一種片式賤金屬電阻器的製造方法

2023-05-28 06:20:51 1

專利名稱：：一種片式賤金屬電阻器的製造方法
技術領域：
：本發明涉及一種片式電阻器的製造方法，具體地講是指一種採用賤金屬製作電阻器的方法。
背景技術：
：隨著IT、3C(通訊，電子整機，計算機)等產業的技術提升及發展，對片式電阻器的需求量越來越大、要求也越來越趨向於小型化、高可靠性特點及低生產成本的方向發展。而一直以來片式電阻器的電極材料主要是銀金屬，隨著銀價格的不斷上漲，片式電阻器生產成本提高很快，加上Ag離子遷移作用對電阻性能的影響，令傳統銀電極的應用越來越受到限制。目前，市場和文獻上的信息均表明杜邦、TDK、昆貴所等公司均在積極開發用於片式電阻器的銅、鎳、鋅等賤金屬電極導電漿料，但由於無法解決賤金屬電極在低燒後與Al203基板的鍍後附著力低等技術瓶頸，均未能成功地將賤金屬電極應用在片式電阻器上。
發明內容本發明需解決的問題是賤多屬電阻器一經低溫燒結及電極鍍後附著力低下的問題，從而提供一種該電阻器的製造方法。本發明所採用的技術方案是一種片式賤金屬電阻器的製造方法，通過在Al203基板形成電阻體，附著在Al203基板正面和背面的面電極和背電極、附著電阻體上的玻璃層與包覆在Al203基板及面電極和背電極兩端的端電極的形成及雷射調阻步驟製得，在製造過程中，a.通過絲網印刷的方法將粘接用漿料塗覆在Al203基板上設定的面、背電極位置處，然後在氮氣氛中，400700L/min的流量、600800。C的溫度下燒結，形成面電極粘接層、背電極粘接層；b.通過絲網印刷的方法將賤金屬導電漿料印製在面、背電極的粘接層上，印製在面電極粘接層處的賤金屬導電漿料並與電阻體形成保證電氣連接的搭接，然後在氮氣保護氣氛中，400~700L/min的流量、600~800。C的溫度下燒結，形成賤金屬面電極層與背賤金屬電極層；在上述生產方法中，絲網印刷是常規電阻器的生產方法。進一步在上述方法中，粘接層漿料的組成是玻璃粉50~70wt%，無機顏料0.38.0wt。/0，高分子樹脂0.56wt。/0,溶劑10~48wt%;所述的玻璃粉的組成是(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系玻璃粉，該體系中各組份的重量百分比為SiO25-30wt%,B2035~28wt%，PbO20~70wt%，Ti025~15wt%，AI2O30~5wt%，ZnO0~10wt%，CuO0~10wt%，AgO0~5%;玻璃粉的組成還可以是(II)B203-Si02-AI203-ZnO-CuO玻璃粉體系，該體系中各組份的重量百分比為B2035~30wt%，Si0211~30wt%，Bi2030~10wt%，Al2033~10wt%，CuO5~20wt%，ZnO5-20wt%,ZrO0~15wt%，BaO0~5wt%,CaO0~5wt%SrO0~10wt%，Nb2050~5wt%，TiO20~8wt%;所述的無機顏料是指Cr203、CuO、0203或0)中的一種或幾種的組合，所述的高分子樹脂是乙基纖維素、氫化松香樹脂、聚乙烯、聚氨酯中的一種或幾種的組合，所述的有機溶劑是指乙醇、異辛醇、松油醇、四甲苯溶劑中的一種或幾種的組合；粘接層優選的配方方案如表1及相關優選玻璃粉配方表如4與表5所示。再進一步賤金屬電極漿料按重量百分比的組成為賤金屬材料60~75wt%;高分子樹脂0.5~5wt%;溶劑5~35wt%;玻璃粉7~17wt%,其中玻璃粉的組成為(I)Si02-B203國PbO-Ti02體系0~5wt%(III)B203-Si02-PbO－Al203體系7~14wt%;在玻璃粉(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系中，各組份的重量百分比為Si025-30wt%，B2035~28wt%,Pb020~70wt%，Ti025~15wt%，AI2O30~5wt%，ZnO0~10wt%，CuO0~10wt%，AgO0~5%;在玻璃粉(III)B203-Si02-PbO-AI203體系中，各組份的重量百分比為B2O310~30wt%，Si02l5~32wt%，PbO20~40wt%，AI2033~10wt%，ZnO3~18wt%，ZrO20~10wt%，BaO0~5wt%。上述方案的賤金屬漿料中，所述的賤金屬粉是銅粉、鎳粉或鋅粉中一種或幾種的組合；所述的高分子樹脂是乙基纖維素、氫化松香樹脂、聚乙烯、聚氨酯中的一種或幾種的組合；所述的有機溶劑是指乙醇、異辛醇、松油醇、四甲苯溶劑一種或幾種的組合，該賤金屬電極漿料優選的配方如表2及相關的優選玻璃配方如表4和表6所示。，或者賤金屬電極漿料的重量百分組成為賤金屬材料6075wt%;高分子樹脂0.5~5wt%;溶劑5~35wt%;玻璃粉6~16wt%，其中玻璃粉的組成為(II)B203-Si02-AI203-ZnO-CuO玻璃體系0~9wt%%(IV)B203-Si02-Bi203-Al203玻璃體系6~13wt。在玻璃粉(II)B203-Si02-AI203-ZnO-CuO體系中各組份的重量百分比為:B2O35~30wt%，Si0211~30wt%，Bi20315~83wt%，AI2033~10wt%，ZnO018wt%，ZrO0~10wt%，BaO0~5wt%，TiO20~8wt%;在玻璃粉(IV)B203-Si02-BJ203-Al203體系中，各組份的重量百分比為B2O35~30wt%，Si0211~30wt%，Bi20315~83wt%,AI2033~10wt%，ZnO0~18wt%，ZrO0~10wt%,BaO0~5wt%，TiO20~8wt%;上述方案的賤金屬漿料中，所述的賤金屬粉是銅粉、鎳粉或鋅粉中一種或幾種的組合；所述的高分子樹脂是乙基纖維素、氫化松香樹脂、聚乙烯、聚氨酯中的一種或幾種的組合；所述的有機溶劑是指乙醇、異辛醇、松油醇、四甲苯溶劑一種或幾種的組合；該賤金屬電極漿料優選的配方如表3及相關玻璃粉優選配方如表5和表7所示。本發明製造方法的過程中，在Al203基板與賤金屬電極層之間形成一個粘接層，該粘接層能有效解決賤金屬電極漿料低溫燒結後電極鍍後附著力差的問題，使得賤金屬電極層通過該粘接層與Al203基板有機地粘結在一起，粘接層與賤金屬電極層整體形成面背電極層；在本發明所用的電極漿料中，賤金屬材料(銅、鎳、鋅等)代替傳統的貴金屬銀材料，大幅度降低了產品成本，提高質量保證，還避免了銀電極中的銀遷移所引起的片式電阻器性能變化，並且該粘接層可直接取代一次玻璃，對於片式電阻器起保護作用，用該方法生產的賤金屬電阻器電極附著力強，電性能優異、可靠性高。表1、本發明粘接層漿料優選的的重量百分組成complextableseeoriginaldocumentpage7編號4編號3170......Cr203:1.0乙基纖維素2.0異辛醇27265......Cr203:1.0乙基纖維素2.0異辛醇32360......Cr203:1,0乙基纖維素2.0乙醇:38455......O2O3:1.0氫化松香樹脂2.0四甲苯425......70O2O3:3,0聚乙烯:4.0松油醇236......65CuO:3.0聚乙烯:4.0松油醇287......60CuO:3.0聚乙烯:4.0乙醇348......550203和或Co:3.0聚氨酯4.0四甲苯38表2本發明賤金屬電極漿料優選的重量百分組成如下complextableseeoriginaldocumentpage表3本發明賤金屬電極漿料另一種配方的優選的重量百分組成如下complextableseeoriginaldocumentpage4銅75510乙基纖維素2.0乙醇:115鎳68510乙基纖維素2.0乙醇:186鎳60510氫化松香樹脂:2.0乙醇:267鎳7578聚乙烯:2.0松油醇98鋅6878聚乙烯:2.0松油醇:169鋅6078聚乙烯:4.0松油醇22表4、本發明玻璃粉(I)體系各組分重量百分組成completetableseeoriginaldocumentpage9表5、本發明玻璃粉(II)體系各組分重量百分組成completetableseeoriginaldocumentpage9complextableseeoriginaldocumentpage610292915120105100圖1是本發明片式賤金屬膜電阻器的正截面示意圖，圖中1面電極粘接層、1'背電極粘接層、2面電極導電電極層、2'背電極導電電極層、3Al203基板、4電阻體、5—次玻璃層、6端電極。具體實施例方式實施例1一種片式賤金屬電阻器的製造方法，通過在Al203基板3形成電阻體4，附著在Al203基板3正面和背面的面電極和背電極、附著電阻體4上的玻璃層5與包覆在Al203基板3及面電極和背電極兩端的端電極6的形成及雷射調阻步驟製得，在製造過程中，a.通過絲網印刷的方法將粘接用漿料塗覆在Al203基板3上設定的面、背電極位置處，然後在氮氣氛中，400700L/min的流量、600800。C的溫度下燒結，形成面電極粘接層1、背電極粘接層1';b.通過絲網印刷的方法將賤金屬導電漿料印製在面、背電極的粘接層1與1'上，印製在面電極粘接層1處的賤金屬導電漿料並與電阻體4形成保證電氣連接的搭接，然後在氮氣保護氣氛壓力、流量？中600~800°C的溫度下燒結，形成賤金屬面電極層2與背賤金屬電極層2'。在上述方法中，用常規的絲網印刷的方法生產該片式電阻器，粘接劑中的無機顏料是Cr20s，重量百分含量為1%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為2%,溶劑是異辛醇，重量百分含量為32%，玻璃粉為(I)體系SiOBsOs-PbO-Ti02，重量百分含量為65%，在(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系中，各化合物的重量百分組成為B20326%、Si06%、PbO40%、Ti0212%、ZnO10%、Al2035%、Ag05%。在上述方法中，賤金屬電極漿料中賤金屬銅粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為1%，溶劑是異辛醇，重量百分含量為24%，玻璃粉為(III)B203-Si02-PbO-Al203體系，重量百分含量為7%，在(Ml)Bz03-Si02-PbO-Al203體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、、Si0215%、PbO40%、Al2033%、Zn016%、ZrO210%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值≤土100ppm，電性能精度高。實施例2在實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr203,重量百分含量為1%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為2%，醇類溶劑是異辛醇，重量百分含量為32%，玻璃粉為(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系，重量百分含量為65%，在(I)Si02-B203-PbO-TiC)2體系中，各化合物的重量百分組成為B20326%、Si06%、PbO40%、TiO212%、ZnO10%、Al2035%、Ag05%;賤金屬電極漿料中賤金屬鋅粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是氫化松香樹脂，重量百分含量為2%，溶劑是乙醇，重量百分含量為18%,玻璃粉為(I)與(Ⅲ)的混合體系，其中重量百分含量(I)是5%(III)是7%,在(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系中，各化合物的重量百分組成為B20324%、SiO210%、Pb047%、Ti024%、Zn08%、Al2034%、Ag03%;在(III)B203-Si02-PbO-Al203體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、、Si0215%、PbO40%、、Al2033%、Zn016%、ZrO210%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值≤土100ppm，電性能精度高。實施例3在實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr203，重量百分含量為1%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為2%，醇類溶劑是異辛醇，重量百分含量為32%，玻璃粉為(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系，重量百分含量為65%，在(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系中，各化合物的重量百分組成為B20326%、SiO6%、PbO40%、Ti0212%、ZnO10%、Al2035%、Ag05%;賤金屬電極漿料中賤金屬鎳粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是聚乙烯，重量百分含量為2%，溶劑是松油醇，重量百分含量為16%，玻璃粉為(I)與(III)的混合體系，其中重量百分含量(I)是4%，(III)是10%，在(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系中，各化合物的重量百分組成為B20324%、SiO210%、Pb047%、Ti024%、Zn08%、Al2034%、Ag03%;在(川)B203-Si02_PbO-AI203體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、Si〇215%、PbO40%、Al2033%、Zn016%、ZrO210%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值s士100ppm，電性能精度高。實施例4在實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr203，重量百分含量為1%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為2%，溶劑是異辛醇，重量百分含量為32%，玻璃粉為(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系，重量百分含量為65%，在(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系中，各化合物的重量百分組成為B20326%、Si〇6%、PbO40%、Ti0212%、ZnO10%、Al2035%、Ag05%;賤金屬電極漿料中賤金屬銅粉的重量百分含量為68%,高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為1%，溶劑是異辛醇，重量百分含量為24%，玻璃粉為(IV)BzOs-SiC^-BbOs-AbOs玻璃體系，重量百分含量為12%，在(IV)玻璃體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、SiCWyo、Bi20343%、Zn019%、AI2O310%、Zr023%、BaO5%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值《士100ppm，電性能精度高。實施例5在實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr2Os，重量百分含量為1%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為2%，醇類溶劑是異辛醇，重量百分含量為32%，玻璃粉為(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系，重量百分含量為65%,在(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系中，各化合物的重量百分組成為B20326%、Si06%、PbO40%、Ti0212%、ZnO10%、Al2035%、Ag05%;賤金屬電極漿料中賤金屬鋅粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是聚乙稀，重量百分含量為2%,溶劑是松香醇，重量百分含量為16%，玻璃粉為在(II)與(IV)混合體系，其中重量百分含量(II)是7%，(IV)是8%，在(II)體系中，各組份的重量百分比為B20329wt%，Si0222wt%，Cu026%、ZnO19%、Al2034wt%;在(IV)體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、Si026%、Bi20343%、Zn019%、AI2O310%、Zr023%、Ba05%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值s土100ppm，電性能精度高。實施例6在實施例1中，粘接劑中的無機顏料是Cr203,重量百分含量為3%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為4%，醇類溶劑是松油醇，重量百分含量為28%，玻璃粉為(II)B203-Si02-Al203-ZnO-CuO體系，重量百分含量為65%，在(II)體系中，各化合物的重量百分組成為B2038%、Si0227%、Cu017%、ZnO17%、Bi20312%Al2033%、Zr027%、BaO4%Nb2051%Ti023%;在上述方法中，賤金屬電極漿料中賤金屬銅粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為1%，溶劑是異辛醇，重量百分含量為24%，玻璃粉為(III)B203-Si02-PbO-AI203體系，重量百分含量為7%，在(III)B2Q3-Si02-PbO-Al203體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、Si0215%、PbO40%、Al2033%、Zn016%、ZrO210%、用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值《士100ppm，電性能精度高。實施例7在實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr203，重量百分含量為3%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分含量為4%，醇類溶劑是松油醇，重量百分含量為28%，玻璃粉為(II)B203-Si02-AI203-ZnO-CuO體系，重量百分含量為65%，在(II)體系中，各化合物的重量百分組成為B2038%、SiO227%、CuO17%、ZnO17%、Bi20312%Al2033%、Zr027%、BaO4%Nb2051%Ti023%;賤金屬電極漿料中賤金屬鎳粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是氫化松香樹脂，重fi百分含S為2%，醇類溶劑是乙醇，重量百分含量為18%，玻璃粉為(I)與(m)的混合體系，其中重量百分含量(I)是5%，(川)是7%，在(I)體系中，各化合物的重量百分組成為B20324%、SiO210%、Pb047%、Ti024%、Zn08%、Al2034%、Ag03%;在(川)B203-Si02-PbO-Al203體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、、Si0215%、PbO40%、、Al2033%、Zn016%、ZrO210%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值s土100ppm，電性能精度高。實施例8實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr203，重量百分含量為3%,高分子樹脂是聚乙烯，重量百分含量為4%，醇類溶劑是松油醇，重量百分含量為28%，玻璃粉為(II)B203-Si02-AI203-ZnO-CuO體系，重量百分含量為65%，在(II)體系中，各化合物的重量百分組成為B2038%、Si0227%、CuCM7%、ZnO17%、Bi20312%Al2033%、Zr027%、BaO4%Nb2051%Ti023%;賤金屬電極漿料中賤金屬鎳粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是聚乙稀，重量百分含量為2%，溶劑是松油醇，重量百分含量為16%，玻璃粉為(I)與(III)的混合體系，其中重量百分含量(I)是10%，(III)是4%，在(I)Si02-B20s-PbO-Ti02體系中，各化合物的重量百分組成為B20324%、SiO210%、Pb047%、Ti024%、Zn08%、Al2034%、Ag03%;在(III)B203-Si02-PbO-AI203體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、Si0215%、PbO40%、Al2033%、Zn016%、ZrO210%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值《士100ppm,電性能精度高。實施例9在實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr203，重量百分含量為3%，高分子樹脂是聚乙烯，重S百分含量為4%，醇類溶劑是松油醇，重量百分含量為28%,玻璃粉為(II)B203-Si02-Al203-ZnO-CuO體系，重量百分含量為65%，在(II)體系中，各化合物的重量百分組成為B2038%、Si0227%、Cu017%、ZnO17%、Bi20312%AI2O33%、Zr027%、BaO4%Nb2051%Ti023%;賤金屬電極漿料中賤金屬銅粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是乙基纖維素，重量百分t;量為1%，醇類溶劑是異辛醇，重量百分含量為24%，玻璃粉為(IV)B203-Si02-Bi203-Al203玻璃體系，重量百分含量為12%，在(IV)玻璃體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、Si026%、Bi20343%、ZnO濕、助310%、Zr023%、BaO5%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值s士100ppm，電性能精度高。實施例10在實施例1的方法中，粘接劑中的無機顏料是Cr203，重量百分含量為3%，高分子樹脂是聚乙烯，重量百分含量為4%，醇類溶劑是松油醇，重量百分含量為28%，玻璃粉為(II)B203-Si02-AI203-ZnO-CuO體系，重量百分含量為65%，在(II)體系中，各化合物的重量百分組成為B2038%、Si0227%、Cu017%、ZnO17%、Bi20312%Al2033%、Zr027%、BaO4%Nb2051%丁'|023%;賤金屬電極漿料中賤金屬鎳粉的重量百分含量為68%，高分子樹脂是聚乙烯，重量百分含量為2%，醇類溶劑是松油醇，重量百分含量為16。/0，玻璃粉為在(IV)與(II)體系中，其中重量百分含量(II)是7%，(IV)是8Q/。，在(II)體系中各組份的重量百分比為B20329wto/。，Si0222wt%，Cu026%、ZnO19%、Al2034wt%;在(IV)B203-Si02-Bi203-AI203玻璃體系中，各化合物的重量百分組成為B20315%、Si026%、Bi20343%、Zn019%、AI2O310%、Zr023%、BaO5%。用上述方法製造的電阻器鍍後附著力好，阻值誤差±0.5%，TCR值《士100ppm，電性能精度高。通過以上的檢測結果得知，按上述的配方形成粘接層漿料與賤金屬漿料，利用常規絲網印刷的方式將粘接層漿料與賤金屬漿料印刷在Al203基板上的面、背電極位置形成面、背粘接層和面、背賤金屬導電電極層，在氮氣氛60080CTC下燒結，再通過電阻體、玻璃層與端電極的形成、雷射調阻步驟製得的片式電阻器，粘接層使得賤金厲電極層在電阻低溫燒結、電鍍後附著力強，並且該粘接層可直接取代一次玻璃，對於片式電阻器起保護作用，同時賤金屬電極漿料由於性價比低，能有效降低片式電阻器的生產成本，且不受Ag離子遷移影響產品性能，生產出的電阻電性能優異、可靠性高。權利要求1、一種片式賤金屬電阻器的製造方法，通過在Al2O3基板(3)形成電阻體(4)，附著在Al2O3基板(3)正面和背面的面電極和背電極、附著電阻體(4)上的玻璃層(5)與包覆在Al2O3基板(3)及面電極和背電極兩端的端電極(6)的形成及雷射調阻步驟製得，在製造過程中，a.通過絲網印刷的方法粘接用漿料塗覆在Al2O3基板(3)上設定的面、背電極位置處，然後在氮氣氛中，400～700L/min的流量、600～800℃的溫度下燒結，形成面電極粘接層(1)、背電極粘接層(1』)；b.通過絲網印刷的方法賤金屬導電漿料印製在面、背電極的粘接層(1與1』)上，印製在面電極粘接層(1)處的賤金屬導電漿料並與電阻體(4)形成保證電氣連接的搭接，然後在氮氣保護氣氛中，400～700L/min的流量、600～800℃的溫度下燒結，形成賤金屬面電極層(2)與背賤金屬電極層(2』)。2、如權利要求1所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於粘接層漿料的組成是玻璃粉50~70wt%，無機顏料0.3~8.0wt%，高分子樹脂0.56wt。/。，溶劑10~48wt%。3、如權利要求2所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於玻璃粉的組成是(I)Si02-B203-PbO-Ti02體系玻璃粉，該體系中各組份的重量百分比為SiO25-30wt%，B2035~28wt%，PbO20~70wt%，Ti025~15wt%，Al2030~5wt%，ZnO0~10wt%，CuO0~10wt%，AgO0~5。/0。4、如權利要求2所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於玻璃粉的組成是(II)B203-Si02-AI203-ZnO-CuO體系玻璃粉，該體系中各組份的重量百分比為B2O35~30wt%，Si0211~30wt%,Bi2C)30~10wt%，AI2O33~10wt%，Cu05~20wt%，ZnO5-20wt%,ZrO0~15wt%，BaO0~5wt%，CaO0~5wt%SrO0~10wt%，Nb2050~5wt%，TiO20~8wt%。5、如權利要求3或4所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵.在於無機顏料是指Cr203、CuO、Cr203或Co中的一種或幾種的組合，所述的高分子樹脂是乙基纖維素、氫化松香樹脂、聚乙烯、聚氨酯中的一種或幾種的組合，所述的有機溶劑是指乙醇、異辛醇、松油醇、四甲苯溶劑中的一種或幾種的組合。6、如權利要求2所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於賤金屬電極漿料按重量百分比的組成為賤金屬材料60~75wt%;高分子樹脂0.5~5wt%;溶劑5~35wt%;玻璃粉7~17wt%，其中玻璃粉的組成為(I)Si02畫B203-PbO-Ti02體系0~5wt%(III)B203-Si02-PbO-Al203體系7~14wt%。7、如權利要求6所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於在玻璃粉(I)Si02-B203-PbO-TiQ2體系中，各組份的重量百分比為SiO25-30wt%，B2O35~28wt%，PbO20~70wt%，Ti025~15wt%，Al2030~5wt%，ZnO0~10wt%，CuO0~10wt%，AgO0~5%;在玻璃粉(川)B203-Si02-PbO-AI203體系中，各組份的重量百分比為B2O310~30wt%，Si02l5~32wt%，PbO20~40wt%，AI2033~t%，ZnO3~18wt%，ZrO20~10wt%，BaO0~5wt%。8、如權利要求2所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於賤金屬電極漿料的組成為賤金屬材料60~75wt%;高分子樹脂0.5~5wt%;溶劑5~35wt%;玻璃粉616wt。/。，其中玻璃粉的組成為(II)B203-Si02-Al203-ZnO-CuO玻璃體系0~9wt%%(IV)B203-Si02-Bi203-AI203玻璃體系6~13wt。9、如權利要求8所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於在玻璃粉(II)BsOs-SiC^-AbCb-ZnO-CuO體系中各組份的重量百分比為B2O35~30wt%，Si0211~30wt%,Bi20315~83wt%,AI2033~10wt%，ZnO0~18wt%，ZrO0~10wt%，BaO0~5wt%，TiO20~8wt%;在玻璃粉(IV)B》s-Si02-Bi203-Al203體系中，各組份的重量百分比為B2O35~30wt%，Si0211~30wt%，Bi20315~83wt%，AI2033~10wt%，ZnO0~18wt%，ZrO0~10wt%，BaO05wt%，TiO20~8wt.%。10、如權利要求7或9所述的片式賤金屬電阻器的製造方法，其特徵在於所述的賤金屬材料是銅粉、鎳粉或鋅粉中一種或幾種的組合；所述的高分子樹脂是乙基纖維素、氫化松香樹脂、聚乙烯、聚氨酯中的一種或幾種的組合；所述的有機溶劑是指乙醇、異辛醇、松油醇、四甲苯溶劑一種或幾種的組合。全文摘要本發明涉及一種片式賤金屬電阻器的製造方法，主要通過面電極、背電極、電阻體、玻璃層與端電極的形成、雷射調阻步驟製得。在電極形成中，通過絲網印刷的方式將粘接層的漿料塗覆在Al2O3基板的面、背電極位置形成面電極粘接層、背電極粘接層；通過絲網印刷的方式將賤金屬導電漿料印製在面、背電極的粘接層上，形成電阻器的面賤金屬導電電極層與背賤金屬導電電極層，粘接層使得賤金屬電極層在電阻低溫燒結、電鍍後附著力強，生產成本低、電阻的電性能優異、可靠性高。文檔編號H01C17/28GK101206939SQ200710032640公開日2008年6月25日申請日期2007年12月14日優先權日2007年12月14日發明者付衣梅,孟淑媛,豔安,江志堅申請人:廣東風華高新科技股份有限公司