一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示器的製作方法
2023-05-28 05:13:21 1
專利名稱：一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及顯示器製造領域，尤其涉及ー種薄膜電晶體、陣列基板和顯示器。
背景技術：
在有源矩陣顯示器為每ー個像素配備了用於控制該像素的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜場效應電晶體)，因此通過驅動電路，可以獨立控制每ー個像素，同時不會對其他像素造成串擾等的影響。薄膜電晶體至少包含柵極、源極和漏極以及柵絕緣層和有源層。目前，TFT有源層多採用非晶矽或多晶矽半導體材料製作。採用非晶矽作為有源層的TFT，因其特性的限制(如遷移率、開態電流等)，TFT開態電流較低難以用於需要較大電流和快速響應的場合，如有機發光顯示器和大尺寸、高解析度、高刷新頻率的顯示器等。採用多晶矽作為有源層的TFT，其特性優於非晶矽，可以用於有機發光顯示器；但是因其均勻 性不佳，製備中大尺寸的面板仍有困難。另外採用增加補償電路的方法處理多晶矽特性不均勻的問題，會増加像素中的薄膜電晶體和電容的數量，増加了掩膜數量和製作難度，造成產量減低和良率下降。總之，採用在上述的技術方案中，發明人發現，現有技術製造的TFT存在TFT的控制電流(TFT的開態電流和TFT的關態電流)開關比不易控制，閾值電壓穩定性不良的問題。
實用新型內容本實用新型的實施例提供ー種TFT、陣列基板和顯示器，能夠提高TFT的開態電流、降低TFT的關態電流、増加TFT的閾值電壓穩定性。為達到上述目的，本實用新型的實施例採用如下技術方案—方面，本實用新型實施例提供ー種薄膜電晶體，包括第一柵極，有源層，以及同層設置的第二柵極、源極和漏極，所述第一柵極和所述有源層之間形成有第一絕緣層，所述源極、漏極和所述有源層之間形成有第二絕緣層；其中，所述源極、漏極分別通過所述第二絕緣層上的第一過孔、第二過孔與所述有源層接觸；所述第一柵極和所述第二柵極的位置均與所述有源層相対，且所述第一柵極和第二柵極通過貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層的第三過孔電性連接。一方面，本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數據線，以及所述掃描線、數據線限定的像素単元；在所述像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜電晶體；其中，所述薄膜電晶體的漏極與所述像素電極電性連接。一方面，本實用新型實施例提供一種顯示器，包括對盒後的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；其中，所述陣列基板包括相互垂直的掃描線和數據線，以及所述掃描線、數據線限定的像素単元；[0012]在所述像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜電晶體；其中，所述薄膜電晶體的漏極與所述像素電極電性連接。一方面，本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及所述掃描線和數據線所限定的像素単元；在所述像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體；其中，所述開關薄膜電晶體的柵極和所述掃描線電性連接、源極和所述數據線電性連接，漏極和所述驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；所述驅動薄膜電晶體的源極和所述電源線電性連接，漏極和有機發光器件的陽極電性連接；所述開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為上述的薄膜電晶體。一方面，本實用新型實施例提供一種顯示器，包括相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及所述掃描線和數據線所限定的像素単元；在所述像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體以及有機發光器件的陽極；其中，所述有機發光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，所述開關薄膜電晶體的柵極和所述掃描線電性連·接、源極和所述數據線電性連接，漏極和所述驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；所述驅動薄膜電晶體的源極和所述電源線電性連接，漏極和所述有機發光器件的陽極電性連接；所述開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為上述的薄膜電晶體。本實用新型的實施例提供ー種薄膜電晶體、陣列基板和顯示器，通過採用氧化物半導體作為TFT的有源層，採用在有源層上下分別設置一個柵極的結構，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態電流、降低TFT的關態電流、增加TFT的閾值電壓穩定性，進而增加了產品良率。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實用新型實施例一提供的ー種薄膜電晶體俯視結構示意圖；圖2A為本實用新型實施例一提供的薄膜電晶體的A-A向剖視結構示意圖；圖2B為本實用新型實施例一提供的薄膜電晶體的B-B向剖視結構示意圖；圖3A 圖6B為本實用新型實施例一提供的薄膜電晶體的製作流程示意圖；圖7為本實用新型實施例ニ提供的ー種薄膜電晶體俯視透視結構示意圖；圖8A為本實用新型實施例ニ提供的薄膜電晶體的A-A向剖視結構示意圖；圖8B為本實用新型實施例ニ提供的薄膜電晶體的B-B向剖視結構示意圖。附圖標記100-襯底基板，101-第一絕緣層，102-第二絕緣層，103-有源層，Ilal-第一柵極，lla2第二柵極，Ilb-源極，He-漏極，211-第一過孔，212-第二過孔，213-第三過孔。
具體實施方式
[0030]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本實用新型保護的範圍。實施例一本實用新型實施例提供了ー種薄膜電晶體，參考圖I、圖2A、圖2B，包括第一柵極llal、有源層103、以及同層設置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極11c，第一柵極Ilal和有源層103之間形成有第一絕緣層101，源極lib、漏極Ilc和有源層12之間形成有第二絕緣層102 ;其中，源極lib、漏極Ilc分別通過第二絕緣層102上的第一過孔211、第二過孔212與有源層12接觸；第ー柵極Ilal和第二柵極lla2的位置均與有源層103相對，且第一柵極Ilal和第二柵極lla2通過貫穿第一絕緣層101、第二絕緣層102的第三過孔213電性連接。上述薄膜電晶體的結構一般形成在襯底基板100上。 需要說明的是，在本實用新型所有實施例中，第一柵極Ilal和同層設置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc分別由兩層金屬薄膜構圖形成；按照製作エ藝上沉積金屬薄膜的順序，將先沉積的金屬薄膜稱為底層金屬薄膜，將後沉積的金屬薄膜稱為頂層金屬薄膜。具體的在本實施例中，第一柵極Ilal為底層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案；且同層設置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc為頂層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案。本實用新型的實施例提供ー種薄膜電晶體，採用在有源層上下分別設置一個柵極的結構，這樣就能夠在不增加工藝流程的情況下提高了 TFT的開態電流、降低TFT的關態電流、增加TFT的閾值電壓穩定性，進而增加了產品良率。具體的，單柵TFT在開態下，載流子受柵極產生的電場的吸引、基本上集聚在有源層與柵絕緣層的界面處以及有源層內靠近柵極的ー側；在關態下，載流子受柵極電場的排斥、微量載流子殘存於背離柵極的有源層界面附近。上下雙柵結構的TFT在工作時，載流子受上下兩個柵極產生的電場的吸引或排斥、不是集聚在有源層的界面處、而是傾向於更為均勻的分布。因此，相對於單柵TFT，雙柵TFT的電學性能，如開態、關態電流，閾值電壓等，受有源層界面的影響較弱。一般，與其界面相比，有源層內部缺陷更少，均勻性更易於控制，且不易受到外界環境和後續エ藝的影響。因此，雙柵TFT比單柵TFT具有更好的電學性能，如聞開關比和穩定性等。進ー步的，上述薄膜電晶體還可以包括覆蓋同層設置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc的第三絕緣層(在圖1、2A、2B中均未標識)；該第三絕緣層可以起到保護由頂層金屬薄膜所形成的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極11c。在本實用新型所有實施例中，有源層103的材料可以是通常使用的非氧化物半導體材料，例如，矽、非晶矽、或者多晶矽；在本實用新型實施例中，優選的，有源層103的材料為氧化物半導體。更進ー步優選的，有源層的材料為含有銦、鎵、鋅中至少ー種金屬的氧化物半導體。使用氧化物半導體作為有源層的薄膜電晶體的特性優於使用非氧化物半導體作為有源層的薄膜電晶體的特性。例如，氧化物半導體相對於非晶矽而言，會增強薄膜電晶體的如遷移率、開態電流、開關特性等特性。氧化物半導體相對於多晶矽而言，能夠其均勻性較好，不需要增加補償電路，在掩膜數量和製作難度上均有優勢，因此，在製作大尺寸的顯示器方面也有優勢。而且氧化物半導體薄膜採用濺射等方法就可以製備，不需增加額外的設備，具有成本優勢。在本實用新型所有實施例中，第一絕緣層、第二絕緣層的材料均可以是氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。在本實用新型實施例中，第一絕緣層和第二絕緣層的厚度相同或不同。若兩絕緣層採用同樣材料且厚度相同，則載流子在有源層中呈均勻分布。若這兩個絕緣層採用同樣材料、不同厚度，則TFT工作時，載流子在有源層內部的分布將一定程度上傾向於靠近較薄的絕緣層ー側的有源層界面。因此，通過調整兩個絕緣層厚度，可以根據エ藝條件，選擇性地讓載流子通過更為穩定的界面(即靠近較薄的絕緣層一側的有源層界面)，得到更穩定的電學性能。 當然，進ー步的，若薄膜電晶體中還包括第三絕緣層，則該第三絕緣層的材料也可以是氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。本實用新型實施例還提供了針對上述薄膜電晶體的製造方法，包括S101、參考圖3A、3B，在襯底基板上製作底層金屬薄膜，並通過第一次構圖エ藝形成第一柵極llal;具體的，可以使用磁控濺射方法，在襯底基板上製備底層金屬薄膜。該底層金屬薄膜的材料通常可以採用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等任ー種金屬，也可以使用上述幾種材料的組合。在本實用新型所有實施例中的構圖エ藝可以包括在需要圖案化的薄膜上塗覆光刻膠，並用掩模板通過包括曝光、顯影、刻蝕、剝離等エ序形成所需圖案。S102、參考圖4A、4B，製作覆蓋第一柵極Ilal的第一絕緣層101 ；具體的，可以利用化學汽相沉積法沉積的第一絕緣層；第一絕緣層的材料通常是氮化矽，也可以使用氧化矽和氮氧化矽等。當然這裡的第一絕緣層在功能上也是第一柵極的柵絕緣層。S103、參考圖5A、5B，製作半導體薄膜，並通過第二次構圖エ藝形成有源層103 ；具體的，可以利用濺射法或化學化學汽相沉積法沉積半導體薄膜。其中，半導體薄膜的材料優選為氧化物半導體，進ー步優選的，可以是含有銦、鎵、鋅中至少ー種金屬的氧化物半導體。S104、參考圖6A、6B，製作覆蓋有源層103的第二絕緣層102，並通過第三次構圖エ藝在第二絕緣層102上形成第一過孔211和第二過212孔，以露出有源層103 ;且形成貫穿第一絕緣層102和第二絕緣層103的第三過孔213，以露出第一柵極Ilal ；具體的，可以在第二絕緣層上塗覆光刻膠後，用普通的掩膜板對基板進行曝光、顯影、去除第一過孔上方、第二過孔上方和第三過孔上方的光刻膠，分別對形成第一過孔、第ニ過孔和第三過孔的位置進行不同時長或不同灰度的刻蝕形成第一過孔、第二過孔和第三過孔即可。其中，第二絕緣層的材料通常是氮化矽，也可以使用氧化矽和氮氧化矽等。S105、製作覆蓋第二絕緣層102的頂金屬薄膜，並通過第四次構圖エ藝形成第二柵極lla2、源極Ilb和漏極lie ;其中第二柵極lla2通過第三過孔213和第一柵極Ilal電性連接，源極Ilb和漏極Ilc分別通過第一過孔211和第二過孔212與有源層103接觸。具體的，可以使用磁控濺射方法，在第二絕緣層上方製備頂層金屬薄膜。頂層金屬薄膜的材料通常可以採用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料的組合。通過一次構圖エ藝處理，參考圖2A、圖2B，形成第二柵極、源極和漏扱。由於，這裡第二柵極、源極和漏極通過同一次構圖エ藝處理製得，故而，不需要單獨增加工藝流程。還可以進ー步的包括S106、製作覆蓋上述第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc的第三絕緣層，以起到保護的作用。具體的，可以利用化學汽相沉積法沉積的第三絕緣層；第三絕緣層的材料通常是氮化矽，也可以使用氧化矽和氮氧化矽等。上述薄膜電晶體可以應用於液晶顯示領域。本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的結構的陣列基板，該陣列基板具體為LCD(液晶顯不器)陣列基板，包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數據線，以及掃描線、數據線限定的像素単元；在像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜電晶體；其中，薄膜電晶體的漏極與像素電極電性連接。本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的結構的顯示器，該顯示器具體可以是液晶顯示面板或將液晶顯示面板封裝後的液晶顯示器；該液晶顯示器包括對盒後的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；陣列基板包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數據線，以及掃描線、數據線限定的像素単元；在像素單元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜電晶體；其中，薄膜電晶體的漏極與像素電極電性連接，具體兩者可以按照現有技術直接相連。上述薄膜電晶體還可以應用於有機發光顯示領域。本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的陣列基板，具體的，該陣列基板為OLED(有機發光器件)陣列基板，包括襯底基板，在襯底基板相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及掃描線和數據線所限定的像素単元；在像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體；其中，開關薄膜電晶體的柵極和掃描線電性連接、源極和數據線電性連接，漏極和驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；驅動薄膜電晶體的源極和電源線電性連接，漏極和有機發光器件的陽極電性連接；其中，開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為上述的薄膜電晶體。本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的顯示器，具體的，該顯示器為OLED顯示器，該OLED顯示器包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及掃描線和數據線所限定的像素単元；在像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體以及有機發光器件；其中，有機發光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，開關薄膜電晶體的柵極和掃描線電性連接、源極和數據線電性連接，漏極和驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；驅動薄膜電晶體的源極和電源線電性連接，漏極和有機發光器件的陽極電性連接；其中，開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為上述的薄膜電晶體。[0067]具體的，若上述OLED顯示器中的有機發光器件只能發白光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以還包括ー個設置有紅、藍、綠三種顏色像素結構的彩膜基板。若上述OLED顯示器中的有機發光器件可以發出紅、藍、綠中的一種顏色的光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以包含該OLED陣列基板和發光顯示器件，當然還可以包含一透明基板以保護OLED陣列基板上的層結構以及發光顯示器件的結構。本實用新型的實施例提供ー種薄膜電晶體、陣列基板和顯示器，通過採用氧化物半導體作為TFT的有源層，採用在有源層上下分別設置一個柵極的結構，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態電流、降低TFT的關態電流、增加TFT的閾值電壓穩定性，進而增加了產品良率。實施例ニ 本實用新型實施例提供了ー種薄膜電晶體，參考圖7、圖8A、圖SB，包括第一柵極llal、有源層103、以及同層設置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極11c，第一柵極Ilal和有源層103之間形成有第一絕緣層101，源極lib、漏極Ilc和有源層103之間形成有第二絕 緣層102 ;其中，源極lib、漏極Ilc分別通過第二絕緣層102上的第一過孔211、第二過孔212與有源層103接觸；第ー柵極Ilal和第二柵極lla2的位置均與有源層103相対，且第ー柵極Ilal和第二柵極lla2通過貫穿第一絕緣層101、第二絕緣層102的第三過孔213電性連接。上述薄膜電晶體的結構一般形成在襯底基板100上。具體的在本實施例中，第一柵極Ilal為頂層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案；且同層設置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc為底層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案。本實用新型的實施例提供ー種薄膜電晶體，採用在有源層上下分別設置一個柵極的結構，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態電流、降低TFT的關態電流、增加TFT的閾值電壓穩定性，進而增加了產品良率。具體的，單柵TFT在開態下，載流子受柵極產生的電場的吸引、基本上集聚在有源層與柵絕緣層的界面處以及有源層內靠近柵極的ー側；在關態下，載流子受柵極電場的排斥、微量載流子殘存於背離柵極的有源層界面附近。上下雙柵結構的TFT在工作時，載流子受上下兩個柵極產生的電場的吸引或排斥、不是集聚在有源層的界面處、而是傾向於更為均勻的分布。因此，相對於單柵TFT，雙柵TFT的電學性能，如開態、關態電流，閾值電壓等，受有源層界面的影響較弱。一般，與其界面相比，有源層內部缺陷更少，均勻性更易於控制，且不易受到外界環境和後續エ藝的影響。因此，雙柵TFT比單柵TFT具有更好的電學性能，如聞開關比和穩定性等。進ー步的，上述薄膜電晶體還可以包括覆蓋第一柵極Ilal的第三絕緣層(在圖7、8A、8B中均未標識)；該第三絕緣層可以起到保護由頂層金屬薄膜所形成的第一柵極Ilal0在本實用新型所有實施例中，有源層103的材料可以是通常使用的非氧化物半導體材料，例如，矽、非晶矽、或者多晶矽；在本實用新型實施例中，優選的，有源層103的材料為氧化物半導體。更進ー步優選的，有源層的材料為含有銦、鎵、鋅中至少ー種金屬的氧化物半導體。[0077]使用氧化物半導體作為有源層的薄膜電晶體的特性優於使用非氧化物半導體作為有源層的薄膜電晶體的特性。例如，氧化物半導體相對於非晶矽而言，會增強薄膜電晶體的如遷移率、開態電流、開關特性等特性。氧化物半導體相對於多晶矽而言，能夠其均勻性較好，不需要增加補償電路，在掩膜數量和製作難度上均有優勢，因此，在製作大尺寸的顯示器方面也有優勢。而且氧化物半導體薄膜採用濺射等方法就可以製備，不需增加額外的設備，具有成本優勢。在本實用新型所有實施例中，第一絕緣層、第二絕緣層的材料均可以是氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，在本實用新型實施例中，第一絕緣層和第二絕緣層的厚度相同或不同。若兩絕緣層採用同樣材料且厚度相同，則載流子在有源層中呈均勻分布。若這兩個絕緣層採用同樣材料、不同厚度，則TFT工作吋，載流子在有源層內部的分布將一定程度上傾向於靠近較薄的絕緣層ー側的有源層界面。因此，通過調整兩個絕緣層厚度，可以根據エ藝條件，選擇性地讓載流子通過更為穩定的界面(即靠近較薄的絕緣層ー側的有源層界面)，得到更穩定的電學性能。 當然，進ー步的，若薄膜電晶體中還包括第三絕緣層，則該第三絕緣層的材料也可以是氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。本實用新型實施例還提供了圖7、圖8A和圖SB所示的薄膜電晶體的製造方法，包括S201、在襯底基板100上製作底層金屬薄膜，並通過第一次構圖エ藝形成第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc ；S202、製作覆蓋第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc的第二絕緣層102，並通過第二次構圖エ藝在第二絕緣層102上形成第一過孔211和第二過孔212，以在第一過孔211和第二過孔212處分別露出源極Ilb和漏極Ilc ；S203、製作覆蓋第二絕緣層102的半導體薄膜，並通過第三次構圖エ藝形成有源層；其中，源極Ub和漏極Ilc分別通過第一過孔211和第二過孔212與有源層103接觸；S204、製作覆蓋有源層103的第一絕緣層101，並通過第四次構圖エ藝形成貫穿第一絕緣層101和第二絕緣層102的第三過孔213，以露出第二柵極lla2 ；S205、製作覆蓋第一絕緣層101的頂層金屬薄膜，並通過第五次構圖エ藝形成第ー柵極Ilal ;其中，第一柵極Ilal和第二柵極lla2通過第三過孔213電性連接。還可以進ー步的包括S206、製作覆蓋上述第一柵極Ilal的第三絕緣層，以起到保護第一柵極Ilal的作用。需要說明的是，本實用新型實施例提供的薄膜電晶體的製造方法中，各層所使用的材料以及製備方法都可以參照實施例一中的製造方法，在本實施例中不再贅述。圖7、圖8A和圖8B所不的薄I旲電晶體可以應用於液晶顯不領域。本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的結構的陣列基板，該陣列基板具體為LCD陣列基板，包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數據線，以及掃描線、數據線限定的像素単元；在像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜電晶體；其中，薄膜電晶體的漏極與像素電極電性連接。本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的結構的顯示器，具體地，該顯示器可以為液晶顯示裝置，例如液晶面板、液晶電視、手機、液晶顯示器等，其包括彩膜基板、以及上述實施例中的陣列基板；除了液晶顯示裝置，所述顯示器還可以是其他類型的顯示裝置，比如電子閱讀器等，其不包括彩膜基板，但是包括上述實施例中的陣列基板。該顯示器具體可以是液晶顯示面板或將液晶顯示面板封裝後的液晶顯示器；該液晶顯示器包括對盒後的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；其中，陣列基板包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數據線，以及掃描線、數據線限定的像素單元；在像素單元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜電晶體；其中，薄膜電晶體的漏極與像素電極電性連接，具體兩者可以按照現有技術直接相連。進一歩地，在上述顯示器的非像素単元區域還可以包括掃描驅動單元和數據驅動単元。所述掃描驅動單元與掃描線電性連接，用於為像素単元的顯示提供掃描信號；所述數據驅動單元與數據線電性連接，用於為像素単元的顯示提供數據信號。非像素區域還可以包括掃描驅動單元與掃描線之間的連接線路、數據驅動単元與數據線之間的連接線路。圖7、圖8A和圖SB所示的薄膜電晶體還可以應用於有機發光顯示領域。 本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的陣列基板，該陣列基板為OLED陣列基板，包括襯底基板相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及掃描線和數據線所限定的像素単元；在像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體；其中，開關薄膜電晶體的柵極和掃描線電性連接、源極和數據線電性連接，漏極和驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；驅動薄膜電晶體的源極和電源線電性連接，漏極和有機發光器件的陽極電性連接；其中，開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為上述的薄膜電晶體。本實用新型實施例還提供了一種應用上述薄膜電晶體的顯示器，具體的，該顯示器為OLED (有機發光器件)顯示器，該OLED顯示器包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及掃描線和數據線所限定的像素單元；在像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體以及有機發光器件；其中，有機發光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，開關薄膜電晶體的柵極和掃描線電性連接、源極和數據線電性連接，漏極和驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；驅動薄膜電晶體的源極和電源線電性連接，漏極和有機發光器件的陽極電性連接；其中，開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為上述的薄膜電晶體。進ー步地，在上述顯示器的非像素単元區域還可以包括掃描驅動單元和數據驅動単元，還可以包括為有機發光器件提供電源的電源模塊。所述掃描驅動單元與掃描線電性連接，用於為像素単元的顯示提供掃描信號；所述數據驅動単元與數據線電性連接，用於為像素単元的顯示提供數據信號。非像素區域還可以包括掃描驅動單元與掃描線之間的連接線路、數據驅動単元與數據線之間的連接線路，以及還包括電源模塊與電源線之間的連接線路。具體的，若上述OLED顯示器中的有機發光器件只能發白光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以還包括ー個設置有紅、藍、綠三種顏色像素結構的彩膜基板。若上述OLED顯示器中的有機發光器件可以發出紅、藍、綠中的一種顏色的光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以包含該OLED陣列基板和發光顯示器件，當然還可以包含一透明基板以保護OLED陣列基板上的層結構以及發光顯示器件的結構。本實用新型的實施例提供ー種薄膜電晶體、陣列基板和顯示器，通過採用氧化物半導體作為TFT的有源層，採用在有源層上下分別設置一個柵極的結構，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態電流、降低TFT的關態電流、增加TFT的閾值電壓穩定性，進而增加了產品良率。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術範圍內，可輕易想到變化 或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護範圍之內。因此，本實用新型的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。
權利要求1.ー種薄膜電晶體，其特徵在於，包括第一柵極，有源層，以及同層設置的第二柵極、源極和漏極，所述第一柵極和所述有源層之間形成有第一絕緣層，所述源極、漏極和所述有源層之間形成有第二絕緣層；其中， 所述源極、漏極分別通過所述第二絕緣層上的第一過孔、第二過孔與所述有源層接觸；所述第一柵極和所述第二柵極的位置均與所述有源層相對，且所述第一柵極和第二柵極通過貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層的第三過孔電性連接。
2.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一柵極為底層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案；且所述同層設置的第二柵極、源極和漏極為頂層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案。
3.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一柵極為頂層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案；且所述同層設置的第二柵極、源極和漏極為底層金屬薄膜經過構圖エ藝所形成的圖案。
4.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的厚度相同或不同。
5.根據權利要求1-4任一項所述薄膜電晶體，其特徵在於，所述有源層的材料為氧化物半導體。
6.一種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數據線，以及所述掃描線、數據線限定的像素単元；其特徵在幹， 在所述像素単元中至少形成有像素電極以及權利要求1-5任一項所述的薄膜電晶體；其中，所述薄膜電晶體的漏極與所述像素電極電性連接。
7.—種顯示器，包括對盒後的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；其中，所述陣列基板包括相互垂直的掃描線和數據線，以及所述掃描線、數據線限定的像素単元；其特徵在幹， 在所述像素単元中至少形成有像素電極以及權利要求1-5任一項所述的薄膜電晶體；其中，所述薄膜電晶體的漏極與所述像素電極電性連接。
8.—種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及所述掃描線和數據線所限定的像素単元；在所述像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體；其中，所述開關薄膜電晶體的柵極和所述掃描線電性連接、源極和所述數據線電性連接，漏極和所述驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；所述驅動薄膜電晶體的源極和所述電源線電性連接，漏極和有機發光器件的陽極電性連接；其特徵在幹， 所述開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為權利要求1-5任一項所述的薄膜電晶體。
9.一種顯示器，包括相互垂直的掃描線和數據線，與數據線平行的電源線，以及所述掃描線和數據線所限定的像素単元；在所述像素単元內至少形成有開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體以及有機發光器件；其中，所述有機發光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，所述開關薄膜電晶體的柵極和所述掃描線電性連接、源極和所述數據線電性連接，漏極和所述驅動薄膜電晶體的柵極電性連接；所述驅動薄膜電晶體的源極和所述電源線電性連接，漏極和所述有機發光器件的陽極電性連接；其特徵在幹， 所述開關薄膜電晶體和/或驅動薄膜電晶體為權利要求1-5任一項所述的薄膜電晶體。
專利摘要本實用新型實施例一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示器，涉及顯示器製造領域，能夠提高TFT的開態電流、降低TFT的關態電流、增加TFT的閾值電壓穩定性，該薄膜電晶體，包括第一柵極，有源層，以及同層設置的第二柵極、源極和漏極，所述第一柵極和所述有源層之間形成有第一絕緣層，所述源極、漏極和所述有源層之間形成有第二絕緣層；其中，所述源極、漏極分別通過所述第二絕緣層上的第一過孔、第二過孔與所述有源層接觸；所述第一柵極和所述第二柵極的位置均與所述有源層相對，且所述第一柵極和第二柵極通過貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層的第三過孔電性連接。本實用新型實施例應用於顯示器製造。
文檔編號G02F1/1368GK202601619SQ20122000760
公開日2012年12月12日 申請日期2012年1月9日 優先權日2012年1月9日
發明者陳海晶 申請人:京東方科技集團股份有限公司