測量方法
2023-05-28 09:33:21 2
測量方法
【專利摘要】本發明提出了一種測量方法，將待檢測點平均分布於晶圓同心圓上，在對一待檢測點檢測完畢後，只需通過半導體晶圓自轉一定角度便能夠達到下一待檢測點，並對其進行檢測，無需半導體晶圓進行多次位移，因此能夠降低測量時間，提高生產效率。
【專利說明】 測量方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體製造領域，尤其涉及一種測量方法。
【背景技術】
[0002]半導體晶圓在製造過程中，需要形成不同薄膜層，每一層薄膜的厚度也不盡相同。為了精確的實現電路功能，需要精確控制形成在半導體晶圓表面的每一層薄膜的厚度，以防止形成的薄膜厚度太厚或太薄導致半導體晶圓不符合要求，影響半導體晶圓的良率。因此，為了能夠監控形成薄膜的厚度，通常會在薄膜形成後對其進行厚度的測量，若發現厚度異常，則應立馬做出相應的改進措施。
[0003]現有技術中，測量厚度通常採用光發射器將橢圓偏正光射入半導體晶圓的待檢測點，再由光接收器接收由待檢測點反射回的橢圓偏正光，利用光的透射與反射計算出薄膜的厚度。為了能夠檢測出半導體晶圓表面整體的薄膜厚度，需要根據不同的工藝需求，在半導體晶圓上設定需要多個待檢測點，例如9個、21個或者49個，從而能夠更加準確的得出薄膜厚度的分布。
[0004]請參考圖1，所述半導體晶圓10的表面設有多個待檢測點11，當其中一個待檢測點11測量完畢時，則需要轉移至下一個待檢測點11，所述半導體晶圓10放置於檢測臺(圖未示出)上，所述檢測臺僅能夠沿水平線或者垂直於水平線方向移動，因此，為了到下一個檢測點11，則所述檢測臺必須先沿水平方向移動一定位移，再沿垂直於水平線方向移動一定位移，然後才能到達下一檢測點11進行厚度測量，以此類推，所述檢測臺均需要進行兩次位移才能對後續檢測點11進行測量。然而，該種測量方法十分耗時，主要測量時間均浪費在所述檢測臺的移動上，對半導體晶圓的每小時產量(WPH)有極大的影響。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在於提供一種測量方法，能夠降低測量時間，提高生產效率。
[0006]為了實現上述目的，本發明提出了一種測量方法，包括步驟:
[0007]定義半導體晶圓待檢測點的個數；
[0008]將所述待檢測點均勻分布在晶圓同心圓上，所述晶圓同心圓與所述半導體晶圓共圓心；
[0009]測量完一待檢測點之後，所述半導體晶圓自轉預定角度到達下一待檢測點。
[0010]進一步的，所述晶圓同心圓的個數大於等於I。
[0011]進一步的，當所述晶圓同心圓的個數大於I且位於同一晶圓同心圓上的待檢測點檢測完時，所述半導體晶圓平移至下一晶圓同心圓上的待檢測點進行檢測。
[0012]進一步的，所述半導體晶圓設置於一檢測臺上，所述檢測臺帶動所述半導體晶圓進行自轉或平移。
[0013]進一步的，所述半導體晶圓的表面形成有薄膜，所述測量方法用於測量所述薄膜的厚度。
[0014]進一步的，所述測量方法採用光學法測量薄膜的厚度。
[0015]進一步的，所述光學法米用的光為橢圓偏正光。
[0016]與現有技術相比，本發明的有益效果主要體現在:將待檢測點平均分布於晶圓同心圓上，在對一待檢測點檢測完畢後，只需通過半導體晶圓自轉一定角度便能夠達到下一待檢測點，並對其進行檢測，無需半導體晶圓進行多次位移，因此能夠降低測量時間，提高生產效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1為現有技術中對半導體晶圓進行測量的示意圖；
[0018]圖2-圖3為本發明一實施例中對半導體晶圓進行測量的示意圖。
【具體實施方式】
[0019]下面將結合示意圖對本發明的測量方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對於本領域技術人員的廣泛知道，而並不作為對本發明的限制。
[0020]為了清楚，不描述實際實施例的全部特徵。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由於不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是複雜和耗費時間的，但是對於本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
[0021]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0022]請參考圖2，在本實施例中，提出了一種測量方法，包括步驟:
[0023]定義半導體晶圓100上待檢測點110的個數；
[0024]根據不同的工藝要求，可以定義多個的待檢測點110，例如6個、12個等，定義的待檢測點110個數越多，測量出的數據越準確，相應的，測量時間也就越久，因此，待檢測點110的個數可以由不同需求來定義。
[0025]將所述待檢測點110均勻分布在晶圓同心圓120上，所述晶圓同心圓120與所述半導體晶圓100共圓心；
[0026]根據不同待檢測點110的個數，可以將待檢測點110平均分配至一個或者多個所述晶圓同心圓120上，這樣所述半導體晶圓100的自轉角度更大，方便設備實現，若自轉過小，一方面設備不易於實現，另一方面可能會導致偏差較大。
[0027]當測量同一晶圓同心圓上的待檢測點110時，測量完一待檢測點110之後，所述半導體晶圓100自轉預定角度到達下一待檢測點110。
[0028]如圖2所示，第一晶圓同心圓121上均與分別有6個待檢測點110，兩個待檢測點110之間存在第一角度a I為60度，因此在測試完第一個待檢測點110後，所述半導體晶圓只需按照圓心自轉a 1，即60度便能夠到達下一個待檢測點110進行檢測。
[0029]若待檢測點110的個數較多，例如18個，如圖3所示，此時可以在第一晶圓同心圓121上均勻設置6個待檢測點110，在第二晶圓同心圓122上均勻設置12個待檢測點110，當位於第一晶圓同心圓121上的待檢測點110被檢測完時，所述半導體晶圓100平移至第二晶圓同心圓122上的待檢測點110再繼續進行檢測，此時也僅需多平移一次；在對所述第二晶圓同心圓122上的待檢測點110進行檢測時，檢測完一個待檢測點110之後，只需所述半導體晶圓100自轉α 2，即30度便能夠到達下一個待檢測點110上。
[0030]在本實施例中，所述半導體晶圓100設置於一檢測臺(圖未示出)上，所述檢測臺帶動所述半導體晶圓100進行自轉或平移；所述半導體晶圓100的表面形成有薄膜，所述測量方法用於測量所述薄膜的厚度；所述測量方法採用光學法測量薄膜的厚度；所述光學法採用的光為橢圓偏正光。
[0031]綜上，在本發明實施例提供的測量方法中，將待檢測點平均分布於晶圓同心圓上，在對一待檢測點檢測完畢後，只需通過半導體晶圓自轉一定角度便能夠達到下一待檢測點，並對其進行檢測，無需半導體晶圓進行多次位移，因此能夠降低測量時間，提高生產效率。
[0032]上述僅為本發明的優選實施例而已，並不對本發明起到任何限制作用。任何所屬【技術領域】的技術人員，在不脫離本發明的技術方案的範圍內，對本發明揭露的技術方案和技術內容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發明的技術方案的內容，仍屬於本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種測量方法，包括步驟: 定義半導體晶圓待檢測點的個數； 將所述待檢測點均勻分布在晶圓同心圓上，所述晶圓同心圓與所述半導體晶圓共圓心; 當測量同一晶圓同心圓上的待檢測點時，測量完一待檢測點之後，所述半導體晶圓自轉預定角度到達下一待檢測點。
2.如權利要求1所述的測量方法，其特徵在於，所述晶圓同心圓的個數大於等於1。
3.如權利要求2所述的測量方法，其特徵在於，當所述晶圓同心圓的個數大於1且位於同一晶圓同心圓上的待檢測點檢測完時，所述半導體晶圓平移至下一晶圓同心圓上的待檢測點進行檢測。
4.如權利要求1所述的測量方法，其特徵在於，所述半導體晶圓設置於一檢測臺上，所述檢測臺帶動所述半導體晶圓進行自轉或平移。
5.如權利要求1所述的測量方法，其特徵在於，所述半導體晶圓的表面形成有薄膜，所述測量方法用於測量所述薄膜的厚度。
6.如權利要求5所述的測量方法，其特徵在於，所述測量方法採用光學法測量薄膜的厚度。
7.如權利要求6所述的測量方法，其特徵在於，所述光學法採用的光為橢圓偏正光。
【文檔編號】H01L21/66GK104465431SQ201310438649
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月23日 優先權日:2013年9月23日
【發明者】許亮 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司