N型導電導熱超晶格dbr垂直式藍光led晶片及其製作方法
2023-07-01 20:29:46 1
專利名稱：N型導電導熱超晶格dbr垂直式藍光led晶片及其製作方法
技術領域：
本發明涉及一種藍光LED晶片及其製作方法，特別是涉及一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片及其製作方法。
背景技術：
目前，常見的藍光LED晶片分為兩種，即橫向結構(Lateral)的藍光LED晶片和垂直結構(Vertical)的藍光LED晶片，其中，所述平面式藍光LED其P、N電極在同一側，P、N電極同側勢必需要蝕刻掉部分量子阱來製備N區，從而浪費了相當大的一部分發光面積，且P、N電極同側具有電流分布不均勻，散熱性差等諸多缺點，而電流分布不均勻進而影響到晶片的電壓和亮度，散熱性差會造成結溫升高，內量子效率下降等問題，影響到晶片的光 效。而垂直式藍光LED晶片其P、N電極分布在量子阱的兩側，因此不需要蝕刻量子阱，大大提高了晶片發光面積的利用率，電流垂直於晶片均勻分布，且垂直式LED晶片結構中各層都會儘量選用導熱性良好的材料，因此垂直式LED晶片的散熱性能良好，大大消除了熱量積聚帶來的結溫升高，內量子效率下降。正因為這些獨特的優點，垂直式LED晶片成為LED研究的熱點。目前常見的垂直式藍光LED晶片的製作過程中，一般是在本領域技術人員熟知的藍光發光外延層的表面上直接鍍上反射性金屬Ag或者Al，但是該種做法卻具有以下缺點
I、Ag和Al很難與P-GaN形成歐姆接觸至使LED晶片的電壓很高；2、Ag和Al的反射率會隨著溫度的升高而急劇降低，當LED晶片內部熱量積聚溫度升高時，因為金屬反射鏡反射率的下降，致使晶片外量子效率降低，從而降低了 LED晶片的亮度和發光效率；3、Ag、Al與GaN的粘附性很差，易於脫落，且Ag在高溫下易發生團聚。在垂直式藍光LED晶片的製作過程中也有另一種做法，即鍍上透明導電層(TCO)後，再於透明導電層上鍍上高反射率金屬Ag或者Al，但是，該種做法仍具有以下缺點1、由於Ag和Al的反射率會隨著溫度的升高而急劇降低，當LED晶片內部熱量積聚溫度升高時，因為金屬反射鏡反射率的下降，致使晶片外量子效率降低，從而降低了 LED晶片的亮度和發光效率；2、Ag和Al與TCO薄膜的粘附性很差，易脫落，且Ag在高溫下會發生團聚。為此，針對如何解決垂直式LED晶片P-GaN的歐姆接觸、反射鏡粘附性不好和高溫下反射鏡反射率下降的問題，當前也有部分學者參照紅光LED和黃光LED中使用金屬有機化合物化學氣相澱積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)生長導電DBR的經驗，嘗試在藍光發光外延層的表面上使用MOCVD生長導電DBR，可是因為使用MOCVD生長在藍、綠光波段內擁有高透過率高導電導熱性薄膜構成的導電DBR時的生長溫度比量子阱中的壘和阱的生長溫度高出很多，直接導致量子阱性能衰退和晶片波長出現非常巨大的漂移，並且藍光發光外延層的表面是P型摻雜，為了與P-GaN之間形成良好的歐姆接觸，一般選用MOCVD在藍光發光外延層的表面生長P型導電DBR，但是III-V族化合物半導體普遍存在P型摻雜的困難，且P型III-V族化合物半導體的載流子濃度不高，從而導致電阻率過大，用此P型導電DBR製成的垂直式藍光LED晶片存在電壓過高的問題。因此，如何降低導電DBR的製備溫度和降低使用導電DBR作為P電極的藍光LED晶片的電壓，進而製備出低電壓，高軸向輸出垂直式藍光LED晶片，已經成為本領域的從業者亟待解決的問題。
發明內容
鑑於以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在於提供一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片及其製作方法，以解決現有技術中的上述垂直式LED晶片P-GaN的歐姆接觸、反射鏡粘附性弱、高溫下反射鏡的反射率下降、導電DBR的製備溫度過高和使用導電DBR作為P電極的藍光LED晶片電壓過高等問題。為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種N型導電導熱超晶格DBR垂直 式藍光LED晶片及其製作方法，其中，所述製作方法至少包括以下步驟1)提供一藍寶石襯底，並於所述藍寶石襯底的上表面形成發光外延層；2)於所述發光外延層上蒸鍍一透明導電層；3)採用低溫電子束蒸鍍及輔助離子源夯實成膜技術在所述透明導電層上製備出N型導電導熱超晶格DBR層，並通過高溫退火以使所述透明導電層與所述N型導電導熱超晶格DBR層和發光外延層同時形成歐姆接觸；4)提供一導電性襯底，採用晶圓鍵合技術將所述導電性襯底鍵合至所述N型導電導熱超晶格DBR層的上表面以形成P電極；5)利用雷射剝離技術剝離所述藍寶石襯底，以將所述藍寶石襯底從所述發光外延層的下表面剝離；以及
6)於所述發光外延層的下表面製備出N電極。在本發明製作方法的步驟3)中，製備出的所述N型導電導熱超晶格DBR層為第一種透明導電導熱薄膜與折射率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的第二種透明導電導熱薄膜和/或第η種透明導電導熱薄膜交替疊合的多層結構。具體地，所述第一種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlxGahN ;所述第二種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlyGai_yN，所述第η種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlnGai_nN。在本發明製作方法的步驟4)中，是通過一鍵合層將所述導電性襯底鍵合至所述N型導電導熱超晶格DBR層的上表面的；所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導電材料、或者有機導電材料，且所述鍵合層為單層結構或多層結構。在本發明製作方法中，所述導電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導電材料，且所述導電性襯底為單層結構或多層結構。本發明還提供一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片，其特徵在於，包括發光外延層；透明導電層，疊置於所述發光外延層的上表面；N型導電導熱超晶格DBR層，疊置於所述透明導電層的上表面；導電性襯底，鍵合於所述N型導電導熱超晶格DBR層的上表面以形成P電極；以及N電極，接置於所述發光外延層的下表面。在本發明的垂直式藍光LED晶片中，所述N型導電導熱超晶格DBR層為第一種透明導電導熱薄膜與折射率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的第二種透明導電導熱薄膜和/或第η種透明導電導熱薄膜交替疊合的多層結構。具體地，所述第一種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlxGahN ;所述第二種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlyGai_yN，所述第η種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlnGai_nN。本發明的垂直式藍光LED晶片，還包括有鍵合層，位於所述導電性襯底與所述N型導電導熱超晶格DBR層之間，所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導電材料、或者有機導電材料，且所述鍵合層為單層結構或多層結構。在本發明的垂直式藍光LED晶片中,所述導電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導電材料，且所述導電性襯底為單層結構或多層結構。如上所述，本發明的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片及其製作方法具有以下有益效果
I、利用ITO與P-GaN和N型導電導熱超晶格DBR之間易於同時形成歐姆接觸的特點，有效降低了垂直式LED管芯的電壓。2、N型導電導熱超晶格DBR因為是由耐高溫的半導體透明導電膜組成，且與ITO之間具有良好的粘附性，有效地解決了之前使用Ag和Al不耐高溫和粘附性不好的缺點。3、N型導電導熱超晶格DBR在較寬的波段範圍內能保持99%以上的直向反射率，且此反射率不隨溫度升高而降低，有效地解決了 Ag或者AL的反射率會隨溫度下降的缺點。4、N型導電導熱超晶格DBR/metal ref lector組成的複合式反射鏡在藍綠光波段的反射率> 99 %相較反射率為91 %的Al和反射率為95 %的Ag具有更高的反射率，且相較單純的金屬反射鏡具有更好的軸向反光性，更有利於將光反射回晶片正面，提高LED晶片的軸向光強和晶片的發光效率。5、N型導電導熱超晶格DBR擁有非常優異的導電性能，N型摻雜III-V族半導體的載流子濃度很高，且相鄰兩層N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜之間的晶格結構和晶格常數都非常地匹配，因此結晶性好，載流子遷移率高，故N型導電導熱超晶格DBR擁有非常優異的導電能力，不會給垂直式LED帶來額外的電壓。6、N型導電導熱超晶格DBR可以採用低溫電子束蒸鍍同時離子源輔助夯實的方法製備，有效地解決了 MOCVD製備在藍、綠光波段內擁有高透過率高導電性薄膜構成的導電DBR時過高的生長溫度給量子阱帶來的負面影響和晶片波長的漂移。7、N型導電導熱超晶格DBR的每一層均是導熱性非常良好的材料，能將熱量迅速傳導出LED晶片，有效地消除了熱量積聚帶來的結溫升高，內量子效率下降。
圖I至圖6顯示為本發明的製作方法中依據各步驟呈現的LED晶片截面結構示意圖。圖7顯示為本發明的本發明的垂直式藍光LED晶片在另一種實施方式中的截面結構示意圖。
具體實施例方式以下由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其他優點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，並非用以限定本發明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的範圍內。同時，本說明書中所引用的如「上表面」、「下表面」、「左」、「右」、「中間」、「二」及「一」等的用語，亦僅為便於敘述的明了，而非用以限定本發明可實施的範圍，其相對關係的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施的範疇。請參閱圖I至圖6，顯示為本發明的中依據各步驟呈現的LED晶片截面結構示意圖。如圖所示，本發明提供一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片的製作方法，所述製作方法至少包括以下步驟如圖I所示，首先執行步驟1，提供一藍寶石襯底11，並於所述藍寶石襯底11的上表面形成發光外延層12。接著執行步驟2。 如圖2所示，在步驟2中，於所述發光外延層12上蒸鍍一透明導電層13 (ITO)。接著執行步驟3。 如圖3所示，在步驟3中，採用低溫電子束蒸鍍及輔助離子源夯實成膜技術在所述透明導電層13上製備出N型導電導熱超晶格DBR層14，於本實施例中，製備出的所述N型導電導熱超晶格DBR層14為第一種透明導電導熱薄膜與折射率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的第二種透明導電導熱薄膜和/或第η種透明導電導熱薄膜交替疊合的多層結構。所述N型導電導熱超晶格DBR層14採用低溫電子束蒸鍍同時離子源輔助夯實的方法製備，有效地解決了 MOCVD製備在藍、綠光波段內擁有高透過率高導電性薄膜構成的導電DBR時過高的生長溫度給量子阱帶來的負面影響和晶片波長的漂移。更為具體地，所述第一種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlxGahN;所述第二種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlyGai_yN，所述第η種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlnGa^nN,然，並不局限於此，所述第η種透明導電導熱薄膜還可能為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlaGa1-^AlbGa1-AAleGanN……AlnGa1J等。需要說明的是，所述第二種及第η種透明導電導熱薄膜的電阻率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的電阻率，且所述第二種及第η種透明導電導熱薄膜在藍光波段內的透過率在85 %以上。然後，通過高溫退火以使所述透明導電層13與所述N型導電導熱超晶格DBR層14和發光外延層12同時形成歐姆接觸，從而利於在後續的步驟中形成具備高導電性、高導熱性、高直向反射率和良好歐姆接觸性的垂直式LED晶片P電極，進而消除使用傳統反光電極垂直式LED晶片P電極粘附性不好，歐姆接觸差，軸向型反射率不好等諸多缺點，以易於製備出低電壓，高軸向輸出垂直式藍光LED晶片。接著執行步驟4。如圖4所示，在步驟4中，提供一導電性襯底16，於本實施例中，所述導電性襯底16為金屬材料、合金材料、或者非金屬導電材料，且所述導電性襯底16為單層結構或多層結構。然後，採用晶圓鍵合技術將所述導電性襯底16鍵合至所述N型導電導熱超晶格DBR層14的上表面以形成P電極，於本實施例中，藉由一層鍵合層15將所述導電性襯底16鍵合至所述N型導電導熱超晶格DBR層14的上表面，具體地，所述鍵合層15為金屬材料(例如為Au、Cu、Sn、Ag等)、合金材料、非金屬導電材料、或者有機導電材料,且所述鍵合層15可以為單層結構也可以為多層結構。當然，在其他的實施例中，也可以通過直接鍵合的方式將所述導電性襯底16鍵合至所述N型導電導熱超晶格DBR層14的上表面以形成P電極(未標示)。接著執行步驟5。如圖5所示，在步驟5中，利用雷射剝離技術剝離所述藍寶石襯底11，以將所述藍寶石襯底11從所述發光外延層12的下表面剝離。接著執行步驟6。如圖6所示，在步驟6中，於所述發光外延層12的下表面製備出N電極17，至此，即製作出低電壓，高軸向輸出的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片。本發明還提供一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片,包括發光外延層12、透明導電層13 (ITO)、N型導電導熱超晶格DBR層14、導電性襯底16、以及N電極17。為便於理解，敬請再參閱圖I至圖6。如圖所示，所述透明導電層13疊置於所述發光外延層12的上表面。於本實施例中，所述發光外延層12為P-GaN層或N-GaN層。 所述N型導電導熱超晶格DBR層14疊置於所述透明導電層13的上表面，S卩，所述透明導電層13位於所述N型導電導熱超晶格DBR層14和發光外延層12之間，並分別與所述N型導電導熱超晶格DBR層14和發光外延層12形成歐姆接觸。於本實施例中，所述N型導電導熱超晶格DBR層14為第一種透明導電導熱薄膜與折射率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的第二種透明導電導熱薄膜和/或第η種透明導電導熱薄膜交替疊合的多層結構。所述N型導電導熱超晶格DBR層14有效地解決了MOCVD製備在藍、綠光波段內擁有高透過率高導電性薄膜構成的導電DBR時過高的生長溫度給量子阱帶來的負面影響和晶片波長的漂移。更為具體地，所述第一種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlxGahN;所述第二種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlyGai_yN，所述第η種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlnGa^nN,然，並不局限於此，所述第η種透明導電導熱薄膜還可能為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlaGa1-^AlbGa1-AAleGanN……AlnGa1J等。需要說明的是，所述第二種及第η種透明導電導熱薄膜的電阻率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的電阻率，且所述第二種及第η種透明導電導熱薄膜在藍光波段內的透過率在85 %以上。所述導電性襯底16鍵合於所述N型導電導熱超晶格DBR層14的上表面以形成P電極(未標不)，於本實施例中，所述導電性襯底16為金屬材料、合金材料、或者非金屬導電材料，且所述導電性襯底16為單層結構或多層結構。本發明的垂直式藍光LED晶片還包括有一層鍵合層15，位於所述導電性襯底16與所述N型導電導熱超晶格DBR層14之間，所述鍵合層15為金屬材料(例如為Au、Cu、Sn、Ag等)、合金材料、非金屬導電材料、或者有機導電材料，且所述鍵合層15為單層結構或多
層結構。所述N電極17接置於所述發光外延層12的下表面。在另一種實施方式中，本發明的垂直式藍光LED晶片還包括有一層漫反射型反射層18，設置在所述鍵合層15與所述N型導電導熱超晶格DBR層14之間，所述漫反射型反射層18可以是金屬層或合金層，也可以為單層或多層結構，以使N型導電導熱超晶格DBR層14與漫反射型反射層18組成的複合式反射鏡在藍綠光波段的反射率>99%相較反射率為91 %的Al和反射率為95%的Ag具有更高的反射率，且相較單純的金屬反射鏡具有更好的軸向反光性，更有利於將光反射回晶片正面，提高LED晶片的軸向光強和晶片的發光效率。綜上所述，本發明的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片及其製作方法利用ITO與P-GaN和N型導電導熱超晶格DBR之間易於同時形成歐姆接觸的特點，有效降低了垂直式LED管芯的電壓；而且，所述N型導電導熱超晶格DBR層因為是由耐高溫的半導體透明導電膜組成，且與ITO之間具有良好的粘附性，有效地解決了之前使用Ag和Al不耐高溫和粘附性不好的缺點。再者，N型導電導熱超晶格DBR層在較寬的波段範圍內能保持99%以上的直向反射率，且此反射率不隨溫度升高而降低，有效地解決了 Ag或者AL的反射率會隨溫度下降的缺點。另外，由於所述N型導電導熱超晶格DBR層擁有非常優異的導電性能，N型摻雜III-V族半導體的載流子濃度很高，且相鄰兩層N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜之間 的晶格結構和晶格常數都非常地匹配，因此結晶性好，載流子遷移率高，故N型導電導熱超晶格DBR擁有非常優異的導電能力，不會給垂直式LED帶來額外的電壓。本發明中的N型導電導熱超晶格DBR層的每一層均是導熱性非常良好的材料，能將熱量迅速傳導出LED晶片，有效地消除了熱量積聚帶來的結溫升高，內量子效率下降。所以，本發明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業利用價值。上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及範疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的權利要求所涵蓋。
權利要求
1.一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片的製作方法，其特徵在於，所述製作方法至少包括以下步驟 1)提供一藍寶石襯底，並於所述藍寶石襯底的上表面形成發光外延層； 2)於所述發光外延層上蒸鍍一透明導電層； 3)採用低溫電子束蒸鍍及輔助離子源夯實成膜技術在所述透明導電層上製備出N型導電導熱超晶格DBR層，並通過高溫退火以使所述透明導電層與所述N型導電導熱超晶格DBR層和發光外延層同時形成歐姆接觸； 4)提供一導電性襯底，採用晶圓鍵合技術將所述導電性襯底鍵合至所述N型導電導熱超晶格DBR層的上表面以形成P電極； 5)利用雷射剝離技術剝離所述藍寶石襯底，以將所述藍寶石襯底從所述發光外延層的下表面剝離；以及 6)於所述發光外延層的下表面製備出N電極。
2.根據權利要求I所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片的製作方法，其特徵在于于步驟3)中，製備出的所述N型導電導熱超晶格DBR層為第一種透明導電導熱薄膜與折射率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的第二種透明導電導熱薄膜和/或第η種透明導電導熱薄膜交替疊合的多層結構。
3.根據權利要求2所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片的製作方法，其特徵在於所述第一種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlxGahN ；所述第二種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlyGai_yN，所述第η種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlnGai_nN。
4.根據權利要求I所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片的製作方法，其特徵在于于步驟4)中，是通過一鍵合層將所述導電性襯底鍵合至所述N型導電導熱超晶格DBR層的上表面的；所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導電材料、或者有機導電材料，且所述鍵合層為單層結構或多層結構。
5.根據權利要求I所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片的製作方法，其特徵在於所述導電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導電材料，且所述導電性襯底為單層結構或多層結構。
6.一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片，其特徵在於，包括 發光外延層； 透明導電層，疊置於所述發光外延層的上表面； N型導電導熱超晶格DBR層，疊置於所述透明導電層的上表面； 導電性襯底，鍵合於所述N型導電導熱超晶格DBR層的上表面以形成P電極；以及N電極，接置於所述發光外延層的下表面。
7.根據權利要求6所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片，其特徵在於所述N型導電導熱超晶格DBR層為第一種透明導電導熱薄膜與折射率不同於所述第一種透明導電導熱薄膜的第二種透明導電導熱薄膜和/或第η種透明導電導熱薄膜交替疊合的多層結構。
8.根據權利要求7所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片，其特徵在於所述第一種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlxGahN ;所述第二種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlyGai_yN，所述第η種透明導電導熱薄膜為N型摻雜超晶格型透明導電導熱薄膜AlnGai_nN。
9.根據權利要求6所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片，其特徵在於還包括有鍵合層，位於所述導電性襯底與所述N型導電導熱超晶格DBR層之間，所述鍵合層為金屬材料、合金材料、非金屬導電材料、或者有機導電材料，且所述鍵合層為單層結構或多層結構。
10.根據權利要求6所述的N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片，其特徵在於所述導電性襯底為金屬材料、合金材料、或者非金屬導電材料，且所述導電性襯底為單層結構或多層結構。
全文摘要
本發明提供一種N型導電導熱超晶格DBR垂直式藍光LED晶片及其製作方法，該方法是首先在藍寶石襯底的上表面形成發光外延層，並在發光外延層上製備出透明導電層，然後在透明導電層上低溫蒸鍍N型導電導熱超晶格DBR層，以使該透明導電層與N型導電導熱超晶格DBR層和發光外延層同時形成歐姆接觸，接著將導電性襯底鍵合至N型導電導熱超晶格DBR層上以形成P電極，最後剝離掉該藍寶石襯底，在該發光外延層的下表面製備出N電極。該方法製作出的垂直式藍光LED晶片克服了現有技術中的垂直式LED晶片電極材料難與P-GaN形成歐姆接觸、反射鏡粘附性弱、高溫下反射鏡的反射率下降、導電DBR的製備溫度過高和使用導電DBR作為高反光P電極的垂直式藍光LED晶片電壓過高等問題。
文檔編號H01L33/64GK102903800SQ20111021262
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月28日 優先權日2011年7月28日
發明者林宇傑 申請人:上海博恩世通光電股份有限公司