在穿矽通孔鍍敷中減少副產品的製作方法
2023-06-03 09:37:21
專利名稱：在穿矽通孔鍍敷中減少副產品的製作方法
技術領域：
背景技術：
鑲嵌處理是一種用於在集成電路上形成金屬線的方法。之所以經常使用這種方法，是因為其需要的處理步驟比其它方法少，而且能提供較高的合格率。有時候會配合鑲嵌處理使用穿矽通孔(TSV)，通過經由內部布線提供垂直對準的電子裝置的互連來創建三維 (3D)封裝及3D集成電路。此些3D封裝和3D集成電路可顯著降低多晶片電子電路的複雜度及總體尺寸。在鑲嵌處理期間或在TSV中形成的集成電路的表面上的導電路徑通常填充有銅。
發明內容
提供用於鍍敷金屬的方法、設備及系統。根據各種實施方案，所述方法涉及降低鍍敷溶液中的氧濃度，使晶片襯底與鍍敷溶液接觸，及將金屬電鍍到晶片襯底上。根據一個實施方案，一種將金屬電鍍到晶片襯底上的方法包含降低鍍敷溶液的氧濃度。鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑。在降低了鍍敷溶液的氧濃度之後，在鍍敷單元中使晶片襯底與鍍敷溶液接觸，其中鍍敷單元中的鍍敷溶液的氧濃度為約百萬分之1或更少。接著，在鍍敷單元中將金屬電鍍到晶片襯底上。根據一個實施方案，一種溶液包含金屬鹽，約百萬分之1或更少的氧，約百萬分之 10或更少的加速劑，及約百萬分之300或更少的抑制劑。所述溶液可為鍍敷溶液，或所述溶液可為預潤溼溶液。根據一個實施方案，一種用於電鍍金屬的設備包含鍍敷單元及控制器。所述控制器包含用於進行包含以下操作的工藝的程序指令1)降低包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑的鍍敷溶液的氧濃度；幻在降低了鍍敷溶液的氧濃度之後，在鍍敷單元中使晶片襯底與鍍敷溶液接觸，其中鍍敷單元中的鍍敷溶液的氧濃度為約百萬分之1或更少；及3)在鍍敷單元中將金屬電鍍到晶片襯底上。根據一個實施方案，一種包括用於控制沉積設備的程序指令的非暫態計算機機器可讀媒體包含用於以下操作的代碼1)降低包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑的鍍敷溶液的氧濃度；幻在降低了鍍敷溶液的氧濃度之後，在鍍敷單元中使晶片襯底與鍍敷溶液接觸，其中鍍敷單元中的鍍敷溶液的氧濃度為約百萬分之 1或更少；及3)在鍍敷單元中將金屬電鍍到晶片襯底上。
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附圖及以下描述中闡述本說明書中描述的標的物的實施方案的這些及其它方面。
圖1展示將金屬電鍍到晶片襯底上的方法的實例。圖2展示經配置以執行本文中揭示的方法的設備的示意說明的實例。圖3展示電鍍填充系統的示意說明的實例。
具體實施例方式在以下詳細描述中，闡述了許多具體實施方案，以便提供對所揭示的實施方案的透徹理解。然而，所屬領域的技術人員將明白，可在沒有這些特定細節的情況下，或通過使用替代元件或工藝來實踐所揭示的實施方案。在其它例子中，未詳細描述眾所周知的工藝、 程序及組件，以便不會不必要地混淆本發明的各個方面。在本申請案中，術語「半導體晶片」、「晶片」、「襯底」、「晶片襯底」及「部分製造的集成電路」可互換使用。所屬領域的技術人員應了解，術語「部分製造的集成電路」可指代在其上的集成電路製造的許多階段中的任一階段期間的矽晶片。以下詳細描述假設本發明是在晶片上實施。然而，本發明不限於此。工件可為各種形狀、大小及材料。除了半導體晶片之外，可利用本發明的其它工件包含各種物件，例如印刷電路板等等。本文中所述的一些實施方案涉及用於在晶片襯底的特徵中鍍敷金屬的方法、設備及系統。所揭示的方法特別適用於以高縱橫比(大於約10 1)對具有至少約5微米直徑的通孔開口的穿矽通孔(TSV)特徵鍍敷銅。第7，776，741號美國專利中進一步描述了 TSV 結構，所述專利以引用的方式併入本文中。在所揭示的方法的實施方案中，用於電鍍銅的鍍敷溶液可在鍍敷單元中具有小於約百萬分之3的氧濃度，且大體上小於約百萬分之1。電鍍溶液還可包含約百萬分之10的濃度的加速劑，及約百萬分之300的濃度的抑制劑。引言鍍敷溶液可含有大量添加劑，包含加速劑、抑制劑及整平劑。加速劑(也稱為拋光劑)是提高鍍敷反應的速率的添加劑。加速劑是吸附在金屬表面上且在給定施加電壓下增加局部電流密度的分子。加速劑可含有附屬硫原子，其被認為是參與銅離子還原反應，且因此強烈影響金屬薄膜的成核和表面生長。加速劑添加劑一般是巰基丙烷磺酸(MPQ、二巰基丙烷磺酸(DPQ或雙(3-磺丙基)二硫醚(SPS)的衍生物，但可使用其它化合物。沉積加速劑的非限制性實例包含以下2-巰基乙磺酸(MESA)、3-巰基-2-丙磺酸(MPSA)、二巰基丙醯基磺酸(DMPSA)、二巰基乙磺酸(DMESA)、3_巰基丙酸、巰基丙酮酸酯、3-巰基-2-丁醇及1- 二羥丙硫醇。第5，252，196號美國專利中描述了一些有用的加速劑，所述專利以引用的方式併入本文中。舉例來說，加速劑可作為UltrafillA-2001從雪麗公司(Shipley)(麻薩諸塞州，馬爾博勒市)或作為SC Primary從樂思化學公司(康奈提格州，西漢文市)購買到。抑制劑是傾向於在吸附到金屬表面上之後抑制電流的聚合體。抑制劑可從聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、聚氧化乙烯或其衍生物或共聚體衍生而來。舉例來說，商用抑制劑包含來自雪麗公司(麻薩諸塞州，馬爾博勒市)的Ultrafill S-2001及來自樂思化學公司(康奈提格州，西漢文市)的S200。
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整平劑通常可為陽離子表面活性劑及染料，其抑制其質量傳遞速率最快速的位置的電流。因此，鍍敷溶液中的整平劑的存在用於在優先吸附有整平劑的突出表面或隅角處降低薄膜生長速率。由於差異質量傳遞效應引起的整平劑的吸附差異可能具有重要影響。 第6，793，796號美國專利中進一步描述了加速劑、抑制劑及整平劑，所述專利以引用的方式併入本文中。當用金屬填充TSV特徵時，可在鍍敷溶液中維持鍍敷溶液添加劑(特別是加速劑與抑制劑)的效應之間的平衡。抑制劑可用以抑制晶片襯底的場區中的金屬鍍敷，但並不抑制TSV特徵中的金屬鍍敷。加速劑可加速晶片襯底上的高電流密度的區域中的金屬鍍敷；晶片襯底上的高電流密度的區域可包含TSV特徵。可在約一秒完成在晶片襯底上的鑲嵌特徵中電鍍金屬。因此，當填充了鑲嵌特徵時，可能很少有加速劑與抑制劑的效應之間的平衡可能被擾亂的時間。相比之下，在晶片襯底上的TSV特徵中電鍍金屬可能在約30分鐘或更長的時間進行。TSV特徵的鍍敷時間可能取決於通孔的直徑及通孔的深度兩者，且可能會隨通孔的直徑及/或深度增加。可能難以在填充TSV特徵所需的這些較長時間中維持加速劑及抑制劑的效應之間的平衡。因此，可能對TSV鍍敷使用不同於鑲嵌鍍敷的添加劑廓型。請注意，可對TSV鍍敷使用較低濃度的加速劑。雖然直覺上看不是這樣，但低加速劑濃度可提供優點，特別是對於TSV應用，因為其允許晶片襯底表面上的場區上的加速劑積累減少，同時在電鍍填充的長時期中仍然驅動 TSV特徵中的倒置填充。對於高縱橫比特徵來說尤其是這樣，其中縱橫比大於約10 1，且特徵開口的直徑為約5微米或更大。可能重要的是在晶片襯底表面的包含TSV的場區上維持長時間的抑制，因為長時間抑制可允許在TSV中驅動填充。如果晶片襯底表面的場區被加速(或不被抑制)，那麼可輔助在TSV中鍍敷金屬的電流可能改為傾向於在場區中沉積金屬，並降低TSV的鍍敷速度。此外，不在晶片襯底表面的場區上維持長時間抑制可能會導致在TSV中形成空隙，這種情況不宜發生。然而，由於來自加速劑的副產品的堆積，可能無法實現當前在低加速劑濃度(例如，小於約百萬分之10 (ppm))鍍敷溶液中的TSV鍍敷。相比而言，可在高加速劑濃度(例如，約10到50ppm)鍍敷溶液中執行鑲嵌鍍敷，已發現這並不適合於TSV應用。與低加速劑濃度鍍敷溶液相關聯的副產品導致晶片的場區隨著鍍敷的進展而變得過度加速。這又導致深特徵(例如，TSV特徵)的填充出現問題，因為驅動特徵的填充的抑制梯度丟失(即，隨著加速劑副產品在場上堆積，可能會連續丟失場抑制)。在鍍敷溶液中溶解的氧可能至少部分地導致這些麻煩的副產品的產生。在特定鍍敷浴液中產生的副產品的論述見「用在銅電鍍浴液中流動的陰極電流進行的雙-(3-磺丙基二硫化鈉)分角軍(Bis-(3-sodiumsulfopropyl disulfide)Decomposition with CathodicCurrent Flowing in a Copper-Electroplating Bath)，，，〈〈電子化學學會期刊》，第157卷，第1期，第H131-H135頁(2010)，作者是李文希(Wen-Hsi Lee)、洪智成 (Chi-ChengHung)、常世清(Shih-Chieh Chang)及王英朗(Ying-Lang Wang)，該文以引用的方式併入本文中。用於破壞特定加速劑(雙(3-磺丙基)二硫醚(SPS))的提議的反應機制見「銅通孔填充工藝期間的雙(3-磺丙基)二硫醚(SPQ的失效機制anvalidating mechanismof bis (3-sulfopropy1)disulfide (SPS) during copper via—fillingprocess)」，《應用表面科學》，第255卷，第8期，2009年2月1日，第4389-4392頁，作者為王維(Wei Wang)、李亞冰(Ya-Bing Li)及李勇雷(Yong-Lei Li)，該文以引用的方式併入本文中。舉例來說，當使用二巰基丙烷磺酸(DPS)基加速劑時，鍍敷溶液中的巰基丙烷磺酸(MPQ與其二聚體(雙(3-磺丙基)二硫醚(SPS))之間存在均衡。MPS的兩個分子可組合而形成SPS，且SPS可分裂而形成MPS的兩個分子。然而，當MPS分子氧化時，其無法重組二聚體。據信，氧化的MPS分子傾向於在晶片襯底的場區上聚集，在此位置上，其持續可用於加速金屬沉積。這些氧化的MPS分子可能會打亂加速劑與抑制劑之間的平衡，並超過晶片襯底的場區中的抑制劑的效應。這在TSV鍍敷中特別成問題，其中電鍍填充在長時期中發生，例如約幾十分鐘。因此，為了在低加速劑濃度的鍍敷溶液中持續鍍敷，可限制鍍敷溶液中的氧的量， 以便使鍍敷溶液穩定。當鍍敷溶液中存在氧時，加速劑可隨時間隨著電荷穿過鍍敷溶液而氧化。具體來說，在電鍍銅期間，低鍍敷電流可能會在晶片襯底上產生穩定的銅離子。銅離子可能與加速劑反應，且可形成催化劑，其促進氧化的加速劑副產品的形成。所揭示的實施方案可允許鍍敷溶液的穩定且因此允許長時間地鍍敷深特徵，原因在於從加速劑與氧之間的反應產生的氧化加速劑副產品減到最少。除了提供穩定的鍍敷溶液之外，所揭示的實施方案還可降低用於電鍍設備的消耗品的成本，因為加速劑的降級有限。方法圖1展示將金屬電鍍到晶片襯底上的方法的實例。在方法100的框102開始，降低鍍敷溶液的氧濃度。鍍敷溶液中的氧濃度可能歸因於大氣中的氧，且可為約8到lOppm，這取決於大氣壓。據信鍍敷溶液中的此氧濃度會提高從加速劑形成副產品的速率(有時候產生約十億分之(ppb)10到1000的副產品濃度)。如上文解釋，隨著電荷穿過鍍敷溶液及加速劑破壞，這些副產品可能會隨時間而改變金屬沉積特性。在一些實施方案中，為了減少或消除這些副產品的形成，在晶片襯底被放置成與鍍敷單元中容納的鍍敷溶液接觸之前，鍍敷溶液的氧濃度水平可能會降低。在一些實施方案中，可從外部儲藏庫或隔間向鍍敷單元供應鍍敷溶液。在一些實施方案中，在鍍敷單元(其中發生電鍍)及隔間中可維持不同濃度的氧濃度。舉例來說，當在鍍敷單元中鍍敷溶液中的氧濃度小於約Ippm時，在隔間中鍍敷溶液中的氧濃度可小於約lOppm。在一些實施方案中，鍍敷單元中的鍍敷溶液的氧濃度可能低於隔間中的鍍敷溶液的氧濃度，因為如下文所述，就在進入鍍敷單元之前，鍍敷溶液可能會穿過脫氣裝置。在一些實施方案中，鍍敷溶液可包含約IOppm或更少的加速劑，及約300ppm或更少的抑制劑。在一些實施方案中，鍍敷溶液可包含約5ppm或更少的加速劑，約Ippm到5ppm 的加速劑，約2ppm的加速劑，或約2ppm或更少的加速劑。在一些實施方案中，鍍敷溶液可包含約50ppm到200ppm的抑制劑，或約200ppm到250ppm的抑制劑。一般來說，抑制劑濃度的上界是抑制劑浸透場區的濃度。在範圍內的工藝條件下，約200ppm或更高的抑制劑濃度可能會使晶片襯底的場區中浸透了抑制劑，同時允許特徵中的抑制劑量減少。在鍍敷於晶片襯底上的金屬為銅的實施方案中，鍍敷溶液含有每升約20到100克或每升約40到80克的濃度的銅。在一些實施方案中，鍍敷溶液可含有每升約80克的濃度的銅。在一些實施方案中，鍍敷溶液大致不含整平劑。整平劑還可能會隨鍍敷時間的延長而降級，這可能會阻礙鍍敷工藝並引起填充問題。在框104處，在鍍敷單元中使晶片襯底與鍍敷溶液接觸。在一些實施方案中，鍍敷單元中的鍍敷溶液的氧濃度為約百萬分之1或更少。在一些實施方案中，鍍敷單元中的鍍敷溶液的氧濃度可為約十億分之(ppb)lOO或更少，或者鍍敷溶液中可能大致沒有氧。在其它一些實施方案中，鍍敷單元中的鍍敷溶液的氧濃度可為約5ppm或更少，或約3ppm或更少。在框106處，在鍍敷單元中將金屬電鍍到晶片襯底上。可將可通過控制電流及/ 或電位來提供的電力施加到晶片襯底以沉積金屬。在一些實施方案中，電鍍發生約1分鐘到5小時。在其它一些實施方案中，電鍍發生約至少約10分鐘或約10分鐘到3小時。在一些實施方案中，可將金屬電鍍到晶片襯底的TSV上。在其它一些實施方案中，可將金屬電鍍到晶片襯底的晶片襯底級封裝特徵上。在一些實施方案中，圖1所示的方法100還可包含預潤溼操作。舉例來說，在一些實施方案中，在將晶片襯底放置成與鍍敷溶液接觸之前，可將晶片襯底預潤溼。預潤溼工藝可克服在晶片襯底與鍍敷溶液接觸時可能變得俘獲於晶片襯底上的特徵中的氣泡的不利影響。預潤溼工藝的一個實例包含1)使晶片襯底以第一旋轉速率旋轉，及幻通過在使晶片襯底以第一旋轉速率旋轉的同時使晶片襯底與脫氣的預潤溼流體接觸而在亞大氣壓下在晶片襯底上形成潤溼層，所述脫氣的預潤溼流體處於液態。在一些實施方案中，預潤溼溶液可能大致不含氧。在一些實施方案中，預潤溼溶液可為與鍍敷溶液相同的溶液。在其它一些實施方案中，預潤溼溶液可為與鍍敷溶液不同的溶液。舉例來說，可將去離子水用作預潤溼溶液。在以下申請案中更詳細地描述了預潤溼工藝及用於執行預潤溼工藝的設備2010年1月8日申請的標題為「用於增強型鑲嵌金屬填充的潤溼預處理(WETTING PRETREATMENT FOR ENHANCEDDAMASCENE METAL FILLING) 」的第12/684，787號美國專利申請案，及2010年1月8日申請的標題為「用於增強型鑲嵌金屬填充的潤溼預處理的設備(APPARATUSFOR WETTING PRETREATMENT FOR ENHANCED DAMAS CENE METALFILLING)，，的第12/684，792號美國專利申請案，所述兩個申請案均以引用的方式併入本文中。在用以確定降低鍍敷溶液中的氧濃度的影響的實驗中，使用具有相同成分的鍍敷溶液來鍍敷晶片襯底，但一種鍍敷溶液經過脫氣，而一種鍍敷溶液未經脫氣。鍍敷了晶片襯底，允許經過一段時間，正在鍍敷其它晶片襯底，依此類推。兩種鍍敷溶液均包含約2ppm的加速劑，約IOOppm的抑制劑，及約每升60克的銅。晶片襯底中的TSV特徵的直徑約為6微米，且深度約為60微米。在鍍敷工藝之前用去離子水將晶片襯底預潤溼，且在相同條件(例如，相同電壓及電流波形)下鍍敷所有晶片襯底。鍍敷浴液隔間及鍍敷單元兩者中的未脫氣鍍敷溶液的氧濃度約為8ppm。鍍敷浴液隔間中的脫氣鍍敷溶液的氧濃度約為2. 5ppm，且鍍敷單元中的脫氣鍍敷溶液的氧濃度約為lppm。當首次使用鍍敷溶液時，鍍敷溶液完全填充TSV特徵，但在使用約15小時且經過約5次鍍敷操作之後，鍍敷溶液不完全填充TSV特徵，這表明，在使用不到M小時之後，未脫氣鍍敷溶液的鍍敷性能降級。相比之下，對於未脫氣鍍敷溶液，在約使用30天且經過約1000次鍍敷操作之後，鍍敷溶液未展現出任何降級的跡象。設備所揭示的實施方案的另一方面是一種經配置以實現本文中所述的方法的設備。合適的設備包含根據本發明的用於實現工藝操作的硬體，及具有用於控制工藝操作的指令的系統控制器。用於實現工藝操作的硬體包含電鍍設備。系統控制器將大體上包含一個或一個以上存儲器裝置及經配置以執行所述指令使得所述設備將執行根據本發明的方法的一個或一個以上處理器。含有用於根據本發明控制工藝操作的指令的機器可讀媒體可耦合到系統控制器。圖2展示經配置以執行本文中揭示的方法的設備的示意說明的實例。所述設備包含鍍敷單元202、鍍敷溶液隔間204及脫氣裝置206。脫氣裝置也可稱為脫氣器或接觸器。 與設備200相關聯的箭頭指示設備中的鍍敷溶液的流動。設備200可進一步包含各種閥、 真空泵及其它硬體(未圖示)。當設備200在操作時，鍍敷溶液可從鍍敷浴液隔間204、穿過脫氣裝置206流動到鍍敷單元202中，然後流動回到鍍敷浴液隔間204。在鍍敷溶液從鍍敷浴液隔間204進入鍍敷單元202之前，鍍敷溶液穿過脫氣裝置206。脫氣裝置206從鍍敷溶液中移除一種或一種以上溶解的氣體(例如，02及隊兩者)。在一些實施方案中，脫氣裝置是薄膜接觸脫氣器。可購買到的脫氣裝置的實例包含來自膜片公司(Membrana)(北卡羅來納州，夏洛特市)的Liquid-Cel 及來自應特格公司 (Entegris)(明尼蘇達州，查斯卡市)的pHasor 。可用位於鍍敷單元及/或鍍敷浴液隔間中的合適的儀表(例如，商用溶解氧儀表(未圖示))來監視鍍敷溶液中溶解的氣體的量。在一些實施方案中，通過使用真空泵(未圖示)向隔間施加真空來從鍍敷浴液隔間的體積中清除氣體以便實現最低量的溶解氣體。還可通過增加流體暴露於真空的表面， 例如通過使流體在噴霧器中或穿過噴淋柱從循環迴路重新進入鍍敷浴液隔間來提高從鍍敷溶液中移除氣體的速率。圖3展示電鍍填充系統300的示意說明的實例。電鍍填充系統300包含三個分開的電鍍填充模塊302、304及306。電鍍填充系統300還包含三個分開的後電鍍填充模塊 (PEM) 312、314及316，其經配置以用於各種工藝操作。模塊312、314及316可為後電鍍填充模塊(PEM)，其各自經配置以在已通過電鍍填充模塊302、304及306中的一者處理了晶片之後，執行例如晶片的邊緣斜面移除、背面蝕刻及酸洗等功能。電鍍填充系統300包含中央電鍍填充腔室324。中央電鍍填充腔室3 是容納用作電鍍填充模塊中的鍍敷溶液的化學溶液的腔室。電鍍填充系統300還包含定量配給系統 326，其可儲存及遞送用於鍍敷溶液的化學添加劑。化學稀釋模塊322可儲存及混合待用作例如PEM中的蝕刻劑的化學物質。過濾與抽吸單元3 可為中央電鍍填充腔室3 過濾鍍敷溶液，且將其抽吸到電鍍填充模塊。如上所述，所述系統還包含脫氣裝置(未圖示)。鍍敷溶液可在被抽吸到電鍍模塊之前穿過脫氣裝置。系統控制器330提供操作電鍍填充系統300所需的電子設備及接口控制。系統控制器330大體上包含一個或一個以上存儲器裝置及經配置以執行指令使得所述設備可執行根據本文中所述的實施方案的方法的一個或一個以上處理器。含有用於根據本文中所述的實施方案控制工藝操作的指令的機器可讀媒體可耦合到系統控制器。系統控制器330還可包含用於電鍍填充系統300的電源。
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電鍍模塊及相關聯的組件的實例展示於2010年5月M日申請的標題為「用於薄晶種層上的鍍敷的脈衝序列(PULSE SEQUENCE FOR PLATING ON THIN SEEDLAYERS) 」的第 12/786，329號美國專利申請案中，其以引用的方式併入本文中。在操作中，傳遞工具(hand-off tool) 340可從晶片卡盒(例如卡盒342或卡盒 344)中選擇晶片。卡盒342或344可為前開口統一片盒(FOUP)。FOUP是一種經設計以在受控的環境中穩固並安全地固持晶片且允許通過配備有合適的裝載口及堅固的處置系統的工具來移除晶片以供處理或測量的罩殼。傳遞工具340可使用真空附著或其它某種附著機構來固持晶片。傳遞工具340可與退火臺332、卡盒342或344、傳送臺350或對準器348介接。 傳遞工具346可從傳送臺350接近晶片。傳送臺350可為一條溝槽或一個位置，傳遞工具 340及346可向其傳遞晶片，而無需經過對準器348。然而，在一些實施方案中，為了確保晶片在傳遞工具346上正確地對準以便精確地遞送到電鍍填充模塊，傳遞工具346可使晶片與對準器348對準。傳遞工具346還可將晶片遞送到電鍍填充模塊302、304或306中的一者或經配置以用於各種工藝操作的三個分開的模塊312、314及316中的一者。舉例來說，傳遞工具346可將晶片襯底遞送到電鍍填充模塊302，在此處根據本文中所述的實施方案將金屬(例如，銅)鍍敷到晶片襯底上。在電鍍操作完成之後，傳遞工具 346可從電鍍填充模塊302中移除晶片襯底，且將其遞送到PEM中的一者，例如PEM 312。 PEM可清洗、漂洗及/或乾燥晶片襯底。此後，傳遞工具346可將晶片襯底移動到PEM中的另一者，例如PEM 314。此處，可通過由化學稀釋模塊322提供的蝕刻劑溶液從晶片襯底上的一些位置(例如，邊緣斜面區域及背面)蝕刻掉多餘的金屬(例如，銅)。模塊314還可清洗、漂洗及/或乾燥晶片襯底。在電鍍填充模塊及/或PEM中的處理完成之後，傳遞工具346可從模塊中取回晶片，並將其送回到卡盒342或卡盒344。後電鍍填充退火可在電鍍填充系統300或在另一工具中完成。在一個實施方案中，後電鍍填充退火是在退火臺332中的一者中完成。在其它一些實施方案中，可使用專用退火系統，例如熔爐。接著，可將卡盒提供到其它系統(例如， 化學機械拋光系統)以供進一步處理。合適的半導體處理工具包含加州聖何賽市諾發系統公司(Novellus Systems) 製造的切刀系統(Sabre System)及切刀系統3D Lite，加州聖克拉拉市應用材料公司(AppliedMaterials)製造的超薄單元系統，或蒙大拿州卡利斯佩爾市賽米特公司 (Semitool)製造的 Raider 工具。本文中所述的方法及設備在鍍敷具有相對大的特徵的襯底時提供特別的優點。應了解，這些鍍敷條件及設備不限於TSV應用。舉例來說，還可在晶片級封裝應用中使用降低氧的鍍敷溶液來鍍敷例如銅再分布線、支柱、凸塊等。其它實施方案上文所述的設備/方法可配合光刻圖案化工具或工藝使用，例如以用於生產或製造半導體裝置、顯示器、LED、光伏面板等等。一般來說，雖然並非必要，但將在普通的製造設施中一起使用或實行此些工具/工藝。薄膜的光刻圖案化一般包括以下步驟中的一些或全部(每一步驟是用多個可能的工具來實現)(1)使用旋塗或噴塗工具在工件(即，襯底) 上塗覆光致抗蝕劑；( 使用熱板或熔爐或UV固化工具將光致抗蝕劑固化；C3)用例如晶片分檔器等工具使光致抗蝕劑暴露於可見的UV或χ射線光；(4)使光致抗蝕劑顯影，以便選擇性地移除抗蝕劑且因此使用例如溼臺等工具將其圖案化；( 通過使用乾式或等離子輔助蝕刻工具將抗蝕劑圖案轉印到下層薄膜或工件中；以及(6)使用例如RF或微波等離子抗蝕劑剝除器等工具移除抗蝕劑。 還應注意，有許多實施所揭示的方法及設備的替代方式。因此，希望將所附權利要求書解釋為包含屬於本發明的實施方案的真正精神及範圍內的所有此些更改、修改、置換及替代等效物。
權利要求
1.一種方法，其包括降低鍍敷溶液的氧濃度，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑；在降低了所述鍍敷溶液的所述氧濃度之後，在鍍敷單元中使晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸，其中所述鍍敷單元中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度為約百萬分之1或更少；以及在所述鍍敷單元中將金屬電鍍到所述晶片襯底上。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之5或更少的所述加速劑。
3.根據權利要求1所述的方法，其中所述品片襯底包括至少一個特徵，其具有至少約 10 1的縱橫比及至少約5微米的開口直徑或寬度。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述電鍍發生至少約10分鐘。
5.根據權利要求1所述的方法，其中將所述金屬電鍍到穿矽通孔上。
6.根據權利要求1所述的方法，其中將所述金屬電鍍到晶片襯底級封裝特徵上。
7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述鍍敷溶液從鍍敷隔間供應到所述鍍敷單元，其中所述鍍敷隔間中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度小於約百萬分之10，且其中在從所述鍍敷隔間供應所述鍍敷溶液時執行降低所述鍍敷溶液的所述氧濃度。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍍敷溶液大致不包含整平劑。
9.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬包含銅。
10.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍍敷溶液包含約每升40到80克的銅。
11.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在使所述晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸之前預潤溼所述晶片襯底。
12.根據權利要求11所述的方法，其中用所述鍍敷溶液預潤溼所述晶片襯底。
13.根據權利要求1所述的方法，其中用脫氣裝置執行降低所述鍍敷溶液的所述氧濃度。
14.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括 將光致抗蝕劑塗覆到所述晶片襯底；使所述光致抗蝕劑暴露於光；圖案化所述抗蝕劑且將所述圖案轉印到所述晶片襯底；以及選擇性地從所述晶片襯底移除所述光致抗蝕劑。
15.一種溶液，其包括^^ I^l "πτ .；約百萬分之1或更少的氧； 約百萬分之10或更少的加速劑；以及約百萬分之300或更少的抑制劑。
16.根據權利要求15所述的溶液，其中所述溶液是鍍敷溶液。
17.根據權利要求15所述的溶液，其中所述溶液是預潤溼溶液。
18.一種用於電鍍金屬的設備，其包括 (a)鍍敷單元；以及(b)控制器，其包括用於實行包括以下步驟的工藝的程序指令 降低鍍敷溶液的氧濃度，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑；在降低了所述鍍敷溶液的所述氧濃度之後，在鍍敷單元中使晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸，其中所述鍍敷單元中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度為約百萬分之1或更少；以及在所述鍍敷單元中將金屬電鍍到所述晶片襯底上。
19.一種系統，其包括根據權利要求18所述的設備及分檔器。
20.一種包括用於控制設備的程序指令的非暫態計算機機器可讀媒體，所述指令包括用於以下操作的代碼降低鍍敷溶液的氧濃度，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑；在降低了所述鍍敷溶液的所述氧濃度之後，在鍍敷單元中使晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸，其中所述鍍敷單元中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度為約百萬分之1或更少；以及在所述鍍敷單元中將金屬電鍍到所述晶片襯底上。
全文摘要
本發明涉及在穿矽通孔鍍敷中減少副產品。確切地說，本發明描述用於用具有低氧濃度的鍍敷溶液將金屬鍍敷到工件上的方法、系統及設備。在一方面中，一種方法包含降低鍍敷溶液的氧濃度。所述鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑。在降低了所述鍍敷溶液的所述氧濃度之後，在鍍敷單元中使晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸。所述鍍敷單元中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度為約百萬分之1或更少。接著，在所述鍍敷單元中將金屬電鍍到所述晶片襯底上。
文檔編號C25D3/38GK102400196SQ20111028134
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月9日 優先權日2010年9月9日
發明者李孝尚, 馬克·J·威利 申請人:諾發系統有限公司