採用旋塗法將感光性樹脂材料GEM-700-R2，JSR生產)塗布在基板上，使膜厚為l|am，隔著光掩模對感光樹脂材料膜照射高壓汞燈的光，使用顯影液(東京應化工業生產，NMD-3)使感光樹脂材料膜顯影。將得到的膜在加熱到20(TC的熱板上加熱20分鐘，得到具有在相當於各副像素的位置的長300|am和寬80nm的多個開口部的絕緣膜(未圖示)。接著，將形成有絕緣膜的基板安裝在電阻加熱真空蒸鍍裝置中，隔著在顯示區域(即形成有反射性電極21的區域)具有開口部的金屬掩模，形成有機EL層30。在形成有機EL層30時，將真空槽內壓減壓到1X10—4Pa。最初，共蒸鍍Alq3和金屬U，使其摩爾比為1:1，形成膜厚20nm的電子注入層。接著，蒸鍍Alq3，形成膜厚10nm的電子遷移層。接著，共蒸鍍作為基質材料的ADN和作為發光摻雜劑的4，4'-雙(2-(4-(N，N-二苯基氨基)苯基)乙烯基)聯苯(DPAVBi)，形成膜厚30nm的發光層32。在此，使ADN的蒸鍍速度為lA/s、DPAVBi的蒸鍍速度為0.03A/s。接著，蒸鍍NPB，形成膜厚20nm的空穴遷移層。最後，以使膜厚比2-TNATA:F4-TCNQ=100:2的蒸鍍速度共蒸鍍2-TNATA和F4-TCNQ，形成膜厚60nrn的空穴注入層。在此，電子注入層和電子遷移層的疊層結構相當於電子注入-遷移層31，空穴遷移層和空穴注入層的疊層結構相當於空穴注入-遷移層33。接著，不破壞真空地將形成有有機EL層30的基板移動至相對靶的濺射裝置中，隔著具有比形成有機EL層30時的金屬掩模寬的開口部的金屬掩模，在有機EL層30上附著IZO，形成膜厚50nm的透明電極22。透明電極22是在顯示區域整個表面形成的共用電極，通過使用具有寬開口部的金屬掩模，具有用於連接與外部驅動迴路連接的連接端子的區域。接著，再次不破壞真空地將形成有透明電極22的基板移動至電阻加熱真空蒸鍍裝置中。準備多個具有在長度方向上延伸的多個條紋形狀開口部的金屬掩模。金屬掩模的開口部分別具有9(^m的寬度，以33(Him的間距配列。在透明電極22上，隔著上述金屬掩模蒸鍍Alq3，在相當於綠色副像素的位置形成膜厚230nm的綠色變換層40G。接著，改變上述金屬掩模的位置，隔著金屬掩模，以使膜厚比Alq3:DCM-2=100:3的蒸鍍速度共蒸鍍Alq3和DCM-2，在相當於紅色副像素的位置形成膜厚320nm的紅色變換層40R。進一步在形成有綠色變換層40G和紅色變換層40R的基板上，隔著形成透明電極22時使用的金屬掩模，蒸鍍Ag，形成膜厚10nm的半透過性反射層52。然後，使用密閉搬送容器，將水分濃度和氧濃度維持在lOppm以下的環境，同時將形成有半透過性反射層的基板搬送到等離子體CVD裝置內。採用等離子體CVD法，使SiN附著在半透過性反射層上，形成膜厚lpm的保護膜(未圖示)，得到EL元件基板。在此，準備在長41mmX寬41mmX厚1.1mm的玻璃基板(日本電氣硝子生產，OA-10)表面上相當於紅色、綠色和藍色副像素的位置形成有對應顏色的濾色層(膜厚0.8pm)的濾光器(未圖示)。各濾光層使用彩色鑲嵌(ColorMosaic)CR-7001(紅色)、CG-7001(綠色)和CB-7001(藍色)(能夠從FujifilmElectronicMaterialsCo.,Ltd.得到)，按照通常的旋塗、圖案狀曝光、顯影和加熱固化的步驟製成。在濾色層的全部表面塗布加熱固化型環氧粘合劑，將其貼合在EL元件基板的保護膜上，密封有機EL發光部，得到有機EL顯示器。關於本實施例顯示器的紅色副像素和綠色副像素，在微諧振器結構內，如實施例1和實施例3所述，折射率差最大的界面是電子注入層和透明導電層的界面，其折射率差分別是0.28和0.33。另外，關於本實施例顯示器的藍色副像素，在微諧振器結構內，折射率差最大的界面是電子注入層(摻雜Li的Alq3、折射率1.80(470nm))和透明導電層(IZO、折射率2.12(470nm))的界面，其折射率差是0.32。在圖8中表示得到的有機EL顯示器的各色副像素的發光光譜。另外，在表3中表示以10mA/cr^的電流密度使各色副像素髮光時的色度和發光效率。[表3]實施例4的顯示器的評價tableseeoriginaldocumentpage28另外，對從正面(和顯示面的法線所成的角是0°)觀察該顯示器的情況和從與顯示面的法線所成的角是70。的斜向觀察該顯示器的情況進行比較，可知色調沒有大的變化。這是由於紅、藍、綠各副像素採用同樣的微諧振器結構，發光的方向依存性沒有差別。如上所述，利用組合本發明得到的色變換層和微諧振器結構的有機EL元件，能夠提供色再現性、發光效率優異的有機EL顯示器。權利要求1.一種微諧振器色變換EL元件，其特徵在於具有至少一對電極、由所述一對電極夾持並包含發光層的功能層、吸收從發光層發出的光並發出不同波長的光的色變換層、和一對光反射層，所述發光層和所述色變換層配置在所述一對光反射層中間，所述一對光反射層由不透過性反射層和半透過性反射層構成，所述不透過性反射層與所述半透過性反射層之間的間隔設定為構成微諧振器的光學距離，所述微諧振器能夠增強從所述色變換層放射的光中特定波長的光的強度。2.如權利要求1所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述一對電極由透明電極和光反射性電極構成，並且所述光反射性電極也作為所述不透過性反射層發揮功能。3.如權利要求2所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述光反射性電極由金屬形成。4.如權利要求2所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述光反射性電極由金屬與透明導電層的疊層體形成。5.如權利要求3或4所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述金屬選自A1、Ag、Mg、Zn、Ta的單體或它們的合金。6.如權利要求3所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述金屬是選自Al、Ag、Mg、Zn、Ta中的至少1種與選自Li、Na、K、Rb、Cs、Ca中的至少l種的合金。7.如權利要求1所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述色變換層設置在所述發光層與所述半透過性反射層之間。8.如權利要求1所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述半透過性反射層是金屬膜。9.如權利要求8所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於構成所述半透過性反射層的金屬膜由選自Ag、Au、Cu、Mg、Li和以它們為主要成分的合金中的金屬形成。10.如權利要求1所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於.-在存在於所述一對光反射層之間的所有層邊界中，鄰接的兩層發光層在發光波長區域的折射率之差在0.35以內。11.如權利要求1所述的微諧振器色變換EL元件，其特徵在於所述色變換層是僅由1種或多種有機色素形成的層。12.—種有機EL顯示器，其特徵在於，包括；權利要求1所述的微諧振器色變換EL元件；和微諧振器EL元件，其具有至少一對電極、由所述一對電極夾持並包含發光層的功能層、和一對光反射層，所述發光層配置在所述一對光反射層之間，所述一對光反射層之間的距離設定為構成微諧振器的光學距離，所述微諧振器能夠增強從所述發光層放射的光中特定波長的光的強度，其中，藍色、綠色和紅色副像素由所述微諧振器色變換EL元件或微諧振器EL元件中的任一個構成。13.如權利要求12所述的有機EL顯示器，其特徵在於藍色副像素由微諧振器EL元件構成，綠色副像素和紅色副像素由微諧振器色變換EL元件構成。14.如權利要求12所述的有機EL顯示器，其特徵在於藍色副像素和紅色副像素由微諧振器EL元件構成，綠色副像素由微諧振器色變換EL元件構成。15.如權利要求12所述的有機EL顯示器，其特徵在於藍色副像素和綠色副像素由微諧振器EL元件構成，紅色副像素由微諧振器色變換EL元件構成。16.如權利要求12所述的有機EL顯示器，其特徵在於在所述微諧振器色變換EL元件中，所述一對電極中的一個是透明電極，所述色變換層配置在所述透明電極和所述半透過性反射層之間。17.如權利要求12所述的有機EL顯示器，其特徵在於在藍色、綠色和紅色副像素中，在微諧振器色變換EL元件或微諧振器EL元件的光射出一側，還包含與各副像素顏色相對應的濾色層。全文摘要本發明提供一種能夠增強來自色變換層的變換光強度的色變換方式的有機EL元件、和色調視野角依存性小的能夠採用簡便方法製造的有機EL顯示器。該微諧振器色變換EL元件具有至少一對電極、由該一對電極夾持並包含發光層的功能層、吸收從發光層發出的光並發出不同波長的光的色變換層、和一對光反射層，發光層和色變換層配置在一對光反射層中間，一對光反射層由不透過性反射層和半透過性反射層構成，不透過性反射層與半透過性反射層之間的間隔設定為構成微諧振器的光學距離，該微諧振器能夠增強從色變換層放射的光中特定波長的光的強度。本發明的顯示器使用該微諧振器色變換EL元件。文檔編號H01L27/32GK101521263SQ20091011830公開日2009年9月2日申請日期2009年2月25日優先權日2008年2月27日發明者寺尾豐申請人:富士電機控股株式會社